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自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)以及晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試方法與流程

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自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)以及晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試方法與流程

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,具體涉及半導(dǎo)體制造工藝晶圓級(jí)電遷移評(píng)估;更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)以及晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試方法。



背景技術(shù):

電遷移(EM)可靠性驗(yàn)證是產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、制程監(jiān)測(cè)的關(guān)鍵項(xiàng)目;常規(guī)電遷移評(píng)估、驗(yàn)證由于需要封裝,在恒流、恒溫條件下進(jìn)行,評(píng)估、驗(yàn)證周期長(zhǎng),難以達(dá)到生產(chǎn)、開(kāi)發(fā)對(duì)時(shí)效性的要求;所以,電遷移的晶圓級(jí)快速評(píng)估方式需求變得越來(lái)越急迫。

當(dāng)前,晶圓級(jí)自加熱電遷移評(píng)估,采用高溫、高電流進(jìn)行加速評(píng)估,能有效節(jié)省評(píng)估時(shí)間,給出初步結(jié)論。但是,由于采用高溫、高電流進(jìn)行加速測(cè)試,測(cè)試結(jié)構(gòu)內(nèi)的實(shí)際溫度受外界溫度和高電流產(chǎn)生的焦耳熱共同作用,評(píng)估中無(wú)法準(zhǔn)確確定測(cè)試結(jié)構(gòu)的真實(shí)溫度,這給金屬電遷移的壽命評(píng)估結(jié)果影響很大,最終可能導(dǎo)致評(píng)估結(jié)論錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn);如何真實(shí)確定測(cè)試結(jié)構(gòu)的溫度,成為晶圓級(jí)自加熱電遷移評(píng)估的一個(gè)難題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠使得電遷移評(píng)估更加準(zhǔn)確、有效的自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)以及晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,提供了一種自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu),包括:目標(biāo)金屬線、分別與目標(biāo)金屬線兩端連接的第一焊盤和第二焊盤、分別布置在第一焊盤和第二焊盤正下方的第三焊盤和第四焊盤、以及將第三焊盤和第四焊盤連接起來(lái)的與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線。

優(yōu)選地,所述自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在目標(biāo)金屬線正上方的與目標(biāo)金屬線平行布置的一個(gè)或多個(gè)第一冗余金屬線。

優(yōu)選地,所述自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線的下方的與目標(biāo)金屬線平行布置的一個(gè)或多個(gè)第二冗余金屬線。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,提供了一種自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu),包括:目標(biāo)金屬線、分別與目標(biāo)金屬線兩端連接的第一焊盤和第二焊盤、分別布置在第一焊盤和第二焊盤正上方的第三焊盤和第四焊盤、將第三焊盤和第四焊盤連接起來(lái)的與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線。

優(yōu)選地,所述自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在目標(biāo)金屬線正下方的與目標(biāo)金屬線平行布置的一個(gè)或多個(gè)第一冗余金屬線。

優(yōu)選地,所述自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線的上方的與目標(biāo)金屬線平行布置的一個(gè)或多個(gè)第二冗余金屬線。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,還提供了一種晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試方法,包括:第一步驟:制造根據(jù)上述自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu);第二步驟:在第一焊盤和第二焊盤上不施加測(cè)試電流或測(cè)試電壓的情況下,通過(guò)第三焊盤和第四焊盤測(cè)量與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線的阻值,從而獲取與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線的溫度與阻值的關(guān)系;第三步驟:在第一焊盤和第二焊盤施壓測(cè)試電流以及測(cè)試溫度,以執(zhí)行加速電遷移評(píng)估測(cè)試;第四步驟:在加速電遷移評(píng)估測(cè)試的測(cè)試結(jié)果的基礎(chǔ)上,利用與目標(biāo)金屬線最接近的冗余金屬線的溫度與阻值的關(guān)系,從而推算出目標(biāo)金屬線的實(shí)際溫度。

優(yōu)選地,測(cè)試電流是高電流,測(cè)試溫度是高溫。

本發(fā)明有效修正了測(cè)試結(jié)構(gòu)真實(shí)溫度與烘烤爐溫差異,為金屬的電遷移評(píng)估提供更準(zhǔn)確的溫度關(guān)鍵參數(shù),使得電遷移評(píng)估更加準(zhǔn)確、有效。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖,并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述,將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征,其中:

