本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，特別是涉及一種指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路的功能越來(lái)越強(qiáng)、性能和集成度越來(lái)越高，以及新型的集成電路出現(xiàn)，封裝技術(shù)在集成電路產(chǎn)品中扮演著越來(lái)越重要的角色，在整個(gè)電子系統(tǒng)的價(jià)值中所占的比例越來(lái)越大。同時(shí)，隨著集成電路特征尺寸達(dá)到納米級(jí)，晶體管向更高密度、更高的時(shí)鐘頻率發(fā)展，封裝也向更高密度的方向發(fā)展。

由于扇出晶圓級(jí)封裝(fowlp)技術(shù)由于具有小型化、低成本和高集成度等優(yōu)點(diǎn)，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圓級(jí)封裝(fowlp)技術(shù)已成為高要求的移動(dòng)/無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等電子設(shè)備的重要的封裝方法，是目前最具發(fā)展前景的封裝技術(shù)之一。

指紋識(shí)別技術(shù)是目前最成熟且價(jià)格便宜的生物特征識(shí)別技術(shù)。目前來(lái)說(shuō)，指紋識(shí)別的技術(shù)應(yīng)用最為廣泛，不僅在門禁、考勤系統(tǒng)中可以看到指紋識(shí)別技術(shù)的身影，市場(chǎng)上有了更多指紋識(shí)別的應(yīng)用：如筆記本電腦、手機(jī)、汽車、銀行支付都可應(yīng)用指紋識(shí)別的技術(shù)。

現(xiàn)有的一種指紋識(shí)別芯片的封裝方法如圖1a～圖1c所示：

第一步，如圖1a所示，在指紋識(shí)別芯片101制作深槽，并將其粘合于fpc板102上，然后通過(guò)打線工藝制作金屬連線103，實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別芯片101與fpc板102的電連接，其中，fpc是flexibleprintedcircuit的簡(jiǎn)稱，又稱軟性線路板，其具有配線密度高、重量輕、厚度薄的特點(diǎn)。

第二步，如圖1b所示，制作出框架104；

第三步，士1c所示，在所述指紋識(shí)別芯片上加蓋藍(lán)寶石蓋板105，以完成封裝。

這種方法具有以下缺點(diǎn)：包括fpc板、指紋識(shí)別芯片以及藍(lán)寶石蓋板三層結(jié)構(gòu)，封裝厚度較厚，金屬連線容易因fpc軟板拉扯等造成斷裂，整體良率較低。

另一種指紋識(shí)別芯片的封裝方法如圖2a～圖2c所示：

第一步，如圖2a所示，通過(guò)硅穿孔tsv技術(shù)在指紋識(shí)別芯片101中形成通孔電極106；

第二步，如圖2b所示，將藍(lán)寶石蓋板105、指紋識(shí)別芯片101及fpc板102層疊在一起，通過(guò)打線工藝制作金屬連線103以連接所述指紋識(shí)別芯片101及fpc板102；

第三步，如圖2c所示，制作出框架104。

這種方法具有以下缺點(diǎn)：需要用藍(lán)寶石蓋板封裝，厚度較厚，硅穿孔工藝成本較高，金屬連線容易因fpc軟板拉扯等造成斷裂，而且指紋識(shí)別芯片的厚度較薄，容易出現(xiàn)裂片現(xiàn)象，整體良率較低。

基于以上所述，提供一種低成本、低厚度以及高封裝良率的指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法實(shí)屬必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中指紋識(shí)別封裝厚度較大、良率較低等的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：重新布線層；金屬凸塊，形成于所述重新布線層上；指紋識(shí)別芯片，通過(guò)金屬焊點(diǎn)裝設(shè)于所述重新布線層上，其中，所述指紋識(shí)別芯片的正面朝向于所述重新布線層；以及封裝材料，覆蓋于所述指紋識(shí)別芯片，且所述金屬凸塊露出于所述封裝材料。

優(yōu)選地，所述指紋識(shí)別芯片與所述重新布線層之間具有間隙，所述間隙中形成有保護(hù)層，所述保護(hù)層完全覆蓋所述指紋識(shí)別芯片的正面。

