雙重堆疊變?nèi)荻O管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開內(nèi)容的實(shí)施方式總體上涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及變?nèi)荻O管。
【背景技術(shù)】
[0002]變?nèi)荻O管可以是充當(dāng)壓控電容器的二極管。當(dāng)跨越變?nèi)荻O管的層的控制電壓變化時(shí)，變?nèi)荻O管的電容也可以變化。該變化可以被稱為“調(diào)諧”。一般來(lái)說，相比于在諸如鈦酸鍶鋇(BST)的材料上實(shí)現(xiàn)的電介質(zhì)變?nèi)荻O管，半導(dǎo)體變?nèi)荻O管可以具有更寬的調(diào)諧范圍(即電容變化)和更低的控制電壓要求。然而，半導(dǎo)體變?nèi)荻O管通常獲得比電介質(zhì)變?nèi)荻O管更低的每單位面積電容，從而需要更大的裸片(die)面積以實(shí)現(xiàn)給定的電容。
[0003]—般來(lái)說，可以認(rèn)為變?nèi)荻O管是二端口器件，即具有兩個(gè)輸入端子和兩個(gè)輸出端子。這樣，變?nèi)荻O管可能易于發(fā)生由所施加的射頻(RF)電壓導(dǎo)致的自調(diào)制失真。該自調(diào)制失真可能把非線性引入使用變?nèi)荻O管的電路中。為了將這種非線性減小至可接受的水平，可以串聯(lián)耦接一些單獨(dú)的變?nèi)荻O管以劃分它們上的RF電壓。如果串聯(lián)的變?nèi)荻O管的數(shù)量是n，那么如果變?nèi)荻O管互相共面，則為了實(shí)現(xiàn)期望的凈電容所需要的電路板上的裸片面積可能增加因子η2。如果使用相對(duì)大數(shù)量的變?nèi)荻O管，那么該電路可能使所需的裸片面積對(duì)于當(dāng)今器件中的使用來(lái)說大得驚人。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種封裝，包括:第一變?nèi)荻O管，其包括第一接觸層、陽(yáng)極層和位于所述第一接觸層和所述陽(yáng)極層之間的第一變?nèi)荻O管層；以及第二變?nèi)荻O管，其包括第二接觸層、所述陽(yáng)極層和位于所述第二接觸層和所述陽(yáng)極層之間的第二變?nèi)荻O管層；其中所述陽(yáng)極層位于所述第一變?nèi)荻O管層和所述第二變?nèi)荻O管層之間。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種封裝，包括:第一變?nèi)荻O管，其包括接觸層、第一陽(yáng)極層和位于所述接觸層和所述第一陽(yáng)極層之間的第一變?nèi)荻O管層；以及第二變?nèi)荻O管，其包括所述接觸層、第二陽(yáng)極層和位于所述接觸層和所述第二陽(yáng)極層之間的第二變?nèi)荻O管層；其中所述接觸層位于所述第一變?nèi)荻O管層和所述第二變?nèi)荻O管層之間。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種方法，包括:沉積第一變?nèi)荻O管的第一接觸層；在所述第一接觸層上沉積所述第一變?nèi)荻O管的第一變?nèi)荻O管層；在所述第一變?nèi)荻O管層上沉積所述第一變?nèi)荻O管和第二變?nèi)荻O管的公共接觸層；在所述公共接觸層上沉積所述第二變?nèi)荻O管的第二變?nèi)荻O管層；以及在所述第二變?nèi)荻O管層上沉積所述第二變?nèi)荻O管的第二接觸層。
【附圖說明】
[0007]在附圖中的圖中通過示例方式而不是限制方式來(lái)圖示了實(shí)施方式，在附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相似的元件，并且在附圖中:
[0008]圖1圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的示例復(fù)合變?nèi)荻O管電路。
[0009]圖2圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的雙重變?nèi)荻O管堆疊的一般示例。
[0010]圖3圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的雙重變?nèi)荻O管堆疊的替代性一般示例。
[0011]圖4圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的雙重變?nèi)荻O管堆疊的特定示例。
[0012]圖5圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的雙重變?nèi)荻O管堆疊的替代性特定示例。
[0013]圖6圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的用于構(gòu)造雙重變?nèi)荻O管堆疊的過程。
[0014]圖7是根據(jù)各種實(shí)施方式的示例性無(wú)線通信裝置的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]實(shí)施方式包括與垂直堆疊(stack)的變?nèi)荻O管有關(guān)的裝置和方法。具體地可以由垂直堆疊的層構(gòu)建兩個(gè)變?nèi)荻O管，所述層包括陽(yáng)極層、接觸層和變?nèi)荻O管層。兩個(gè)變?nèi)荻O管可以共享公共的一個(gè)或更多個(gè)層。在一些實(shí)施方式中兩個(gè)變?nèi)荻O管可以共享公共的陽(yáng)極層，而在其它實(shí)施方式中兩個(gè)變?nèi)荻O管可以共享公共的接觸層。
