專利名稱：半導體器件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件的生產(chǎn)方法，更詳細地涉及做成小尺寸和高密度的組件格式的半導體器件的生產(chǎn)方法。
就近年來的VSLI和其他的半導體器件而論，在三年內(nèi)尺寸減少70％并且達到較高的集成和較好的性能。與此同時，半導體器件的組件格式在尺寸上被減少了而在密度上被增高了。
在相關(guān)技術(shù)中，采用用于通過把引線插入到印刷電路板上設(shè)置的穿透孔內(nèi)安裝的DIP(雙列直插式組件)或PGA(網(wǎng)格插針陣列)和其他穿透孔固定固體電路組件(THD)以及用于通過引線與印刷板表面焊接安裝的QFP(方形扁平(有L式引線的)封裝)或TCP(帶式承載封裝)或其他表面固定固體電路組件(SMD)作為半導體器件的組件格式。此外，工業(yè)轉(zhuǎn)向使輸出終端形成網(wǎng)格陣列狀態(tài)的BGA(球狀網(wǎng)格陣列)之類的組件格式。
從另一方面來說，對較大地減小半導體器件的尺寸和較大地提高半導體器件的密度的需求已增大。用上述的QFP和其他組件格式已不再能滿足這些需求。由于這個原因，為了實現(xiàn)進一步減少尺寸和提高密度，注意力集中到使組件尺寸接近盡可能與半導體芯片一樣大的尺寸稱之為“芯片尺寸組件”(CSP，也稱為“FBGA(精細間距BGA)”)的組件格式。目前研究正在進行中，并且提出了許多建議。
下一步將作關(guān)于上述的CSP格式的半導體器件及其安裝方法的說明。例如，如

圖1A中的截面圖所示，半導體芯片10a中的沒有用圖說明的電極焊接區(qū)和基板(插入板)11通過焊接劑或其他的突起部12用機械的方法電連接。進一步，為了保護突起部12的連接面用密封樹脂填滿并密封半導體芯片11a和基板11之間的空隙。進一步，基板11的與連接半導體芯片10a的表面對向的表面形成有連接母板的焊接劑或其他的突起部14。突起部14經(jīng)由在基板11中形成的沒有表示出的穿透孔或其他的內(nèi)連與連接半導體芯片10a中的電極焊接區(qū)和基板11中的突起部12連接。由此，形成CSP格式的半導體器件100。
用于安裝上述的半導體器件100的母板2具有安裝在用例如玻璃環(huán)氧樹脂為基的材料組成的印刷板20的頂表面上的在與半導體器件100中的形成突起部14的位置相對應的部位上形成的臺階(電極)21，和在印刷板20的前表面、背表面或者二個表面上形成與臺階21連接的沒有表示出的電路圖形。通過使半導體器件100的形成突起部的表面面向母板2的形成臺階的表面并且使相應的臺階21和突起部14對準，把半導體器件100安裝在母板2上，并且，如圖1B所示，通過使突起部14軟熔等等的方法，經(jīng)由突起部14使半導體器件100和母板2中的臺階21用機械的方法電連接。
上述的半導體器件100具有在半導體芯片10a和母板2之間起緩沖作用的基板(插入板)11，但是為了進一步減小尺寸、降低成本和提高電子電路的數(shù)據(jù)處理速度，目前積極地進行有關(guān)在沒有使用上述的基板(插入板)的情況下應用在晶片平面上組裝的格式的CSP的研究和開發(fā)。
下一步將作關(guān)于不使用上述的基板(插入板)的CSP格式的半導體器件及其安裝方法的說明。例如，如圖2A中的截面圖所示，形成與半導體器件10a中的沒有用圖說明的電極焊接區(qū)連接的焊接劑或其他的突起部12。用樹脂敷層15密封在突起部12之間空隙中的半導體芯片表面。由此，形成CSP格式的半導體器件1。從另一方面來說，用作安裝半導體器件1的母板2具有在例如用玻璃環(huán)氧樹脂為基的材料以與上述相同的方法制成的印刷板20的頂表面上的臺階(電極)21和沒有用圖說明的印刷電路。通過使半導體器件1的形成突起部的表面面向母板2的形成臺階的表面在使相應的臺階21和突起部12對準時把半導體器件1安裝在母板2上，并且，如圖2B所示，通過使用使突起部12軟熔等等的方法，經(jīng)由突起部12使半導體器件1和臺階21用機械的方法電連接。
下一步通過參閱附圖將作關(guān)于上述的CSP格式的半導體器件的生產(chǎn)方法的說明。首先，如圖3A所示，在形成半導體芯片的電路圖形的半導體晶片上形成焊接劑或其他的突起部12a以便與半導體芯片中的電路圖形連接。
