介電層21以及金屬層25。介電層21通常為環(huán)氧樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、及其類似物所制成，并且此實(shí)施方面的介電層21具有0.5毫米的厚度。金屬層25通常為銅所制成，但也可以使用銅合金或其他材料(例如鋁、不銹鋼、或其合金)。金屬層25厚度可在5至200微米的范圍內(nèi)。在此實(shí)施方面中，金屬層25為具有50微米厚度的銅板。
[0121]圖30及31分別為于介電層21上形成定位件257的剖視圖及底部立體視圖?？赏ㄟ^(guò)使用光刻技術(shù)及濕法刻蝕，以移除金屬層25的選定部分，進(jìn)而形成定位件257。如圖31所示，定位件257由多個(gè)金屬凸柱組成，且排列成與隨后設(shè)置的中介層四側(cè)邊相符的矩形邊框陣列。然而，定位件的圖案不限于此，其可具有防止隨后設(shè)置的中介層發(fā)生不必要位移的其他各種圖案。舉例來(lái)說(shuō)，定位件257可由一連續(xù)或不連續(xù)的凸條所組成，并與隨后設(shè)置的中介層四側(cè)邊、兩對(duì)角、或四角相符。
[0122]圖32及33為于介電層上形成定位件的另一工藝剖視圖。
[0123]圖32為具有一組開(kāi)口 251的層壓基板剖視圖。該層壓基板包括上述的介電層21以及金屬層25，并且通過(guò)移除金屬層25的選定部分以形成開(kāi)口 251。
[0124]圖33為介電層21上形成定位件257的剖視圖。定位件257可通過(guò)將光敏性塑料材料(例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等)或非光敏性材料涂布或印刷于開(kāi)口 251中，接著移除整體金屬層25而形成。據(jù)此，定位件257由多個(gè)樹脂凸柱組成，且具有防止隨后設(shè)置的中介層發(fā)生不必要位移的圖案。
[0125]圖34為于基底載體20中形成貫穿開(kāi)口 205的剖視圖。貫穿開(kāi)口 205朝垂直方向延伸穿過(guò)介電層21的第一表面201及第二表面203間。
[0126]圖35為芯片-中介層堆疊次組件10通過(guò)黏著劑191貼附至基底載體20的剖視圖。在此，芯片-中介層堆疊次組件10與圖8所示結(jié)構(gòu)類似，只是差異處在于，此圖中的中介層11’上僅設(shè)有單個(gè)覆晶式半導(dǎo)體元件13，且半導(dǎo)體元件13為3D堆疊式芯片，此外，此實(shí)施方面的中介層11’進(jìn)一步包括嵌埋其中的無(wú)源元件117，其電性耦接至第一接觸墊112。半導(dǎo)體元件13置放于貫穿開(kāi)口 205中，而中介層11’位于貫穿開(kāi)口 205外，同時(shí)中介層11’的第二表面113貼附于介電層21上。黏著劑191接觸中介層11’的第二表面113以及基底載體20的第一表面201，且設(shè)置于中介層11’的第二表面113以及基底載體20的第一表面201間。定位件257自介電層21朝向下方向延伸，且延伸超過(guò)中介層11’的第二表面113，并且靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。此外，填充材料193更涂布于貫穿開(kāi)口 205的剩余空間中，且圍繞半導(dǎo)體元件13，并且于向上方向與半導(dǎo)體元件13及基底載體20實(shí)際上共平面。
[0127]圖36為平衡層311、第一絕緣層312、以及第一金屬板31由下方層壓/涂布于中介層11’及基底載體20上，以及第二絕緣層322及第二金屬板32由上方層壓/涂布于半導(dǎo)體元件13以及基底載體20上的剖視圖。平衡層311接觸基底載體20的第一表面201，且自基底載體20的第一表面201朝向下方向延伸，同時(shí)側(cè)向覆蓋、圍繞及共形涂布及中介層11’的側(cè)壁，并且自中介層11’側(cè)向延伸至結(jié)構(gòu)的外圍邊緣。第一絕緣層312接觸第一金屬板31、中介層11’、及平衡層311，并且提供第一金屬板31與中介層11’間、以及第一金屬板31與平衡層311間的堅(jiān)固機(jī)械性接合。第二絕緣層322接觸半導(dǎo)體元件13、填充材料193、以及基底載體20的第二表面203，且于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件13、填充材料193、以及基底載體20的第二表面203，同時(shí)側(cè)向延伸于半導(dǎo)體元件13、填充材料193、以及基底載體20的第二表面203上。第二金屬板32接觸第二絕緣層322，并且于向上方向覆蓋第二絕緣層322。
