專利名稱：介質(zhì)諧振裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種介質(zhì)諧振裝置，特別涉及一種用于微波或毫米波范圍的介質(zhì)諧振裝置。
具有低相噪聲和高諧振頻率穩(wěn)定性的介質(zhì)諧振器用作如微波或毫米波范圍等高頻范圍的諧振器或振蕩器。
日本專利申請(qǐng)公開8-265015中，本申請(qǐng)的受讓人提出了一種組件，其中電極設(shè)置于介質(zhì)片的兩主表面上，在該介質(zhì)片的一部分上形成介質(zhì)諧振器。設(shè)置于介質(zhì)片上的電極用作地電位，設(shè)置于另一介質(zhì)片的微波傳輸帶疊置于該介質(zhì)片上。這種設(shè)置用于如VCO等高頻組件。
此外，日本專利申請(qǐng)8-294087和共同待審的美國專利申請(qǐng)08/965464中提出了類似的高頻組件。

圖19和20展示了這種高頻組件的結(jié)構(gòu)。應(yīng)該注意，這種高頻組件在作為本申請(qǐng)基礎(chǔ)的日本專利申請(qǐng)10-42017申請(qǐng)時(shí)還未對(duì)公眾公開。所以，本發(fā)明人認(rèn)為圖19-20的高頻組件不是本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)。
圖19中，參考數(shù)字1表示介質(zhì)片。一個(gè)電極形成于介質(zhì)片1的兩個(gè)主表面的每一個(gè)上。每個(gè)電極具有形成于與其它電極的開口位置相對(duì)應(yīng)位置處的開口(參考數(shù)字4表示一個(gè)開口)。由電極開口限定的部分用作介質(zhì)諧振器。其表面上形成有包括微波帶狀線路的電路的電路板6設(shè)置于介質(zhì)片的上表面上。在電路板6上還有位于允許耦合線11和12與形成于電極開口4中的介質(zhì)諧振器耦合的位置處的耦合線11和12。
在圖20所示的例子中，每個(gè)都具有形成于彼此相對(duì)應(yīng)位置的開口(參考數(shù)字5表示形成于一個(gè)電極中的開口)的電極分別設(shè)置于介質(zhì)片1的兩個(gè)主表面上，以便由電極開口限定的部分用作介質(zhì)諧振器。介質(zhì)片1設(shè)置于電路板6上，以便介質(zhì)諧振器與形成于電路板6上的傳輸線耦合。介質(zhì)片1和電路板6之間設(shè)置有隔墊，以便圖20中介質(zhì)片1下表面上的電極與電路板6上表面上的電極絕緣。
在其中每個(gè)都具有形成于彼此相對(duì)應(yīng)位置的開口的電極分別設(shè)置于介質(zhì)片的兩主表面上的上述類型的介質(zhì)諧振器中，幾乎所有電磁場(chǎng)皆被限制在由電極開口限定的部分中，所以電磁能量集中在該部分。因此，通過在合適的位置設(shè)置耦合線可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)耦合。所以，例如可以用該介質(zhì)諧振器實(shí)現(xiàn)具有大振蕩調(diào)頻寬度和/或大輸出功率的振蕩器。
在圖19和20所示的振蕩器中，調(diào)頻寬度根據(jù)圖16所示的據(jù)諧振電路(耦合線11)的外Q(Qe2)改變。正如可以從圖16看到的，通過減小外Q(Qe2)可以極大地增大調(diào)頻寬度。
圖17展示了諧振電路的反射系數(shù)與介質(zhì)諧振器和帶反射耦合線11的外Q(Qe1)間的關(guān)系。從圖17可知，如果外Q(Qe1)減小，則諧振電路的反射系數(shù)增大。因?yàn)檩敵鲭S諧振電路的反射系數(shù)的增大而增大，所以通過減小外Q(Qe1)可以增大輸出。
