加載延時線的高方向性微帶線定向耦合器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種高方向性的微帶線定向耦合器，具體涉及一種加載有多段延時線 的高方向性微帶線定向耦合器。
【背景技術(shù)】
[0002] 定向耦合器是微波系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛的一種微波器件，它的主要作用是將微波信號 按一定的比例進行功率分配，其指標的好壞直接影響整個系統(tǒng)的性能。其中微帶線定向耦 合器由于其本身具有的小型化、集成化等優(yōu)點在微波界被廣泛應(yīng)用。目前已知的微帶線定 向耦合器有多種設(shè)計形式。一種是傳統(tǒng)的平行線耦合，這種方式一般都只適用于弱耦合，并 且方向性都較差；另一種是采用在耦合端增加集總元件的方式來提高方向性，這種方式很 難保證集總元件的一致性并且很難同時保證弱親合和高方向性?，F(xiàn)在國內(nèi)外市場上的定向 耦合器多數(shù)是采用傳統(tǒng)的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，體積龐大，或者是在低介電常數(shù)的介質(zhì)基板制作微帶 線定向耦合器，這都不便于集成到系統(tǒng)中使用。而在高介電常數(shù)的陶瓷基板上制作微帶線 定向耦合器卻可以大大縮減器件的體積，非常適合于微波集成電路和光刻加工制造。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種加載延時線的高方向性微帶線定 向耦合器，滿足了微波集成電路小型化的要求，縮減了耦合器的體積、提高了微帶線定向耦 合器的方向性。
[0004] 本發(fā)明的技術(shù)方案：
[0005] -種加載延時線的高方向性微帶線定向耦合器，采用薄膜工藝技術(shù)將導(dǎo)體帶（金 層）印制在陶瓷基板的上面，包括輸入端、輸出端、耦合端、隔離端和延時線；所述輸入端與 輸出端通過至少一段延時線連通；所述耦合端和隔離端連通。
[0006] 進一步的，所述耦合端通過側(cè)邊耦合的方式與主線進行能量耦合，耦合端的能量 輸出是副線與主線通過第一耦合部、第二耦合部、第三耦合部共同耦合的和；通過三個耦合 部的耦合使得產(chǎn)品得到了較強的耦合度。
[0007] 進一步的，所述陶瓷基板的背面全部金層覆蓋；保證了產(chǎn)品與地的良好接觸，從而 保證了產(chǎn)品的高頻性能。
[0008] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述陶瓷基板為大于等于6的高介電常數(shù)陶瓷基板；從而 縮小了耦合器的體積。
[0009] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述輸入端、輸出端、耦合端、隔離端的特性阻抗均為 47. 5~52. 5 Ω ;為用戶使用提供了方便。
[0010] 作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述輸入端、輸出端、耦合端、隔離端和延時線的上表面，均 位于同一個平面內(nèi)；便于加工和裝配，降低了加工要求；進一步的，主線和副線的拐角處均 作倒直角處理從而減少了拐角處對高頻性能的影響。
[0011] 本發(fā)明的有益效果：
[0012] 本發(fā)明創(chuàng)新性的將薄膜工藝技術(shù)移植到定向耦合器的制作當中，采用磁控濺射、 光刻等關(guān)鍵工藝在高介電常數(shù)的陶瓷基板上印制耦合器電路圖形，并且通過加載延時線的 方法來提高微帶線定向耦合器的方向性，延時線的長度根據(jù)定向耦合器的工作頻率和方向 性調(diào)整。通過三個耦合部的耦合進行增強，得到了所需的耦合度；陶瓷基板的背面全部金層 覆蓋，保證了產(chǎn)品的高頻性能；輸入端、輸出端、耦合端、隔離端和延時線的上表面均位于同 一個平面內(nèi)，便于加工和裝配；主線和副線的拐角處均作倒直角處理減少了拐角處對高頻 性能的影響。本發(fā)明產(chǎn)品具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小，加工難度低的特點，可以廣泛用于航天、航 空、雷達、電子對抗、微波通信中的T/R組件和模塊等微組裝生產(chǎn)線領(lǐng)域。
【附圖說明】
[0013] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖 作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的其中一個實施例，對于本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的 附圖。
[0014] 圖1為本發(fā)明的俯視圖；
[0015] 圖2為實施實例1的耦合度測試結(jié)果曲線；
[0016] 圖3為實施實例1的隔離度測試結(jié)果曲線；
[0017] 圖4為實施實例2的俯視圖；
[0018] 圖5為實施實例2的耦合度測試結(jié)果曲線；
[0019] 圖6為實施實例2的隔離度測試結(jié)果曲線；
[0020] 圖中：1_輸入端、2-輸出端、3-親合端、4-隔離端、5-延時線、61-第一親合部； 62-第二耦合部、63-第三耦合部。
【具體實施方式】
[0021] 為使本領(lǐng)域技術(shù)人員詳細了解本發(fā)明的生產(chǎn)工藝和技術(shù)效果，下面以具體的生產(chǎn) 實例來進一步介紹本發(fā)明的應(yīng)用和技術(shù)效果。
[0022] 實施例1
[0023] 如圖1所示，加載延時線的高方向性微帶線定向耦合器，采用薄膜工藝技術(shù)將導(dǎo) 體帶（金層）印制在陶瓷基板7的上面，包括輸入端1、輸出端2、耦合端3、隔離端4和延時 線5 ;輸入端1與輸出端2通過兩段延時線5連通，耦合端3和隔離端4連通。為了調(diào)節(jié)耦 合，所述耦合端3通過側(cè)邊耦合的方式與主線進行能量耦合，耦合端3的能量輸出是副線與 主線耦合部共同耦合的和。為了得到所需的耦合度，本產(chǎn)品通過第一耦合部61、第二耦合部 62、第三耦合部63三個部分的耦合進行增強。
[0024] 所述陶瓷基板7的背面全部金層覆蓋，保證產(chǎn)品與地的良好接觸以此來保證產(chǎn)品 的尚頻性能。
[0025] 進一步，為了縮小耦合器的體積，所述陶瓷基板為介電常數(shù)為9. 9、厚度為0. 5mm 的氧化鋁陶瓷基板。為了方便用戶使用，所述輸入端1、輸出端2、耦合端3、隔離端4的特性 阻抗均為47. 5~52. 5 Ω，并且輸入端1、輸出端2、親合端3、隔離端4的線寬均為0. 5mm。
[0026] 進一步的，為了便于加工、裝配和焊接金帶，降低加工要求，輸入端1的上表面、輸 出端2的上表面、耦合端3的上表面、隔離端4的上表面、延時線5的上表面、均位于同一個 平面內(nèi)，并且主線和副線的拐角處均作倒直角處理以減少拐角處對高頻性能的影響。
[0027] 圖2和圖3為實施實例