柔性oled及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性0LED及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二級(jí)管顯示裝置（Organic Light Emitting Diode，0LED)，具有自發(fā)光、 驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬， 可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯 示方式，開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛地應(yīng)用在手機(jī)屏幕、電腦顯示器、全彩電視 等。0LED與傳統(tǒng)的液晶顯示器不同，無(wú)需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板， 當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。
[0003] 請(qǐng)參閱圖1，為一種現(xiàn)有的柔性0LED的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括基板100、間隔設(shè)于 所述基板100上的第一柵極210、及第二柵極220、設(shè)于所述第一柵極210、第二柵極220、及 基板100上的柵極絕緣層300、位于所述第一柵極210上方設(shè)于所述柵極絕緣層300上的 第一半導(dǎo)體層410、位于所述第二柵極220上方設(shè)于所述柵極絕緣層300上的第二半導(dǎo)體 層420、設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層410、第二半導(dǎo)體層420、及柵極絕緣層300上的蝕刻阻擋層 500、設(shè)于所述蝕刻阻擋層500上的第一源極610、第一漏極620、第二源極630、與第二漏極 640、設(shè)于所述第一源極610、第一漏極620、第二源極630、第二漏極640、及蝕刻阻擋層500 上的層間絕緣層700、設(shè)于所述層間絕緣層700上的平坦層800、設(shè)于所述平坦層800上的 第一電極900、設(shè)于所述第一電極900與平坦層800上的具有開口的像素定義層1000、于所 述像素定義層1000的開口內(nèi)設(shè)于所述第一電極900上的發(fā)光層1100、設(shè)于所述像素定義層 1000與發(fā)光層1100上的第二電極1200、設(shè)于所述第二電極1200上的干燥劑層1300、及設(shè) 于所述干燥劑層13000與像素定義層1000上的封裝薄膜1400。
[0004] 所述第一源極610接觸第一半導(dǎo)體層410與第二柵極220,所述第一漏極610接觸 第一半導(dǎo)體層410,所述第二源極630接觸第二半導(dǎo)體層420,所述第二漏極640接觸第二 半導(dǎo)體層420。所述第一柵極210、第一半導(dǎo)體層410、第一源極610、及第一漏極620構(gòu)成 開關(guān)TFT T10,所述第二柵極220、第二半導(dǎo)體層420、第二源極630、及第二漏極640構(gòu)成驅(qū) 動(dòng)TFT T20。所述第一電極900接觸所述第二源極630。所述像素定義層1000的開口暴露 出部分第一電極900。
[0005] 所述第一電極900作為像素電極即0LED的陽(yáng)極，第二電極1200作為0LED的陰極。 通常所述第二電極1200的厚度較薄，尤其是在頂發(fā)光型0LED中，需制作透明陰極，因此需 要更薄的第二電極1200。然而，在第二電極1200較薄的情況下，電阻較大，導(dǎo)電能力較弱， 針對(duì)大尺寸0LED顯示器有可能造成各個(gè)像素的電壓不均，影響顯示的均一性，出現(xiàn)亮度不 均（mura)等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種柔性0LED，能夠減小第二電極的電阻，增強(qiáng)導(dǎo)電能力， 使得各個(gè)像素的電壓均勻，改善顯示均一性，并可減薄第二電極，節(jié)省第二電極的材料。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于提供一種柔性O(shè)LED的制作方法，由該方法制作的柔性O(shè)LED 能夠減小第二電極的電阻，增強(qiáng)導(dǎo)電能力，使得各個(gè)像素的電壓均勻，改善顯示均一性，并 可減薄第二電極，節(jié)省第二電極的材料。