圖2展示了在以圖19或20所示形式在介質(zhì)片上形成諧振器的那類介質(zhì)諧振器中的電磁場(chǎng)分布。圖2中，參考數(shù)字2和3表示分別形成于介質(zhì)片1的兩主表面上的電極。限定于各電極2和3的圓形開口4和5中的部分用作TEO10模式介質(zhì)諧振器。在用于振蕩器的常規(guī)諧振電路中，耦合線11和12位于離電極開口4和5的表面(此后稱為電極開口面)稍遠(yuǎn)的位置，構(gòu)成介質(zhì)諧振器的一部分。如果耦合線與電極開口面間的距離增大，則加到耦合線上的電磁場(chǎng)快速下降，如圖1所示。這意味著耦合度隨耦合線與電極開口面間距離的增大迅速減小。
圖18展示了作為耦合線與電極開口面間距離(該距離是在垂直于電極開口面方向測(cè)得的)函數(shù)的振蕩輸出。如圖18所示，如果耦合線與電極開口面間的距離減小，則外Q減小，輸出增大。
然而，在圖19或20所示的介質(zhì)諧振裝置中，不可能將耦合線與電極開口面間的距離減小到小于一實(shí)際極限的值。即，在圖19所示的例子中，因?yàn)轳詈暇€11和12設(shè)置于電路板6的上表面上的緣故，為了減小從電極開口4的電極開口面到耦合線11和12的距離，需要減小電路板6的厚度。然而，電路板6厚度的減小限于一個(gè)實(shí)際可能的最小值。圖20的例子中，需要減小隔墊的厚度。然而，隔墊也有其最小可能厚度。除此之外，隔墊厚度的減小導(dǎo)致了另一個(gè)問題，即，因?yàn)楦魤|厚度的減小導(dǎo)致了線11和12的特征阻抗有很大變化，不可能獲得所要求的特性。
還有一個(gè)問題是，耦合線相對(duì)諧振器的定位精確性。在毫米范圍內(nèi)，耦合線位置相對(duì)于諧振器的位置的很小改變也會(huì)導(dǎo)致特性的極大改變。因此，需要很高的定位精確性。然而，在常規(guī)同諧振裝置中，諧振器與耦合線由不同的工藝分別生產(chǎn)，所以很難實(shí)現(xiàn)所需要的高位置精確性。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種介質(zhì)諧振裝置，包括利用具有減小的外Q的介質(zhì)諧振器的諧振電路，以便例如用該介質(zhì)諧振裝置實(shí)現(xiàn)具有大調(diào)頻寬度和大輸出的振蕩器。
本發(fā)明再一目的是提供一種介質(zhì)諧振裝置，其諧振器和耦合線間具有高位置精確性，所以這種介質(zhì)諧振裝置具有很小的特征改變。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供一種介質(zhì)諧振裝置，該裝置包括具有分別形成于介質(zhì)片的兩個(gè)主表面上的電極的介質(zhì)諧振器，每個(gè)電極具有形成于與形成于其它電極中的開口的位置對(duì)應(yīng)的位置處的開口，該介質(zhì)諧振裝置的特征為與介質(zhì)諧振器耦合的耦合線設(shè)置于至少一個(gè)形成于彼此對(duì)應(yīng)位置處的開口中，以便適當(dāng)?shù)販p小電極開口面與耦合線間的距離；傳輸線形成于上述至少一個(gè)開口之外，并且傳輸線與耦合線電連接。
在該結(jié)構(gòu)中，耦合線直接形成于電極開口面內(nèi)，所以可以實(shí)現(xiàn)耦合線與介質(zhì)諧振器間的強(qiáng)耦合。
如果傳輸線構(gòu)成為利用形成于介質(zhì)片上的一個(gè)電極作地電極的共面線的形式，則可以在介質(zhì)片上同時(shí)形成傳輸線、耦合線和電極，這樣一來，其上形成了介質(zhì)諧振器部分，卻不會(huì)利用附加基片。
在上述介質(zhì)片的表面上，可以設(shè)置其上形成有用作上述傳輸線的微波帶狀線路的另一個(gè)介質(zhì)片或介質(zhì)膜。該結(jié)構(gòu)中，在除耦合線外的傳輸線形成為微波帶狀線路的結(jié)構(gòu)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)耦合線與介質(zhì)諧振器間的強(qiáng)耦合。
