顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種顯示面板，尤指一種改善薄膜晶體管單元作動穩(wěn)定性的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示器技術(shù)不斷進步，用戶對于電子產(chǎn)品的要求越來越高，所有的裝置均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發(fā)展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發(fā)展成液晶顯示設(shè)備0XD)或有機發(fā)光二極管裝置(0LED)。
[0003]在IXD或0LED中，由于薄膜晶體管單元(TFT)的主動層材料的能隙一般與紫外光(UV)、藍(lán)光相近，因此，TFT對于紫外光及藍(lán)光十分敏感，在紫外光或藍(lán)光照射下(例如在工藝中照射紫外光或藍(lán)光、或來自外在環(huán)境的紫外光或藍(lán)光)，TFT中會產(chǎn)生額外的電子電洞對(electron hole pair),造成TFT中的載子通道(channel)上包含額外的載子(carrier)，進而造成TFT電性偏移，例如柵極電壓(Vth)負(fù)偏、漏電流上升等；更使0LED在暗態(tài)操作時會有漏光現(xiàn)象、或移位寄存器(Shift Register, S/R)、資料多工器(Data Mux)及其他驅(qū)動電路無法正常運作等問題。
[0004]有鑒于此，目前亟需發(fā)展一種改善上述問題的顯示面板，提升顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量并延長其使用壽命，期盼帶給消費者更穩(wěn)定、更高質(zhì)量的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的是在提供一種顯示面板，能減少顯示設(shè)備中的薄膜晶體管單元受到紫外光或藍(lán)光影響，進而有效提升顯示設(shè)備的穩(wěn)定性及顯示質(zhì)量。
[0006]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種顯示面板，包括:一基板；一薄膜晶體管單元，是設(shè)置于該基板上，且該薄膜晶體管單元包括:一柵極電極及一半導(dǎo)體層，其中該半導(dǎo)體層包含一載子通道區(qū)，且該柵極電極是對應(yīng)該載子通道區(qū)設(shè)置；一第一金屬氧化層，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上且覆蓋該載子通道區(qū)；以及一包含氧化硅(S1x)或三氧化二鋁(A1203)的隔離層，該隔離層是設(shè)置于該半導(dǎo)體層與該第一金屬氧化層之間；其中，波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層的穿透率為50%以下。
[0007]據(jù)此，本發(fā)明利用該第一金屬氧化層吸收短波長光線(例如在工藝中照射紫外光或藍(lán)光、或來自外在環(huán)境的紫外光或藍(lán)光)，有效減少短波長光線接觸到薄膜晶體管單元的半導(dǎo)體層，進而減少薄膜晶體管單元的電性偏移，并改善顯示設(shè)備在暗態(tài)操作時的漏光現(xiàn)象、或移位寄存器、資料多工器及其他驅(qū)動電路無法正常運作等問題，因此，本發(fā)明的顯示面板可提供更穩(wěn)定、更高質(zhì)量的顯示效果。
【附圖說明】
[0008]為進一步說明本發(fā)明的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中:
[0009]圖1是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管單元示意圖。
[0010]圖2是本發(fā)明另一較佳實施例的薄膜晶體管單元示意圖。
[0011]圖3是本發(fā)明再一較佳實施例的薄膜晶體管單元示意圖。
[0012]圖4A是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管單元的分解圖。
[0013]圖4B是本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管單元的俯視圖。
【具體實施方式】
[0014]以下是通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟習(xí)此技術(shù)的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可通過其他不同的具體實施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)亦可針對不同觀點與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。
[0015]實施例1
