芯片線圈組件的制作方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2014年6月19日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請 No. 10-2014-0074860的優(yōu)先權(quán)，其所公開的內(nèi)容并入本專利申請作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及一種芯片線圈組件。
【背景技術(shù)】
[0004] 作為多層芯片組件的一種，電感器是一種典型的無源元件，它與電阻器和電容器 一起形成用于消除噪音的電子電路，或者被用作形成LC諧振電路（resonancecircuit)的 組件。
[0005] 與此同時，多層電感器的應(yīng)用正逐步發(fā)展。有一種多層電感器具有一結(jié)構(gòu)，其中多 個磁性層或電介質(zhì)層被堆疊，在所述多個磁性層或電介質(zhì)層上形成有內(nèi)部線圈圖案部件， 且所述內(nèi)部線圈圖案部件相互連接形成線圈結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)電感值、阻抗值等的目標(biāo)水平。
[0006] 當(dāng)多層電感器中的內(nèi)部線圈的線圈匝數(shù)（turn)被增加以產(chǎn)生高水平電感時，直 流（DC)電阻也會增加，從而降低了質(zhì)量因子（Q特性）。
[0007] 相應(yīng)地，為了降低這種多層電感器的直流（DC)電阻，采用了一種平行結(jié)構(gòu)，其中 連接至外部電極的內(nèi)部線圈圖案部件間的層間連接被平行執(zhí)行，且具有相同形狀的內(nèi)部線 圈圖案以成對的方式重復(fù)形成。
[0008] 但是，當(dāng)這種平行結(jié)構(gòu)被使用時，不可避免地會增加很多層間連接，以至于在最終 的產(chǎn)品的電感和Q因子都會降低。
[0009][相關(guān)技術(shù)文件]
[0010](專利文件1)日本專利公報No. 2001-358016

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本公開的示例性實(shí)施方式可以提供一種能夠提高電感和質(zhì)量因子（Q值）的芯片 線圈組件。
[0012] 根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式，芯片線圈組件可以包括：陶瓷本體，該陶瓷本 體包括多個第一至第四絕緣層；以及，內(nèi)部線圈，該內(nèi)部線圈包括第一內(nèi)部圖案部件和第二 內(nèi)部圖案部件，所述第一內(nèi)部圖案部件具有多個第一絕緣層，第一圖案部分置于所述多個 第一絕緣層上，所述第二內(nèi)部圖案部件具有多個第二絕緣層，第二圖案部分置于所述多個 第二絕緣層上，其中置于多個第一絕緣層上的所述第一圖案部分彼此對應(yīng)地布置，并通過 兩個各具有一個通孔電極的第一連接端子彼此連接，以及置于多個第二絕緣層上的第二圖 案部分彼此對應(yīng)地布置，并通過兩個各具有一個通孔電極的第二連接端子彼此連接。
[0013] 根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式，芯片線圈組件可以包括：陶瓷本體，該陶瓷本 體包括多個絕緣層，且具有供作安裝表面的底面；以及置于陶瓷本體內(nèi)的多個內(nèi)部圖案部 件，且多個內(nèi)部圖案部件有N個相接的內(nèi)部線圈圖案部分，其中N是2的倍數(shù)，且大于或等 于4,這N個內(nèi)部線圈圖案部分中的從最靠近所述陶瓷本體底面的內(nèi)部線圈圖案部分起，第 η個內(nèi)部線圈圖案部分和第n-Ι個內(nèi)部線圈圖案部分互相平行且彼此連接，其中η<Ν，η= 2a，且a為自然數(shù)；并且，第η個內(nèi)部線圈圖案部分和第η-1個內(nèi)部線圈圖案部分通過兩個 具有一個通孔電極的連接端子彼此連接。
[0014] 根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式，芯片線圈組件可以包括：陶瓷本體，該陶瓷 本體包括多個第一至第四絕緣層，且具有供作安裝表面的底面；以及，內(nèi)部線圈，該內(nèi)部線 圈包括第一內(nèi)部圖案部件和第二內(nèi)部圖案部件，所述第一內(nèi)部圖案部件具有多個第一絕緣 層，第一圖案部分置于所述多個第一絕緣層上，所述第二內(nèi)部圖案部件具有多個第二絕緣 層，第二圖案部分置于多個第二絕緣層上，其中置于多個第一絕緣層上的所述第一圖案部 分彼此對應(yīng)地布置，且通過兩個各具有一個通孔電極的第一連接端子相互連接，置于多個 第二絕緣層上的第二圖案部分彼此對應(yīng)地布置，且通過兩個各具有一個通孔電極的第二連 接端子相互連接，并且，所述內(nèi)部線圈被布置成相對于所述陶瓷本體的底面是垂直的。
【附圖說明】
[0015] 通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，將更清楚地理解本發(fā)明的以上和其它方面、特征 和其它優(yōu)點(diǎn)，其中：