傳輸線與耦合線間的連接可以通過形成于位于介質(zhì)片的表面上的互聯(lián)件上的導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)，其中形成于互聯(lián)件上的導(dǎo)體與介質(zhì)片的主表面上的電極絕緣。在該結(jié)構(gòu)中，利用與安裝其它片式元件類似的方法，在介質(zhì)片的表面上安裝互聯(lián)件，可以容易實(shí)現(xiàn)介質(zhì)傳輸線與耦合線間的連接。
在耦合線與傳輸線形成于介質(zhì)片上時(shí)，可形成共面線的中心導(dǎo)體，以便共面線的中心導(dǎo)體和耦合線由一條線構(gòu)成、該結(jié)構(gòu)中，耦合線和傳輸線間的連接不需要另外的互聯(lián)。
另外，位于共面線的中心導(dǎo)體兩側(cè)的兩地電極可通過在中心導(dǎo)體上延伸的導(dǎo)體彼此相連。這種情況下，可以通過調(diào)節(jié)兩地電極通過其彼此相連的導(dǎo)體的位置改變介質(zhì)諧振器的諧振頻率。
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的VCO的主要部分的透視圖；圖2是展示介質(zhì)諧振器中電磁場(chǎng)分布的例子的剖面圖；圖3是VCO的等效電路圖；圖4是展示利用共面?zhèn)鬏斁€的介質(zhì)諧振裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的例子的透視圖；圖5是展示利用共面?zhèn)鬏斁€的介質(zhì)諧振裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的透視圖；圖6是展示利用共面?zhèn)鬏斁€的介質(zhì)諧振裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的再一個(gè)例子的透視圖；圖7是展示利用共面?zhèn)鬏斁€的介質(zhì)諧振裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的又再一個(gè)例子的透視圖；圖8是展示利用共面?zhèn)鬏斁€形式的傳輸線的VCO的主要部分結(jié)構(gòu)的例子的透視圖；圖9是展示利用共面?zhèn)鬏斁€形式的傳輸線的VCO的主要部分結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的透視圖；圖10是展示利用共面?zhèn)鬏斁€形式的傳輸線的VCO的主要部分結(jié)構(gòu)的再一個(gè)例子的透視圖；圖11是展示利用微波帶狀線路形式的傳輸線的VCO結(jié)構(gòu)的例子的透視圖；圖12是展示耦合線與微波帶狀線路間連接部分的結(jié)構(gòu)的部分透視圖；圖13是展示耦合線結(jié)構(gòu)的另一例子的剖面圖；圖14是利用PDTL模式介質(zhì)諧振器的介質(zhì)諧振裝置的主要部分的透視圖；圖15展示了PDTL模式中電磁場(chǎng)分布的例子；圖16是展示振蕩器的調(diào)頻寬度與耦合度關(guān)系的曲線圖；圖17是展示諧振電路的反射系數(shù)與外Q的關(guān)系的曲線圖；圖18是展示振蕩器的輸出與電極開口面和耦合線間距離的關(guān)系的曲線圖；圖19是展示常規(guī)VCO結(jié)構(gòu)的例子的局部透視圖；圖20是展示常規(guī)VCO結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的局部透視圖。
參見圖1-3，下面介紹本發(fā)明電壓控制振蕩器(此后稱為VCO)的第一實(shí)施例。