其次，如圖3B所示，在熔化的樹脂中浸漬整個半導體晶片10以在半導體晶片10的形成突起部的表面上形成在密封突起部12a之間空隙時完全埋沒突起部12a的厚度的樹脂敷層15。在這里，就在熔化的樹脂中浸漬的方法(浸漬法)來說，在半導體晶片10的二個表面上形成樹脂敷層15。
下一步，如圖4A所示，從半導體晶片10的形成突起部的表面的頂部研磨樹脂敷層15以減小其厚度直到露出部分突起部12a。
其次，如圖4B所示，焊接劑球12b轉(zhuǎn)變成與突起部12a連接。由突起部12a和焊接劑球12b構(gòu)成突起部12。
然后，如圖4C所示，沿由在半導體晶片10上形成的半導體芯片中的電路圖形之間的區(qū)域組成和給出半導體晶片10的切割邊界的切割線切割半導體晶片(切成小片的步驟)以致把半導體晶片10分割成各自具有分割的半導體芯片10a的CSP格式的半導體器件1和由半導體晶片10的外周邊部分組成的沒有完整電路圖形的無用部分3。
在分割半導體晶片10以后用上述的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的半導體器件1可以按原狀安裝在母板上，而與使用基板(插入板)的一般半導體器件相比能使成本降低和交貨時間縮短。
然而，在上述的半導體器件的生產(chǎn)方法中，難以在沿用作在半導體晶片上切割邊界的切割線的正確位置上精確地切割半導體晶片。這是因為就具有如例如圖5所示的電路圖形和與圖形連接的突起部12以及在半導體晶片10中毗鄰圖形之間的區(qū)域成為切割線的半導體晶片10而論，如果形成樹脂敷層，則如圖5B所示，在半導體晶片10上的整個區(qū)域上方由毗鄰的電路圖形之間的區(qū)域形成的切割線最后將被覆蓋，所以在這樣的狀態(tài)下即使設(shè)法沿切割線x1到x6和y1到y(tǒng)6切割半導體晶片，也不再可能確認切割線的位置。進一步說，切割位置是不是精確地沿著切割線也難以確認，因此在半導體器件的制造工藝的優(yōu)質(zhì)控制中正確的操縱很難。
發(fā)明概述根據(jù)上述的問題形成本發(fā)明。本發(fā)明以提供由在其表面上具有突起部同時用樹脂密封在形成突起部的表面上突起部之間空隙的半導體芯片組成的組件格式的半導體器件的生產(chǎn)方法為其目的，其中在生產(chǎn)半導體器件的分割成小片的步驟中，對準在半導體晶片上的切割邊界形成的切割線精確地切割半導體晶片是可以實現(xiàn)的。
為了達到上述的目的，本發(fā)明的半導體器件的生產(chǎn)方法提供由在其表面上具有突起部同時用樹脂密封在形成突起部的表面上突起部之間空隙的半導體芯片組成的組件格式的半導體器件的生產(chǎn)方法，包括在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域、形成有至少在第一區(qū)域上的半導體芯片的電路圖形和形成有穿過第一區(qū)域和第二區(qū)域在半導體芯片之間延伸的切割線的半導體芯片上至少在第一區(qū)域內(nèi)形成以便與半導體芯片的電路圖形連接的突起部的步驟、在半導體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上為密封突起部之間空隙時的預定厚度和在第二區(qū)域內(nèi)的至少包含一部分切割線的區(qū)域上為能確認部分切割線的位置的厚度的樹脂敷層的步驟以及沿著用在第二區(qū)域中包含部分切割線的區(qū)域上確認的切割線作基準位置的切割線切割半導體晶片的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的生產(chǎn)方法，在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域、形成有至少在第一區(qū)域上的半導體芯片的電路圖形和形成有穿過第一區(qū)域和第二區(qū)域在半導體芯片之間延伸的切割線的半導體晶片上至少在第一區(qū)域內(nèi)形成以便與半導體芯片的電路圖形連接的突起部。然后，在半導體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上為密封突起部之間空隙時的預定厚度和在第二區(qū)域中的至少包含一部分切割線的區(qū)域上為能夠確認部分切割線的位置的厚度的樹脂敷層。然后，沿著用在第二區(qū)域中包含部分切割線的區(qū)域上確認的切割線作基準位置的切割線切割半導體晶片。