進(jìn)一步地，所述保護(hù)層選用為環(huán)氧樹脂。

優(yōu)選地，所述重新布線層與指紋識(shí)別芯片的垂向?qū)?yīng)區(qū)域包含有連續(xù)的介質(zhì)層，且不包含金屬層，以作為所述指紋識(shí)別芯片的識(shí)別窗口。

優(yōu)選地，所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。

優(yōu)選地，所述重新布線層包括圖形化的介質(zhì)層以及圖形化的金屬布線層。

進(jìn)一步地，所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

優(yōu)選地，所述金屬凸塊包括銅柱、位于所述銅柱上表面的鎳層、以及位于所述鎳層上的焊料凸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

本發(fā)明還提供一種指紋識(shí)別芯片的封裝方法，所述封裝方法包括步驟：1)提供一支撐襯底，于所述襯底表面形成分離層；2)于所述分離層上形成重新布線層，并于所述重新布線層上形成金屬凸塊；3)提供一指紋識(shí)別芯片，通過(guò)金屬焊點(diǎn)將所述指紋識(shí)別芯片裝設(shè)于所述重新布線層上，其中，所述指紋識(shí)別芯片的正面朝向于所述重新布線層；4)采用封裝材料封裝所述指紋識(shí)別芯片，所述金屬凸塊露出于所述封裝材料；以及5)基于所述分離層分離所述支撐沉積與所述重新布線層。

優(yōu)選地，步驟3)中，通過(guò)金屬焊點(diǎn)將所述指紋識(shí)別芯片裝設(shè)于所述重新布線層上后，所述指紋識(shí)別芯片與所述重新布線層之間具有間隙，步驟3)還包括于所述間隙中形成保護(hù)層的步驟，所述保護(hù)層完全覆蓋所述指紋識(shí)別芯片的正面。

進(jìn)一步地，所述保護(hù)層選用為環(huán)氧樹脂，采用點(diǎn)膠或者模壓的方式形成于所述指紋識(shí)別芯片與所述重新布線層之間的間隙。

優(yōu)選地，所述支撐襯底包括玻璃襯底、金屬襯底、半導(dǎo)體襯底、聚合物襯底及陶瓷襯底中的一種。

優(yōu)選地，所述分離層包括膠帶及聚合物層中的一種，所述聚合物層首先采用旋涂工藝涂覆于所述支撐襯底表面，然后采用紫外固化或熱固化工藝使其固化成型。

優(yōu)選地，所述重新布線層與指紋識(shí)別芯片的垂向?qū)?yīng)區(qū)域包含有連續(xù)的介質(zhì)層，且不包含金屬層，以作為所述指紋識(shí)別芯片的識(shí)別窗口。

優(yōu)選地，步驟2)制作所述重新布線層包括步驟：2-1)采用化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝于所述分離層表面形成介質(zhì)層，并對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的介質(zhì)層；2-2)采用化學(xué)氣相沉積工藝、蒸鍍工藝、濺射工藝、電鍍工藝或化學(xué)鍍工藝于所述圖形化介質(zhì)層表面形成金屬層，并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的金屬布線層。

進(jìn)一步地，所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

優(yōu)選地，所述金屬凸塊的制備方法包括步驟：a)采用電鍍法于所述重新布線層表面形成銅柱；b)采用電鍍法于所述銅柱表面形成金屬阻擋層；c)采用電鍍法于所述金屬阻擋層表面形成焊料金屬，并采用高溫回流工藝于所述金屬阻擋層表面形成焊料凸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

優(yōu)選地，采用封裝材料封裝所述指紋識(shí)別芯片的方法包括壓縮成型、傳遞模塑成型、液封成型、真空層壓及旋涂中的一種，所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。

如上所述，本發(fā)明的指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，具有以下有益效果：

1)本發(fā)明采用扇出型封裝(fanout)指紋識(shí)別芯片，相比于現(xiàn)有的其它指紋識(shí)別芯片封裝來(lái)說(shuō)，具有成本低、厚度小、良率高的優(yōu)點(diǎn)；

