本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種有機(jī)電致發(fā)光陣列基板和包含所述有機(jī)電致發(fā)光陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光器件(oled)因其自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、響應(yīng)快、寬視角等而備受業(yè)界關(guān)注。有機(jī)電致發(fā)光陣列面板主要包含薄膜晶體管(tft)驅(qū)動(dòng)電路層，陽極層，像素限定層，有機(jī)材料層和陰極層，其中tft驅(qū)動(dòng)電路層至少包含第一金屬線和第二金屬線兩條信號(hào)線，陽極層域和像素定義區(qū)覆蓋第一金屬線和第二金屬線。陰極層覆蓋整個(gè)陽極層域和像素定義區(qū)，與第一金屬線和第二金屬線存在交疊面積，造成寄生電容。

當(dāng)?shù)谝唤饘倬€和/或第二金屬線的電壓發(fā)生突變時(shí)，由于寄生電容的影響，造成其周邊的陰極電位也跟隨發(fā)生變化，造成串?dāng)_不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，需要提供一種有機(jī)電致發(fā)光陣列基板，通過使像素限定層的體電阻率介于10⁷至10¹⁰ω·m之間，可以有效地降低陰極層和驅(qū)動(dòng)電路層中的金屬線之間的耦合電容，當(dāng)?shù)谝唤饘倬€和/或第二金屬線上的電壓發(fā)生突變時(shí)，其周邊的陰極電壓變化較小，從而減少串?dāng)_。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種顯示裝置，其包括上面所述的有機(jī)電致發(fā)光面板。

因此，在本公開的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光陣列基板，其包含：像素陣列，所述像素陣列中的每個(gè)像素具有發(fā)光區(qū)域；和像素限定層，所述像素限定層用于限定每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)域，其中所述像素限定層的體電阻率為10⁷至10¹⁰ω·m。

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方案，所述像素限定層的體電阻率為10⁷至10⁸ω·m。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述像素限定層由摻雜有導(dǎo)電材料的聚酰亞胺類材料或亞克力材料形成。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電材料選自金屬、導(dǎo)電金屬氧化物、導(dǎo)電聚合物或其任何混合物。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電材料是導(dǎo)電納米材料。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米材料選自導(dǎo)電納米線、導(dǎo)電納米管、導(dǎo)電納米粒子或其任何混合物。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米粒子的粒徑等于或小于100nm。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米線的長度等于或小于100nm，并且直徑等于或小于1/2長度。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電材料與所述聚酰亞胺類材料的體積比為1∶1000至1∶20。

在本公開的一個(gè)方面，提供一種顯示裝置，其包括上面所述的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板。

通過使像素限定層的體電阻率介于10⁷至10¹⁰ω·m之間，可以有效地降低陰極層和驅(qū)動(dòng)電路層中的金屬線之間的耦合電容，當(dāng)?shù)谝唤饘倬€和/或第二金屬線上的電壓發(fā)生突變時(shí)，其周邊的陰極電壓變化較小，從而減少串?dāng)_。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的示例性實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)本公開的一個(gè)比較例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的俯視示意圖，其中像素限定層由聚酰亞胺材料形成。

圖2是根據(jù)本公開的一個(gè)比較例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的沿圖1所示的線a-a’得到的剖視示意圖，其中像素限定層由聚酰亞胺材料形成。

圖3是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的俯視示意圖，其中像素限定層由摻雜有納米導(dǎo)電粒子的聚酰亞胺材料形成。

圖4是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的沿圖3所示的線b-b’得到的剖視示意圖，其中像素限定層由摻雜有納米導(dǎo)電粒子的聚酰亞胺材料形成。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本公開的具體實(shí)施方案，對(duì)本公開實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方案和/或?qū)嵤├齼H僅是本公開一部分實(shí)施方案和/或?qū)嵤├?，而不是全部的?shí)施方案和/或?qū)嵤├??；诒竟_中的實(shí)施方案和/或?qū)嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方案和/或所有其他實(shí)施例，都屬于本公開保護(hù)的范圍。

在本公開中，如果沒有具體指明，所述的比率、含量、份等都按重量計(jì)。另外，在本公開中，層或膜可以互換地使用。術(shù)語“第一”和“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”或“第三”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。