根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的生產(chǎn)方法，由于在半導體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上為密封突起部之間空隙時的預定厚度和在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上為能夠確認部分切割線的位置的厚度的樹脂敷層，所以當在后續(xù)步驟中切割半導體晶片時，在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上確認切割線的位置是可以實現(xiàn)的并且確定給出在半導體晶片上切割邊界的切割線的位置，精確地切割半導體晶片是可以實現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有半導體晶片的中心區(qū)域組成的第一區(qū)域和具有半導體晶片的外周邊區(qū)域組成的第二區(qū)域。由于至少在部分第二區(qū)域上形成薄的樹脂敷層，所以該區(qū)域最后是不能用于半導體器件，但是由于在半導體晶片的外周邊上的區(qū)域原來就沒有完整的電路圖形而是無用的所以那樣的區(qū)域能用作第二區(qū)域。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有包括在第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成預定厚度的樹脂敷層的步驟以及在第二區(qū)域中至少包含部分切割線的區(qū)域上使樹脂敷層的厚度減小到能夠確認部分切割線的位置的厚度的步驟的在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的工序。即使在第二區(qū)域上形成得較厚，但是減小厚度以致部分切割線的位置能被確認也是可以行得通的。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有在第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成預定厚度的樹脂敷層的步驟中通過使半導體晶片在熔化的樹脂中浸漬形成的樹脂敷層。由此，在第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成預定厚度的樹脂敷層是可以實現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟中使用設(shè)計成能夠使在第一區(qū)域上具有預定的厚度和使在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上具有能夠確認切割線部分位置的厚度的模具形成的樹脂敷層。由此，在第二區(qū)域上形成使部分切割線的位置能被確認的薄膜是可以實現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有在半導體晶片形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟中形成的使在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上具有厚度不大于30微米的樹脂敷層。由此，給定使部分切割線的位置能被確認的厚度是可以實現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟中形成的完全埋沒在第一區(qū)域中的突起部的厚度的樹脂敷層和在切割半導體晶片以前進一步具有使樹脂敷層的厚度減小到在第一區(qū)域中露出至少部分突起部為止的步驟。由此，使部分突起部外露而當安裝在母板上時能夠被電連接。
本發(fā)明的上述的半導體器件的生產(chǎn)方法最好具有在切割半導體晶片的步驟中為確認切割線的位置在計算機上獲取并處理的半導體晶片的圖像。隨著增大半導體設(shè)計比例尺的換算從例如0.35微米到0.25微米或0.18微米，半導體芯片之間的切割線的寬度變得更小而難以用肉眼確認。即使如此，通過在計算機上的圖像處理，準確地確認切割線的位置仍是可以實現(xiàn)的。
