本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體地，涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光二極管封裝體及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、micro?led(micro?light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管)顯示已經(jīng)廣泛應(yīng)用，其被廣泛地應(yīng)用到背光、vr屏幕、手機(jī)顯示屏、小型顯示屏等領(lǐng)域。

2、當(dāng)前mini?led倒裝發(fā)光二極管(flip?chip)通常直接于發(fā)光二極管上方制作錫電極取代傳統(tǒng)的金電極，并搭配助焊劑來固定發(fā)光二極管，再經(jīng)由回流焊工藝進(jìn)行固晶作業(yè)，此方法藉由取消刷錫膏作業(yè)，大大地提高焊接的便利性，因此受到許多制造商采用。然而，近年來micro?led芯片結(jié)構(gòu)開始使用錫電極結(jié)構(gòu)，然后使用與上述金電極同樣的焊接技術(shù)來進(jìn)行micro?led巨量轉(zhuǎn)移后的固晶工藝。上述僅僅采用錫電極取代傳統(tǒng)的金電極，但對(duì)于尺寸較小的micro?led，位于表面的錫電極面積也會(huì)相應(yīng)縮小(單邊尺寸<20μm)，這就導(dǎo)致焊接難度也隨之增加，并且在容易造成焊接效果差、電極易出現(xiàn)斷裂、剝離等缺陷，導(dǎo)致焊接良率不佳，進(jìn)而影響器件的可靠性和電學(xué)及光學(xué)性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)中micro?led芯片的焊機(jī)及轉(zhuǎn)移中存在的問題，本技術(shù)提供一種發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光二極管封裝體及顯示裝置，本發(fā)明的發(fā)光二極管中，外延結(jié)構(gòu)具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面。電極結(jié)構(gòu)形成在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第一表面?zhèn)龋姌O結(jié)構(gòu)包括形成在外延結(jié)構(gòu)的電極臺(tái)面上方與第一半導(dǎo)體層連接的第一電極，以及位于外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光臺(tái)面上方與第二半導(dǎo)體層連接的第二電極，第一電極和第二電極在第二方向上間隔排布，第一電極自所述電極臺(tái)面延伸覆蓋第一電極側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的部分表面以及至少一個(gè)側(cè)壁，第二電極覆蓋第二電極側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的部分表面及至少一個(gè)側(cè)壁。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其它相關(guān)目的，本發(fā)明一方面提供了一種發(fā)光二極管，其包括：

3、外延結(jié)構(gòu)，具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；所述外延結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向依次疊置的第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層，所述外延結(jié)構(gòu)形成發(fā)光臺(tái)面及電極臺(tái)面，所述電極臺(tái)面貫穿所述第二半導(dǎo)體層和有源層暴露所述第一半導(dǎo)體層；

4、電極結(jié)構(gòu)，形成在所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第一表面?zhèn)?，所述電極結(jié)構(gòu)包括形成在所述電極臺(tái)面上方與所述第一半導(dǎo)體層連接的第一電極，以及位于所述發(fā)光臺(tái)面上方與所述第二半導(dǎo)體層連接的第二電極，所述第一電極和所述第二電極在第二方向上間隔排布，所述第一電極自所述電極臺(tái)面延伸覆蓋所述第一電極側(cè)的所述外延結(jié)構(gòu)的部分表面以及至少一個(gè)側(cè)壁，所述第二電極覆蓋所述第二電極側(cè)的所述外延結(jié)構(gòu)的部分表面及至少一個(gè)側(cè)壁；所述第一方向和所述第二方向相交。

5、本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光二極管制造方法，包括以下步驟：

6、提供生長襯底，在所述生長襯底上方依次生長第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層以形成外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)靠近所述生長襯底的一側(cè)的表面為第二表面，遠(yuǎn)離所述生長襯底的一側(cè)的表面為第一表面；

7、自所述第一表面?zhèn)纫来慰涛g所述第二半導(dǎo)體層和所述有源層以形成暴露所述第一半導(dǎo)體層的電極臺(tái)面，所述電極臺(tái)面之外的外延結(jié)構(gòu)形成發(fā)光臺(tái)面；

8、形成電極結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第一表面?zhèn)?，在所述電極臺(tái)面上方形成與所述第一半導(dǎo)體層連接的第一電極，在所述發(fā)光臺(tái)面上方形成與所述第二半導(dǎo)體層連接的第二電極，所述第一電極和所述第二電極在第二方向上間隔排布，所述第一電極自所述電極臺(tái)面延伸覆蓋所述第一電極側(cè)的所述外延結(jié)構(gòu)的部分表面以及至少一個(gè)側(cè)壁，所述第二電極覆蓋所述第二電極側(cè)的所述外延結(jié)構(gòu)的部分表面及至少一個(gè)側(cè)壁。

9、本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光二極管，其至少包括：

10、外延結(jié)構(gòu)，具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；所述外延結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向依次疊置的第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層，所述外延結(jié)構(gòu)形成發(fā)光臺(tái)面及電極臺(tái)面，所述電極臺(tái)面貫穿所述第二半導(dǎo)體層和有源層暴露所述第一半導(dǎo)體層；

