本發(fā)明涉及一種同頻合路器。

背景技術：

同頻合路器內為3db電橋，寬頻率帶3db電橋一直是功分器類努力的方向，縮短空間距離，實現(xiàn)寬頻3db電橋是目前迫切需要的。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種同頻合路器。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的具體方案如下：同頻合路器，包括有底殼以及蓋子，所述底殼內設有一個3db電橋，所述3db電橋，包括有主耦合線帶以及次耦合線帶；所述主耦合線帶包括有第一矩形主帶，第一矩形主帶的兩端分別向兩側延伸出有l(wèi)形的第一曲帶，第一曲帶的自由端延伸出l形第二曲帶，一側的第二曲帶延伸出第一輸入端，另一側的第二曲帶延伸出第一輸出端；第一矩形主帶的頂側設有t形去耦帶，底側設有矩形的延展帶，延展帶向下設有半圓形的第一耦合片；次耦合線帶包括有第二矩形主帶，第二矩形主帶底側設有半圓形的第二耦合片，第二矩形主帶兩端均連接有傾斜設置的第一波導臂，還包括有與第一波導臂同一平面、大小相同、且邊平行設置的第二波導臂和第三波導臂；第二波導臂底部與第一波導臂的底部通過直通帶相連，第二波導臂的頂部與第三波導臂的中部通過直通帶相連；與第一輸入端同側的第三波導臂向外延伸出第二輸入端，與第一輸出端同側的第三波導臂向外延伸出第二輸出端；所述主耦合線帶與次耦合線帶平行設置且高度差為3-7mm，第一耦合片位于第二耦合片垂直投影內。所述底殼內設有隔離墻，隔離墻位于第二曲帶與第二波導臂之間以及第一曲帶與第一波導帶之間。

其中，所述主耦合線帶與次耦合線帶平行設置且高度差為5mm。

其中，所述直通帶上設有頂柱孔，所述第一矩形主帶兩側也設有頂柱孔，頂柱孔套設支撐柱。

其中，所述第一矩形主帶的兩側的底側向次耦合線帶一側延伸出有框帶。

本發(fā)明的有益效果為：同頻合路器，包括有底殼以及蓋子，所述底殼內設有一個3db電橋，所述3db電橋可實現(xiàn)較為優(yōu)化的耦合，其在頻率0.8ghz至2.8ghz內可實現(xiàn)較好的耦合效果，其s21通路和s31通路的相位差，不超過±5°，符合3db電橋的90度相位差的要求。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的主耦合線帶的俯視圖；

圖2是本發(fā)明的次耦合線帶的俯視圖；

圖3是本發(fā)明的電橋俯視圖；

圖4是本發(fā)明的電橋側視圖；

圖5是本發(fā)明去掉蓋子的俯視圖；

圖6是本發(fā)明底殼的俯視圖；

圖7是本發(fā)明的s21通路和s31通路的相位差圖；

圖8中為電平值圖。

圖1至圖8中的附圖標記說明：

1-次耦合線帶；2-主耦合線帶；10-支撐柱；3-底殼；4-隔離墻；

r1-第一矩形主帶；r2-延展帶；r3-第一耦合片；r4-t形去耦帶；r5-第一曲帶；r6-第二曲帶；r7-框帶；r8-第一輸出端；r9-第一輸入端；

a1-第二矩形主帶；a2-第一波導臂；a3-第二波導臂；a4-第三波導臂；a5-第二輸入端；a6-第二輸出端。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明，并不是把本發(fā)明的實施范圍局限于此。