圖1是一VCO組件的局部透視圖。圖1中，參考數(shù)字1表示介質(zhì)片。電極2和3分別形成于介質(zhì)片1的兩個(gè)主表面上。每個(gè)電極2、3都有形成于與其它電極的開口位置相對(duì)應(yīng)位置處的開口。圖1中，參考數(shù)字4表示在設(shè)置在介質(zhì)片1的上表面上的電極中形成的開口。參考數(shù)字6表示介質(zhì)片形式的電路板，具有形成于與電極開口4相應(yīng)位置處的開口。各種電路形成于電路板6的上表面上，如下所述。它們包括與形成于電極開口4中的耦合線11相連的傳輸線11’和與形成于電極開口4中的耦合線12相連的傳輸線12’。終端電阻器13設(shè)置于一條傳輸線11’與地電極14之間。另一方面，變?nèi)荻O管16設(shè)置于傳輸線12’和地電極17之間。另外，偏置電路23與傳輸線12’的一端相連。
還提供一系列的反饋線20，其上安裝有FET15。參考數(shù)字24表示一輸出電路。FET15的柵與傳輸線11’的一端相連。FET 15的漏和源分別與系列反饋線20和輸出電路24相連。偏置電路22與系列反饋線20相連，偏置電路21與輸出電路24相連。另外，片式電阻器25設(shè)置于偏置電路21和地電極之間。
因?yàn)殡娐钒?的背面與形成于介質(zhì)片1的上表面上的地電極接觸，所以在如上所述的各傳輸線和地電極間形成微波帶狀線路。另外，地電極可以形成于電路板6背面(面對(duì)介質(zhì)片1)的基本上整個(gè)面積上。
耦合線11和12形成于介質(zhì)片1的上表面上，在一個(gè)通過電極開口暴露的區(qū)域內(nèi)。耦合電極11和12分別通過鍵合線與形成于電路板6上的電極11’和12’相連。
圖2是展示介質(zhì)諧振器部分中電磁場(chǎng)分布的剖面圖。如上所述，具有形成于彼此相對(duì)應(yīng)位置處的圓形電極開口4和5的電極2和3設(shè)置在介質(zhì)片1的兩個(gè)主表面上，以便由開口4和5限定的部分用作TEO10模式介質(zhì)諧振器。在TEO10模式中，電磁場(chǎng)的強(qiáng)度在電極開口4和5附近更靠近介質(zhì)片1的表面處更大。
圖3展示了上述VCO的等效電路。該圖中，R表示介質(zhì)諧振器。FET15形成負(fù)阻電路。負(fù)阻電路、耦合線11和與耦合線11耦合的介質(zhì)諧振器R構(gòu)成帶反射振蕩器。該振蕩器的頻率隨連接到與介質(zhì)諧振器R耦合的耦合線12的變?nèi)荻O管16的電容而改變。
通過以上述方式在電極開口面內(nèi)直接形成耦合線，可以實(shí)現(xiàn)介質(zhì)諧振器和耦合線間的強(qiáng)耦合。另外，按該技術(shù)，由于構(gòu)成介質(zhì)諧振器的電極開口和耦合線形成于同一個(gè)介質(zhì)片上，所以可以容易地實(shí)現(xiàn)介質(zhì)諧振器和耦合線間的高位置精確性。結(jié)果，可以容易地生產(chǎn)較小特性變化的介質(zhì)諧振裝置。
在第一實(shí)施例中，盡管傳輸線形成為微波帶狀線路結(jié)構(gòu)，但它們可以形成為共面線結(jié)構(gòu)。圖4展示了采用共面線的例子。圖4中，形成于電極開口中的電極中，只示出了耦合線11。圖4中，具有圓形開口4的電極2和包括中心導(dǎo)體11’的共面?zhèn)鬏斁€皆形成于介質(zhì)片1的上表面上。共面?zhèn)鬏斁€的中心導(dǎo)體11’和耦合線11通過鍵合線彼此相連。在傳輸線按上述方式制成共面?zhèn)鬏斁€形式時(shí)，如圖1所示的電路板6將變得至少對(duì)于傳輸線來說是不必要的。因?yàn)榈仉姌O、傳輸線和耦合線都可以形成于介質(zhì)片上，所以所需的制造工藝變得更簡(jiǎn)單。另外，容易實(shí)現(xiàn)介質(zhì)諧振器與耦合線間的高位置精確度。
如圖5所示，利用帶狀引線也可以實(shí)現(xiàn)該連接，以代替圖4所示的鍵合線。
另外，如圖6的所示，包括導(dǎo)體28的互聯(lián)件可設(shè)置于耦合線11和共面?zhèn)鬏斁€的端子之間，以便共面?zhèn)鬏斁€的中心導(dǎo)體11’通過地導(dǎo)體28與耦合線11相連。
再者，如圖7所示，耦合線11可以通過空氣橋26與共面?zhèn)鬏斁€的中心導(dǎo)體11’相連。
