用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)線纜的技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，本發(fā)明涉及一種用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著計算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，用于傳輸信號的線纜作為附件其體積也越來越小。用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜通常包括用于傳輸數(shù)據(jù)電信號的導(dǎo)體，導(dǎo)體外包覆以絕緣介質(zhì)層、屏蔽層和外護(hù)套。在現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽層通常為由多股金屬線編織而成的編織層或用鋁箔等形成，用以屏蔽電磁干擾或者外部信號的干擾。但是在實際應(yīng)用中，金屬編織層或鋁箔難以達(dá)到理想的屏蔽效果，難以完全屏蔽外部的電磁干擾或無用外部信號干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜。
[0004]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:
本發(fā)明所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，包括至少一組數(shù)據(jù)傳輸層，所述數(shù)據(jù)傳輸層外具有絕緣覆蓋層；所述數(shù)據(jù)傳輸層包括裸露的接地導(dǎo)線以及至少一對數(shù)據(jù)導(dǎo)線，其特征在于:所述數(shù)據(jù)傳輸層外包覆有鋁箔導(dǎo)電層和復(fù)合材料屏蔽層。
[0005]其中，所述數(shù)據(jù)傳輸層為2組或多組。
[0006]其中，所述絕緣覆蓋層為扁平型，其材料為交聯(lián)聚乙烯、阻燃聚氯乙烯或ABS樹脂等。
[0007]其中，所述鋁箔的厚度為5~50 μπι，優(yōu)選為10~20 μπι。
[0008]其中，所述復(fù)合材料屏蔽層的厚度為1~10 mm。
[0009]其中，所述復(fù)合材料包括:80重量份的聚丙烯酸樹脂、15-20重量份的ABS樹脂、3-5重量份的硅烷偶聯(lián)劑、0.5-1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、3.5-5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和0.50-1.5重量份的銀納米線。
[0010]其中，所述銀納米線為長寬比為20~2000，優(yōu)選為50~500 ;所述銀納米線的長度大約為5~100 μπι，優(yōu)選為20~100 y m。在本發(fā)明中，所述銀納米線通過現(xiàn)有技術(shù)常規(guī)的技術(shù)制備即可，例如可以通過在溶液體系中還原硝酸銀來合成銀納米線。
[0011]其中，所述鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，通過在二氧化硅顆粒表面通過活化、化學(xué)鍍工藝得到。
[0012]本發(fā)明所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜具有以下有益效果:
本發(fā)明的數(shù)據(jù)線纜采用鋁箔和復(fù)合材料屏蔽層共同作為電磁屏蔽層，具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果，對外部的電磁干擾或外部信號具有較強(qiáng)的抗干擾或防錯性能。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2為實施例1~3的復(fù)合材料屏蔽層(5mm)的總屏蔽效能圖。
[0015]圖3為比較例1~3的復(fù)合材料屏蔽層(5mm)的總屏蔽效能圖。
【具體實施方式】
[0016]以下將結(jié)合具體實施例對本發(fā)明所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜及其制備方法做進(jìn)一步的說明，以幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員對本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準(zhǔn)確和深入的理解。
[0017]如圖1所述，本發(fā)明的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，包括兩組組數(shù)據(jù)傳輸層60，所述數(shù)據(jù)傳輸層60包括裸露的接地導(dǎo)線20以及至少一對數(shù)據(jù)導(dǎo)線10，所述數(shù)據(jù)導(dǎo)線10包括銅芯和銅芯外周的絕緣層。所述數(shù)據(jù)傳輸層60外具有絕緣覆蓋層30，所述絕緣覆蓋層為扁平型，根據(jù)實際需要，也可以設(shè)計為其它形狀，而絕緣覆蓋層的材料可以為交聯(lián)聚乙烯、阻燃聚氯乙烯或ABS樹脂等現(xiàn)有技術(shù)中公知的材料。本發(fā)明的改進(jìn)之處在于:所述數(shù)據(jù)傳輸層60外包覆有鋁箔導(dǎo)電層40和復(fù)合材料屏蔽層50，所述鋁箔的厚度為5~50 ym，優(yōu)選為10-20 μπι。所述復(fù)合材料屏蔽層的厚度為1~10 mm。
[0018]在本發(fā)明中，復(fù)合材料包括:80重量份的聚丙稀酸樹脂、15-20重量份的ABS樹脂、3-5重量份的硅烷偶聯(lián)劑、0.5-1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、3.5-5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和0.50-1.5重量份的銀納米線。其中，所述銀納米線為長寬比為20~2000，在本發(fā)明的實施例中采用的銀納米線的長寬比為50~500 ;長度大約為20~100Umo在本發(fā)明的實施例中，所述鍍鎳硼的二氧化硅顆粒通過以下工藝制備得到:選擇的二氧化硅顆粒的平均粒徑為5~20 ym之間，密度為0.8~1.2 g/cm3。首先進(jìn)行前處理，即在二氧化硅顆粒進(jìn)行清洗、粗化以及SnCl2溶液敏化、Pd活化的前處理；化學(xué)鍍的參數(shù)條件如下:硫酸鎳:15-20 g/L，氯化鎳:3.2-5.0 g/L，硼氫化鈉:10-12 g/L，氨基磺酸:1.5-2.0g/L，EDTA 二鈉:2.5-3.0 g/L，丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨:1.0-1.2g/L，二乙基二硫代氨基甲酸鈉:0.1-0.2 g/L，和余量的去離子水；化學(xué)鍍溫度為60~70°C，時間為25~30 min，化學(xué)鍍完成后在N2熱氣流下進(jìn)行干燥。利用粒度測試分析儀可以得出鍍覆后的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒沒有發(fā)生團(tuán)聚，并且鎳硼鍍層中硼的含量約為5.5-7.5wt%。
[0019]以下將詳述數(shù)據(jù)線纜中的復(fù)合材料屏蔽層的組成和制備工藝。
[0020]實施例1
將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、5重量份的硅烷偶聯(lián)劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、3.5重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機(jī)中，其攪拌速度為2500轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機(jī)中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復(fù)合材料。