附圖的簡略描述根據(jù)參考附圖給出的下面的最佳實施例的描述，本發(fā)明的上述和其他的目的和優(yōu)點將更為清楚，在附圖中圖1A到1B是說明根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的半導體器件和把上述的半導體器件安裝在母板上的方法的截面圖，其中圖1A說明一直到把半導體器件安裝到母板上的步驟的狀態(tài)而圖1B說明一直到軟熔步驟的狀態(tài)；圖2A到2B是說明根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導體器件和把上述的半導體器件安裝在母板上的方法的截面圖，其中圖2A說明一直到把半導體器件安裝到母板上的步驟的狀態(tài)而圖2B說明一直到軟熔步驟的狀態(tài)；圖3A到3B是根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導體器件的生產(chǎn)方法中的步驟的截面圖，其中圖3A說明一直到形成突起部的步驟的狀態(tài)而圖3B說明一直到形成樹脂敷層的步驟的狀態(tài)；圖4A到4C是繼圖3A到3B后的步驟，其中圖4A說明一直到減小樹脂敷層的厚度的步驟的狀態(tài)、圖4B說明一直到焊接劑球成突起部的轉(zhuǎn)變步驟的狀態(tài)和圖4C說明一直到沿切割線切割半導體晶片的步驟的狀態(tài)；圖5A到5B是在根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導體器件的生產(chǎn)方法的步驟中半導體晶片的透視圖，其中圖5A說明在形成突起部的步驟以后的狀態(tài)而圖5B說明在形成樹脂敷層的步驟以后的狀態(tài)；圖6A到6B是說明根據(jù)第一實施例的半導體器件和把上述的半導體器件安裝在母板上的方法的截面圖，其中圖6A說明一直到把半導體器件安裝在母板上的步驟的狀態(tài)而圖6B說明一直到軟熔步驟的狀態(tài)；圖7A到7C是根據(jù)第一實施例的半導體器件的生產(chǎn)方法中的步驟的截面圖，其中圖7A說明一直到形成突起部的步驟的狀態(tài)、圖7B說明一直到形成樹脂敷層的步驟的狀態(tài)和圖7C說明一直到減小在部分第二區(qū)域中的樹脂敷層厚度的步驟的狀態(tài)；圖8A到8C是繼圖7A到7C后的步驟，其中圖8A說明一直到減小第一區(qū)部中的樹脂敷層的厚度的步驟的狀態(tài)、圖8B說明一直到焊接劑球成突起部的轉(zhuǎn)變步驟的狀態(tài)和圖8C說明一直到沿切割線切割半導體晶片的步驟的狀態(tài)；圖9是在根據(jù)第一實施例的半導體器件的生產(chǎn)方法的步驟中的形成突起物的步驟以后的半導體晶片的透視圖；圖10A到10B是在根據(jù)第一實施例的半導體器件的生產(chǎn)方法的步驟中的在部分第二區(qū)域內(nèi)形成薄的區(qū)域的步驟以后的半導體晶片的透視圖；圖11A到11C是根據(jù)第二實施例的半導體器件的生產(chǎn)方法中的步驟的截面圖，其中圖11A說明一直到形成突起部的步驟的狀態(tài)、圖11B說明一直到把半導體晶片放在模具上的步驟的狀態(tài)和圖11C說明一直到形成樹脂敷層的步驟的狀態(tài)；以及圖12A到12C是繼圖11A到11C后的步驟，其中圖12A說明一直到減小在第一區(qū)域中的樹脂敷層的厚度的步驟的狀態(tài)。圖12B說明一直到焊接劑球成突起部的轉(zhuǎn)變步驟的狀態(tài)和圖12C說明一直到沿切割線切割半導體晶片的步驟的狀態(tài)。
最佳實施例的描述在下文，通過參閱附圖將說明本發(fā)明的半導體器件的生產(chǎn)方法的實施例。第一實施例如圖6A的截面圖所示的根據(jù)本發(fā)明的半導體器件裝有與半導體芯片10a中的沒有用圖說明的電極焊接區(qū)連接的焊接劑或其他突起部12。用樹脂敷層15密封在突起部12之間空隙中的半導體芯片10a的表面。用樹脂敷層也可以覆蓋在與形成突起部的表面對向側(cè)上的半導體芯片10a表面。由此，形成CSP格式的半導體器件1。
