本發(fā)明涉及oled顯示面板的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管oled(organiclight-emittingdiode)顯示器作為一種新型的平板顯示，由于其具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光亮度高、分辨率高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點(diǎn)，受到了越來(lái)越多的關(guān)注，成為可能取代液晶顯示器的下一代顯示技術(shù)。

oled顯示面板中存在對(duì)于水汽和氧氣極為敏感的有機(jī)層材料，這使得oled顯示面板的壽命大大降低。為了解決這個(gè)問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)中主要是利用各種材料將oled顯示面板進(jìn)行封裝，以保護(hù)有機(jī)層材料。

目前oled顯示面板常采用的封裝方式為frit(玻璃粉)封裝，即在屏體的四周采用涂布一圈frit漿料并燒結(jié)，通過(guò)激光熔融的方式將蓋板和基板進(jìn)行封合來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離水氧的效果。frit涂布采用的是絲網(wǎng)印刷，寬度一般達(dá)到幾百微米，再加上在顯示區(qū)域的邊緣還有電路和其他走線，因此屏體的邊框仍然比較寬(1mm以上)，用戶體驗(yàn)仍不夠好。同時(shí)由于需要使用激光熔融frit的溫度比較高，容易出現(xiàn)將屏體外圍的走線及電路損壞，frit的封裝效果也經(jīng)常受到frit漿料中氣泡的影響而導(dǎo)致封裝失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，通過(guò)改變封裝的材料和結(jié)構(gòu)，可以提高封裝效果并降低屏體邊框尺寸。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和蓋板， 該基板包括第一襯底，該第一襯底上形成有多個(gè)像素區(qū)，每個(gè)像素區(qū)內(nèi)形成有oled器件和驅(qū)動(dòng)該oled器件的像素電路，該oled器件位于該像素電路之上，該蓋板包括第二襯底，該基板于像素區(qū)周圍形成金屬隔離墻，該金屬隔離墻垂直于該第一襯底并突出于該oled器件的表面，該第二襯底上形成有金屬層，該金屬層的位置與該金屬隔離墻的位置相對(duì)應(yīng)，該金屬層的熔點(diǎn)低于該金屬隔離墻的熔點(diǎn)，該金屬層與該金屬隔離墻焊接將該oled器件密封在該金屬隔離墻內(nèi)。

進(jìn)一步地，該像素電路形成在該第一襯底上，該像素電路上形成有鈍化層，該鈍化層上形成有平坦化層，該平坦化層上形成有陽(yáng)極電極，該陽(yáng)極電極與該像素電路電性連接，該oled器件形成在該陽(yáng)極電極上，該oled器件至少包括有機(jī)發(fā)光層和陰極電極，該有機(jī)發(fā)光層位于該陽(yáng)極電極與該陰極電極之間，該金屬隔離墻貫穿該平坦化層和該oled器件，該金屬隔離墻的底部連接該鈍化層，該金屬隔離墻的頂部突出于該oled器件中的陰極電極的表面，該金屬隔離墻與該陰極電極導(dǎo)電連接。

進(jìn)一步地，該陽(yáng)極電極上還形成有像素限定層，該像素限定層覆蓋該陽(yáng)極電極的四周邊緣部分，該oled器件覆蓋在該像素限定層和該陽(yáng)極電極上，該金屬隔離墻還貫穿該像素限定層。

進(jìn)一步地，該第二襯底上還形成有隔熱層，該隔熱層的位置與該第一襯底上每個(gè)像素區(qū)內(nèi)的oled器件相對(duì)應(yīng)，該隔熱層中與該金屬隔離墻相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第一凹陷，該金屬層位于該第一凹陷內(nèi)。

進(jìn)一步地，該金屬層形成為凹陷結(jié)構(gòu)，該金屬層內(nèi)設(shè)有第二凹陷，在封裝時(shí)該金屬隔離墻的頂部伸入該金屬層的第二凹陷中。

