一種提高電池鍍減反射膜后不良品返工轉(zhuǎn)換效率的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種提高電池鍍減反射膜后不良品返 工轉(zhuǎn)換效率和降低碎片的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，單、多晶硅太陽電池的主要制造工藝已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化，其主要步驟如下：
[0003] 1、化學(xué)清洗及表面織構(gòu)化處理：通過化學(xué)反應(yīng)使原本光亮的硅片表面形成凸凹不 平的結(jié)構(gòu)以增加光的吸收；
[0004] 2、擴(kuò)散：P型硅片在磷擴(kuò)散后表面變成N型，形成PN結(jié)，使得硅片具有光伏效應(yīng)。 擴(kuò)散的濃度、深度以及均勻性直接影響太陽電池的電性能，擴(kuò)散進(jìn)雜質(zhì)的總量用方塊電阻 來衡量，雜質(zhì)總量越小，方塊電阻越大；
[0005] 3、周邊刻蝕：該步驟的目的在于去掉擴(kuò)散時(shí)在硅片邊緣形成的將PN結(jié)兩端短路 的導(dǎo)電層；
[0006] 4、沉積減反射膜：目前主要有兩類減反射膜，氮化硅膜和氧化鈦膜，主要起減反射 和鈍化的作用；
[0007] 5、印刷電極；
[0008] 6、燒結(jié)：是印刷電極與硅片形成合金的過程。
[0009]目前采用的減反射膜為氮化硅膜，它利用低溫等離子體作能量源，將樣品置于低 氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后 通入適量的反應(yīng)氣體，經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)減反射薄 膜。太陽能電池制作工藝中，應(yīng)用的是NH3和SiH4形成等離子體，在硅片上形成一層SiNx 薄膜，它主要起到鈍化和減反射的作用，膜厚控制在80~85ym，折射率2. 10~2. 14。
[0010] 而周邊刻蝕現(xiàn)有技術(shù)一般為：采用化學(xué)溶液腐蝕對(duì)硅片進(jìn)行的處理，刻蝕槽工藝 為，硝酸：氫氟酸：硫酸：水=10 :1 :4 :4(380L)，溫度：7度，刻蝕深度：1~I. 5um;堿洗槽濃 度：5% (去除多孔硅）+水洗；酸洗槽濃度：7% (去除金屬離子）+水洗+吹干；背刻蝕采 用特殊設(shè)備，讓硅片漂浮在液位上，只對(duì)非PN結(jié)面及四邊腐蝕的一種工藝。
[0011] 生產(chǎn)過程中出現(xiàn)設(shè)備報(bào)警、特氣異常等情況，都會(huì)造成彩虹片（太陽能電池減反 射膜一般控制在80±5nm的藍(lán)色膜，低于70nm時(shí)就會(huì)呈現(xiàn)紅黃不良膜，稱為彩虹片），進(jìn) 行HF清洗后去除不干凈，需退回清洗重新腐蝕及后續(xù)工藝。目前生產(chǎn)線中對(duì)鍍膜出現(xiàn)的彩 虹片返工流程，采用10%HF去除氮化硅膜一一返回前清洗重新制絨腐蝕至后續(xù)工藝，采用 HF腐蝕氮化硅不能完全去除，此種工藝對(duì)硅片厚度必須去除6~7ym，增加了碎片率及降 低了轉(zhuǎn)換效率。
[0012] 本發(fā)明采用目前生產(chǎn)線設(shè)備，改進(jìn)了工藝流程，達(dá)到提高返工的成品率，同時(shí)轉(zhuǎn)換 效率與正常片工藝差異控制在0. 1 %左右；發(fā)明技術(shù)返工片厚度只需去除2~3ym，保證了 電池片厚度，碎片率降低；正常返工腐蝕液體的濃度為本發(fā)明工藝刻蝕濃度的1.5倍，其反 應(yīng)速率也比本發(fā)明反應(yīng)速率高，本發(fā)明采用反應(yīng)速率低的藥液進(jìn)行單面腐蝕，轉(zhuǎn)換效率比 正常返工工藝高0.I%左右。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 發(fā)明目的：為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，特設(shè)計(jì)一種提高電池鍍減反射膜后不良品 返工轉(zhuǎn)換效率和降低碎片率的方法，保證電池片厚度，提高返工的成品率。