有機(jī)電致發(fā)光陣列面板主要包含tft驅(qū)動(dòng)電路層，陽極層，像素限定層，有機(jī)材料層和陰極層，其中tft驅(qū)動(dòng)電路層至少包含第一金屬線和第二金屬線兩條信號(hào)線，陽極層域和像素定義區(qū)覆蓋第一金屬線和第二金屬線。陰極層覆蓋整個(gè)陽極層域和像素定義區(qū)，與第一金屬線和第二金屬線存在交疊面積，造成寄生電容。

像素限定層一般采用聚酰亞胺類材料或亞克力材料，體電阻率一般為10¹⁴至10¹⁵ω·m。當(dāng)?shù)谝唤饘倬€和/或第二金屬線的電壓發(fā)生突變時(shí)，由于寄生電容的影響，造成其周邊的陰極電位也跟隨發(fā)生變化，造成串?dāng)_不良。

本公開的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：通過使像素限定層的體電阻率介于10⁷至10¹⁰ω·m之間，可以有效地降低陰極層和驅(qū)動(dòng)電路層中的金屬線之間的耦合電容，當(dāng)?shù)谝唤饘倬€和/或第二金屬線上的電壓發(fā)生突變時(shí)，其周邊的陰極電壓變化較小，從而減少串?dāng)_。

在本公開的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光陣列基板，其包含：像素陣列，所述像素陣列中的每個(gè)像素具有發(fā)光區(qū)域；和像素限定層，所述像素限定層用于限定每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)域，其中所述像素限定層的體電阻率為10⁷至10¹⁰ω·m。例如，所述像素限定層的體電阻率為10⁷至5×10⁹ω·m，10⁷至10⁹ω·m，10⁷至5×10⁸ω·m，10⁷至3×10⁸ω·m，或10⁷至10⁸ω·m。

電阻率過低，例如小于或等于10⁶ω·m，會(huì)造成相鄰像素陽極之間短路，而電阻率過高，例如大于或等于10¹¹ω·m，就不能有效減小耦合電容。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述像素限定層可以由摻雜有導(dǎo)電材料的聚酰亞胺類材料或亞克力材料形成，例如由摻雜有導(dǎo)電材料的聚酰亞胺類材料形成。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電材料可以選自金屬、導(dǎo)電金屬氧化物、導(dǎo)電聚合物或其任何混合物，例如所述導(dǎo)電材料可以是導(dǎo)電納米材料。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米材料可以選自導(dǎo)電納米線、導(dǎo)電納米管、導(dǎo)電納米粒子或其任何混合物。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米材料可以選自納米金屬粒子、納米碳粒子、金屬納米管、碳納米管、納米金屬氧化物粒子或其任何混合物。例如，所述納米金屬氧化物粒子可以選自納米二氧化鈦粒子、納米氧化鋅粒子、納米氧化銦粒子、納米氧化銦錫粒子、納米氧化鋅錫粒子或其任何混合物。所述納米金屬粒子中的金屬可以選自金、銀、銅、鋁、鉑或其任何混合物或其任何合金。例如，所述納米金屬粒子可以是納米銀粒子。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米粒子的粒徑可以等于或小于100nm，例如可以等于或小于90nm，可以等于或小于80nm，可以等于或小于70nm，可以等于或小于60nm，可以等于或小于50nm。對(duì)所述導(dǎo)電納米粒子的粒徑的下限沒有特別限制，可以是市場(chǎng)上可以得到的最小粒徑。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米線的長度可以等于或小于100nm，例如可以等于或小于90nm，可以等于或小于80nm，可以等于或小于70nm，可以等于或小于60nm，可以等于或小于50nm。對(duì)所述導(dǎo)電納米線的長度的下限沒有特別限制，可以是市場(chǎng)上可以得到的最小長度。另外，所述導(dǎo)電納米線的直徑可以等于或小于1/2長度，例如等于或小于1/4長度，等于或小于1/5長度，或等于或小于1/10長度。根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米線的直徑可以大于或等于1/100長度，或者大于或等于1/50長度。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電聚合物可以選自聚3，4-亞乙二氧基噻吩、3，4-亞乙二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸、聚苯胺、聚噻吩、聚乙炔、聚吡咯或其任何混合物。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，在所述像素限定層中，所述導(dǎo)電材料與所述聚酰亞胺類材料的體積比可以為1∶1000至1∶20，例如1∶500至1∶25，或1∶200至1∶50。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述導(dǎo)電納米材料的最大尺寸與所述像素限定層的厚度之比可以等于或小于0.2，例如可以等于或小于0.1或等于或小于0.05。對(duì)于本公開而言，所述導(dǎo)電納米材料的最大尺寸在所述導(dǎo)電納米材料是導(dǎo)電納米線的情況下，是指所述導(dǎo)電納米線的長度；在所述導(dǎo)電納米材料是導(dǎo)電納米粒子的情況下，是指所述導(dǎo)電納米粒子的粒徑；并且在所述導(dǎo)電納米材料是導(dǎo)電納米管的情況下，是指其直徑和高度中的較大者。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述有機(jī)電致發(fā)光陣列基板可以依次包含薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路層、陽極層、所述像素限定層、有機(jī)材料層和陰極層，其中所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路層至少包含相交的第一金屬線和第二金屬線，其中所述像素限定層覆蓋所述第一金屬線和第二金屬線，所述陰極層覆蓋所述有機(jī)材料層、所述陽極層和所述像素限定層，并且與所述第一金屬線和第二金屬線都存在交疊面積。

