而言，上拱形結(jié)構(gòu)128的中央窗部分和下拱形結(jié)構(gòu)114的底部是由諸如石英之類的光學(xué)透明材料形成的。一盞或更多盞燈(諸如輻射加熱燈102的陣列)可在中央軸132周圍用指定的方式設(shè)置于下拱形結(jié)構(gòu)114下方且鄰近所述下拱形結(jié)構(gòu)114，以當(dāng)處理氣體經(jīng)過時獨(dú)立地控制基板108各個區(qū)域處的溫度，從而有助于使材料沉積到基板108的上表面116上。雖然在此并未詳細(xì)討論，但沉積材料可包括砷化鎵、氮化鎵或氮化鋁鎵。
[0026]輻射加熱燈102可包括燈泡141，所述燈泡141配置成將基板108加熱至一溫度，所述溫度在約攝氏200度至約攝氏1600度的范圍內(nèi)。每一輻射加熱燈102耦接至功率分配板(未示出)，功率通過所述功率分配板被供應(yīng)至每一輻射加熱燈102。所述輻射加熱燈102可布置在燈頭145內(nèi)，所述燈頭145具有燈接收開口。燈頭145可在處理期間或處理之后冷卻，所述冷卻是通過例如冷卻流體實(shí)現(xiàn)的，所述冷卻流體被引入位于輻射加熱燈102之間的溝道(channel) 149中。在一個實(shí)施方式中，燈頭145中的溝道149可用于傳導(dǎo)式和輻射式冷卻下拱形結(jié)構(gòu)104，這部分是由于燈頭145緊密接近下拱形結(jié)構(gòu)104所致。在一個實(shí)施方式中，燈頭145也可冷卻燈壁和燈周圍的反射器(未示出)的壁?；蛘?，下拱形結(jié)構(gòu)104可由業(yè)界已知的對流式方式冷卻。根據(jù)應(yīng)用，燈頭145可與下拱形結(jié)構(gòu)114接觸或可不與下拱形結(jié)構(gòu)114接觸。
[0027]圓形屏蔽件167可視情況設(shè)置在基板支撐件106周圍。屏蔽件167防止或盡量減少熱/光噪聲從輻射加熱燈102泄漏至基板108的裝置側(cè)116，同時為處理氣體提供預(yù)熱區(qū)域。屏蔽件167可由化學(xué)氣相沉積(CVD) SiC、涂布有SiC的燒結(jié)石墨、生長的SiC、不透明石英、涂布的石英或任何抗處理氣體和凈化氣體的化學(xué)損壞的類似適合的材料所制成。
[0028]襯墊組件163可定位在處理腔室100中。在一個實(shí)施方式中，襯墊組件163可環(huán)繞圓形屏蔽件167。襯墊組件163的尺寸被設(shè)計成嵌套(nested)在基底環(huán)136的內(nèi)周邊內(nèi)，或被基底環(huán)136的內(nèi)周邊環(huán)繞。襯墊組件163使處理容積(即，處理氣體區(qū)域156和凈化氣體區(qū)域158)與處理腔室100的金屬壁隔離。舉例而言，來自基底環(huán)136的金屬壁。這些金屬壁可與前驅(qū)物反應(yīng)，且引發(fā)處理容積中的污染。雖然襯墊組件163顯示為單一主體，但襯墊組件163可包括一個或更多個襯墊，這將會在下文中討論。根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，襯墊組件163包括多個氣體通道190，這些氣體通道190用于將一種或更多種處理氣體注射至處理氣體區(qū)域156。襯墊組件163還可包括多個氣體通道192，這些氣體通道192用于將一種或更多種氣體注射至凈化氣體區(qū)域158。
[0029]光學(xué)高溫計118可定位在上拱形結(jié)構(gòu)128外側(cè)，以測量基板108的溫度。從基板支撐件106背側(cè)式加熱基板的結(jié)果是，能夠利用光學(xué)高溫計118對基板支撐件進(jìn)行溫度測量/控制。這種由光學(xué)高溫計118進(jìn)行的溫度測量也可在具有未知發(fā)射率的基板裝置側(cè)(例如上表面116)上完成，因?yàn)橐源朔绞郊訜峄灞硞?cè)110與發(fā)射率無關(guān)。于是，光學(xué)高溫計118可在來自福射加熱燈102直接到達(dá)光學(xué)高溫計的背景福射(background radiat1n)極為微量的情況下檢測來自基板108的輻射，從而獲得基板108的準(zhǔn)確溫度測量。
[0030]反射器122可視情況放置在上拱形結(jié)構(gòu)128外側(cè)，以將從基板108輻射的紅外光反射回到基板108上?？墒褂脢A環(huán)130將反射器122固定至上拱形結(jié)構(gòu)128。反射器122可由諸如鋁或不銹鋼之類的金屬制成。反射效率可通過用高反射涂層(諸如金)涂布反射器區(qū)域而改善。反射器122可具有一個或更多個機(jī)械加工的溝道126，這些溝道126連接至冷卻源(未示出)。溝道126連接至形成在反射器122 —側(cè)上的通道(未示出)。所述通道被配置成輸送諸如水之類的流體流，且可沿著反射器122的側(cè)面以任何期望的模式水平地延伸，所述通道覆蓋反射器122的一部分或整個表面以冷卻反射器122。