[0014] 技術(shù)方案：一種提高電池鍍減反射膜后不良品返工轉(zhuǎn)換效率的方法，其工藝步驟 為：
[0015] 1、配置10%濃度的HF溶液，把彩虹片放入HF溶液中浸泡5~10分鐘；
[0016] 反應(yīng)原理：Si3N4+4HF+9H20 = 3H2si03 (沉淀）+4NH4F;
[0017] 2、清洗甩干后鍍膜面向下經(jīng)過背腐蝕刻蝕槽進(jìn)行單面腐蝕（如圖1所示），
[0018] 依次經(jīng)過以下幾道工藝：
[0019] (1)刻蝕槽工藝：硝酸：氫氟酸：硫酸：水=10 :1 :4 :4(總體積380L);
[0020] 溫度：9度；
[0021] 刻蝕深度：2~3ym;
[0022] (2)堿洗槽濃度：5% (去除多孔硅）+水洗；
[0023] (3)酸洗槽濃度：7% (去除金屬離子）+水洗+吹干；
[0024] 3、吹干后，用下表面作擴(kuò)散面制PN結(jié)，周邊刻蝕，鍍減反射膜，絲網(wǎng)印刷。
[0025] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明采用目前生產(chǎn)線設(shè)備，改進(jìn)了工藝流程，提高了返工 的成品率，同時(shí)轉(zhuǎn)換效率比正常片工藝高〇. 1%左右；發(fā)明技術(shù)返工片厚度只需去除2~ 3ym(而正常腐蝕為雙面腐蝕去除厚度4~5ym)，保證了電池片厚度，碎片率降低。
【附圖說明】
[0026] 圖1是本發(fā)明刻蝕槽工藝示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]正常返工與本發(fā)明返工碎片率及轉(zhuǎn)換效率對(duì)比：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種提高電池鍛減反射膜后不良品返工轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于，其工藝步驟 為： 1) 配置10%濃度的HF溶液，把彩虹片放入HF溶液中浸泡5~10分鐘； 2) 清洗甩干后鍛膜面向下經(jīng)過背腐蝕刻蝕槽進(jìn)行單面腐蝕，依次經(jīng)過W下幾道工藝： (1) 刻蝕槽工藝；硝酸；氨氣酸；硫酸；水=10 ;1 ;4 ;4 ; 溫度；9度； 刻蝕深度；2~3ym; (2) 堿洗槽濃度；5% +水洗； (3) 酸洗槽濃度；7% +水洗+吹干； 如吹干后，用下表面作擴(kuò)散面制PN結(jié)，周邊刻蝕，鍛減反射膜，絲網(wǎng)印刷。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種提高電池鍍減反射膜后不良品返工轉(zhuǎn)換效率的方法，其工藝步驟為：1)配置10％濃度的HF溶液，把彩虹片放入HF溶液中浸泡5～10分鐘；2)清洗甩干后鍍膜面向下經(jīng)過背腐蝕刻蝕槽進(jìn)行單面腐蝕；3)吹干后，用下表面作擴(kuò)散面制PN結(jié)，周邊刻蝕，鍍減反射膜，絲網(wǎng)印刷。本發(fā)明采用目前生產(chǎn)線設(shè)備，改進(jìn)了工藝流程，提高了返工的成品率，同時(shí)轉(zhuǎn)換效率比正常片工藝高0.1％左右；發(fā)明技術(shù)返工片厚度只需去除2～3μm，保證了電池片厚度，碎片率降低。
【IPC分類】H01L31-0216, H01L31-18
【公開號(hào)】CN104716206
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510128746
【發(fā)明人】黃鎮(zhèn), 蘇文明, 王光濤, 俞洪林
【申請(qǐng)人】中建材浚鑫科技股份有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年3月23日