進(jìn)一步地，該第一襯底上于每個(gè)像素區(qū)的四周均環(huán)繞設(shè)置有一圈的金屬隔離墻。

進(jìn)一步地，該第一襯底上于靠近屏體四周區(qū)域的像素區(qū)，在每個(gè)像素區(qū)的四周均環(huán)繞設(shè)置一圈的金屬隔離墻；該第一襯底上于靠近屏體中央?yún)^(qū)域的 像素區(qū)，在多個(gè)相鄰像素區(qū)的四周共同環(huán)繞設(shè)置一圈的金屬隔離墻。

進(jìn)一步地，該oled顯示面板在周邊形成有非顯示區(qū)域，該非顯示區(qū)域的下層制作有信號(hào)走線，該非顯示區(qū)域的上層設(shè)置該金屬隔離墻。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種oled顯示面板的封裝方法，用于制作如上所述的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝方法包括如下步驟：

制作形成基板；

制作形成蓋板；以及

將該基板和該蓋板利用壓合設(shè)備封合在一起，加熱該金屬層使該金屬層與該金屬隔離墻焊接以將該oled器件密封在該金屬隔離墻內(nèi)。

進(jìn)一步地，該壓合設(shè)備包括第一壓板和第二壓板，在封合該基板和該蓋板時(shí)，將該基板放置在該第二壓板上，使該蓋板和該基板對(duì)位好，再在該第一壓板上施以壓力將該蓋板和該基板壓合，然后將該第一壓板升溫至該金屬層的熔點(diǎn)溫度附近，使該金屬層熔化和該金屬隔離墻焊接在一起。

本發(fā)明實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，通過(guò)在像素區(qū)周圍形成金屬隔離墻，并在蓋板上對(duì)應(yīng)位置形成焊接金屬層，最后通過(guò)熱壓焊接的方式實(shí)現(xiàn)蓋板和基板封合，將像素區(qū)的oled器件密封在金屬隔離墻內(nèi)，有效保護(hù)oled器件不受水汽和氧氣的影響，提高了封裝效果。

上述實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，由于封裝位置處于顯示區(qū)，在基板和蓋板的四周可以不用再進(jìn)行frit(玻璃粉)封裝，可以降低屏體邊框尺寸，實(shí)現(xiàn)窄邊框顯示，甚至無(wú)邊框顯示；且由于可減少激光熔融frit漿料的制程，也不會(huì)出現(xiàn)使用激光熔融frit的高溫?fù)p壞屏體外圍的走線及電路的問(wèn)題。

上述實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，用于封裝的金屬隔離墻同時(shí)起到支撐蓋板的作用，保證蓋板受力平衡而無(wú)凹陷，可降低牛頓環(huán)現(xiàn)象。

上述實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，金屬隔離墻 還同時(shí)與oled器件中的陰極電極電性連接，金屬隔離墻可作為陰極電極的互連線，可提高陰極電極的導(dǎo)電性，降低陰極電極的電阻壓降。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中oled顯示面板的基板的截面示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中oled顯示面板的蓋板的截面示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置在基板上的金屬隔離墻的俯視圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中oled顯示面板的壓合過(guò)程的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)方式及功效，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板100和蓋板200，并由基板100和蓋板200兩部分封裝形成，分別如圖1和圖2所示。

請(qǐng)參圖1，基板100包括第一襯底101，第一襯底101上形成有多個(gè)像素區(qū)，每個(gè)像素區(qū)內(nèi)形成有oled器件108和驅(qū)動(dòng)oled器件108的像素電路102，oled器件108位于像素電路102之上?；?00于像素區(qū)周圍形成金屬隔離墻105，金屬隔離墻105垂直于第一襯底101并且向上突出于oled器件108的表面。