[0016] 圖1是根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式的具有內(nèi)部線圈的芯片線圈組件的透 視圖；
[0017] 圖2是具有第一外部電極和第二外部電極的圖1的芯片線圈組件的透視圖；
[0018] 圖3是圖2的沿線1-1'截取的截面剖視圖；
[0019] 圖4是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件的分解透視圖；
[0020] 圖5Α是將根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件的電感與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù) 的電感器的電感相比較而獲得的結(jié)果的示意圖；
[0021] 圖5Β是將根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件的Q因子與根據(jù)現(xiàn)有技 術(shù)的電感器的Q因子相比較而獲得的結(jié)果的示意圖；
[0022] 圖5C是將根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件的電阻開關(guān)（resistive switching,Rs)特性與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電感器的電阻開關(guān)特性Rs相比較而獲得的結(jié)果的 不意圖；
[0023] 圖6是根據(jù)本公開的另一種示例性實(shí)施方式的具有內(nèi)部線圈的芯片線圈組件的 示意透視圖；
[0024] 圖7是根據(jù)本公開的另一種示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件的分解透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 以下，將參考附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施方式。
[0026] 但是，本公開可以以很多不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)解釋為僅限于此處提出的特定 的實(shí)施方式。然而，這些實(shí)施方式被提供以使得本發(fā)明徹底并且完整，并且完全將本公開的 范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0027] 出于清楚的目的，在附圖中將元件的形狀和尺寸放大，并使用相同的附圖標(biāo)記來 標(biāo)注相同或相似的元件。
[0028] 以下，將描述根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件，具體地，將描述 多層電感器。但本公開不限于此。
[0029] 圖1是根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式的具有內(nèi)部線圈的芯片線圈組件的透 視圖。
[0030] 參考圖1，根據(jù)本公開的一種示例性實(shí)施方式的芯片線圈組件可以包括陶瓷本體 100和內(nèi)部線圈200。
[0031] 陶瓷本體100可以包括第一至第四絕緣層。在這種情況中，包括陶瓷本體100內(nèi) 部的第一至第四絕緣層在內(nèi)的多個絕緣層處于燒結(jié)狀態(tài)，并且相鄰的絕緣層可以彼此集成 以至于他們之間的邊界無法容易地顯示，除非使用掃描電子顯微鏡（SEM)。
[0032] 陶瓷本體100可以是六面體形狀。為了清楚地描述本公開的示例性實(shí)施方式，六 面體陶瓷本體100的各個方向的將在下文中定義。圖1中的L、w和T方向分別表示長度方 向、寬度方向、和厚度方向。另外，陶瓷本體1〇〇可以具有用作安裝表面的底面、與所述底面 相對應(yīng)的頂面、沿長度方向的兩個端面、以及沿寬度方向的兩個側(cè)面。
[0033]多個絕緣層可以包括鐵氧體（ferrite)，比如猛-鋅基鐵氧體（Mn-Znbased ferrite)、媒-鋒基鐵氧體（Ni_Znbasedferrite)、媒-鋒-銅基鐵氧體（Ni-Zn-Cubased ferrite)、猛-緩基鐵氧體（Mn_Mgbasedferrite)、把基鐵氧體（Babasedferrite)和鋰 基鐵氧體（Libasedferrite)等公知鐵氧體。
[0034] 內(nèi)部線圈200可以包括第一內(nèi)部圖案部件210和第二內(nèi)部圖案部件220。
[0035] 第一內(nèi)部圖案部件210可以包括多個第一絕緣層，第一圖案部分211a和211b置 于所述多個第一絕緣層上。
[0036] 第一內(nèi)部圖案部件210還可以包括兩個第一連接端子212,所述連接端子212用于 連接位于臨近陶瓷本體100頂面的第一圖案部分211a與位于該第一圖案部分211a緊接著 下方的第一圖案部分211b。
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