本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

1、常見的薄膜晶體管中有源層的材料一般包括非晶硅、低溫多晶硅以及氧化物。氧化物tft由于其具有較低的漏電流和較高的遷移率，被廣泛應(yīng)用到顯示行業(yè)tft器件中。

2、隨著薄膜晶體管尺寸的減小，其溝道也對(duì)應(yīng)越小，進(jìn)而使得薄膜晶體管的穩(wěn)定性越差且漏電流隨之增加。當(dāng)前的超短溝道薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度約為2微米至3微米，而薄膜晶體管的溝道尺寸主要由曝光機(jī)的精度所限制，其導(dǎo)致薄膜晶體管的溝道無法進(jìn)一步減小，無法滿足現(xiàn)有高遷移率器件的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板及顯示面板，以改善現(xiàn)有薄膜晶體管的溝道尺寸無法減小的問題。

2、為解決上述方案，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

3、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板，其包括：

4、襯底；

5、第一電極，設(shè)于所述襯底的一側(cè)；

6、有源部，設(shè)于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面；

7、第二電極，設(shè)于所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面；

8、柵極，設(shè)于所述第二電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述柵極與有源部至少部分重疊設(shè)置；

9、其中，所述第一電極、所述有源部、所述第二電極及所述柵極為閉環(huán)結(jié)構(gòu)。

10、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述閉環(huán)結(jié)構(gòu)為圓環(huán)結(jié)構(gòu)或橢圓環(huán)結(jié)構(gòu)。

11、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述第一電極上開設(shè)有多個(gè)第一鏤空?qǐng)D案，所述第二電極上開設(shè)有多個(gè)第二鏤空?qǐng)D案；

12、其中，多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第一電極所在膜層上的正投影與多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案非重疊。

13、在本申請(qǐng)的陣列基板中，多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案在所述第一電極上間隔設(shè)置，多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第二電極間隔設(shè)置；

14、其中，多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第一電極所在膜層上的正投影與多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案間隔排列。

15、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述有源部的溝道長(zhǎng)度與所述有源部的厚度相等，所述有源部的溝道寬度為所述有源部中內(nèi)側(cè)環(huán)和所述有源部中外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和。

16、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述柵極包括內(nèi)圈段、外圈段和連接段，所述內(nèi)圈段位于所述外圈段的內(nèi)側(cè)，所述連接段連接所述內(nèi)圈段和所述外圈段，所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述外圈段的內(nèi)徑。

17、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述第一鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊，所述第二鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊。

18、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述連接段在所述第二電極所在膜層上的正投影與所述第二鏤空?qǐng)D案非重疊。

19、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述第一電極的內(nèi)圈的內(nèi)徑，所述外圈段的外徑大于所述第一電極外圈的外徑；

20、其中，所述第一電極的內(nèi)圈的內(nèi)徑與所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑的差值范圍為1微米至2微米，所述外圈段的外徑與所述第一電極外圈的外徑的差值范圍為1微米至2微米。

21、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述陣列基板還包括設(shè)于所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的緩沖層，所述緩沖層上設(shè)有開口；

22、其中，所述第二電極搭接于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面，并延伸至所述開口內(nèi)，且所述第二電極與所述開口內(nèi)的所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面接觸。

23、在本申請(qǐng)的陣列基板中，所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述柵極絕緣層覆蓋所述開口的側(cè)壁及底部，所述柵極設(shè)置在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述柵極的一部分和所述第二電極重疊，且所述柵極的另一部分延伸至所述開口的側(cè)壁及底部。

24、本申請(qǐng)還提出了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的陣列基板和位于所述陣列基板一側(cè)的發(fā)光構(gòu)件，所述陣列基板和所述發(fā)光構(gòu)件組合為一體。

25、有益效果：本申請(qǐng)公開了一種陣列基板及顯示面板，該陣列基板包括襯底、設(shè)于襯底一側(cè)的第一電極、設(shè)于第一電極遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的有源部、設(shè)于有源部遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的第二電極、及設(shè)于第二電極遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的柵極，柵極與有源部至少部分重疊設(shè)置，第一電極、有源部、第二電極及柵極為閉環(huán)結(jié)構(gòu)；本申請(qǐng)通過將第一電極、有源部、第二電極及柵極設(shè)置為閉環(huán)結(jié)構(gòu)，且第一電極、有源部及第二電極層疊設(shè)置，以有源部的厚度為晶體管的溝道長(zhǎng)度，減小了晶體管的溝道長(zhǎng)度，同時(shí)晶體管的溝道寬度變更為有源部的內(nèi)側(cè)環(huán)和外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和，增加了晶體管的溝道寬度，提高了晶體管的遷移率。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述閉環(huán)結(jié)構(gòu)為圓環(huán)結(jié)構(gòu)或橢圓環(huán)結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極上開設(shè)有多個(gè)第一鏤空?qǐng)D案，所述第二電極上開設(shè)有多個(gè)第二鏤空?qǐng)D案；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案在所述第一電極上間隔設(shè)置，多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第二電極間隔設(shè)置；

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源部的溝道長(zhǎng)度與所述有源部的厚度相等，所述有源部的溝道寬度為所述有源部中內(nèi)側(cè)環(huán)和所述有源部中外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極包括內(nèi)圈段、外圈段和連接段，所述內(nèi)圈段位于所述外圈段的內(nèi)側(cè)，所述連接段連接所述內(nèi)圈段和所述外圈段，所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述外圈段的內(nèi)徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊，所述第二鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述連接段在所述第二電極所在膜層上的正投影與所述第二鏤空?qǐng)D案非重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述第一電極的內(nèi)圈的內(nèi)徑，所述外圈段的外徑大于所述第一電極外圈的外徑；

10.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)于所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的緩沖層，所述緩沖層上設(shè)有開口；

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述柵極絕緣層覆蓋所述開口的側(cè)壁及底部，所述柵極設(shè)置在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述柵極的一部分和所述第二電極重疊，且所述柵極的另一部分延伸至所述開口的側(cè)壁及底部。

12.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的陣列基板和位于所述陣列基板一側(cè)的發(fā)光構(gòu)件，所述陣列基板和所述發(fā)光構(gòu)件組合為一體。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種陣列基板及顯示面板，該陣列基板包括襯底、設(shè)于襯底一側(cè)的第一電極、設(shè)于第一電極遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的有源部、設(shè)于有源部遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的第二電極、及設(shè)于第二電極遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的柵極，柵極與有源部至少部分重疊設(shè)置，第一電極、有源部、第二電極及柵極為閉環(huán)結(jié)構(gòu)；本申請(qǐng)通過將第一電極、有源部、第二電極及柵極設(shè)置為閉環(huán)結(jié)構(gòu)，且第一電極、有源部及第二電極層疊設(shè)置，以有源部的厚度為晶體管的溝道長(zhǎng)度，減小了晶體管的溝道長(zhǎng)度，同時(shí)晶體管的溝道寬度變更為有源部的內(nèi)側(cè)環(huán)和外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和，增加了晶體管的溝道寬度，提高了晶體管的遷移率。

技術(shù)研發(fā)人員：李治福,羅傳寶,姚江波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/28