如圖6A所示，用于安裝半導器件1的母板2是由在頂部形成臺階(電極)21的用玻璃環(huán)氧樹脂為基的材料制成的印刷板20和沒有用圖說明的印刷電路組成。通過使半導體器件1的形成突起部的表面面向母板2的形成臺階的表面在使相應的臺階21和突起部12對準時把半導體器件1安裝在母板2上，并且如圖6B所示，通過使用使突起部軟熔等等的方法，經(jīng)由突起部12使半導體器件1和臺階21用機械的方法電連接。
下一步通過參閱附圖將作關(guān)于CSP格式的半導體器件1的生產(chǎn)方法的說明。首先，如圖7A所示，在半導體晶片10上形成半導體芯片的電路圖形(沒有用圖說明)和半導體芯片之間的切割線(沒有用圖說明)。在這里，在半導體晶片10的中心上形成半導體芯片的完整電路圖形的區(qū)域定義為第一區(qū)域A，同時在半導體晶片10的外周邊上沒有形成完整電路圖形而無用的區(qū)域定義為第二區(qū)域B。使半導體芯片之間的切割線形成穿過第一區(qū)域A延伸到第二區(qū)域B。其次，用汽相沉積工藝或汽相輸送工藝等方法至少在第一區(qū)域A上形成焊接劑、金或其他的突起部12a，以便與半導體芯片中的電路圖形連接。
下一步，如圖7B所示，為密封在第一區(qū)域A中突起部12a之間的空隙把整個半導體晶片10浸漬在熔化的樹脂中而在第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中半導體晶片10的形成突起部12a的表面上形成完全埋沒突起部12a的厚度的樹脂敷層15。在這里，就在熔化樹脂中浸漬的方法(浸漬工藝)來說，在半導體晶片10的二個表面上形成樹脂敷層15，但是未必總是需要形成與形成突起部12a的表面對向的背表面上的樹脂敷層。
其次，如圖7C所示，使在第二區(qū)域B中的樹脂敷層15在厚度上減小到在至少包含部分切割線的區(qū)域中能夠確認部分切割線的位置的程序。在第二區(qū)域部分的薄膜區(qū)域16a中，樹脂敷層15的厚度例如為20到30微米。透過樹脂敷層能夠看到在樹脂敷層下面的圖形，所以能夠確認部分切割線的位置。
下一步，如圖8A所示，研磨在第一區(qū)域A中的樹脂敷層15，使其在厚度上減小到至少露出部分突出部12a。
其次，如圖8B所示，在第一區(qū)域A中，使焊接劑球12b轉(zhuǎn)變成與突起部12a連接。由突起部12a和焊接劑球12b構(gòu)成突起部12。
然后，如圖8C所示，沿由在第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中的半導體晶片10上形成的半導體芯片中的電路圖形之間的區(qū)域組成并給出半導體晶片10的切割邊界的切割線切割半導體晶片10(切成小片的步驟)以把半導體晶片10分割成各自具有分割的半導體芯片10a的CSP格式的半導體器件1和由半導體晶片10的外周邊組成的沒有完整電路圖形的無用部分3。在這里，在沿切割線切割半導體晶片10中，根據(jù)透過薄的樹脂敷層15看到的在下面的圖形直觀地確認切割線的位置或者用CCD攝像機或諸如此類的設(shè)備攝取半導體晶片10的圖像并且在計算機上處理獲得的圖像來確認切割線的位置，然后就沿用確認的切割線作基準位置的切割線切割半導體晶片10。
在上述的半導體器件的生產(chǎn)方法中，在具有如例如圖9所示的電路圖形和與圖形連接的突起部12以及毗鄰的電路圖形之間的區(qū)域成為切割線16的半導體晶片10上形成樹脂敷層15，然而如圖10A和圖10B所示，在半導體晶片10上沒有完整圖形而成為無用的區(qū)域(例如如圖10A和10B所示，從半導體晶片挑選四部分)內(nèi)通過使樹脂敷層15的厚度減少到能夠確認在包含部分切割線的區(qū)域中的部分切割線的位置的厚度，能夠在薄膜區(qū)域16a中透過樹脂敷層看到樹脂敷層底下的圖形，因此可以確認切割線的位置，并且在沿x1到x6和y1到y(tǒng)6的切割線切割半導體晶片10時確定給出在半導體晶片10上切割邊界的切割線16的位置，能夠精確地切割半導體晶片10。第二實施例根據(jù)本實施例的半導體器件大體上和根據(jù)第一實施例的半導體器件一樣，所以將略去說明。
通過參閱附圖將作關(guān)于根據(jù)本實施例的半導體器件的生產(chǎn)方法的說明。首先，如圖11A所示，在半導體晶片10上形成半導體芯片的電路圖形(沒有用圖說明)和半導體芯片之間的切割線(沒有用圖說明)。在這里，在半導體晶片10的中心上形成半導體芯片的完整電路圖形的區(qū)域定義為第一區(qū)域A，同時在半導體晶片10的外周邊上沒有形成完整電路圖形而無用的區(qū)域定義為第二區(qū)域B。使半導體芯片之間的切割線形成延伸穿過從第一區(qū)域A到第二區(qū)域B的區(qū)域。其次，用汽相沉積工藝或汽相輸送工藝等方法至少在第一區(qū)域A上形成焊接劑、金或其他的突起部12a，以便與半導體芯片中的電路圖形連接。