[0128]圖37為形成第一盲孔313、第二盲孔323、以及穿孔401后的剖視圖。第一盲孔313延伸穿過(guò)第一金屬板31及第一絕緣層312，并且對(duì)準(zhǔn)中介層11’的第一接觸墊112。第二盲孔323延伸穿過(guò)第二金屬板32及第二絕緣層322，并且對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體元件13。穿孔401朝垂直方向延伸穿過(guò)第一金屬板31、第一絕緣層312、平衡層311、基底載體20、第二絕緣層322、以及第二金屬板32。
[0129]參照?qǐng)D38，通過(guò)沉積第一披覆層31’于第一金屬板31上與第一盲孔313中，沉積第二披覆層32’于第二金屬板32上與第二盲孔323中，然后圖案化第一及第二金屬板31、32以及其上的第一及第二披覆層31’、32’，以分別形成位于第一絕緣層312上的第一導(dǎo)線315、以及位于第二絕緣層322上的第二導(dǎo)線325。連接層403也沉積于穿孔401中以形成披覆穿孔411。第一導(dǎo)線315自中介層11’的第一接觸墊112朝向下方向延伸，填滿第一盲孔313，以形成直接接觸中介層11’的第一接觸墊112的第一導(dǎo)電盲孔317，，并且側(cè)向延伸于第一絕緣層312上，藉以提供中介層11’的信號(hào)路由。第二導(dǎo)線325自半導(dǎo)體元件13朝向上方向延伸，填滿第二盲孔323，以形成直接接觸半導(dǎo)體元件13的第二導(dǎo)電盲孔327，其作為散熱用，并且側(cè)向延伸于第二絕緣層322上。披覆穿孔411的第一端延伸至第一導(dǎo)線315，第二端延伸至第二導(dǎo)線325，以提供垂直信號(hào)連接通路。
[0130]據(jù)此，如圖38所示，完成的半導(dǎo)體封裝件310包括中介層11’、半導(dǎo)體元件13、基底載體20、第一增層電路301、第二增層電路302、以及披覆穿孔411。在此圖中，第一增層電路301包括平衡層311、第一絕緣層312、以及第一導(dǎo)線315 ;第二增層電路302包括第二絕緣層322以及第二導(dǎo)線325。通過(guò)覆晶工藝，將半導(dǎo)體元件13電性耦接至預(yù)制的中介層11’，以形成芯片-中介層堆疊次組件10。使用黏著劑191，將芯片-中介層堆疊次組件10貼附至基底載體20，并使半導(dǎo)體元件13置放于貫穿開(kāi)口 205中，且中介層11’側(cè)向延伸于貫穿開(kāi)口 205外?；纵d體20的定位件257朝向下方向延伸超過(guò)中介層11’的第二表面113，且靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。第一增層電路301經(jīng)由第一導(dǎo)電盲孔317電性耦接至中介層11’。第二增層電路302經(jīng)由第二導(dǎo)電盲孔327熱性導(dǎo)通至半導(dǎo)體元件13，且經(jīng)由披覆穿孔411電性連接至第一增層電路301。披覆穿孔411的第一端延伸至第一導(dǎo)線315，第二端則延伸至第二導(dǎo)線325。
[0131]圖39為堆疊式封裝組件300的剖視圖，其另一半導(dǎo)體封裝件320設(shè)置于圖38半導(dǎo)體封裝件310的第二增層電路302上。在此圖中，半導(dǎo)體封裝件310還具有位于穿孔401剩余空間中的絕緣性填充物421，以及位于第一及第二增層電路301、302上的焊料屏蔽51。焊料屏蔽51包括焊料屏蔽開(kāi)口，其顯露第一及第二導(dǎo)線315、325的選定部分。據(jù)此，半導(dǎo)體封裝件320可經(jīng)由焊球61設(shè)置于半導(dǎo)體封裝件310的第二導(dǎo)線325顯露部分上。
[0132][實(shí)施例4]
[0133]圖40-47為本發(fā)明又一實(shí)施方面的具有堆疊式封裝能力的又一半導(dǎo)體封裝件制作方法圖，其中第一增層電路電性耦接至基底載體，以作為接地連接。
[0134]為了簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的敘述皆并于此，且無(wú)需再重復(fù)相同敘述。
[0135]圖40為基底載體20的剖視圖，其具有貫穿開(kāi)口 205以及定位件237。貫穿開(kāi)口205延伸穿過(guò)基底載體20的第一表面201及第二表面203間，并且定位件237形成于第一表面201上。在此實(shí)施方面中，基底載體20包括導(dǎo)電層23，其位于貫穿開(kāi)口 205的側(cè)壁上以及介電層21的相反兩表面上，且其具有約0.5毫米的厚度。據(jù)此，貫穿開(kāi)口 205具有屏蔽側(cè)壁206，并且可對(duì)隨后設(shè)置于貫穿開(kāi)口 205中的半導(dǎo)體元件，提供側(cè)向電磁干擾屏蔽效應(yīng)。厚度50微米的定位件237自基底載體20的導(dǎo)電層23下部朝向下方向延伸，并且定位件237的內(nèi)周圍邊緣與隨后設(shè)置的中介層四側(cè)邊相符。在此圖中，導(dǎo)電層23上部與基底載體20的外圍邊緣保持距離，而導(dǎo)電層23下部以及設(shè)置于其上的定位件237則側(cè)向延伸至基底載體20的外圍邊緣，并且于預(yù)定形成披覆穿孔的位置處形成開(kāi)口 231。