在本公開的一個(gè)方面，可以提供一種有機(jī)電致發(fā)光面板，其包括上面所述的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板。

在本公開的一個(gè)方面，可以提供一種顯示裝置，其包括上面所述的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板。

例如，所述有機(jī)電致發(fā)光面板可以包括上面所述的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板，與所述有機(jī)電致發(fā)光陣列基板相互對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板，以及位于所述有機(jī)電致發(fā)光陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、有機(jī)電致發(fā)光面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方案，所述有機(jī)電致發(fā)光陣列基板根據(jù)其出光方式的不同，可以是底發(fā)射型及頂發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光陣列基板。

單體材料和混合材料的體電阻率可以通過器件完成測(cè)量，該器件結(jié)構(gòu)為電極/待測(cè)材料/電極組成，待測(cè)材料的面積和厚度可以根據(jù)實(shí)際工藝條件進(jìn)行調(diào)整。

采用本公開的有機(jī)電致發(fā)光面板，可以明顯改善有機(jī)電致發(fā)光面板的串?dāng)_，即像素的亮度完全不受周邊像素亮度的影響。

寄生電容c可以通過公式c＝ε×s/d進(jìn)行計(jì)算，其中ε為有機(jī)材料(如像素限定層)的介電常數(shù)，s為兩電極之間的面積，并且d為有機(jī)材料的厚度。通過在像素限定層中摻雜導(dǎo)電材料，可以有效地降低ε，從而有效地降低寄生電容。

圖1是根據(jù)本公開的一個(gè)比較例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的俯視示意圖，其中像素限定層由聚酰亞胺材料形成。圖2是根據(jù)本公開的一個(gè)比較例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的沿圖1所示的線a-a’得到的剖視示意圖，其中像素限定層由聚酰亞胺材料形成。

圖1和2中所示的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板可以依次包含薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路層100、陽極層200、像素限定層400、有機(jī)材料層300和陰極層500(陰極層500是透明的，在圖1中未示出)，其中所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路層100至少包含相交的第一金屬線101和第二金屬線102，其中所述像素限定層400覆蓋所述第一金屬線101和第二金屬線102，所述陰極層500覆蓋所述有機(jī)材料層300、所述陽極層200和所述像素限定層400，并且與所述第一金屬線101和第二金屬線102都存在交疊面積，造成寄生電容。由于像素限定層400一般采用聚酰亞胺類材料或亞克力材料，體電阻率一般為10¹⁴至10¹⁵ω·m；并且當(dāng)?shù)谝唤饘倬€101和/或第二金屬線102的電壓發(fā)生突變時(shí)，寄生電容較大，由于寄生電容的影響，造成其周邊的陰極電位也跟隨發(fā)生變化，造成串?dāng)_不良。