請(qǐng)參圖2，蓋板200包括第二襯底201，第二襯底201上形成有金屬層202，金屬層202的位置與金屬隔離墻105的位置相對(duì)應(yīng)，金屬層202的熔點(diǎn)低于金屬隔離墻105的熔點(diǎn)。蓋板200在與基板100封裝時(shí)，金屬層202加熱至接近其熔點(diǎn)溫度，使金屬層202與金屬隔離墻105焊接在一起，將oled器件108密封在金屬隔離墻105內(nèi)，以避免外界水汽和氧氣等對(duì)oled器件108造成影響。

請(qǐng)繼續(xù)參圖1，基板100于第一襯底101上形成有像素電路102、鈍化層103、平坦化層104、用于封裝的金屬隔離墻105、圖形化的陽(yáng)極電極106、像素限定層107及oled器件108。像素電路102形成在第一襯底101上，鈍化層103形成在像素電路102上，平坦化層104形成在鈍化層103上，陽(yáng)極電極106形成在平坦化層104上，陽(yáng)極電極106與像素電路102電性連接，像素限定層107形成在陽(yáng)極電極106上并覆蓋陽(yáng)極電極106的四周邊緣部分，oled器件108形成在陽(yáng)極電極106上并覆蓋像素限定層107和陽(yáng)極電極106。oled器件108至少包括有機(jī)發(fā)光層和陰極電極，有機(jī)發(fā)光層位于陽(yáng)極電極106與陰極電極之間。如本領(lǐng)域人員所熟知的，oled器件108還可以包括空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子注入層(eil)、電子傳輸層(etl)等有機(jī)材料膜層。

第一襯底101可以為玻璃基板或塑料基板。像素電路102包括薄膜晶體管(tft)、與薄膜晶體管(tft)相連的電路(掃描線、數(shù)據(jù)線等)以及存儲(chǔ)電容器。鈍化層103材料可以為氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)或氮氧化硅(sion)。平坦化層104可以為有機(jī)光刻膠(photoresist，pr)。陽(yáng)極電極106可以為ito或ag、al、cu、mo、ti、ni等金屬，也可以為金屬材料與ito形成的多層電極，例如ito/ag/ito等。像素限定層107可以為有機(jī)光刻膠(photoresist，pr)。

所述金屬隔離墻105設(shè)置在像素區(qū)的四周，用來(lái)隔離兩個(gè)相鄰像素區(qū)的陽(yáng)極電極106。金屬隔離墻105垂直于第一襯底101并且貫穿平坦化層104、像素限定層107和oled器件108，其中金屬隔離墻105的底部連接鈍化層103，金屬隔離墻105的頂部向上突出于oled器件108中的陰極電極的表面。金屬隔離墻105的材料為高熔點(diǎn)、穩(wěn)定好、硬度較高的金屬，典型的如鉬、鎢、鉭、鈦等。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置在基板上的金屬隔離墻的俯視圖，請(qǐng)結(jié)合圖3，在本實(shí)施例中，每相鄰兩個(gè)像素區(qū)之間均設(shè)置有金屬隔離墻105，即第一 襯底101上于每個(gè)像素區(qū)的四周均環(huán)繞設(shè)置有一圈的金屬隔離墻105，使每個(gè)陽(yáng)極電極106和對(duì)應(yīng)位于陽(yáng)極電極106上方的oled器件108均被包覆在一個(gè)矩形的金屬隔離墻105內(nèi)，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，針對(duì)oled顯示面板靠近屏體四周區(qū)域的像素區(qū)，可以在每個(gè)像素區(qū)的四周均環(huán)繞設(shè)置一圈的金屬隔離墻105，而針對(duì)oled顯示面板靠近屏體中央?yún)^(qū)域的像素區(qū)，可以不在每個(gè)像素區(qū)的四周均環(huán)繞設(shè)置一圈的金屬隔離墻105，而是在多個(gè)相鄰像素區(qū)的四周共同環(huán)繞設(shè)置一圈的金屬隔離墻105，同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的，包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

