供應(yīng)裝置(200)中至少一個以預(yù)設(shè)距離平行另一個而進(jìn)行相對運(yùn)動。例如，所有氣體供應(yīng)裝置(200)及基板支撐部件(150)可建構(gòu)成互相進(jìn)行相對運(yùn)動，或基板支撐部件(150)及氣體供應(yīng)裝置(200)中其中一個可相對于另一個進(jìn)行相對運(yùn)動。例如，固定氣體供應(yīng)裝置(200)，而移動基板支撐部件(150);或所有基板支撐部件(150)及氣體供應(yīng)裝置(200)皆移動。
[0042]然而，在大尺寸或大表面的基板(W)的例子中，為了使基板(W)移動至腔室(110)內(nèi)部，腔室(I1)必須是大尺寸的，但此導(dǎo)致沉積裝置的總體占用面積(footprint)增加。因此，為了進(jìn)行甚至對大尺寸或大表面的基板(W)的沉積，本發(fā)明的實(shí)施例可以此方式配置:在沉積制程中，固定基板(W)而氣體供應(yīng)裝置(200)進(jìn)行相對于基板(W)的相對運(yùn)動。例如，可將氣體供應(yīng)裝置(200)配置為以預(yù)設(shè)距離平行于基板(W)而直線移動。同時，如上所述，當(dāng)基板(W)沿著直線路徑進(jìn)行相對運(yùn)動時，因整個基板的表面區(qū)域以相同的速度移動，在沉積制程中，沉積厚度在整個表面區(qū)域是一致的。
[0043]在此同時，將加熱部件(170)配置于基板(W)支撐部件(150)下方。將加熱部件(170)配置在距支撐基板(W)的基板支撐部件(150)的預(yù)設(shè)距離，并且加熱基板(W)。
[0044]詳細(xì)地說，將加熱部件(170)沿著基板支撐部件(150)移動路徑而配置。加熱部件(170)可包括:例如，至少一個加熱板(172)及支撐加熱板(172)的支撐部(174)。將加熱板(172)配置在距支撐基板(W)的基板支撐部件(150)的預(yù)設(shè)距離，以加熱基板(W)。
[0045]圖2示出圖1的氣體供應(yīng)裝置(200)的放大剖面圖，示出氣體供應(yīng)裝置(200)的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。如上所述，基板支撐部件(150)及氣體供應(yīng)裝置中至少一個經(jīng)配置以預(yù)設(shè)距離平行另一個而進(jìn)行相對運(yùn)動。
[0046]參照圖2，氣體供應(yīng)裝置(200)包括:至少一個供應(yīng)通道(210，230)，用以供應(yīng)處理氣體至基板(W);以及活化通道(240)，具有氣體活化單元(300)用以活化處理氣體。
[0047]在此實(shí)施例中，氣體活化單元(300)活化處理氣體或反應(yīng)氣體以轉(zhuǎn)變其至活化原子類型或自由基類型的處理氣體或反應(yīng)氣體。在此，氣體活化單元(300)可具有等離子體產(chǎn)生部、微波產(chǎn)生部、紫外線輻射部及激光輻射部中任一種形式。
[0048]在此，在以微波產(chǎn)生部的形式而準(zhǔn)備氣體活化單元(300)的例子中，微波產(chǎn)生部利用高于109Hz的超高頻率來活化處理氣體。當(dāng)微波產(chǎn)生部施加超高頻率時，使處理氣體轉(zhuǎn)變至活化原子或自由基，然后注入至基板(W)。
[0049]此外，在以紫外線輻射部的形式而準(zhǔn)備氣體活化單元(300)的例子中，處理氣體藉來自紫外線輻射部的紫外線輻射轉(zhuǎn)變至活化原子或自由基，然后注入至基板(W)。
[0050]再者，在以激光輻射部的形式而準(zhǔn)備氣體活化單元(300)的例子中，處理氣體藉來自激光輻射部的激光輻射轉(zhuǎn)變至活化原子或自由基，然后注入至基板(W)。