圖3是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的俯視示意圖，其中像素限定層由摻雜有納米導(dǎo)電粒子的聚酰亞胺材料形成。圖4是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光陣列面板的沿圖3所示的線b-b’得到的剖視示意圖，其中像素限定層由摻雜有納米導(dǎo)電粒子的聚酰亞胺材料形成。

圖3和4的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板與圖1和2中所示的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板的不同之處在于：在圖3和4的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板中，在像素限定層400中摻入導(dǎo)電材料如導(dǎo)電納米粒子401，摻雜后的聚酰亞胺類材料或亞克力材料成膜顯影工藝和摻雜前工藝相同，不需要額外增加工序。通過調(diào)整摻雜的比例控制像素限定層400的體電阻率位于10⁷～10¹⁰ω·m。摻雜后的像素限定層400能夠有效地降低寄生電容，減少串?dāng)_。陰極層500是透明的，在圖3中未示出。

通過提供所述的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板，使像素限定層400的體電阻率介于10⁷至10¹⁰ω·m之間，可以有效地降低陰極層500和驅(qū)動(dòng)電路層100中的第一金屬線101和/或第二金屬線102之間的耦合電容，當(dāng)?shù)谝唤饘倬€101和/或第二金屬線102上的電壓發(fā)生突變時(shí)，其周邊的陰極電壓變化較小，從而減少串?dāng)_。

實(shí)施例：

在以下實(shí)施例中，如果沒有具體表明，所述的份以及比例都按重量計(jì)。實(shí)施例用于舉例說明的目的，而不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為限制其本公開的范圍。

實(shí)施例中所用到的材料如下：

聚酰亞胺溶液：聚酰亞胺的重均分子量為75000g/mol。

納米導(dǎo)電粒子：納米銀粒子，其平均粒子直徑為50nm。

含tft驅(qū)動(dòng)電路層的驅(qū)動(dòng)陣列基板(tft驅(qū)動(dòng)面板)，tft驅(qū)動(dòng)面板依次包含：多晶硅層(300nm)、第一氧化硅/氮化硅絕緣層(400nm)、第一al/ti金屬層(250nm)、第二氧化硅/氮化硅絕緣層(400nm)、第二al/ti金屬層(250nm)、亞克力有機(jī)膜層(2μm)、第一透明導(dǎo)電層(ito)(350nm)、第三氧化硅/氮化硅絕緣層(300nm)和第二透明導(dǎo)電層(ito)(350nm)，其中各絕緣層的介電常數(shù)為8f/m，如下規(guī)格：

分辨率：80ppi

有效顯示區(qū)(aa區(qū))大?。?0053.12μm*10053.12μm

aa區(qū)像素個(gè)數(shù)：32*32個(gè)

像素大小：314.16μm*314.16μm

開口率：32.83％

墨水：商購自merck公司的墨水。

實(shí)施例1：

將納米導(dǎo)電粒子不摻雜或摻雜到聚酰亞胺中，使得在最后的聚酰亞胺薄膜中，納米導(dǎo)電粒子與聚酰亞胺的體積比分別選取0、1∶10000、1∶500、1∶50和1∶5。未摻雜或摻雜后的聚酰亞胺薄膜涂布在可剝離基板上，使得干燥后的厚度為1.5μm。剝離得到聚酰亞胺薄膜。

得到的聚酰亞胺薄膜的體電阻率通過器件完成測(cè)量，該器件結(jié)構(gòu)為電極/聚酰亞胺薄膜/電極組成。

結(jié)果，在得到的聚酰亞胺薄膜中，納米導(dǎo)電粒子與聚酰亞胺的體積比分別為0、1∶10000、1∶500、1∶50和1∶5的聚酰亞胺薄膜的體電阻率的量級(jí)分別為10¹⁴ω·m、10¹³ω·m、10¹⁰ω·m、10⁸ω·m和10⁶ω·m。

實(shí)施例2

將納米導(dǎo)電粒子摻雜到聚酰亞胺中，使得在最后的聚酰亞胺薄膜中，納米導(dǎo)電粒子與聚酰亞胺的體積比分別選取1∶10000、1∶500、1∶50和1∶5。將摻雜后的聚酰亞胺溶液涂布在含tft驅(qū)動(dòng)電路層的驅(qū)動(dòng)陣列基板上，使得干燥后的厚度為1.5μm，經(jīng)曝光后顯影對(duì)應(yīng)的圖案，即為像素的發(fā)光區(qū)域，聚酰亞胺薄膜限定每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)域。