[0016]將使用本領(lǐng)域技術(shù)人員通常采用的術(shù)語(yǔ)來(lái)描述示例性實(shí)施方式的各個(gè)方面，以向本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員傳達(dá)本領(lǐng)域技術(shù)人員的工作的實(shí)質(zhì)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白可以僅使用所描述的諸方面中的一些方面來(lái)實(shí)踐替選實(shí)施方式。為了說明的目的，闡述了具體裝置和配置以提供示例性實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白可以實(shí)踐替選實(shí)施方式而無(wú)需具體細(xì)節(jié)。在其它實(shí)例中，省略或簡(jiǎn)化了公知的特征以免模糊示例性實(shí)施方式。
[0017]進(jìn)一步地，將以理解本公開內(nèi)容最有幫助的方式，將各個(gè)操作依次描述為多個(gè)分立的操作；然而，描述的順序不應(yīng)被解讀為表明這些操作必須是與順序有關(guān)的。特別地，不需要以陳述的順序來(lái)執(zhí)行這些操作。
[0018]反復(fù)使用短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施方式中”。該短語(yǔ)一般來(lái)說不指代同一實(shí)施方式；然而，它也可以指代同一實(shí)施方式。除非上下文另有所指，否則術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”和“包含”是同義的。
[0019]在對(duì)結(jié)合各實(shí)施方式所使用的語(yǔ)言提供一些澄清性上下文時(shí)，短語(yǔ)“A/B”和“A和/或^’是指㈧、⑶或(A和B);并且短語(yǔ)“A、B和/或C”是指㈧、⑶、(C)、(A和B)、(A 和 C)、(B 和 C)或(A、B 和 C)。
[0020]術(shù)語(yǔ)“與……耦接”以及它的派生詞可以在本文中使用?！榜罱印笨梢允侵敢韵轮械囊粋€(gè)或多個(gè)?！榜罱印笨梢允侵竷蓚€(gè)或更多元件直接物理接觸或電接觸。然而，“耦接”也可以是指兩個(gè)或更多元件彼此間接接觸，但還仍彼此協(xié)作或交互，并且可以是指一個(gè)或更多個(gè)其它元件在所說的彼此耦接的元件之間耦接或連接。
[0021]圖2-5描繪了可以外延沉積(epitaxially deposite)的層的各種垂直堆疊。各層的尺寸、寬度或高度不是按比例繪制，并且不應(yīng)認(rèn)為被限于相互相同或相互不同，除非在當(dāng)前的說明書中明確地指示是這樣。
[0022]圖1圖示了根據(jù)各種實(shí)施方式的復(fù)合變?nèi)荻O管100的示例電路圖。復(fù)合變?nèi)荻O管100可以包括一般位于輸入端110和輸出端115之間的多個(gè)變?nèi)荻O管，諸如變?nèi)荻O管105&、10513、105(3、105(1、1056或105€(統(tǒng)稱為變?nèi)荻O管105)。在一些實(shí)施方式中，輸入端110可以被配置成接收射頻(RF)信號(hào)，該射頻信號(hào)然后傳播通過復(fù)合變?nèi)荻O管100達(dá)到輸出端115。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)變?nèi)荻O管105可以與輸入端110和輸出端115并聯(lián)連接，在這種情況下RF信號(hào)可以不傳播通過變?nèi)荻O管達(dá)到輸出端115。
[0023]在一些實(shí)施方式中，變?nèi)荻O管105中的每個(gè)變?nèi)荻O管可以具有“前”側(cè)和“后”偵U。圖1描繪了變?nèi)荻O管105a的前側(cè)107和后側(cè)109。在實(shí)施方式中變?nèi)荻O管105a的前側(cè)107可以被稱為變?nèi)荻O管105a的“陰極”，并且變?nèi)荻O管105a的后側(cè)109可以被稱為變?nèi)荻O管105a的“陽(yáng)極”。在圖1中，變?nèi)荻O管105中的每個(gè)變?nèi)荻O管可以具有前側(cè)和后側(cè)(或陰極和陽(yáng)極)，然而為了清楚起見對(duì)于每個(gè)變?nèi)荻O管在圖1中省略了具體標(biāo)號(hào)。
[0024]在一些實(shí)施方式中，變?nèi)荻O管105中的兩個(gè)或更多個(gè)可以采用“后對(duì)后”配置互相耦接。具體地，變?nèi)荻O管的陽(yáng)極可以互相直接耦接。例如，如圖1中示出的，可以認(rèn)為變?nèi)荻O管105b和105c是“后對(duì)后”配置。在其它實(shí)施方式中，變?nèi)荻O管105可以采用如圖1中示出的“前對(duì)前”配置互相耦接。具體地，變?nèi)荻O管的陰極可以互相直接耦接。例如，如圖1中示出的，可以認(rèn)為變?nèi)荻O管105a和105b是“前對(duì)前”配置。
[0025]在實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)變?nèi)荻O管105的前側(cè)可以耦接至地120。另外，一個(gè)或更多個(gè)變?nèi)荻O管105的后側(cè)可以耦接至直流電源125。直流電源125可以被配置成提供負(fù)控制電壓(VctrJ以反向偏置變?nèi)荻O管105，這將在下面進(jìn)一步詳細(xì)說明。在一些實(shí)施方式中，V.可以在近似2伏(V)和近似18V之間，而在其它實(shí)施方式中V.可以在近似-1.2V和近似3V之間。
[0026]在實(shí)施方式中諸如電阻器135a、135b、135c、135d和135e(統(tǒng)稱為電阻器135)的一個(gè)或更多個(gè)電阻器可以位于變?nèi)荻O管105和地120或直流電源125之間。在一些實(shí)施方式中，諸如電阻器135a和/或135e的外部電阻器可以具有是電阻器135