[0051]在下文中，將說明以等離子體產(chǎn)生部的形式而準(zhǔn)備的氣體活化單元(300)。氣體活化單元(300)包括電源電極(310)，配置在活化通道(240) —側(cè)的內(nèi)壁上，且供應(yīng)電源，而活化通道(240)另一側(cè)的內(nèi)壁是接地的，以做為接地電極。在此例子中，屏蔽構(gòu)件(312)配置于活化通道(240) —側(cè)的內(nèi)壁上，且屏蔽構(gòu)件(312)支持電源電極(310)。電源電極(310)及氣體供應(yīng)裝置(200)藉由屏蔽構(gòu)件(312)而彼此電性分離，使電源電極(310)電性屏蔽于氣體供應(yīng)裝置(200)。在此例子中，屏蔽構(gòu)件(312)作為支撐部用以支撐電源電極(310)且電性屏蔽電源電極(310)。
[0052]在此實(shí)施例中，氣體供應(yīng)裝置(200)以此方式配置:供應(yīng)由供應(yīng)通道(230)供應(yīng)的處理氣體至活化通道(240)。即，不直接供應(yīng)處理氣體或反應(yīng)氣體至配置有氣體活化單元(300)的活化通道(240)，而采用“非直接供應(yīng)的方法”，導(dǎo)入或供應(yīng)由供應(yīng)通道(230)供應(yīng)的處理氣體或反應(yīng)氣體至活化通道(240)。如上所述，提供處理氣體至氣體活化單元(300)時，采用非直接供應(yīng)的方法，為了以下理由。
[0053]一般而言，在利用氣體活化單元活化處理氣體的用以沉積基板的裝置的例子中，裝置直接供應(yīng)其中一種處理氣體，例如反應(yīng)氣體，如O2，至配置有氣體活化單元的空間、區(qū)域或通道中。在此例子中，反應(yīng)氣體由氣體活化單元活化且供應(yīng)至位于氣體活化單元下的基板以進(jìn)行沉積制程。
[0054]然而，在現(xiàn)有的裝置中，因?yàn)橹苯庸?yīng)反應(yīng)氣體至配置有氣體活化單元的空間、區(qū)域或通道中，當(dāng)反應(yīng)氣體被活化時，在氣體活化單元的內(nèi)壁上和/或空間、區(qū)域或通道中可能形成不期望的膜。在形成此膜的例子中，因?yàn)闅怏w活化單元的效率可能大幅減少，故需要周期性地除去在區(qū)域上沉積的膜，但此可能增加為維護(hù)沉積裝置所需的一段時間與花費(fèi)。此外，在現(xiàn)有的裝置中，因?yàn)榻逵蓺怏w活化單元活化或自由基化的反應(yīng)氣體是直接供應(yīng)至基板(W)，活化的反應(yīng)氣體可能損害基板(W)，因此，為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的氣體供應(yīng)裝置(200)在配置氣體活化單元(300)的例子中，不直接供應(yīng)處理氣體或反應(yīng)氣體至氣體活化單元(300)，而將由用于供應(yīng)反應(yīng)氣體的供應(yīng)通道(230)所供應(yīng)的反應(yīng)氣體導(dǎo)入或供應(yīng)至活化通道(240)。
[0055]詳細(xì)地說，活化通道(240)可具有閉合的上部及朝向下方基板(W)打開的下部。在此例子中，活化通道(240)的上部可由外蓋(202)屏蔽，用以密封腔室頂蓋(120)的開口部。同時，在氣體供應(yīng)裝置(200)中，供應(yīng)通道(230)與活化通道(240)可彼此相鄰。也就是說，供應(yīng)通道(230)與活化通道(240)相鄰，而通過供應(yīng)通道(230)下部供應(yīng)的處理氣體和/或反應(yīng)氣體導(dǎo)入至相鄰的活化通道(240)。如上所述，活化通道(240)是朝向基板(W)打開的，且包括如圖中所示配置于活化通道(240)下部的開口部(242)，而使由供應(yīng)通道(230)供應(yīng)的處理氣體通過開口部(242)而供應(yīng)至活化通道(240)，以藉由氣體活化單元(300)來活化。此外，藉由氣體活化單元(300)活化的處理氣體通過活化通道(240)而供應(yīng)至基板(W)上，以活化流動于基板(W)與氣體供應(yīng)裝置(200)間的未活化的處理氣體。
[0056]圖3示出在氣體供應(yīng)裝置(200)中處理氣體或反應(yīng)氣體被活化的反應(yīng)過程的示意圖。
