器及行波導(dǎo)引裝置中的一種或者組合。
[0032]優(yōu)選的，所述離子導(dǎo)引區(qū)域包括至少一離子導(dǎo)引裝置，所述離子導(dǎo)引裝置包括:離子漏斗、多極桿離子導(dǎo)引裝置、Q-陣列導(dǎo)引器及行波導(dǎo)引裝置中的一種或者組合。
[0033]優(yōu)選的，所述第一離子源與第二離子源各自連接的所述真空接口裝置設(shè)置成:使各真空接口裝置的出口處的中軸線夾角為O?90度。
[0034]優(yōu)選的，所述低于大氣壓環(huán)境的氣壓范圍是0.0001?ITorrU?50Torr、50?300Torr 及 300 ?700Tor;r。
[0035]優(yōu)選的，所述處于低于大氣壓環(huán)境下的第二離子源包括:電噴霧離子源、輝光放電離子源、介質(zhì)阻擋放電離子源、化學(xué)電離離子源、電暈放電離子源、解吸附電暈束離子源、激光解吸附離子源及光電離離子源的一種或者組合；所述處于大氣壓環(huán)境下的第一離子源包括:電噴霧離子源、解吸附電暈束離子源、介質(zhì)阻擋放電離子源、化學(xué)電離離子源、電暈放電離子源、激光解吸附離子源、輝光放電離子源及光電離離子源中的一種或者組合。
[0036]如上所述，本發(fā)明提供的一種用于質(zhì)譜儀的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置，包括:用于質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化的至少一第一離子源；用于分析物離子化的至少一第二離子源；以及至少一離子導(dǎo)引區(qū)域，離子導(dǎo)引區(qū)域用于導(dǎo)引質(zhì)量校準(zhǔn)物離子及分析物離子進(jìn)入與離子導(dǎo)引區(qū)域連接的質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域；其中，第一離子源處于低于大氣壓的環(huán)境，第二離子源處于大氣壓環(huán)境各個(gè)離子源與離子導(dǎo)引裝置之間均有獨(dú)立真空接口裝置；低壓環(huán)境相比大氣壓環(huán)境減少了質(zhì)譜儀的真空泵負(fù)載，可以使得其相應(yīng)的真空接口裝置截面積可以大于在大氣壓環(huán)境下的真空接口裝置截面積，從而使得第一離子源預(yù)設(shè)腔室中產(chǎn)生的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子能更多地進(jìn)入到后級(jí)的離子導(dǎo)引區(qū)域，減少了離子在真空接口裝置中的傳輸損失，從而可以有效地提高了離子傳輸效率。這樣利用低于大氣壓的第一離子源，可以在得到同等的離子信號(hào)強(qiáng)度情況下，相對(duì)于大氣壓下的離子源情況下使用較少量的質(zhì)量校準(zhǔn)物，從而減少質(zhì)量校準(zhǔn)物對(duì)于質(zhì)譜儀真空接口裝置的污染。質(zhì)量校準(zhǔn)物和分析物各自獨(dú)立的離子源、預(yù)設(shè)腔室和真空接口裝置設(shè)計(jì)避免了質(zhì)量校準(zhǔn)物和分析物離子化和傳輸過(guò)程中的相互干擾，減少了質(zhì)量校準(zhǔn)物給分析物檢測(cè)帶來(lái)的基質(zhì)效應(yīng)，消除了質(zhì)量校準(zhǔn)物對(duì)于分析物真空接口裝置的污染問(wèn)題，同時(shí)又可以完全實(shí)現(xiàn)內(nèi)標(biāo)法的質(zhì)量校準(zhǔn)。當(dāng)然亦可第二離子源處于低于大氣壓環(huán)境，用于分析物的尚子化。從而可以提升分析物的尚子化效率與尚子傳輸效率，適合于痕量分析物或者離子化效率較低的分析物的檢測(cè)。
【附圖說(shuō)明】
[0037]圖1顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖2顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖3顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]圖4顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖5顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]圖6顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖7顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]圖8顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]圖9顯示為本發(fā)明的質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0046]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0047]1,1a, lb, lc, Id, le, If, Ig第一離子源
[0048]2，2a，2b，2c，2d，2e，2f，2g第二離子源
[0049]3，3a，3b，3c，3d，3e，3f，3g預(yù)設(shè)腔室
[0050]31，31a，31b，31c，31d，31e，31f，31g 抽氣口
[0051]32a控制閥
[0052]33b離子導(dǎo)引器件
[0053]4,4a, 4b, 4c, 4d, AeAfAg真空接口裝置
[0054]5, 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g裝置主體
[0055]51, 51a, 51b, 51c, 51d, 51e, 51f, 51g 離子導(dǎo)引區(qū)域
[0056]511，511a，511b，511c，511d，511e，511f，511g 離子導(dǎo)引裝置
