8、圖9所示，本發(fā)明提供一種共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，該方法包括如下步驟:
[0028]該實施例2與實施例1基本相同，不同之處為:在有源區(qū)層4上制作上層光柵時，先在有源區(qū)層4的上分別限制層4c上依次外延生長磷化銦間隔層4d和四元銦鎵砷磷層4e，在四元銦鎵砷磷層4e上向下刻蝕，形成上層光柵5a ;磷化銦間隔層4d的材料不摻雜，厚度為100納米至200納米，四元銦鎵砷磷層4e的材料不摻雜，厚度為10納米至80納米；在四元銦鎵砷磷層4e上向下刻蝕形成上層光柵5a，刻蝕深度達磷化銦間隔層4d。
[0029]實施例3
[0030]請參閱圖1、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14所示，本發(fā)明提供一種共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，該方法包括如下步驟:
[0031]該實施例3與實施例1基本相同，不同之處為:在摻雜磷化銦襯底1上制備下層光柵時，
[0032]先生長一層磷化銦緩沖層la和四元銦鎵砷磷層lb，在四元銦鎵砷磷層lb上向下刻蝕，形成下層光柵2a，刻蝕深度到達磷化銦緩沖層la的表面，所述磷化銦緩沖層la是指摻雜類型和摻雜濃度與襯底一致的磷化銦材料層，厚度為300納米至2微米；四元銦鎵砷磷層lb為帶隙波長為1.1微米至1.4微米的不摻雜四元銦鎵砷磷材料，厚度為10納米至80納米。
[0033]實施例4
[0034]請參閱圖1、圖10、圖11、圖12、圖15、圖16、圖17所示，本發(fā)明提供一種共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，該方法包括如下步驟:
[0035]該實施例4與實施例1基本相同，不同之處為:
[0036]在摻雜磷化銦襯底1上制備下層光柵時，先生長一層磷化銦緩沖層la和四元銦鎵砷磷層lb，在四元銦鎵砷磷層lb上向下刻蝕，形成下層光柵2a，刻蝕深度到達磷化銦緩沖層la的表面，所述磷化銦緩沖層la是指摻雜類型和摻雜濃度與襯底一致的磷化銦材料層，厚度為300納米至2微米；四元銦鎵砷磷層lb為帶隙波長為1.1微米至1.4微米的不摻雜四元銦鎵砷磷材料，厚度為10納米至80納米。
[0037]在有源區(qū)層4上制作上層光柵時，先在有源區(qū)層4的上分別限制層4c上依次外延生長磷化銦間隔層4d和四元銦鎵砷磷層4e，在四元銦鎵砷磷層4e上向下刻蝕，形成上層光柵5a ;磷化銦間隔層4d的材料不摻雜，厚度為100納米至200納米，四元銦鎵砷磷層4e的材料不摻雜，厚度為10納米至80納米；在四元銦鎵砷磷層4e上向下刻蝕形成上層光柵5a，刻蝕深度達磷化銦間隔層4d。
[0038]實施例5
[0039]該實施例5與實施例1基本相同，不同之處為:摻雜磷化銦襯底為P型摻雜，重摻雜歐姆接觸層為η型摻雜。
[0040]實施例6
[0041]該實施例6與實施例2基本相同，不同之處為:摻雜磷化銦襯底為p型摻雜，重摻雜歐姆接觸層為η型摻雜。
[0042]實施例7
[0043]該實施例7與實施例3基本相同，不同之處為:摻雜磷化銦襯底為ρ型摻雜，重摻雜歐姆接觸層為η型摻雜。
[0044]實施例8
[0045]該實施例8與實施例4基本相同，不同之處為:摻雜磷化銦襯底為ρ型摻雜，重摻雜歐姆接觸層為η型摻雜。
[0046]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，該方法包括如下步驟: 步驟1:在摻雜磷化銦襯底上制作下層光柵； 步驟2:在下層光柵上外延生長下光柵覆蓋層和有源區(qū)層； 步驟3:在有源區(qū)層上制作上層光柵； 步驟4:在上層光柵上外延生長摻雜磷化銦蓋層和重摻雜歐姆接觸層； 步驟5:按標準激光器管芯工藝完成后續(xù)制作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述下層光柵可以為在摻雜磷化銦襯底上直接向下刻蝕，形成下層光柵。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述下層光柵可以為在摻雜磷化銦襯底上生長一層磷化銦緩沖層和四元銦鎵砷磷層，在四元銦鎵砷磷層上向下刻蝕，形成下層光柵；其中磷化銦緩沖層是指摻雜類型和摻雜濃度與襯底一致的磷化銦材料層，厚度為300納米至2微米；四元銦鎵砷磷層為帶隙波長為1.1微米至1.4微米的不摻雜四元銦鎵砷磷材料，厚度為10納米至80納米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述下光柵覆蓋層可為不摻雜的四元銦鎵砷磷層和磷化銦層；四元銦鎵砷磷層的厚度為10納米至80納米，通過外延技術(shù)填充在下層光柵的凹區(qū)內(nèi)；磷化銦層的厚度為100納米至200納米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述有源區(qū)層包含:一下分別限制層和依次生長在其上的多量子阱層和上分別限制層；下分別限制層和上分別限制層的材料為與摻雜磷化銦襯底晶格匹配的四元銦鎵砷磷或銦鎵鋁砷，厚度為50納米至200納米；多量子阱層的結(jié)構(gòu)為銦鎵砷磷/磷化銦或銦鎵鋁砷/磷化銦，阱的個數(shù)為3至6個，皇的個數(shù)為4至7個；有源區(qū)層的光熒光峰值波長為1.1微米至1.8微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述的上層光柵可以為在有源區(qū)層上面直接向下刻蝕，形成上層光柵。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述的上層光柵可以為在有源區(qū)層上再連續(xù)生長不摻雜的磷化銦間隔層和四元銦鎵砷磷層，在四元銦鎵砷磷層上向下刻蝕，形成上層光柵；磷化銦間隔層為100納米至200納米，四元銦鎵砷磷層為10納米至80納米。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，其中所述下層光柵和上層光柵，其起伏高度為10納米至80納米。
【專利摘要】一種共腔雙波長分布反饋激光器的制備方法，該方法包括如下步驟：步驟1：在摻雜磷化銦襯底上制作下層光柵；步驟2：在下層光柵上外延生長下光柵覆蓋層和有源區(qū)層；步驟3：在有源區(qū)層上制作上層光柵；步驟4：在上層光柵上外延生長摻雜磷化銦蓋層和重摻雜歐姆接觸層；步驟5：按標準激光器管芯工藝完成后續(xù)制作。本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)的雙模DFB激光器，其主要區(qū)別為光柵的制作方式，是在共腔有源區(qū)的下層和上層制作出兩套不同周期的DFB光柵，從而達到同時輸出兩個DFB波長的效果。
【IPC分類】H01S5/12, H01S5/30, H01S5/20
【公開號】CN105406355
【申請?zhí)枴緾N201510967950
【發(fā)明人】鄧秋芳, 朱洪亮, 許俊杰, 梁松
【申請人】中國科學院半導體研究所
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月22日