使用噴墨打印機(jī)在發(fā)光區(qū)域中打印系列墨水中的用于空穴注入層的墨水，使得成膜后的用于空穴注入層的膜厚度為55nm。將打印過的基板真空干燥并且烘焙成膜，從而形成空穴注入層。

然后，在空穴注入層上，使用噴墨打印機(jī)打印系列墨水中的用于空穴傳輸層的墨水，使得成膜后的用于空穴傳輸層的膜厚度為130nm。將打印過的基板真空干燥并且烘焙成膜，從而形成空穴傳輸層。

接下來，在空穴傳輸層上，使用噴墨打印機(jī)打印系列墨水中的用于發(fā)光層的墨水，使得成膜后的用于發(fā)光層的膜厚度為40nm。將打印過的基板真空干燥并且烘焙成膜，從而形成發(fā)光層。

之后，在蒸鍍機(jī)臺(tái)上，蒸鍍氟化鋰和鋁分別作為電極，其中氟化鋰的厚度為1nm，而鋁的厚度為100nm，從而得到有機(jī)電致發(fā)光陣列基板。

得到有機(jī)電致發(fā)光陣列基板之后，由專業(yè)評(píng)價(jià)有機(jī)電致發(fā)光陣列基板串?dāng)_等級(jí)的專業(yè)人員、非專業(yè)人員和客戶根據(jù)串?dāng)_畫面是否發(fā)生串?dāng)_及串?dāng)_程度評(píng)價(jià)串?dāng)_等級(jí)：將有機(jī)電致發(fā)光陣列基板切換到串?dāng)_畫面進(jìn)行人眼直接觀察判定，得到有機(jī)電致發(fā)光陣列基板的串?dāng)_等級(jí)。串?dāng)_畫面一般為中間顯示零灰階，周邊顯示最高灰階，或者中間顯示最高灰階，周邊顯示零灰階。

根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光陣列基板的串?dāng)_等級(jí)進(jìn)行等級(jí)評(píng)定：

大于或等于4級(jí)(1evel4)：非專業(yè)人員很容易看到串?dāng)_畫面發(fā)生串?dāng)_，并且100％客戶不接受；

3級(jí)(level3)：非專業(yè)人員不容易看到串?dāng)_畫面發(fā)生串?dāng)_，專業(yè)人員很容易看到串?dāng)_畫面，并且80％以上的客戶不接受；

2級(jí)(level2)：部分專業(yè)人員可以看到串?dāng)_畫面發(fā)生串?dāng)_，并且20％以上的客戶不接受；

1級(jí)(level1)：專業(yè)人員很難看到串?dāng)_畫面發(fā)生串?dāng)_，并且100％客戶接受；和

0.5級(jí)(level0.5)：專業(yè)人員看不到串?dāng)_畫面發(fā)生串?dāng)_，并且100％客戶接受。

在得到的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板中，納米導(dǎo)電粒子與聚酰亞胺的體積比分別為1∶10000、1∶500、1∶50和1∶5的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板的串?dāng)_等級(jí)分別為4級(jí)(level4)、2級(jí)(level2)、0.5級(jí)(level0.5)和顯示異常，其中串?dāng)_等級(jí)大于2級(jí)(如3級(jí)或4級(jí))的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板為不合格，而等于或低于2級(jí)(如2級(jí)、1級(jí)或0.5級(jí))的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板為合格。

因此，由上面的實(shí)施例可以知道，通過提供所述的有機(jī)電致發(fā)光陣列基板，使像素限定層的體電阻率介于10⁷至10¹⁰ω·m之間，可以有效地降低陰極層和驅(qū)動(dòng)電路層中的第一金屬線和/或第二金屬線之間的耦合電容，當(dāng)?shù)谝唤饘倬€和/或第二金屬線上的電壓發(fā)生突變時(shí)，其周邊的陰極電壓變化較小，從而減少串?dāng)_。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本公開實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本公開的精神和范圍。這樣，倘若本公開的這些修改和變型屬于本公開權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本公開也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。