在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，改變焊接層中的空洞率，檢測半導(dǎo)體器件模型在不同空洞 率下的溫度包括；將焊接層中的空洞率依次設(shè)置為〇%、3%、5%、10%、20%、50%、70%， 檢測半導(dǎo)體器件模型在各個(gè)空洞率下的溫度，獲得上述焊接層中不同空洞率下，所述半導(dǎo) 體器件模型的整體溫度，其結(jié)果如表3所示：
[0085] 表3中必空洞率與模型整體溫度的對應(yīng)關(guān)系
[0086]
[0087] 根據(jù)表3中的數(shù)據(jù)繪制成曲線圖，獲得所述半導(dǎo)體器件模型中焊接層中的空洞率 與所述半導(dǎo)體器件模型的溫度關(guān)系曲線圖如圖4所示。根據(jù)圖4,可W很直觀地看出隨著焊 接層中空洞率的增大，即空洞面積的增大，所述半導(dǎo)體器件模型的整體溫度也逐漸升高。從 表3中也可W得知，較小的空洞率對半導(dǎo)體器件模型整體溫度的影響也較小，相對于焊接 層中的空洞率為0%而言，當(dāng)焊接層中的空洞率為50%時(shí)，所述半導(dǎo)體器件模型的溫度升 高了 13. 876C，近14C，而當(dāng)焊接層中的空洞率為70%時(shí)，所述半導(dǎo)體器件模型的溫度升 高了 37. 458C，由此可見，當(dāng)焊接層中的空洞率大于50%時(shí)，空洞率對所述半導(dǎo)體器件模 型溫度的影響明顯變大。
[0088] 需要說明的是，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，所述焊接層中的空洞的形狀可W為其他 形狀，本發(fā)明對此并不做限定，具體視情況而定。同理，所述焊接層中空洞也可W在所述焊 接層的其他位置，所述焊接層中的空洞率也可W選取其他數(shù)值，本發(fā)明對此均不做限定，具 體視情況而定。
[0089] 步驟103 ;固定焊接層中的空洞率，改變焊接層中空洞的位置，檢測半導(dǎo)體器件模 型的溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層中的空洞位置對半導(dǎo)體器件溫度和應(yīng)力分布的影響。
[0090] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，對焊接層預(yù)設(shè)一個(gè)空洞率，在該空洞率不變的情況下， 改變空洞在焊接層中的位置，檢測空洞位于不同位置時(shí)半導(dǎo)體器件模型的溫度和應(yīng)力分 布，根據(jù)檢測結(jié)果獲得空洞位置對半導(dǎo)體器件溫度和應(yīng)力分布的影響。
[0091] 需要說明的是，在該步驟中，檢測空洞位于不同位置時(shí)半導(dǎo)體器件模型的溫度和 應(yīng)力分布可W是在同一空洞率下檢測；也可W是檢測空洞位于不同位置時(shí)半導(dǎo)體器件模型 的溫度采用一個(gè)預(yù)設(shè)空洞率，而檢測空洞位于不同位置時(shí)半導(dǎo)體器件模型的應(yīng)力分布采用 另一個(gè)預(yù)設(shè)空洞率，本實(shí)施例對此并不做限定，但必須保證檢測半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng) 力分布其中之一的一個(gè)物理量時(shí)，在不同位置的空洞率保持一致。
[0092] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，固定焊接層中的空洞率，改變 焊接層中空洞的位置，檢測半導(dǎo)體器件模型的溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層中的空洞位置 對半導(dǎo)體器件溫度的影響包括：
[0093] 將焊接層中的空洞率設(shè)置為3%，改變焊接層中空洞的位置，檢測半導(dǎo)體器件模型 在不同空洞位置下的溫度；
[0094] 將焊接層中的空洞率設(shè)置為5%，改變焊接層中空洞的位置，檢測半導(dǎo)體器件模型 在不同空洞位置下的應(yīng)力分布；
[0095] 根據(jù)半導(dǎo)體器件模型在不同空洞位置下的溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層中的空洞 位置對半導(dǎo)體器件溫度和應(yīng)力分布的影響。
[0096] 優(yōu)選的，改變焊接層中空洞的位置，檢測半導(dǎo)體器件模型在不同空洞位置下的溫 度和應(yīng)力分布包括：依次將焊接層中的空洞位置設(shè)置在焊接層對角線的不同位置，檢測半 導(dǎo)體器件模型在不同空洞位置下的溫度和應(yīng)力分布。
[0097] 在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，預(yù)設(shè)焊接層中空洞率為3%，將焊接層中空洞的位 置沿焊接層的對角線移動(dòng)，根據(jù)對稱關(guān)系，本實(shí)施例取其中一半進(jìn)行分析，即選取空洞的位 置沿著對角線從對角線中點(diǎn)移動(dòng)到對角線端點(diǎn)送一過程來進(jìn)行分析，獲得空洞在焊接層對 角線上不同位置與半導(dǎo)體器件模型溫度變化的關(guān)系曲線圖如圖5所示，其中，L = 0為對角 線中點(diǎn)，L = 1/2為對角線端點(diǎn)。
[0098] 由圖5可知，焊接層中空洞的位置沿著焊接層對角線從對角線中點(diǎn)移動(dòng)到對角線 端點(diǎn)的過程中，半導(dǎo)體器件模型的最高溫度先減小后增加，且在L = 1/4處對角線位置時(shí)， 空洞對于半導(dǎo)體器件模型的溫度影響最小，對角線端點(diǎn)位置時(shí)，空洞對半導(dǎo)體器件模型溫 度影響最大。此外，從圖5中還可W看出，焊接層中空洞位置沿焊接層對角線L = 1/4至L =1/2位置移動(dòng)過程中，半導(dǎo)體器件模型的溫度的變化明顯大于焊接層中空洞位置從焊接 層對角線中點(diǎn)到L = 1/4過程中，半導(dǎo)體器件模型的溫度變化。