如圖1至圖8所示，以圖3方向，本實施例所述的為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的具體方案如下：同頻合路器，包括有底殼以及蓋子，所述底殼內設有一個3db電橋，包括有主耦合線帶2以及次耦合線帶1；所述主耦合線帶2包括有第一矩形主帶r1，第一矩形主帶r1的兩端分別向兩側延伸出有l(wèi)形的第一曲帶r5，第一曲帶r5的自由端延伸出l形第二曲帶r6，一側的第二曲帶r6延伸出第一輸入端r9，另一側的第二曲帶r6延伸出第一輸出端r8；第一矩形主帶r1的頂側設有t形去耦帶r4，底側設有矩形的延展帶r2，延展帶r2向下設有半圓形的第一耦合片r3；次耦合線帶1包括有第二矩形主帶a1，第二矩形主帶a1底側設有半圓形的第二耦合片，第二矩形主帶a1兩端均連接有傾斜設置的第一波導臂a2，還包括有與第一波導臂a2同一平面、大小相同、且邊平行設置的第二波導臂a3和第三波導臂a4；第二波導臂a3底部與第一波導臂a2的底部通過直通帶相連，第二波導臂a3的頂部與第三波導臂a4的中部通過直通帶相連；與第一輸入端r9同側的第三波導臂a4向外延伸出第二輸入端a5，與第一輸出端r8同側的第三波導臂a4向外延伸出第二輸出端a6；所述主耦合線帶2與次耦合線帶1平行設置且高度差為3-7mm，第一耦合片r3位于第二耦合片垂直投影內。所述底殼3內設有隔離墻4，隔離墻位于第二曲帶與第二波導臂之間以及第一曲帶與第一波導帶之間。

同頻合路器中的電橋可實現(xiàn)較為優(yōu)化的耦合，其在頻率0.8ghz至2.8ghz內可實現(xiàn)較好的耦合效果，如圖7，其s21通路和s31通路的相位差，不超過±5°，符合3db電橋的90度相位差的要求。圖8中，實線表示耦合口電平值，虛線表示直通口電平值，可以看到其基本保持在3.5db以下。本電橋的端口駐波比小于1.2。主耦合線帶2與次耦合線的厚度均為3mm-4mm，其承載功率可達400w。未達到最優(yōu)化的耦合效果，其具體尺寸可以優(yōu)化為：以圖3方向，并且以虛線為界限，第一矩形主帶r1、第一曲帶r5、第二曲帶r6以及第一輸入端r9和第二輸入端a5的帶寬為：6.5mm，第一曲帶r5的靠近第一矩形主帶r1的一邊最長為：13mm，另一邊最長為：13.5mm；第二曲帶r6的靠近第一曲帶r5的邊最長為：17mm，另一邊最長為：12.4mm；第一輸入端r9和第二輸出端a6不限。t形去耦帶r4的縱向桿的帶寬為12.5mm高為3.2mm，橫向桿的帶寬為2.8mm，長為：12.5mm；延展帶r2的高和寬分別為：23mm和25mm。第一耦合片r3的半徑為12.5mm?？驇7的帶寬為：0.5mm；內框高為74mm，寬為：11mm。第二矩形主帶a1的線寬為6.5mm，第二耦合片的12.5mm。第一波導臂a2的線寬為10mm，長為：58mm；直通帶寬和長均不超過10mm，第二輸出端a6和第二輸入端a5不需限定，可跟臨近臂帶等寬。本發(fā)明所述一種3db電橋，所述主耦合線帶2與次耦合線帶1平行設置且高度差為5mm。本發(fā)明所述一種3db電橋，所述直通帶上設有頂柱孔，所述第一矩形主帶r1兩側也設有頂柱孔，頂柱孔套設支撐柱10。支撐柱10為絕緣介質，用于固定帶線。本發(fā)明所述一種3db電橋，所述第一矩形主帶r1的兩側的底側向次耦合線帶1一側延伸出有框帶r7。該結構，通過仿真和實際測試可以發(fā)現(xiàn)，其提高耦合度，有效降低相位差的偏差。所述底殼內設有隔離墻，隔離墻位于第二曲帶與第二波導臂之間以及第一曲帶與第一波導帶之間，隔離墻用于增加隔離度，增加性能。

以上所述僅是本發(fā)明的一個較佳實施例，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本發(fā)明專利申請的保護范圍內。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了同頻合路器，包括有底殼以及蓋子，所述底殼內設有一個3dB電橋，所述3dB電橋，包括有主耦合線帶以及次耦合線帶；所述主耦合線帶包括有第一矩形主帶，第一矩形主帶的兩端分別向兩側延伸出有L形的第一曲帶，第一曲帶的自由端延伸出L形第二曲帶，一側的第二曲帶延伸出第一輸入端，另一側的第二曲帶延伸出第一輸出端；其在頻率0.8Ghz至2.8Ghz內可實現(xiàn)較好的耦合效果，其S21通路和S31通路的相位差，不超過±5°，符合3dB電橋的90度相位差的要求。

技術研發(fā)人員：商順超
受保護的技術使用者：東莞質研工業(yè)設計服務有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.25
技術公布日：2017.08.29