2)本發(fā)明同時(shí)不需要打線工藝，也不需要高成本的硅穿孔工藝(tsv)，而能實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別芯片的封裝，大大降低了工藝難度及成本；

3)本發(fā)明直接采用重新布線層作為指紋識(shí)別芯片的蓋板，不需要另外增加藍(lán)寶石蓋板，大大降低了封裝的厚度及成本；

4)本發(fā)明采用扇出封裝(fanout)工藝，芯片的電引出不需要傳統(tǒng)的fpc板，可以降低封裝的厚度以及電性引出結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，提高封裝良率；

5)本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，創(chuàng)造性地采用扇出封裝工藝封裝指紋識(shí)別芯片，在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

附圖說(shuō)明

圖1a～圖1c顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的一種指紋識(shí)別芯片的封裝方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2a～圖2c顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一種指紋識(shí)別芯片的封裝方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3～圖10顯示為本發(fā)明的指紋識(shí)別芯片的封裝方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖10顯示為本發(fā)明的指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11顯示為本發(fā)明的指紋識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)的使用原理示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

201支撐襯底

202分離層

203介質(zhì)層

204金屬布線層

205金屬凸塊

206指紋識(shí)別芯片

207金屬焊點(diǎn)

208保護(hù)層

209封裝材料

210識(shí)別窗口

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖3～圖11。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖3～圖10所示，本實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別芯片206的封裝方法，所述指紋識(shí)別芯片包括光學(xué)式的指紋識(shí)別芯片、電容式的指紋識(shí)別芯片及超聲波式的指紋識(shí)別芯片，所述封裝方法包括步驟：

如圖3所示，首先進(jìn)行步驟1)，提供一支撐襯底201，于所述襯底表面形成分離層202。

作為示例，所述支撐襯底201包括玻璃襯底、金屬襯底、半導(dǎo)體襯底、聚合物襯底及陶瓷襯底中的一種。在本實(shí)施例中，所述支撐襯底201選用為玻璃襯底，所述玻璃襯底成本較低，容易在其表面形成分離層202，且能降低后續(xù)的剝離工藝的難度。

作為示例，所述分離層202包括膠帶及聚合物層中的一種，所述聚合物層首先采用旋涂工藝涂覆于所述支撐襯底201表面，然后采用紫外固化或熱固化工藝使其固化成型。

在本實(shí)施例中，所述分離層202選用為熱固化膠，通過(guò)旋涂工藝形成于所述支撐襯底201上后，通過(guò)熱固化工藝使其固化成型。熱固化膠性能穩(wěn)定，表面較光滑，有利于后續(xù)的重新布線層的制作，并且，在后續(xù)的剝離工藝中，剝離的難度較低，剝離后可以獲得完整且性能良好的重新布線層。

如圖4～圖6所示，然后進(jìn)行步驟2)，于所述分離層202上形成重新布線層，并于所述重新布線層上形成金屬凸塊205。

作為示例，步驟2)制作所述重新布線層包括步驟：

如圖4所示，進(jìn)行步驟2-1)，采用化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝于所述分離層202表面形成介質(zhì)層203，并對(duì)所述介質(zhì)層203進(jìn)行刻蝕形成圖形化的介質(zhì)層203。

作為示例，所述介質(zhì)層203的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合。在本實(shí)施例中，所述介質(zhì)層203選用為氧化硅。

如圖5所示，進(jìn)行步驟2-2)，采用化學(xué)氣相沉積工藝、蒸鍍工藝、濺射工藝、電鍍工藝或化學(xué)鍍工藝于所述圖形化介質(zhì)層203表面形成金屬層，并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的金屬布線層204。

作為示例，所述金屬布線層204的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。在本實(shí)施例中，所述金屬布線層204的材料選用為銅。