[0057]參照圖3，在以等離子體產(chǎn)生部的形式而準(zhǔn)備氣體活化單元(300)的例子中，包括電源電極(310)，配置在活化通道(240) —側(cè)的內(nèi)壁上，且提供電源供應(yīng)至電源電極，而活化通道(240)另一側(cè)的內(nèi)壁是接地的，以做為接地電極。
[0058]在此例子中，由相鄰的供應(yīng)通道(230)供應(yīng)反應(yīng)氣體(例如O2氣體)通過形成于活化通道(240)下部的開口部(242)而被導(dǎo)入至活化通道(240)中，且同時沿著基板(W)的上部流動。導(dǎo)入至活化通道(240)中的02氣體藉由氣體活化單元(300)活化且轉(zhuǎn)變至活化原子或自由基。如上所述，轉(zhuǎn)變至活化原子或自由基的O2氣體影響了鄰近的O2氣體，使鄰近的O2氣體也轉(zhuǎn)變至活化原子或自由基。因此，直接藉由氣體活化單元(300)活化的O2氣體存在于鄰近氣體活化單元(300)的區(qū)域(A)中，而藉由自由基化的氣體非直接活化的02氣體則存在于與氣體活化單元(300)略間隔開的區(qū)域(B)中，例如，在活化通道(240)的下部區(qū)域中或在活化通道(240)與基板(W)間的區(qū)域中。最后，在鄰近氣體活化單元(300)的區(qū)域(A)中，氣體以直接等離子體(direct plasma)的形式而活化，而在于與氣體活化單元(300)略間隔開的區(qū)域(B)中，氣體則以遠(yuǎn)程等離子體(remote plasma)的形式而活化。因此，反應(yīng)氣體不是以直接等離子體的形式，而是以遠(yuǎn)程等離子體的形式供應(yīng)至基板(W)。如上所述，在反應(yīng)氣體以遠(yuǎn)程等離子體的形式供應(yīng)至基板(W)的例子中，損害是可防止的。同時，在此實(shí)施例中，因?yàn)樘幚須怏w或反應(yīng)氣體不是直接供應(yīng)至活化單元(300)，故在氣體活化單元(300)上沉積的膜可減少。最終，本發(fā)明的實(shí)施例可解決發(fā)生在現(xiàn)有的氣體供應(yīng)裝置的氣體活化單元中的問題。在下文中，參照圖2，將更詳細(xì)地說明氣體供應(yīng)裝置(200)的結(jié)構(gòu)。
[0059]參照圖2，氣體供應(yīng)裝置(200)包括外蓋(202)，以密封腔室頂蓋(120)打開的部份。
[0060]為了密封腔室頂蓋(120)的開口部，于腔室頂蓋(120)上配置外蓋(202)。因此，示出于圖中，為了密封外蓋(202)與腔室頂蓋(120)的間隙，可以配置墊片(未示出)。夕卜蓋(202)可包括各種管道以供應(yīng)處理氣體至供應(yīng)通道(210，230)或排出廢氣，將說明于下。
[0061]詳細(xì)地說，外蓋(202)可包括第一供應(yīng)管道(410)，用以供應(yīng)來源氣體(或‘第一處理氣體’)。第一供應(yīng)管道(410)與來源氣體供應(yīng)源(未示出)連接，以供應(yīng)來源氣體至氣體供應(yīng)裝置(200)的第一供應(yīng)通道(210)，將說明于下。此外，外蓋(202)可進(jìn)一步包括第二供應(yīng)管道(430)，用以供應(yīng)反應(yīng)氣體(或‘第二處理氣體’)。第二供應(yīng)管道(430)與反應(yīng)氣體供應(yīng)源(未示出)連接，以供應(yīng)反應(yīng)氣體至第二供應(yīng)通道(230)。此外，外蓋(202)可進(jìn)一步包括排氣管道(420，440)，用以排出由供應(yīng)通道(210，230)供應(yīng)的處理氣體。排氣管道(420，440)與泵部件(未示出)連接，以藉由泵部件的抽氣動作排出腔室(110)內(nèi)部的殘余氣體。
[0062]如上所述，氣體供應(yīng)裝置(200)包括供應(yīng)通道(210，230)，用以供應(yīng)處理氣體，即來源氣體和/或反應(yīng)氣體。氣體供應(yīng)裝置(200)中配置有供應(yīng)通道(210，230)中至少一個，優(yōu)選為配置有多個供應(yīng)通道。供應(yīng)通道可包括至