本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術(shù):
1、常見的薄膜晶體管中有源層的材料一般包括非晶硅、低溫多晶硅以及氧化物。氧化物tft由于其具有較低的漏電流和較高的遷移率,被廣泛應(yīng)用到顯示行業(yè)tft器件中。
2、隨著薄膜晶體管尺寸的減小,其溝道也對(duì)應(yīng)越小,進(jìn)而使得薄膜晶體管的穩(wěn)定性越差且漏電流隨之增加。當(dāng)前的超短溝道薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度約為2微米至3微米,而薄膜晶體管的溝道尺寸主要由曝光機(jī)的精度所限制,其導(dǎo)致薄膜晶體管的溝道無法進(jìn)一步減小,無法滿足現(xiàn)有高遷移率器件的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板及顯示面板,以改善現(xiàn)有薄膜晶體管的溝道尺寸無法減小的問題。
2、為解決上述方案,本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下:
3、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板,其包括:
4、襯底;
5、第一電極,設(shè)于所述襯底的一側(cè);
6、有源部,設(shè)于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面;
7、第二電極,設(shè)于所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面;
8、柵極,設(shè)于所述第二電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),且所述柵極與有源部至少部分重疊設(shè)置;
9、其中,所述第一電極、所述有源部、所述第二電極及所述柵極為閉環(huán)結(jié)構(gòu)。
10、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述閉環(huán)結(jié)構(gòu)為圓環(huán)結(jié)構(gòu)或橢圓環(huán)結(jié)構(gòu)。
11、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述第一電極上開設(shè)有多個(gè)第一鏤空?qǐng)D案,所述第二電極上開設(shè)有多個(gè)第二鏤空?qǐng)D案;
12、其中,多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第一電極所在膜層上的正投影與多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案非重疊。
13、在本申請(qǐng)的陣列基板中,多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案在所述第一電極上間隔設(shè)置,多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第二電極間隔設(shè)置;
14、其中,多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第一電極所在膜層上的正投影與多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案間隔排列。
15、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述有源部的溝道長(zhǎng)度與所述有源部的厚度相等,所述有源部的溝道寬度為所述有源部中內(nèi)側(cè)環(huán)和所述有源部中外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和。
16、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述柵極包括內(nèi)圈段、外圈段和連接段,所述內(nèi)圈段位于所述外圈段的內(nèi)側(cè),所述連接段連接所述內(nèi)圈段和所述外圈段,所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述外圈段的內(nèi)徑。
17、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述第一鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊,所述第二鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊。
18、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述連接段在所述第二電極所在膜層上的正投影與所述第二鏤空?qǐng)D案非重疊。
19、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述第一電極的內(nèi)圈的內(nèi)徑,所述外圈段的外徑大于所述第一電極外圈的外徑;
20、其中,所述第一電極的內(nèi)圈的內(nèi)徑與所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑的差值范圍為1微米至2微米,所述外圈段的外徑與所述第一電極外圈的外徑的差值范圍為1微米至2微米。
21、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述陣列基板還包括設(shè)于所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的緩沖層,所述緩沖層上設(shè)有開口;
22、其中,所述第二電極搭接于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面,并延伸至所述開口內(nèi),且所述第二電極與所述開口內(nèi)的所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面接觸。
23、在本申請(qǐng)的陣列基板中,所述陣列基板還包括柵極絕緣層,所述柵極絕緣層設(shè)置在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),且所述柵極絕緣層覆蓋所述開口的側(cè)壁及底部,所述柵極設(shè)置在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述柵極的一部分和所述第二電極重疊,且所述柵極的另一部分延伸至所述開口的側(cè)壁及底部。
24、本申請(qǐng)還提出了一種顯示面板,所述顯示面板包括上述的陣列基板和位于所述陣列基板一側(cè)的發(fā)光構(gòu)件,所述陣列基板和所述發(fā)光構(gòu)件組合為一體。
25、有益效果:本申請(qǐng)公開了一種陣列基板及顯示面板,該陣列基板包括襯底、設(shè)于襯底一側(cè)的第一電極、設(shè)于第一電極遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的有源部、設(shè)于有源部遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面的第二電極、及設(shè)于第二電極遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的柵極,柵極與有源部至少部分重疊設(shè)置,第一電極、有源部、第二電極及柵極為閉環(huán)結(jié)構(gòu);本申請(qǐng)通過將第一電極、有源部、第二電極及柵極設(shè)置為閉環(huán)結(jié)構(gòu),且第一電極、有源部及第二電極層疊設(shè)置,以有源部的厚度為晶體管的溝道長(zhǎng)度,減小了晶體管的溝道長(zhǎng)度,同時(shí)晶體管的溝道寬度變更為有源部的內(nèi)側(cè)環(huán)和外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和,增加了晶體管的溝道寬度,提高了晶體管的遷移率。
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述閉環(huán)結(jié)構(gòu)為圓環(huán)結(jié)構(gòu)或橢圓環(huán)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極上開設(shè)有多個(gè)第一鏤空?qǐng)D案,所述第二電極上開設(shè)有多個(gè)第二鏤空?qǐng)D案;
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,多個(gè)所述第一鏤空?qǐng)D案在所述第一電極上間隔設(shè)置,多個(gè)所述第二鏤空?qǐng)D案在所述第二電極間隔設(shè)置;
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述有源部的溝道長(zhǎng)度與所述有源部的厚度相等,所述有源部的溝道寬度為所述有源部中內(nèi)側(cè)環(huán)和所述有源部中外側(cè)環(huán)的長(zhǎng)度之和。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述柵極包括內(nèi)圈段、外圈段和連接段,所述內(nèi)圈段位于所述外圈段的內(nèi)側(cè),所述連接段連接所述內(nèi)圈段和所述外圈段,所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述外圈段的內(nèi)徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊,所述第二鏤空?qǐng)D案在所述柵極所在膜層上的正投影與所述內(nèi)圈段和所述外圈段非重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述連接段在所述第二電極所在膜層上的正投影與所述第二鏤空?qǐng)D案非重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述內(nèi)圈段的內(nèi)徑小于所述第一電極的內(nèi)圈的內(nèi)徑,所述外圈段的外徑大于所述第一電極外圈的外徑;
10.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括設(shè)于所述有源部遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的緩沖層,所述緩沖層上設(shè)有開口;
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括柵極絕緣層,所述柵極絕緣層設(shè)置在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),且所述柵極絕緣層覆蓋所述開口的側(cè)壁及底部,所述柵極設(shè)置在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述柵極的一部分和所述第二電極重疊,且所述柵極的另一部分延伸至所述開口的側(cè)壁及底部。
12.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括如權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的陣列基板和位于所述陣列基板一側(cè)的發(fā)光構(gòu)件,所述陣列基板和所述發(fā)光構(gòu)件組合為一體。