[0057]52，52a，52b，52c，52d，52e，52f，52g 質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域
[0058]6c樣本臺(tái)
[0059]61c解吸附源
[0060]62c導(dǎo)管
【具體實(shí)施方式】
[0061]以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0062]實(shí)施例1:
[0063]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化與引入裝置，包括:用于質(zhì)量校準(zhǔn)物離子化的至少一第一離子源1、用于分析物離子化的至少一第二離子源2、第一離子源的預(yù)設(shè)腔室3、至少一離子導(dǎo)引區(qū)域51、用于連接離子源與離子導(dǎo)引區(qū)域的真空接口裝置4、以及質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域52，所述離子導(dǎo)引區(qū)域51用于導(dǎo)引所述質(zhì)量校準(zhǔn)物離子及分析物離子進(jìn)入與所述離子導(dǎo)引區(qū)域51連接的質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域52，離子運(yùn)動(dòng)可參考圖示的箭頭方向；其中，所述第一離子源I處于低于大氣壓的環(huán)境，所述第二離子源2的處于大氣壓環(huán)境。
[0064]一方面，所述處于低于大氣壓環(huán)境下的第一離子源I包括:電噴霧離子源、輝光放電離子源、介質(zhì)阻擋放電離子源、化學(xué)電離離子源、解吸附電暈束離子源、電暈放電離子源、激光解吸附離子源及光電離離子源中的一種或者組合；其中由于低于大氣壓環(huán)境下，空間電荷效應(yīng)降低，放電電流提高以及光子飛行距離增加，使得電噴霧離子源、輝光放電離子源與光電離離子源的離子化效率和傳輸效率大大提高。從而使得電噴霧離子源、輝光放電離子源與光電離離子源作為低氣壓離子源的優(yōu)選方案；所述處于大氣壓環(huán)境下第二離子源2包括:電噴霧離子源、解吸附電暈束離子源、介質(zhì)阻擋放電離子源、化學(xué)電離離子源、電暈放電離子源、輝光放電離子源、激光解吸附離子源及光電離離子源中的一種或者組合。較佳的，在本實(shí)施例中，是對(duì)應(yīng)所述質(zhì)量校準(zhǔn)物的第一離子源I置于所述預(yù)設(shè)腔室3內(nèi)，采用電噴霧離子源、輝光放電離子源或者光電離離子源，利用低壓環(huán)境提高質(zhì)量校準(zhǔn)物離子的離子化效率和離子傳輸效率，從而可以減少質(zhì)量校準(zhǔn)物的使用量，減少了質(zhì)量校準(zhǔn)物對(duì)質(zhì)譜儀后級(jí)裝置的污染，從而減少質(zhì)量校準(zhǔn)物對(duì)于分析物檢測(cè)帶來(lái)的基質(zhì)效應(yīng)，提高了分析物的檢測(cè)靈敏度。
[0065]一方面，所述低于大氣壓的環(huán)境為內(nèi)部氣壓低于大氣壓的預(yù)設(shè)腔室3，優(yōu)選但非必要的，所述預(yù)設(shè)腔室3包括供抽放氣以改變內(nèi)部氣壓的抽氣口 31，從而通過(guò)抽氣口 31連接泵以抽放氣來(lái)調(diào)整內(nèi)部氣壓；另外，所述第一離子源I及第二離子源2分別通過(guò)相互獨(dú)立的真空接口裝置4傳輸所述質(zhì)量校準(zhǔn)物離子及分析物離子至離子導(dǎo)引區(qū)域51，一方面，所述真空接口裝置4可以是采樣錐、圓孔、直毛細(xì)管或彎毛細(xì)管，以使所述質(zhì)量校準(zhǔn)物和分析物離子化和引入過(guò)程完全分開(kāi)，從而使得質(zhì)量校準(zhǔn)物不會(huì)對(duì)分析物的真空接口裝置帶來(lái)污染，從而不會(huì)影響分析物的檢測(cè)靈敏度。也不會(huì)對(duì)分析物的離子化和引入產(chǎn)生干擾，提高分析物檢測(cè)的穩(wěn)定性；而第二離子源2處于大氣壓環(huán)境下，是可以單獨(dú)處于大氣壓環(huán)境下，或者設(shè)在連通大氣壓環(huán)境的腔室內(nèi)。
[0066]一方面，所述低于大氣壓環(huán)境可以是在0.0001?ITorr、I?50Torr、50?300Torr及300?700Torr ;其中優(yōu)選的，電噴霧離子源對(duì)應(yīng)的低氣壓I?300Torr ;輝光放電離子源:0.0001?300Torr ;光電離離子源:0.0001?300Torr。
[0067]一方面，所述第二離子源2可與液相色譜聯(lián)用。
[0068]一方面，提供一裝置主體5，所述離子導(dǎo)引區(qū)域51及質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域52皆可以是所述裝置主體5內(nèi)形成的腔室，離子導(dǎo)引區(qū)域51氣壓低于預(yù)設(shè)腔室3的氣壓，而質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域52的氣壓則低于離子導(dǎo)引區(qū)域51的氣壓。
[0069]一方面，所述離子導(dǎo)引區(qū)域51內(nèi)設(shè)有離子導(dǎo)引裝置511，如離子漏斗、多極桿離子導(dǎo)引裝置、Q-陣列導(dǎo)引器及行波導(dǎo)引裝置等中的一種或者組合，，當(dāng)然所述離子導(dǎo)引裝置511亦可兼具離子聚焦效果，此為行業(yè)慣用技術(shù)，不另作贅述；一方面，所述質(zhì)量檢測(cè)分析區(qū)域52內(nèi)可以設(shè)有質(zhì)量檢測(cè)器和質(zhì)量分析器，所述質(zhì)量分析器例如為單四極桿質(zhì)譜裝置、多重四級(jí)桿質(zhì)譜裝置、飛行時(shí)間質(zhì)譜裝置、多重四極桿結(jié)合飛行時(shí)間質(zhì)譜裝置、傅里葉變換離子回旋共振及離子阱質(zhì)譜裝置中的一種或者組合；質(zhì)量檢測(cè)器