[0008] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED，包括TFT基板，設(shè)于所述TFT基板上 的第一電極及像素定義層，所述像素定義層具有開口以暴露出部分第一電極；
[0009] 有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層對(duì)應(yīng)所述像素定義層的開口設(shè)于所述第一電極上；
[0010] 第二電極，所述第二電極設(shè)于有機(jī)發(fā)光層與像素定義層上；
[0011] 輔助導(dǎo)電層，所述輔助導(dǎo)電層覆蓋第二電極；
[0012] 干燥劑層，所述干燥劑層設(shè)于輔助導(dǎo)電層上；及
[0013] 封裝薄膜，所述封裝薄膜設(shè)于干燥劑層與像素定義層上。
[0014] 所述第二電極的方塊電阻數(shù)值范圍為0. 1~100 〇 / 口。
[0015] 所述第二電極的厚度為丨〇~1000 A。
[0016] 所述輔助導(dǎo)電層的材料為導(dǎo)電銀膠、納米銀線、或石墨烯。
[0017] 所述輔助導(dǎo)電層呈網(wǎng)格狀。
[0018] 本發(fā)明還提供一種柔性O(shè)LED的制作方法，包括如下步驟：
[0019] 步驟1、首先提供一 TFT基板，在所述TFT基板上依次形成像素電極、及具有開口以 暴露出部分第一電極的像素定義層；
[0020] 接著對(duì)應(yīng)所述像素定義層的開口在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；
[0021] 然后在有機(jī)發(fā)光層與像素定義層上形成第二電極；
[0022] 步驟2、在所述第二電極上形成覆蓋該第二電極的輔助導(dǎo)電層；
[0023] 步驟3、在所述輔助導(dǎo)電層上填充干燥劑層；
[0024] 步驟4、在所述干燥劑層、及像素定義層上形成封裝薄膜。
[0025] 所述步驟2通過(guò)涂布、噴墨印刷、或沉積的方式形成所述輔助導(dǎo)電層。
[0026] 所述輔助導(dǎo)電層的材料為導(dǎo)電銀膠、納米銀線、或石墨烯。
[0027] 所述第二電極的方塊電阻數(shù)值范圍為0. 1~100 〇 / □;所述第二電極的厚度為 io~ioooA。
[0028] 所述輔助導(dǎo)電層呈網(wǎng)格狀。
[0029] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種柔性0LED，通過(guò)在第二電極上覆蓋輔助導(dǎo) 電層，能夠減小第二電極的電阻，增強(qiáng)導(dǎo)電能力，使得各個(gè)像素的電壓均勻，改善顯示均一 性，并可減薄第二電極，節(jié)省第二電極的材料。本發(fā)明提供的一種柔性O(shè)LED的制作方法，通 過(guò)在第二電極上形成覆蓋該第二電極的輔助導(dǎo)電層，能夠減小第二電極的電阻，增強(qiáng)導(dǎo)電 能力，使得各個(gè)像素的電壓均勻，改善顯示均一性，并可減薄第二電極，節(jié)省第二電極的材 料。
[0030] 為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說(shuō)明】
[0031] 下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0032] 附圖中，
[0033] 圖1為一種現(xiàn)有的柔性O(shè)LED的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034] 圖2為本發(fā)明的柔性O(shè)LED的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖3為本發(fā)明的柔性O(shè)LED中輔助導(dǎo)電層的一種實(shí)施方式的平面俯視示意圖；
[0036] 圖4為本發(fā)明的柔性O(shè)LED的制作方法的流程圖；
[0037] 圖5為本發(fā)明的柔性O(shè)LED的制作方法的步驟1的示意圖；
[0038] 圖6為本發(fā)明的柔性O(shè)LED的制作方法的步驟2的示意圖；
[0039] 圖7為本發(fā)明的柔性O(shè)LED的制作方法的步驟3的示意圖；