需要說(shuō)明的是，所述重新布線層可以包括依次層疊的多個(gè)介質(zhì)層203以及多個(gè)金屬布線層204，依據(jù)連線需求，通過(guò)對(duì)各介質(zhì)層203進(jìn)行圖形化或者制作通孔實(shí)現(xiàn)各層金屬布線層204之間的互連，以實(shí)現(xiàn)不同功能的連線需求。

作為示例，所述金屬凸塊205可以選用為銅柱、鎳柱、焊料金屬(如錫球等)、銅柱及焊料金屬的組合、鎳柱及焊料金屬的組合，或者銅柱、金屬阻擋層及焊料金屬的組合等。

在本實(shí)施例中，所述金屬凸塊205選用為銅柱、金屬阻擋層及焊料金屬的組合，所述金屬凸塊205的制備方法包括步驟：

步驟a)，采用電鍍法于所述重新布線層表面形成銅柱；

步驟b)，采用電鍍法于所述銅柱表面形成金屬阻擋層；

步驟c)，采用電鍍法于所述金屬阻擋層表面形成焊料金屬，并采用高溫回流工藝于所述金屬阻擋層表面形成焊料凸點(diǎn)。

作為示例，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

采用電鍍法可以制備出高質(zhì)量的銅柱，提高金屬凸塊205的質(zhì)量。所述金屬阻擋層可以阻擋焊料金屬的擴(kuò)散，提高金屬凸塊205的電性能。

作為示例，所述重新布線層與指紋識(shí)別芯片206的垂向?qū)?yīng)區(qū)域包含有連續(xù)的介質(zhì)層203，且不包含金屬層，以作為所述指紋識(shí)別芯片206的識(shí)別窗口210。對(duì)于電容式的指紋識(shí)別芯片及超聲波式的，尤其針對(duì)光學(xué)式的指紋識(shí)別芯片，所述識(shí)別窗口210可以獲得良好的識(shí)別效果。

如圖7～8所示，接著進(jìn)行步驟3)，提供一指紋識(shí)別芯片206，通過(guò)金屬焊點(diǎn)207將所述指紋識(shí)別芯片206裝設(shè)于所述重新布線層上，其中，所述指紋識(shí)別芯片206的正面朝向于所述重新布線層；

作為示例，所述金屬焊點(diǎn)207可以為的材料可以為銅、金、銀、鋁、錫等金屬材料。

作為示例，步驟3)中，通過(guò)金屬焊點(diǎn)207將所述指紋識(shí)別芯片206裝設(shè)于所述重新布線層上后，所述指紋識(shí)別芯片206與所述重新布線層之間具有間隙，步驟3)還包括于所述間隙中形成保護(hù)層208的步驟，所述保護(hù)層208完全覆蓋所述指紋識(shí)別芯片206的正面。

作為示例，所述保護(hù)層208為透明的聚合物層，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)層208選用為環(huán)氧樹脂，采用點(diǎn)膠或者模壓的方式形成于所述指紋識(shí)別芯片206與所述重新布線層之間的間隙。所述保護(hù)層208可有效保護(hù)所述指紋識(shí)別芯片206，例如，可以防止水汽等進(jìn)入式指紋別芯片，以及可以作為如撞擊、按壓過(guò)度等的緩沖結(jié)構(gòu)。

如圖9所示，然后進(jìn)行步驟4)，采用封裝材料209封裝所述指紋識(shí)別芯片206，所述金屬凸塊205露出于所述封裝材料209。

作為示例，采用封裝材料209封裝所述指紋識(shí)別芯片206的方法包括壓縮成型、傳遞模塑成型、液封成型、真空層壓及旋涂中的一種，所述封裝材料209包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。封裝后，所述金屬凸塊205露出于所述封裝材料209，以利于其與其它器件的電連接或者其本身的電性引出。

