本發(fā)明涉及一種濕法腐蝕方法，尤其涉及一種應(yīng)用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺(tái)垂直側(cè)壁形貌工藝的濕法腐蝕方法。

背景技術(shù)：

理想半導(dǎo)體激光器的脊臺(tái)形貌為90°，然而當(dāng)半導(dǎo)體激光器采用GaAs作為P面歐姆接觸曾，高Al組分AlGaAs材料作為電子阻擋層和波導(dǎo)層時(shí)，由于高Al組分AlGaAs在一般腐蝕液中的側(cè)向腐蝕速率大于GaAs，容易在腐蝕后形成GaAs凸出、AlGaAs凹陷的屋檐狀形貌。這樣的屋檐狀脊臺(tái)形貌將影響SiO₂鈍化保護(hù)，易造成漏電短路等異常情況，如申請(qǐng)?zhí)枮镃N201310406295.8，申請(qǐng)日為2013-09-09，公告號(hào)為CN103531458A，公告日為2014-01-22的《一種利用兩步法對(duì)GaAs基材料進(jìn)行濕法刻蝕的方法》。

提高H₃PO₄:H₂O₂腐蝕液中的H₃PO₄濃度，可以減緩AlGaAs側(cè)向凹陷情況，但是H₃PO₄濃度提高后，腐蝕液非常粘稠，不利于大尺寸waf的腐蝕深度均勻性控制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了能夠達(dá)到消除AlGaAs層凹陷的效果，同時(shí)解決腐蝕液粘稠導(dǎo)致的腐蝕深度均勻性不易控制的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺(tái)垂直側(cè)壁形貌工藝的濕法腐蝕方法。

本發(fā)明的解決方案是：一種應(yīng)用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺(tái)垂直側(cè)壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，其采用的腐蝕液配比為H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1，且用于GaAs/Al_0.7Ga_0.3As脊臺(tái)材料腐蝕中；在室溫環(huán)境下完成腐蝕。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，腐蝕速率為120～160nm/s。

本發(fā)明選取H₃PO₄:H₂O₂腐蝕液，采用本發(fā)明的H₂O₂濃度，同樣能夠達(dá)到消除AlGaAs層凹陷的效果，而且這個(gè)濃度的H₂O₂不會(huì)帶來腐蝕液粘稠導(dǎo)致的腐蝕深度均勻性不易控制的問題。

附圖說明

圖1為采用常規(guī)腐蝕液腐蝕H₂SO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:20時(shí)，腐蝕后的側(cè)壁形貌示意圖。

圖2為采用本發(fā)明的應(yīng)用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺(tái)垂直側(cè)壁形貌工藝的濕法腐蝕方法腐蝕后的側(cè)壁形貌示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在GaAs半導(dǎo)體激光器脊臺(tái)濕法腐蝕工藝中，半導(dǎo)體脊臺(tái)采用上層0.3～0.5μm GaAs材料、以及下層0.6～1μm的Al0.7Ga0.3As材料時(shí)，使用常規(guī)腐蝕液腐蝕，如H₂SO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:20時(shí)，腐蝕后側(cè)壁形貌如圖1所示，Al0.7Ga0.3As材料相對(duì)GaAs材料側(cè)向鉆蝕情況嚴(yán)重，脊臺(tái)整體呈屋檐狀。

本發(fā)明應(yīng)用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺(tái)垂直側(cè)壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，采用的腐蝕液配比為H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1，且用于GaAs/Al_0.7Ga_0.3As脊臺(tái)材料腐蝕中，在室溫環(huán)境下完成腐蝕。H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1的配比也得到了試驗(yàn)的驗(yàn)證，在室溫環(huán)境下，腐蝕速率約為120～160nm/s，腐蝕完成后，脊臺(tái)側(cè)壁形貌如圖2所示，GaAs側(cè)壁垂直，Al_0.7Ga_0.3As側(cè)壁呈正臺(tái)面，GaAs材料和Al_0.7Ga_0.3As材料的側(cè)向腐蝕量基本一致，這樣的脊臺(tái)形貌對(duì)SiO₂鈍化無影響，極大減小漏電短路等異常發(fā)生。

需要說明的是，H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1的配比并非是通過無限次試驗(yàn)就能輕而易舉的得到，因?yàn)椴煌呐浔龋w表現(xiàn)的性能差異很大，沒辦法從試驗(yàn)數(shù)據(jù)上簡單歸納與總結(jié)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。