[0016]請參照圖1，本發(fā)明的顯示面板包括:一基板I ;一薄膜晶體管單元，是設(shè)置于該基板I上，且該薄膜晶體管單元包括:一柵極電極21、一半導(dǎo)體層22及一絕緣層26，其中該半導(dǎo)體層22包含一載子通道區(qū)221，且該柵極電極21是對應(yīng)該載子通道區(qū)221設(shè)置；一第一金屬氧化層32，設(shè)置于該半導(dǎo)體層22上且覆蓋該載子通道區(qū)221 ;以及一包含氧化硅(S1x)或三氧化二鋁(Al2O3)的隔離層31，該隔離層31是設(shè)置于該半導(dǎo)體層22與該第一金屬氧化層32之間,其中，波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層32的穿透率為50%以下。
[0017]于本實施例中，該薄膜晶體管單元還可包含一源極電極23及一漏極電極24，該源極電極23與該漏極電極24是設(shè)置于該半導(dǎo)體層22上方，且該源極電極23與該漏極電極24與該半導(dǎo)體層22連接，該第一金屬氧化層32是設(shè)置于該半導(dǎo)體層22以及該源極電極23與該漏極電極24之間；然而，該第一金屬氧化層32亦可設(shè)置于該源極電極23與該漏極電極24上方并覆蓋該源極電極23與該漏極電極24。此外，于本實施例中，該第一金屬氧化層32設(shè)置于該半導(dǎo)體層22上且包覆該半導(dǎo)體層22的一側(cè)壁222 ;然而，該第一金屬氧化層32僅需至少覆蓋該載子通道區(qū)221，可視需求選擇性地包覆該半導(dǎo)體層22的一側(cè)壁222，若第一金屬氧化層32包覆該半導(dǎo)體層22的該側(cè)壁222，則更有助于減少薄膜晶體管單元的電性偏移及改善顯示設(shè)備在暗態(tài)操作時的漏光現(xiàn)象。
[0018]于本實施例中，圖1所示的薄膜晶體管單元為一下柵極式(bottom gate)薄膜晶體管單元，該源極電極23與該漏極電極24是設(shè)置于該半導(dǎo)體層22上方，該半導(dǎo)體層22是設(shè)置于該柵極電極21上方,并且為蝕刻阻障層結(jié)構(gòu)(etching stop layer structure,ESL)。薄膜晶體管單元可采用已知的薄膜晶體管工藝制作，故在此不再贅述。薄膜晶體管單元的結(jié)構(gòu)可由本技術(shù)領(lǐng)域的人簡單調(diào)整，亦可為如圖2所示的一背通道蝕刻結(jié)構(gòu)(backchannel etching structure, BCE),或為如圖3所示的一上柵極式(top gate)薄膜晶體管單元。值得一提的是，載子通道區(qū)主要是位于半導(dǎo)體層中較為靠近柵極電極的位置，因此在圖1及圖2中的該載子通道區(qū)221位置不同于圖3中的該載子通道區(qū)221位置。
[0019]于本實施例中，該第一金屬氧化層32的成份不受限，可為氧化鈦(T1x)、氧化鑰(MoOx)、氧化鋅(ZnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎢(WOx)、氧化鎂(MgOx)、氧化鈣(CaOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦鎵鋅(IGZO)或氧化鋁(AlOx)。該第一金屬氧化層的厚度不受限，可由本技術(shù)領(lǐng)域的人依實際需求調(diào)整；當(dāng)?shù)谝唤饘傺趸瘜拥暮穸葹?nm至10nm時，波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層的穿透率約為50%以下，當(dāng)?shù)谝唤饘傺趸瘜拥暮穸葹?0nm至10nm時,波長范圍介于210nm至350nm間的光線通過該第一金屬氧化層的穿透率約為30%以下，如此已可有效地阻擋大部份的紫外線，維持薄膜晶體管單元驅(qū)動電壓的穩(wěn)定度。
[0020]此外，若該隔離層31包含氧化硅(S1x)或三氧化二鋁(Al2O3)，該隔離層31的厚度、面積不受限，隔離層31的厚度較佳為5nm至20nm，隔離層31的面積較佳是大于或等于該第一金屬氧化層32的面積，如此可有效避免該半導(dǎo)體層22產(chǎn)生氧缺陷進而影響薄膜晶體管單元驅(qū)動電壓的穩(wěn)定度(當(dāng)?shù)谝谎趸瘜?2氧化不完全時，與該半導(dǎo)體層22直接接觸的第一氧化層32會抓取半導(dǎo)體層22內(nèi)部的氧，使半導(dǎo)體層22產(chǎn)生氧缺陷)，但本發(fā)明并未受限于此。請參見圖4A、4B，其為圖1的薄膜晶體管單元的分解圖及俯視圖，為了清楚比較隔離層31和第一金屬氧化層32的面積，圖4A、4B省略繪示柵極電極21、源極電極23、漏極電極24、第二金屬氧化層33、及絕緣層26。如圖4A所示，隔離層31設(shè)有第一接觸孔311，第一金屬氧化層32設(shè)有第二接觸孔321，該第一接觸孔311及該第二接觸孔321即是設(shè)置源極電極23與漏極電極24的位置，如圖4B所示，較佳地，隔離層31的面積是大于第一金屬氧化層32的面積。
[0021]再者，第二金屬氧化層33可還設(shè)置于該源極電極23與該漏極電極24上方并覆蓋該源極電極23與該漏極電極24，更加防止薄膜