[0040] 圖8為本發(fā)明的柔性O(shè)LED的制作方法的步驟4的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0042] 請(qǐng)參閱圖2,本發(fā)明首先提供一種柔性O(shè)LED，包括TFT基板TS、設(shè)于所述TFT基板 TS上的第一電極9及像素定義層10、有機(jī)發(fā)光層11、第二電極12、輔助導(dǎo)電層13、干燥劑層 14、以及封裝薄膜15。
[0043] 具體地，所述TFT基板TS包括基板1、間隔設(shè)于所述基板1上的第一柵極21、及第 二柵極22、設(shè)于所述第一柵極21、第二柵極22、及基板1上的柵極絕緣層3、位于所述第一 柵極21上方設(shè)于所述柵極絕緣層3上的第一半導(dǎo)體層41、位于所述第二柵極22上方設(shè)于 所述柵極絕緣層3上的第二半導(dǎo)體層42、設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層41、第二半導(dǎo)體層42、及柵 極絕緣層3上的蝕刻阻擋層5、設(shè)于所述蝕刻阻擋層5上的第一源極61、第一漏極62、第二 源極63、與第二漏極64、設(shè)于所述第一源極61、第一漏極62、第二源極63、第二漏極64、及 蝕刻阻擋層5上的層間絕緣層7、及設(shè)于所述層間絕緣層7上的平坦層8。
[0044] 所述第一電極9設(shè)于所述平坦層8上，所述像素定義層10具有開口 101，暴露出 部分第一電極9,以定義出像素區(qū)的形狀。
[0045] 所述第一源極61接觸第一半導(dǎo)體層41與第二柵極22,所述第一漏極61接觸第一 半導(dǎo)體層41，所述第二源極63接觸第二半導(dǎo)體層42,所述第二漏極64接觸第二半導(dǎo)體層 42;所述第一柵極21、第一半導(dǎo)體層41、第一源極61、及第一漏極62構(gòu)成開關(guān)TFT T1，所述 第二柵極22、第二半導(dǎo)體層42、第二源極63、及第二漏極64構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT T2 ;所述第一電 極9接觸所述第二源極63。進(jìn)一步地，所述第一源極61、第一漏極62分別經(jīng)由貫穿鈍化層 5的第一過(guò)孔51、第二過(guò)孔52接觸所述第一半導(dǎo)體層41，所述第二源極63、第二漏極64分 別經(jīng)由貫穿鈍化層5的第三過(guò)孔53、第四過(guò)孔54接觸所述第二半導(dǎo)體層42,所述第一源極 61經(jīng)由貫穿鈍化層5與柵極絕緣層3的第五過(guò)孔35接觸所述第二柵極22,所述第一電極 9經(jīng)由貫穿平坦層8與層間絕緣層7的第六過(guò)孔87接觸所述第二源極63。
[0046] 所述第一半導(dǎo)體層41與第二半導(dǎo)體層42的材料為多晶硅半導(dǎo)體、或金屬氧化物 半導(dǎo)體，如銦鎵鋅氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZ0)半導(dǎo)體等；
[0047] 所述第一柵極21、第二柵極22、第一源極61、第一漏極62、第二源極63、與第二漏 極64的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合；
[0048] 所述柵極絕緣層3與層間絕緣層7的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合；
[0049] 所述第一電極9為像素電極，通常用作OLED的陽(yáng)極，選用氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO)等為材料。
[0050] 所述有機(jī)發(fā)光層11對(duì)應(yīng)所述像素定義層10的開口 101設(shè)于所述第一電極9上。
[0051] 所述第二電極12設(shè)于有機(jī)發(fā)光層11與像素定義層10上。該第二電極12通常用 作0LED的陰極。
[0052] 所述輔助導(dǎo)電層13覆蓋第二電極12。優(yōu)選的，所述輔助導(dǎo)電層13呈如圖3所示 的網(wǎng)格狀。所述輔助導(dǎo)電層13的材料為導(dǎo)電銀膠、納米銀線、或石墨烯，所謂納米銀線是指 具有納米級(jí)別銀線導(dǎo)電網(wǎng)格的透明的導(dǎo)電薄膜，納米銀線的線寬約為50nm。
[0053] 所述干燥劑層14設(shè)