一種屏蔽二次電子轟擊的x射線管的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高能物理技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]X射線管工作時，陽極鎢靶在承受高速電子的轟擊產(chǎn)生X光的同時，不可避免的同時會產(chǎn)生二次電子。二次電子的發(fā)射類型可分為反射型、投射型和絕緣體的電子轟擊導(dǎo)電型。X射線管在工作時，管殼部分的金屬和絕緣體要承受高電壓作用下散射電子的轟擊，同時會有從陽極彈出的二次電子的轟擊。這些電子的如果轟擊到陶瓷與金屬的封接面，會引起做為焊接陶瓷與金屬材料載體的焊料的溫升，溫升嚴重時會產(chǎn)生漏氣。電子在陶瓷材料上的附著會降低陶瓷的絕緣強度，激發(fā)管內(nèi)閃爍，嚴重影響射線管的穩(wěn)定工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種減少漏氣率、提高絕緣強度的屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法，具體步驟如下:
1)將陶瓷結(jié)構(gòu)進行臺階式的縮口設(shè)計，把封接面隱藏在陶瓷結(jié)構(gòu)和金屬零件之間的狹縫中，避免二次電子的轟擊；
2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封結(jié)構(gòu)，將封接面完全隱藏起來；
3)在陶瓷結(jié)構(gòu)的端面上，增加一個無氧銅屏蔽環(huán)。
[0005]作為本發(fā)明再進一步的方案:所述無氧銅屏蔽換位于陶瓷結(jié)構(gòu)和金屬零件之間。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明通過對X射線管的封接結(jié)構(gòu)進行合理設(shè)計，同時對陶瓷結(jié)構(gòu)進行遮擋和均壓設(shè)計，對二次電子和散射電子進行有效屏蔽，減少工作時電子對封接面和陶瓷結(jié)構(gòu)的轟擊與附著，減少射線管的漏氣率，提高絕緣強度，保證射線管可靠穩(wěn)定地工作。
【附圖說明】
[0007]圖1為采用本發(fā)明改造后的X射線管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2為圖1中A處的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖3為圖1中B處的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合【具體實施方式】對本專利的技術(shù)方案作進一步詳細地說明。
[0011]請參閱圖1-3，一種屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法，具體步驟如下:
I)將陶瓷結(jié)構(gòu)I進行臺階式的縮口設(shè)計，把封接面2隱藏在陶瓷結(jié)構(gòu)I和金屬零件3之間的狹縫中，避免二次電子的轟擊；
2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封結(jié)構(gòu)，將封接面2完全隱藏起來；
3)在陶瓷結(jié)構(gòu)I的端面上，增加一個無氧銅屏蔽環(huán)4，無氧銅屏蔽換4位于陶瓷結(jié)構(gòu)I和金屬零件3之間，一方面避免散射電子和二次電子直接轟擊和附著在陶瓷絕緣件表面，另一方面均衡了管內(nèi)的電場，避免了電場的畸變。
[0012]本發(fā)明通過采用屏蔽二次電子轟擊的結(jié)構(gòu)設(shè)計，射線管的整管漏氣率由12%下降為0.5%，通過對新結(jié)構(gòu)的電子管子做電磁場分析，新管子的電場分布的均勾性有所提高，局部場強減弱，這非常有利于射線管在高電壓下減少擊穿，穩(wěn)定的工作。
[0013]本發(fā)明通過對X射線管的封接結(jié)構(gòu)進行合理設(shè)計，同時對陶瓷結(jié)構(gòu)I進行遮擋和均壓設(shè)計，對二次電子和散射電子進行有效屏蔽，減少工作時電子對封接面2和陶瓷結(jié)構(gòu)I的轟擊與附著，減少射線管的漏氣率，提高絕緣強度，保證射線管可靠穩(wěn)定地工作。
[0014]上面對本專利的較佳實施方式作了詳細說明，但是本專利并不限于上述實施方式，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本專利宗旨的前提下作出各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法，其特征在于，具體步驟如下: 1)將陶瓷結(jié)構(gòu)(I)進行臺階式的縮口設(shè)計，把封接面(2)隱藏在陶瓷結(jié)構(gòu)(I)和金屬零件(3)之間的狹縫中，避免二次電子的轟擊； 2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封結(jié)構(gòu)，將封接面(2)完全隱藏起來； 3)在陶瓷結(jié)構(gòu)(I)的端面上，增加一個無氧銅屏蔽環(huán)(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法，其特征在于，所述無氧銅屏蔽換(4)位于陶瓷結(jié)構(gòu)(I)和金屬零件(3)之間。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種屏蔽二次電子轟擊的X射線管的方法，具體步驟如下：將陶瓷結(jié)構(gòu)進行臺階式的縮口設(shè)計，把封接面隱藏在陶瓷結(jié)構(gòu)和金屬零件之間的狹縫中，避免二次電子的轟擊；在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封結(jié)構(gòu)，將封接面完全隱藏起來；在陶瓷結(jié)構(gòu)的端面上，增加一個無氧銅屏蔽環(huán)。本發(fā)明通過對X射線管的封接結(jié)構(gòu)進行合理設(shè)計，同時對陶瓷結(jié)構(gòu)進行遮擋和均壓設(shè)計，對二次電子和散射電子進行有效屏蔽，減少工作時電子對封接面和陶瓷結(jié)構(gòu)的轟擊與附著，減少射線管的漏氣率，提高絕緣強度，保證射線管可靠穩(wěn)定地工作。
【IPC分類】H01J35/16, H01J9/26
【公開號】CN105118761
【申請?zhí)枴緾N201510585352
【發(fā)明人】劉斌, 張曉梅, 黎花, 王學(xué)斌, 曾春暉, 陳華北
【申請人】成都凱賽爾電子有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年9月16日