[0021]實施例2
將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401)、15重量份的ABS樹脂(CH510)、3重量份的硅烷偶聯(lián)劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.5重量份的銀納米線加入到高速混合機(jī)中，其攪拌速度為2500轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機(jī)中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復(fù)合材料。
[0022]實施例3
將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯(lián)劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機(jī)中，其攪拌速度為2500轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機(jī)中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復(fù)合材料。
[0023]比較例I
將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯(lián)劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的納米碳纖維加入到高速混合機(jī)中，其攪拌速度為2500轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機(jī)中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復(fù)合材料。
[0024]比較例2
將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯(lián)劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的鍍鎳磷的二氧化硅顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機(jī)中，其攪拌速度為2500轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機(jī)中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復(fù)合材料。該化學(xué)鍍鎳磷鍍層可以采用常規(guī)的化學(xué)鍍鎳磷工藝得到，其中鍍層中磷的含量為5~8wt%。
[0025]比較例3
將80重量份的聚丙烯酸樹脂(上海新華4401 )、20重量份的ABS樹脂(CH510)、4重量份的硅烷偶聯(lián)劑KH560、1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(SMA2000)、4.0重量份的四氧化三鐵磁性顆粒，和1.0重量份的銀納米線加入到高速混合機(jī)中，其攪拌速度為2500轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時間為20分鐘得到混合均勻的混合物。然后將混合物置于密煉機(jī)中，在160~210°C下混煉10~20分鐘，即可得到復(fù)合材料。
[0026]將實施例1~3以及比較例1~3的復(fù)合材料制成5mm厚的薄板樣品，其電磁屏蔽效能的結(jié)果如圖2-3所示。
[0027]在本發(fā)明中，所述的對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，具體實施例只是對本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，包括至少一組數(shù)據(jù)傳輸層，所述數(shù)據(jù)傳輸層外具有絕緣覆蓋層；所述數(shù)據(jù)傳輸層包括裸露的接地導(dǎo)線以及至少一對數(shù)據(jù)導(dǎo)線，其特征在于:所述數(shù)據(jù)傳輸層外包覆有鋁箔導(dǎo)電層和復(fù)合材料屏蔽層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述數(shù)據(jù)傳輸層為2組或多組。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述絕緣覆蓋層為扁平型，其材料為交聯(lián)聚乙烯、阻燃聚氯乙烯或ABS樹脂。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述鋁箔的厚度為5?50 Um05.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述復(fù)合材料屏蔽層的厚度為1~10 mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述復(fù)合材料包括80重量份的聚丙烯酸樹脂、15-20重量份的ABS樹脂、3-5重量份的硅烷偶聯(lián)劑、0.5-1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、3.5-5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和0.50-1.5重量份的銀納米線。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述復(fù)合材料由80重量份的聚丙烯酸樹脂、15-20重量份的ABS樹脂、3-5重量份的硅烷偶聯(lián)劑、0.5-1.0重量份的苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、3.5-5.0重量份的鍍鎳硼的二氧化硅顆粒，和0.50-1.5重量份的銀納米線組成。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，其特征在于:所述銀納米線為長寬比為20~2000，長度大約為5~100 μ m。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，屬于數(shù)據(jù)線纜的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述的用于計算機(jī)的數(shù)據(jù)線纜，包括至少一組數(shù)據(jù)傳輸層，所述數(shù)據(jù)傳輸層外具有絕緣覆蓋層；所述數(shù)據(jù)傳輸層包括裸露的接地導(dǎo)線以及至少一對數(shù)據(jù)導(dǎo)線，所述數(shù)據(jù)傳輸層外包覆有鋁箔導(dǎo)電層和復(fù)合材料屏蔽層。本發(fā)明的數(shù)據(jù)線纜采用鋁箔和復(fù)合材料屏蔽層共同作為電磁屏蔽層，具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果，對外部的電磁干擾或外部信號具有較強(qiáng)的抗干擾或防錯性能。
【IPC分類】H01B11/06, C08L33/02, C08K9/02, C08K3/36, C08L55/02, C08L35/06, H01B11/08, C08K3/08
【公開號】CN104900337
【申請?zhí)枴緾N201510350206
【發(fā)明人】苗玉霞
【申請人】苗玉霞
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年6月24日