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移監(jiān)測(cè)測(cè)試方法的流程圖。

需要說(shuō)明的是,附圖用于說(shuō)明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu),通過(guò)量測(cè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中最近的冗余金屬線(虛設(shè)金屬線)的阻值,再利用冗余金屬線的溫度與阻值關(guān)系,從而獲得被測(cè)金屬線所處的真實(shí)溫度,為自加熱電遷移評(píng)估給出更為準(zhǔn)確的結(jié)果。

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖。

如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:目標(biāo)金屬線10、分別與目標(biāo)金屬線10兩端連接的第一焊盤Pad1和第二焊盤Pad2、分別布置在第一焊盤Pad1和第二焊盤Pad2正下方的第三焊盤Pad3和第四焊盤Pad4、將第三焊盤Pad3和第四焊盤Pad4連接起來(lái)的與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20。

例如,如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在目標(biāo)金屬線10正上方的與目標(biāo)金屬線10平行布置的一個(gè)或多個(gè)第一冗余金屬線(圖1示出了兩條冗余金屬線31和32的示例)。

例如,如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20的下方的與目標(biāo)金屬線10平行布置的一個(gè)或多個(gè)第二冗余金屬線40。

例如,如圖1所示,所述一個(gè)或多個(gè)第一冗余金屬線的數(shù)量為兩個(gè)。

例如,如圖1所示,所述一個(gè)或多個(gè)第二冗余金屬線的數(shù)量為一個(gè)。

圖1所示的上下布置方位僅僅示例,顯然可以以目標(biāo)金屬線10鏡像整個(gè)結(jié)構(gòu)如下:

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:目標(biāo)金屬線10、分別與目標(biāo)金屬線10兩端連接的第一焊盤Pad1和第二焊盤Pad2、分別布置在第一焊盤Pad1和第二焊盤Pad2正上方的第三焊盤Pad3和第四焊盤Pad4、將第三焊盤Pad3和第四焊盤Pad4連接起來(lái)的與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20。

例如,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:布置在目標(biāo)金屬線10正下方的與目標(biāo)金屬線10平行布置的一個(gè)或多個(gè)第一冗余金屬線。

例如,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:以及布置在與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20的上方的與目標(biāo)金屬線10平行布置的一個(gè)或多個(gè)第二冗余金屬線40。

例如,所述一個(gè)或多個(gè)第一冗余金屬線的數(shù)量為兩個(gè)。

例如,所述一個(gè)或多個(gè)第二冗余金屬線的數(shù)量為一個(gè)。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移監(jiān)測(cè)測(cè)試方法的流程圖。

如圖2所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)自加熱電遷移監(jiān)測(cè)測(cè)試方法包括:

第一步驟S1:制造上述自加熱電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu);

第二步驟S2:在第一焊盤Pad1和第二焊盤Pad2上不施加測(cè)試電流或測(cè)試電壓的情況下,通過(guò)第三焊盤Pad3和第四焊盤Pad4測(cè)量與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20的阻值,從而獲取與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20的溫度與阻值的關(guān)系;

第三步驟S3:在第一焊盤Pad1和第二焊盤Pad2施壓測(cè)試電流以及測(cè)試溫度,以執(zhí)行加速電遷移評(píng)估測(cè)試;

第四步驟S4:在加速電遷移評(píng)估測(cè)試的測(cè)試結(jié)果的基礎(chǔ)上,利用與目標(biāo)金屬線10最接近的冗余金屬線20的溫度與阻值的關(guān)系,從而推算出目標(biāo)金屬線10的實(shí)際溫度,以便后續(xù)壽命評(píng)估。

本發(fā)明有效修正了測(cè)試結(jié)構(gòu)真實(shí)溫度與烘烤爐溫差異,為金屬的電遷移評(píng)估提供更準(zhǔn)確的溫度關(guān)鍵參數(shù),使得電遷移評(píng)估更加準(zhǔn)確、有效。

此外,需要說(shuō)明的是,除非特別說(shuō)明或者指出,否則說(shuō)明書中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等,而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上,然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

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