下一步，如圖11B所示，把半導體晶片10放在第一模具30上，然后把樹脂片15a放在半導體晶片10上方。使第二模具31從上面朝著半導體晶片10壓，使片狀樹脂熔化，然后就在密封突起部12a之間空隙的同時在第一區(qū)域A內(nèi)進行重新固化，由此在半導體晶片10的形成突起部12a的表面上形成樹脂敷層15。在這里，通過使用按照使在半導體晶片10的第一區(qū)域A中具有完全埋沒突起部12a的厚度和使在第二區(qū)域B中的至少包含部分切割線的區(qū)域上具有能夠確認部分切割線的位置的厚度選擇的一對第一模具30和第二模具31，如圖11C所示。可以使部分第二區(qū)域B構(gòu)成的薄的區(qū)域16a中樹脂敷層15的厚度為20到30微米并且透過樹脂敷層可以看到樹脂敷層底下的圖形，所以能夠確認切割線部分的位置。
然后，如圖12A所示，在第一區(qū)域A中，研磨樹脂敷層15，使厚度減小到至少露出部分突起部12a。
然后，如圖12B所示，在第一區(qū)域A中，使焊接劑球12b轉(zhuǎn)變成與突起部12a連接。由突起部12a和焊接劑球12b構(gòu)成突起部12。
其次，如圖12C所示，沿由在第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中的半導體晶片10上形成的半導體芯片中的電路圖形之間的區(qū)域組成并給出半導體晶片10的切割邊界的切割線切割半導體晶片10(切成小片的步驟)以把半導體晶片10分割成各自具有分割的半導體芯片10a的CSP格式的半導體器件1和由半導體晶片10的外周邊組成的沒有完整電路圖形的無用部分3。在這里，在沿切割線切割半導體晶片10中，根據(jù)透過薄的樹脂敷層15看到的在下面的圖形直觀地確認切割線的位置或者用CCD攝像機或諸如此類的設(shè)備攝取半導體晶片10的圖像并且在計算機上處理獲得的圖像來確認切割線的位置，然后就沿用確認的切割線作基準位置的切割線切割半導體晶片10。
在上述的半導體器件的生產(chǎn)方法中，與在第一實施例中一樣，能夠在薄膜區(qū)域16a中透過樹脂敷層看到樹脂敷層的底下圖形，因此可以確認切割線的位置，并且在沿x1到x6和y1到y(tǒng)6的切割線切割半導體晶片10時給出在半導體晶片10上切割邊界的切割線16的位置，能夠精確地切割半導體晶片10。當通過使用模具形成薄的區(qū)域時，能使用如圖10A或圖10B所示的圖形。
本發(fā)明的半導體器件可以應用于MOS晶體管類型半導體器件、雙極半導體器件、BiCMOS半導體器件、帶邏輯和存儲的半導體器件以及一些其他的半導體器件。
本發(fā)明的半導體器件不局限于上述的實施例。例如，當在第二區(qū)域中減小樹脂敷層的厚度以致能夠確認切割線時，即使在薄的區(qū)域中最后完全去除樹脂敷層也是容許的。形成厚度使得部分突起部從底端就外露的樹脂敷層也是可能的。除此以外，在沒有超出本發(fā)明要點的范圍內(nèi)各種各樣的變換是可能的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的生產(chǎn)方法，由于在半導體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上具有密封突起部之間空隙時的預定厚度和在第二區(qū)域內(nèi)的至少包含部分切割線的區(qū)域中具有能夠確認部分切割線位置的厚度的樹脂敷層，所以在后續(xù)步驟中切割半導體晶片時，在第二區(qū)域內(nèi)的至少包含部分切割線的區(qū)域中確認切割線的位置是可以實現(xiàn)的并且確定給出在半導體晶片上切割邊界的切割線的位置，精確地切割半導體晶片是可以實現(xiàn)的。