圖8示出了利用共面?zhèn)鬏斁€形式的傳輸線構(gòu)成的VCO的例子。圖8中，參考數(shù)字30表示包括介質(zhì)片1的諧振電路板，其中電極2和3具有形成于彼此對(duì)應(yīng)的位置處的開口，這些電極分別設(shè)置于介質(zhì)片1的兩個(gè)主表面上，以便構(gòu)成TEO10模式介質(zhì)諧振器部分。另外，耦合線11和12及包括共面?zhèn)鬏斁€形式的傳輸線11’和12’的各種傳輸線形成于介質(zhì)片1的上表面上。參考數(shù)字31表示負(fù)阻電路板。地電極形成于介質(zhì)片下表面的基本整個(gè)面積上。包括FET 15的負(fù)阻電路形成于介質(zhì)片的上表面上。該負(fù)阻電路以與圖1所示的負(fù)阻電路類似的方式構(gòu)成。
在諧振電路板30中，終端電阻器13設(shè)置在介質(zhì)片1的上表面上，以便傳輸線11’通過終端電阻器12與用作地電極的電極2相連。另外，變?nèi)荻O管16設(shè)置于傳輸線12’和地電極之間。傳輸線12’還與偏置電路23相連。與該例子的情況一樣，在既用共面線又用微波帶狀線路時(shí)，諧振電路板和負(fù)阻電路板可分別生產(chǎn)，兩板上傳輸線通過鍵合線相連。
圖9展示了利用共面?zhèn)鬏斁€形式的傳輸線構(gòu)成的VCO結(jié)構(gòu)的另一例子。負(fù)阻電路板31與圖8所示的類似。諧振電路板30與圖8所示的電路不同在于耦合線11和12從電極開口4內(nèi)延伸到外部區(qū)域以便用延伸部分作共面?zhèn)鬏斁€。換言之，共面?zhèn)鬏斁€的中心導(dǎo)體和耦合線由相同連續(xù)線構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)中，用于耦合線和傳輸線間連接的引線鍵合變得不必要。關(guān)于諧振電路板30上的傳輸線與負(fù)阻電路板31上的傳輸線間的連接，這些傳輸線可利用焊料等而不用鍵合引線來直接連接。
圖10是展示利用共面?zhèn)鬏斁€式傳輸線構(gòu)成的VCO的例子的透視圖。圖10中，參考數(shù)字26表示各空氣橋，所說各空氣橋在從耦合線11和12延伸的共面?zhèn)鬏斁€的中心導(dǎo)體上延伸，以便中心導(dǎo)體兩側(cè)的兩個(gè)地電極(電極2)通過空氣橋彼此相連。通過在電極開口4的直徑周圍設(shè)置空氣橋26，以便所得結(jié)構(gòu)變得與圖8所示結(jié)構(gòu)等效，圖8中，電極開口由連續(xù)地導(dǎo)體包圍著，因而確保了以本征諧振頻率發(fā)生振蕩。如果空氣橋26的位置遠(yuǎn)離電極開口4的直徑偏移，則靠近電極開口直徑的電磁場(chǎng)分布改變，所以諧振頻率改變(減小)。該效果允許由空氣橋26位置設(shè)置或調(diào)節(jié)諧振頻率。
可以采用鍵合線或帶狀引線形成共面?zhèn)鬏斁€的中心導(dǎo)體兩側(cè)的各地電極間的連接，代替圖10所示的空氣橋26。另外，可利用兩層互聯(lián)技術(shù)形成各個(gè)橋。
盡管圖8-10所示例子中采用了共面?zhèn)鬏斁€，但在傳輸線利用微波帶狀線路制造時(shí)，該電路還可以分面兩個(gè)組件，即，諧振電路板30和負(fù)阻電路板31，如圖11所示。盡管位置不同，但圖11中，形成于諧振電路電極開口4中的介質(zhì)諧振器、與介質(zhì)諧振器耦合的耦合線11和12及與各耦合線11和12相連的傳輸線11’和12’都類似于圖1所示的。負(fù)阻電路板31與圖8所示類似。通過如上所述將該電路分成諧振電路組件和負(fù)阻電路組件，可以單獨(dú)制造和調(diào)節(jié)這兩個(gè)組件。