[0099] 需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件模型的空洞率還可W 設(shè)為其他值，所述空洞的位置也可W不在焊接層對角線上變化，本發(fā)明對此并不做限定，具 體視情況而定。
[0100] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)設(shè)焊接層中空洞率為5%，將焊接層中的空洞位置 沿焊接層的對角線移動(dòng)，獲得焊接層中的空洞位于不同位置時(shí)，所述半導(dǎo)體器件模型的應(yīng) 力分布。需要說明的是，在本實(shí)施例中，需要預(yù)先或的焊接層中空洞率為0%時(shí)，即焊接層完 整時(shí)所述半導(dǎo)體器件模型的應(yīng)力分布。如圖6和圖7所示，其中，圖6為焊接層中空洞率為 0%時(shí)，所述半導(dǎo)體器件模型的應(yīng)力分布圖；圖7為焊接中空洞位于對角線中部和端部時(shí)， 所述半導(dǎo)體器件模型的應(yīng)力分布圖。
[0101] 如圖6所示，圖中區(qū)域顏色越深則對應(yīng)的應(yīng)力越大，由此可W看出，應(yīng)力主要分布 在芯片邊緣，且應(yīng)力最大值位于芯片頂角的下方，經(jīng)檢測獲得該最大值為114. 14MP。由圖7 可W看出，當(dāng)焊接層中具有空洞時(shí)，依然是芯片邊緣區(qū)域應(yīng)力較大，空洞位于焊接層對角線 中部（即中必位置）處對半導(dǎo)體器件模型的應(yīng)力分布影響不大，而位于焊接層對角線端部 (即拐角位置），會對半導(dǎo)體器件的應(yīng)力分布產(chǎn)生較大影響，此時(shí)最大應(yīng)力分布在拐角處空 洞的周圍，經(jīng)檢測獲得該最大應(yīng)力值為154. 37MP。
[0102] 還需要說明的是，在本實(shí)施例檢測空洞位置對半導(dǎo)體器件模型應(yīng)力分布的影響 中，只是優(yōu)選預(yù)設(shè)空洞率為5 %，也可W采用其他空洞率進(jìn)行分析，本發(fā)明對此并不做限定， 具體視情況而定。
[0103] 步驟104 ;固定所述焊接層的空洞率和空洞位置，改變焊接層的厚度，檢測半導(dǎo)體 器件模型溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層的厚度對半導(dǎo)體器件溫度和應(yīng)力分布的影響。
[0104] 對焊接層的空洞預(yù)設(shè)一個(gè)大小和一個(gè)位置，且保持不變，然后改變焊接層的厚度， 檢測半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層的厚度對半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng)力分 布的影響。
[0105] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，固定焊接層的空洞率和空洞位置，改變焊接層的厚度， 檢測半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層的厚度對半導(dǎo)體器件溫度和應(yīng)力分布的 影響包括：
[0106] 將焊接層中的空洞率設(shè)置為〇%，即所述焊接層中無空洞；
[0107] 改變焊接層的厚度，檢測半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng)力分布；
[010引根據(jù)半導(dǎo)體模型不同焊接層厚度下的溫度和應(yīng)力分布，獲得焊接層的厚度對半導(dǎo) 體器件溫度和應(yīng)力分布的影響。
[0109] 優(yōu)選的，改變焊接層的厚度，檢測半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng)力分布包括：將焊接層 的厚度從0. 035mm逐漸增大到0. 055mm，每增加0. 005mm，檢測一次半導(dǎo)體器件模型溫度和 應(yīng)力分布，獲得焊接層的厚度與半導(dǎo)體器件模型溫度和應(yīng)力分布的關(guān)系曲線示意圖如圖8 所示。由圖8可W看出，隨著焊接層厚度的增加，半導(dǎo)體器件模型的溫度不斷升高，最大應(yīng) 力卻不斷減小。
[0110] 需要說明的是，本實(shí)施例只是優(yōu)選預(yù)設(shè)焊接層中的空洞率為〇%，即所述焊接層中 無空洞，將焊接層的厚度從0. 035mm逐漸增大到0. 055mm，每增加0. 005mm檢測一次半導(dǎo)體 器件模型的溫度和應(yīng)力分布，本發(fā)明對此并不做限定，只要在空洞率和空洞位置固定的情 況下改變焊接層的厚度并檢測半導(dǎo)體器件模型的溫度和應(yīng)力分布即可。
[0111] 步驟105 ;根據(jù)上述焊接層的厚度、空洞位置W及空洞率對半導(dǎo)體器件性能的影 響，獲得焊接層質(zhì)量對半導(dǎo)體器件的性能影響的研究結(jié)果。
[0112] 在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，該研究方法還包括：改 變焊接層的材料，重復(fù)上述任一實(shí)施例中所提供的研究方法，驗(yàn)證上述研究方法獲得的焊 接層質(zhì)量對半導(dǎo)體器件的性能影響的研究結(jié)果，具體步驟請參考上述實(shí)施例，在此不再賞 述。
[0113] 相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件中焊接層的焊接方法，包括：根據(jù) 上述任一實(shí)施例提供的焊接層質(zhì)量對半導(dǎo)體器件性能影響的研究方法中獲得的焊接層質(zhì) 量對半導(dǎo)體器件的性能影響的研究結(jié)果，獲得焊接層焊接時(shí)提高焊接質(zhì)量的方