參照為說明而選擇的特殊的實施例描述本發(fā)明時，精通技術(shù)的人對此會在沒有脫離本發(fā)明的基本概念和范圍的情況下作各種各樣的變換，這應該是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.由在用樹脂密封在形成突起部的表面的突起部之間空隙的情況下在其表面上具有突起部的半導體芯片組成的組件格式的半導體器件的生產(chǎn)方法，上述的半導體器件的生產(chǎn)方法包括步驟在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域、至少在上述的第一區(qū)域上形成有上述的半導體芯片的電路圖形、以及形成有在半導體芯片之間穿過第一區(qū)域和第二區(qū)域延伸的切割線的半導體晶片上，至少在上述的第一區(qū)域上形成突起部以便與半導體芯片的電路圖形連接；在半導體晶片的形成上述的突起部的表面上形成樹脂敷層，在上述的第一區(qū)域上以預定厚度密封突起部之間空隙而在第二區(qū)域中的包含至少一部分切割線的區(qū)域上其厚度能夠確認部分切割線的位置；以及用在第二區(qū)域中的包含部分切割線的區(qū)域上確認的切割線作基準位置，沿上述的切割線切割上述的半導體晶片。
2.如權(quán)利要求1中所述的半導體器件的生產(chǎn)方法，其中上述的第一區(qū)域作成半導體晶片的中心區(qū)域和上述的第二區(qū)域作成半導體晶片的外周邊區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1中所述的半導體器件的生產(chǎn)方法，其中在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟包括步驟在上述的第一區(qū)域和上述的第二區(qū)域上形成預定厚度的樹脂敷層，以及在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上使樹脂敷層的厚度減小到能夠確認部分切割線的位置的厚度。
4.如權(quán)利要求3中所述的半導體器件生產(chǎn)方法，其中，在按預定的厚度在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)形成樹脂敷層的步驟中，通過在熔化的樹脂中浸漬半導體晶片形成上述的樹脂敷層。
5.如權(quán)利要求1中所述的半導體器件的生產(chǎn)方法，其中，在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟中，使用設(shè)計成給出在第一區(qū)域上預定厚度和給出第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上能夠確認部分切割線的位置的厚度的模具來形成樹脂敷層。
6.如權(quán)利要求1中所述的半導體器件的生產(chǎn)方法，其中，在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟中，在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上形成具有不大于30微米的厚度的樹脂敷層。
7.如權(quán)利要求1中所述的半導體器件的生產(chǎn)方法，其中在半導體晶片的形成突起部的表面上形成樹脂敷層的步驟中，按完全埋沒第一區(qū)域中的突起部的厚度形成樹脂敷層，和在切割半導體晶片的步驟之前，還有使樹脂敷層的厚度減小直到使至少部分的突起部在第一區(qū)域上外露的步驟。
8.如權(quán)利要求1中所述的半導體器件的生產(chǎn)方法，其中在切割半導體晶片的步驟中，攝取半導體晶片的圖像并在計算機上處理以確認切割線的位置。
全文摘要
一種半導體器件的生產(chǎn)方法,能在劃片步驟中沿給出晶片上切割余量的切割線,精確定位地切割晶片。在半導體晶片10上第一區(qū)域內(nèi)形成芯片電路圖形,切割線16在半導體芯片之間穿過第一區(qū)域和第二區(qū)域,突起部用于芯片電路圖形連接,在晶片有突起部表面上樹脂敷層以預定厚度在第一區(qū)域內(nèi)密封突起部之間空隙在第二區(qū)域內(nèi)厚度至少能確認部分切割線的位置,以及使用至少包含第二區(qū)域中的確認切割線作基準位置,沿切割線切割半導體晶片。
文檔編號H01L21/60GK1250225SQ9912077
公開日2000年4月12日 申請日期1999年9月28日 優(yōu)先權(quán)日1998年9月28日
發(fā)明者齋藤隆 申請人:索尼株式會社