圖12展示了連接形成于電路板6上的微波帶狀線路與形成于介質(zhì)片上電極開口中的耦合線的另一技術(shù)。該例子中，電路板6包括形成于與形成在介質(zhì)片上的電極開口4相對(duì)應(yīng)位置處的開口，電路板6部分突出到開口中，以便突出的部分的端點(diǎn)到達(dá)形成于電極開口中的耦合線11的端點(diǎn)。微波帶狀線路形式的傳輸線11’和耦合線11通過焊料等在突起部分彼此相連。也可通過輸線11’和耦合線11間的電容實(shí)現(xiàn)該連接，代替用焊料的連接。
在上述例子中，耦合線簡(jiǎn)單地形成于介質(zhì)片1的表面上的電極開口中。另外，每個(gè)耦合線可形成為圖13所示的溝槽結(jié)構(gòu)。這種溝槽耦合線可通過以下步驟形成在將形成耦合線的位置形成溝槽，然后在溝槽的內(nèi)表面上形成電極。通過采用這種電極結(jié)構(gòu)，可以減少導(dǎo)體損耗，并由此增大介質(zhì)諧振器的Q0。
在上述實(shí)施例中，形成圓形電極開口，以實(shí)現(xiàn)TEO10模式介質(zhì)諧振器。另外，還可以形成矩形電極開口，以實(shí)現(xiàn)矩形槽模式諧振器，如圖14所示。該模式中，平面介質(zhì)輸線用作諧振器，所以該模式可以稱為PDTL模式。
圖15展示了PDTL模式介質(zhì)諧振器中的電磁場(chǎng)分布。通過在穿過PDTL模式的磁場(chǎng)方向的方向設(shè)置圖14所示的耦合線11，可以磁耦合介質(zhì)諧振器與耦合線。
權(quán)利要求
1．一種介質(zhì)諧振裝置，包括具有分別形成于介質(zhì)片的兩個(gè)主表面上的電極的介質(zhì)諧振器，每個(gè)所說電極具有形成于與形成于其它電極中的開口的位置對(duì)應(yīng)位置處的開口，所說介質(zhì)諧振裝置的特征為與所說介質(zhì)諧振器耦合的耦合線設(shè)置于至少一個(gè)形成于彼此對(duì)應(yīng)位置處的開口中；及傳輸線形成于所說至少一個(gè)開口之外，其中所說輸線與所說耦合線電連接。
2．如權(quán)利要求1的介質(zhì)諧振裝置，其中所說傳輸線利用形成于所說介質(zhì)片上的一個(gè)所說電極作地電極按共面線方式構(gòu)成。
3．如權(quán)利要求1的介質(zhì)諧振裝置，其中所說介質(zhì)片的表面上設(shè)置有另一介質(zhì)片或介質(zhì)膜；及微波帶狀線路形成于所說另一介質(zhì)片或介質(zhì)膜上，以便所說微波帶狀線路用作所說傳輸線。
4．如權(quán)利要求1的介質(zhì)諧振裝置，其中所說傳輸線和所說耦合線通過形成于設(shè)置在所說介質(zhì)片的表面上的互聯(lián)件上的導(dǎo)體彼此電連接，所說導(dǎo)體與所說介質(zhì)片主表面上的電極絕緣。
5．如權(quán)利要求2的介質(zhì)諧振裝置，其中所說共面線的中心導(dǎo)體和所說耦合線按一條線的形式構(gòu)成。
6．如權(quán)利要求2的介質(zhì)諧振裝置，其中在所說共面線的中心導(dǎo)體兩側(cè)的兩地電極通過在所說中心導(dǎo)體上延伸的導(dǎo)體彼此相連。
全文摘要
電極分別形成于介質(zhì)片的兩主表面上,其中每個(gè)電極具有形成于與在其它電極中形成的開口的位置對(duì)應(yīng)位置處的開口。由各開口限定的部分用作介質(zhì)諧振器。耦合線直接形成于電極開口中。傳輸線形成于電路板上。耦合線和相應(yīng)的傳輸線通過鍵合線彼此連接。該結(jié)構(gòu)可以使利用該介質(zhì)諧振器的諧振電路的外Q最小。如果利用該諧振電路制造振蕩器,可以得到大調(diào)頻寬度及大輸出。
文檔編號(hào)H01P1/20GK1236198SQ99103148
公開日1999年11月24日 申請(qǐng)日期1999年2月24日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月24日
發(fā)明者坂本孝一, 加藤貴敏, 飯尾憲一, 山下貞夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所