[0031]來自處理氣體供應(yīng)源172的一種或更多種處理氣體可穿過處理氣體入口 174而被引入處理氣體區(qū)域156中，所述處理氣體入口 174設(shè)置在基底環(huán)136的側(cè)壁中。處理氣體入口 174可包括一個或更多個氣體注射器196(在圖1B中示出)以遞送一種或更多種單獨(dú)的氣流。處理氣體入口 174可被配置成提供具有不同參數(shù)的單獨(dú)的氣流，這些參數(shù)諸如速度、密度或組成。處理氣體入口 174的一個或更多個氣體注射器196的每一者與多個氣體通道190的其中一者連接，這些氣體通道190形成為穿過襯墊組件163。多個氣體通道190被配置成以大體上徑向向內(nèi)的方向引導(dǎo)處理氣體。多個氣體通道190的每一者可用于調(diào)整來自處理氣體入口 174的處理氣體的一個或更多個參數(shù)，這些參數(shù)諸如速度、密度、方向和位置。多個氣體通道190在引導(dǎo)來自處理氣體入口 174的一種或更多種處理氣體至處理氣體區(qū)域156以供處理之前，先調(diào)整來自處理氣體入口 174的一種或更多種處理氣體。
[0032]在處理期間，基板支撐件106可位于如圖1A所示的處理位置。在所述處理位置，基板108鄰近于處理氣體入口 174且與處理氣體入口 174處于大約相同的高度，而使處理氣體以層流流動方式遍及基板108的上表面116沿著流動路徑173向上和四處流動。處理氣體(沿著流動路徑175)通過排氣開口 194和氣體出口 178離開處理氣體區(qū)域156，所述排氣開口 194形成為穿過襯墊組件163，而所述氣體出口 178位于處理腔室100的與處理氣體入口 174相對的側(cè)面上。通過氣體出口 178移除處理氣體可借助于真空栗180，所述真空栗180耦接至氣體出口 178。因處理氣體入口 174和氣體出口 178彼此對齊且設(shè)置在大約相同高度，所以相信這種氣體入口 174與氣體出口 178的平行布置在結(jié)合較平坦的上拱形結(jié)構(gòu)128時，將能實(shí)現(xiàn)遍及基板108的大體上平面、均勻的氣流。進(jìn)一步的徑向均勻度可由通過基板支撐件106旋轉(zhuǎn)基板108而提供。
[0033]類似地，凈化氣體可由凈化氣體源162通過視情況任選的凈化氣體入口 164 (或通過設(shè)置在基底環(huán)136的側(cè)壁中的處理氣體入口 174)，再通過形成于襯墊組件163中的多個氣體通道192，供應(yīng)至凈化氣體區(qū)域158。凈化氣體入口 164設(shè)置在低于處理氣體入口 174的高度。如果使用圓形屏蔽件167，所述圓形屏蔽件167可設(shè)置在處理氣體入口 174與凈化氣體入口 164之間。在任一實(shí)例中，凈化氣體入口 164被配置成以大體上徑向向內(nèi)的方向引導(dǎo)凈化氣體。在膜形成工藝期間，基板支撐件106可位于一位置，使得凈化氣體以層流流動方式遍及基板支撐件106的背側(cè)104沿著流動路徑165向下和四處流動。不受任何特定理論的約束，相信凈化氣體的流動防止或?qū)嵸|(zhì)上避免處理氣體流進(jìn)入凈化氣體區(qū)域158，或減少進(jìn)入凈化氣體區(qū)域158 (即基板支撐件106下方的區(qū)域)的處理氣體的擴(kuò)散。凈化氣體(沿著流動路徑166)離開凈化氣體區(qū)域158且通過氣體出口 178從處理腔室100排出，所述氣體出口 178位于處理腔室100的與凈化氣體入口 164相對的側(cè)面上。
[0034]類似地，在凈化工藝期間，基板支撐件106可位于升高的位置，以使凈化氣體得以側(cè)向流動跨越基板支撐件106的背側(cè)104。
[0035]圖1B示出從處理氣體入口 174到氣體出口 178的流動路徑。多個氣體通道190可沿著襯墊組件163的一部分分布，以按實(shí)質(zhì)平行的方式引導(dǎo)流動路徑173。氣體通道190的每一者的數(shù)目、尺寸和位置可根據(jù)達(dá)到目標(biāo)流動模式(flow pattern)而布置。排氣開口194可以是形成為穿過襯墊組件163的寬開口并位于多個氣體通道190的相對側(cè)上。
[0036]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)理解，所示的多個氣體通道190、192僅為了說明。氣體入口或出口等的位置、尺寸和數(shù)目可經(jīng)調(diào)整以進(jìn)一步協(xié)助材料均勻地沉積在基板108上。根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的襯墊組件的示例性實(shí)施方式描述如下。
[0037]圖2A是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施方式的襯墊組件200的示意性截面?zhèn)纫晥D。襯墊組件200可包括下襯墊210和上襯墊220，所述上襯墊220設(shè)置在下襯墊210上方。多個氣體通道202可形成于下襯墊210中。上襯墊220可包括多個流動導(dǎo)引件222，這些流動導(dǎo)引件222與多個氣體通道202對齊。多個流動導(dǎo)引件222的每一者形成為將氣流從對應(yīng)的氣體通道202引導(dǎo)至處理氣體區(qū)域156。
[0038]下襯墊210可具有環(huán)形主體212。所述環(huán)形主體212具有外表面214和內(nèi)表面216，所述環(huán)形主體的外表面214用于面向基底環(huán)136的內(nèi)表面，而所述環(huán)形主體的內(nèi)表面216面向待處理的基板108。下襯墊210具有面向上襯墊220的上表面218。多個氣體通道202和排氣開口 204形成為穿過環(huán)形主體212的相對側(cè)。在一個實(shí)施方式中，基板