如圖10所示，最后進(jìn)行步驟5)，基于所述分離層202分離所述支撐沉積與所述重新布線層。

作為示例，依據(jù)所述分離層202的屬性，可以采用如機(jī)械剝離、激光剝離、化學(xué)剝離(如濕法腐蝕等)等方法分離所述支撐沉積與所述重新布線層。

最后，對(duì)封裝好的指紋識(shí)別芯片206配置合適的框架，以使其應(yīng)用于不同的功能組件中，如手機(jī)、平板電腦、門禁等。

如圖10所示，本實(shí)施例還提供一種指紋識(shí)別芯片206的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：重新布線層；金屬凸塊205，形成于所述重新布線層上；指紋識(shí)別芯片206，通過(guò)金屬焊點(diǎn)207裝設(shè)于所述重新布線層上，其中，所述指紋識(shí)別芯片206的正面朝向于所述重新布線層；以及封裝材料209，覆蓋于所述指紋識(shí)別芯片206，且所述金屬凸塊205露出于所述封裝材料209。

作為示例，所述指紋識(shí)別芯片206與所述重新布線層之間具有間隙，所述間隙中形成有保護(hù)層208，所述保護(hù)層208完全覆蓋所述指紋識(shí)別芯片206的正面。進(jìn)一步地，所述保護(hù)層208選用為環(huán)氧樹脂。

作為示例，所述重新布線層與指紋識(shí)別芯片206的垂向?qū)?yīng)區(qū)域包含有連續(xù)的介質(zhì)層203，且不包含金屬層，以作為所述指紋識(shí)別芯片206的識(shí)別窗口210。

作為示例，所述封裝材料209包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。

作為示例，所述重新布線層包括圖形化的介質(zhì)層203以及圖形化的金屬布線層204。進(jìn)一步地，所述介質(zhì)層203的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層204的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

作為示例，所述金屬凸塊205包括銅柱、位于所述銅柱上表面的鎳層、以及位于所述鎳層上的焊料凸點(diǎn)。進(jìn)一步地，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

如圖11所示，本實(shí)施例的指紋識(shí)別芯片206的封裝結(jié)構(gòu)的使用原理如圖11所示，其包括：

第一步，通過(guò)指紋識(shí)別芯片206的封裝結(jié)構(gòu)獲取所需識(shí)別指紋的圖像。在本實(shí)施例中，通過(guò)所述重新布線層中的識(shí)別窗口210獲取所需識(shí)別指紋的圖像。

第二步，對(duì)采集的指紋圖像進(jìn)行如下預(yù)處理，包括：圖像質(zhì)量判斷、圖像增強(qiáng)、指紋區(qū)域檢測(cè)、指紋方向圖和頻率估算、圖像二值化(將指紋圖像中各像素點(diǎn)的灰度值設(shè)置為0或255)以及圖像細(xì)化。

第三步，從預(yù)處理后的圖像中，獲取指紋的脊線數(shù)據(jù)。

第四步，從指紋的脊線數(shù)據(jù)中，提取指紋識(shí)別所需的特征點(diǎn)。

第五步，將提取指紋特征(特征點(diǎn)的信息)與數(shù)據(jù)庫(kù)中保存的指紋特征逐一匹配，判斷是否為相同指紋。

第六步，完成指紋匹配處理后，輸出指紋識(shí)別的處理結(jié)果。

如上所述，本發(fā)明的指紋識(shí)別芯片206的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，具有以下有益效果：

1)本發(fā)明采用扇出型封裝(fanout)指紋識(shí)別芯片206，相比于現(xiàn)有的其它指紋識(shí)別芯片206封裝來(lái)說(shuō)，具有成本低、厚度小、良率高的優(yōu)點(diǎn)；

2)本發(fā)明同時(shí)不需要打線工藝，也不需要高成本的硅穿孔工藝(tsv)，而能實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別芯片206的封裝，大大降低了工藝難度及成本；

3)本發(fā)明直接采用重新布線層作為指紋識(shí)別芯片206的蓋板，不需要另外增加藍(lán)寶石蓋板，大大降低了封裝的厚度及成本；

4)本發(fā)明采用扇出封裝(fanout)工藝，芯片的電引出不需要傳統(tǒng)的fpc板，可以降低封裝的厚度以及電性引出結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，提高封裝良率；

5)本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，創(chuàng)造性地采用扇出封裝工藝封裝指紋識(shí)別芯片206，在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。