11、第一絕緣層，位于所述外延結(jié)構(gòu)的表面，并且覆蓋所述發(fā)光臺(tái)面及所述電極臺(tái)面的側(cè)壁及部分表面；

12、金屬反射鏡，形成在所述第一絕緣層上方，所述金屬反射鏡覆蓋所述發(fā)光臺(tái)面及所述電極臺(tái)面的表面及側(cè)壁。

13、本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光二極管封裝體，其包括多個(gè)發(fā)光單元，多個(gè)所述發(fā)光單元為本發(fā)明提供的任意一種發(fā)光二極管，其中多個(gè)所述發(fā)光單元的第一電極相互串聯(lián)。

14、本發(fā)明的又一方面提供一種顯示裝置，其包括電路基板和若干發(fā)光體，所述發(fā)光體包括本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝體和/或發(fā)光二極管。

15、如上所述，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光二極管封裝體、顯示裝置，至少具備如下有益技術(shù)效果：

16、本發(fā)明的發(fā)光二極管中，發(fā)光外延結(jié)構(gòu)具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面。電極結(jié)構(gòu)形成在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第一表面?zhèn)龋姌O結(jié)構(gòu)包括形成在外延結(jié)構(gòu)的電極臺(tái)面上方與第一半導(dǎo)體層連接的第一電極，以及位于外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光臺(tái)面上方與第二半導(dǎo)體層連接的第二電極，第一電極和第二電極在第二方向上間隔排布，第一電極自所述電極臺(tái)面延伸覆蓋第一電極側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的部分表面以及至少一個(gè)側(cè)壁，第二電極覆蓋第二電極側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的部分表面及至少一個(gè)側(cè)壁。如上電極結(jié)構(gòu)自外延結(jié)構(gòu)的表面擴(kuò)展延伸覆蓋所在側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的部分表面及至少一個(gè)側(cè)壁，由此使得電極結(jié)構(gòu)的接觸面積顯著增加，由此能夠降低焊接難度，減少或者避免焊接不良現(xiàn)象，提高發(fā)光二極管的可靠性。

17、其次，電極結(jié)構(gòu)覆蓋所在側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)壁，因此可以根據(jù)芯片焊接時(shí)電極結(jié)構(gòu)的連接位置，選擇性地覆蓋至相應(yīng)的側(cè)壁處，增加發(fā)光二極管的焊接可適應(yīng)性，避免電極結(jié)構(gòu)不必要的外露，由此也能夠進(jìn)一步提高器件的可靠性。

18、本發(fā)明的發(fā)光二極管在電極結(jié)構(gòu)和外延結(jié)構(gòu)之間還包括第一絕緣層和金屬反射鏡，第一絕緣層覆蓋外延結(jié)構(gòu)的表面及側(cè)壁，金屬反射鏡形成在第一絕緣層的上方覆蓋第一絕緣層，在第一電極和第二電極之間形成一斷開間隙。該第一絕緣層可以是透明絕緣層也可以是由具有不同折射率的材料層交替堆疊形成的dbr結(jié)構(gòu)。dbr結(jié)構(gòu)能夠增加對(duì)有外延結(jié)構(gòu)輻射的光的反射，提高發(fā)光二極管的出光效率。金屬反射鏡同樣對(duì)外延結(jié)構(gòu)輻射的光進(jìn)行反射，提高發(fā)光二極管的出光效果。同時(shí)當(dāng)?shù)谝唤^緣層為dbr結(jié)構(gòu)時(shí)，該dbr結(jié)構(gòu)與金屬反射鏡形成全反射結(jié)構(gòu)，使得外延結(jié)構(gòu)輻射的光能夠被完全反射至出光面，進(jìn)一步提高出光效果。

19、另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管的邊緣處形成為延伸臺(tái)面，第一絕緣層覆蓋該延伸臺(tái)面的表面并且端部延伸超出延伸臺(tái)面的邊緣。延伸臺(tái)面的側(cè)壁處形成有第二絕緣層，該第二絕緣層與第一絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。由此使得整個(gè)外延結(jié)構(gòu)無外露部分，也就能夠減少甚至避免外延結(jié)構(gòu)受到外界的水汽、雜質(zhì)等的污染或損傷，由此提高發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)完整性，提高其可靠性。外延結(jié)構(gòu)的第二表面?zhèn)茸鳛榘l(fā)光二極管的出光面?zhèn)?，可以形成為粗化表面，由此增加光取出率。相?yīng)地，該粗化表面上方還可以形成有第三絕緣層，該第三絕緣層與第二絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)，由此外延結(jié)構(gòu)的表面被絕緣層完整覆蓋，有利于提高其可靠性。該第三絕緣層還可以形成為具有增透特征的絕緣層以進(jìn)一步提高發(fā)光二極管的光取出率。