[0136]圖41為芯片-中介層堆疊次組件10通過(guò)黏著劑191貼附至基底載體20的剖視圖。在此，芯片-中介層堆疊次組件10與圖8所示結(jié)構(gòu)類似，只是差異處在于，此圖中的半導(dǎo)體元件13為3D堆疊式芯片。半導(dǎo)體元件13置放于貫穿開(kāi)口 205中，而中介層11’位于貫穿開(kāi)口 205外，同時(shí)中介層11’的第二表面113貼附于基底載體20上。黏著劑191接觸中介層11’的第二表面113以及基底載體20的導(dǎo)電層23下部，且設(shè)置于中介層11’的第二表面113以及基底載體20的導(dǎo)電層23下部間。定位件237自導(dǎo)電層23下部朝向下方向延伸，且延伸超過(guò)中介層11’的第二表面113，并且靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。此外，填充材料193還涂布于貫穿開(kāi)口 205的剩余空間中，且圍繞半導(dǎo)體元件13，并且于向上方向與半導(dǎo)體元件13及基底載體20實(shí)際上共平面。
[0137]圖42為平衡層311、第一絕緣層312、以及第一金屬板31由下方層壓/涂布于中介層11’及基底載體20上，以及第二絕緣層322及第二金屬板32由上方層壓/涂布于半導(dǎo)體元件13以及基底載體20上的剖視圖。平衡層311接觸基底載體20的第一表面201，且自基底載體20的第一表面201朝向下方向延伸，同時(shí)側(cè)向覆蓋、圍繞及共形涂布及中介層11’的側(cè)壁，并且自中介層11’側(cè)向延伸至結(jié)構(gòu)的外圍邊緣。第一絕緣層312接觸第一金屬板31、中介層11’、及平衡層311，并且提供第一金屬板31與中介層11’間、以及第一金屬板31與平衡層311間的堅(jiān)固機(jī)械性接合。第二絕緣層322接觸半導(dǎo)體元件13、填充材料193、以及基底載體20的第二表面203，且于向上方向覆蓋半導(dǎo)體元件13、填充材料193、以及基底載體20的第二表面203，同時(shí)側(cè)向延伸于半導(dǎo)體元件13、填充材料193、以及基底載體20的第二表面203上。第二金屬板32接觸第二絕緣層322，并且于向上方向覆蓋第二絕緣層322。
[0138]圖43為形成第一盲孔313、314、第二盲孔323、以及穿孔401后的剖視圖。第一盲孔313延伸穿過(guò)第一金屬板31及第一絕緣層312，并且對(duì)準(zhǔn)中介層11’的第一接觸墊112。額外的第一盲孔314延伸穿過(guò)第一金屬板31、第一絕緣層312、以及平衡層311，并且對(duì)準(zhǔn)定位件237。第二盲孔323延伸穿過(guò)第二金屬板32及第二絕緣層322，并且對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電層23上部。穿孔401朝垂直方向延伸穿過(guò)第一金屬板31、第一絕緣層312、平衡層311、基底載體20、第二絕緣層322、以及第二金屬板32。
[0139]參照?qǐng)D44，沉積第一披覆層31’于第一金屬板31上與第一盲孔313、314中，以及沉積第二披覆層32’于第二金屬板32上與第二盲孔323中，然后圖案化第一及第二金屬板31,32以及其上的第一及第二披覆層31’、32’，以形成第一導(dǎo)線315、第二導(dǎo)線325、以及金屬罩層326。連接層403也沉積于穿孔401中以形成披覆穿孔411。第一導(dǎo)線315自中介層11’的第一接觸墊112以及定位件237朝向下方向延伸，填滿第一盲孔313、314，以形成直接接觸中介層11’的第一接觸墊112及定位件237的第一導(dǎo)電盲孔317、318，并且側(cè)向延伸于第一絕緣層312上，藉以提供中介層11’的信號(hào)路由以及接地連接。第二導(dǎo)線325自第二絕緣層322朝向上方向延伸，同時(shí)側(cè)向延伸于第二絕緣層322上。金屬罩層326自導(dǎo)電層23上部朝向上方向延伸，填滿第二盲孔323，以形成直接接觸基底載體20的第二導(dǎo)電盲孔327，其作為接地用，并且側(cè)向延伸于第二絕緣層322上。披覆穿孔411的第一端延伸至第一導(dǎo)線315，第二端延伸至金屬罩層326。因此，披覆穿孔411可對(duì)屏蔽側(cè)壁206及金屬罩層326提供額外的接地連接通路。
[0140]圖45為第三絕緣層332及第三金屬板33由下方層壓/涂布于第一絕緣層312及第一導(dǎo)