由于oled器件108中的有機(jī)層材料(如有機(jī)發(fā)光層)對(duì)于水汽和氧氣極為敏感，本實(shí)施例通過(guò)在每個(gè)像素區(qū)的外圍設(shè)置金屬隔離墻105，在基板100和蓋板200封裝后，將每個(gè)像素區(qū)內(nèi)的oled器件108密封在金屬隔離墻105之內(nèi)，可有效保護(hù)每個(gè)像素區(qū)內(nèi)的oled器件108不受外界水汽和氧氣的影響，大大提高了封裝效果，從而提高了oled顯示面板的壽命。

請(qǐng)參圖2，蓋板200于第二襯底201上形成有低熔點(diǎn)的金屬層202和低熱導(dǎo)率的隔熱層203，金屬層202和隔熱層203均為圖形化結(jié)構(gòu)，其中金屬層202的位置與第一襯底101上的金屬隔離墻105的位置相對(duì)應(yīng)。金屬層202為低熔點(diǎn)(<350℃)、穩(wěn)定性好的金屬材料，典型的如錫、銦或其合金。金屬層202的熔點(diǎn)優(yōu)選低于350℃。隔熱層203的位置與第一襯底101上每個(gè)像素區(qū)內(nèi)的oled器件108相對(duì)應(yīng)，隔熱層203為導(dǎo)熱性差的材料，典型的如氧化硅，用以在蓋板200和基板100焊接時(shí)保護(hù)oled器件108所在區(qū)域不受較高溫影響。隔熱層203中與金屬隔離墻105相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第一凹陷203a，金屬層202形成在第一凹陷203a內(nèi)，金屬層202也形成為凹陷結(jié)構(gòu)，金屬層202內(nèi)設(shè)有第二凹陷202a。由于金屬隔離墻105為突起結(jié)構(gòu)，因此在封裝時(shí)金屬隔離墻105的頂部可伸入金屬層202的第二凹陷202a中，以加大兩者的接觸面積，利于兩者的焊接接合，增加密封效果。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種oled顯示面板的封裝方法，如圖1至圖4所 示。

首先，制作形成基板100。請(qǐng)參圖1，在第一襯底101上制作像素電路102，在制作好像素電路102的第一襯底101上沉積鈍化層103，然后再涂膠形成平坦化層104，對(duì)平坦化層104進(jìn)行光刻工藝形成第一通孔104a和第二通孔104b，第一通孔104a用于設(shè)置金屬隔離墻105，第二通孔104b用于將陽(yáng)極電極106導(dǎo)通至像素電路102。在平坦化層104上沉積一層較厚的金屬并通過(guò)光刻形成金屬隔離墻105(平面圖形如圖3所示)，金屬隔離墻105填入第一通孔104a中，金屬隔離墻105的底部連接至鈍化層103。金屬隔離墻105具有高熔點(diǎn)、穩(wěn)定好、硬度較高的特點(diǎn)，典型金屬如鉬、鉻、鎢、鉭等。在平坦化層104上沉積一層導(dǎo)電材料并通過(guò)光刻形成圖形化的陽(yáng)極電極106，陽(yáng)極電極106填入第二通孔104b中與下方的像素電路102中對(duì)應(yīng)的tft電性連接。本實(shí)施例中對(duì)金屬隔離墻105和陽(yáng)極電極106的制作順序沒(méi)有限制，可以在平坦化層104上先制作金屬隔離墻105，再制作陽(yáng)極電極106，也可以在平坦化層104上先制作陽(yáng)極電極106，再制作金屬隔離墻105。在制作完金屬隔離墻105和陽(yáng)極電極106之后，再在陽(yáng)極電極106上通過(guò)光刻制作像素限定層107，像素限定層107覆蓋每個(gè)陽(yáng)極電極106的四周邊緣，使每個(gè)陽(yáng)極電極106的中間部分露出。然后在像素限定層107上通過(guò)蒸鍍制作oled器件108，oled器件108至少包括有機(jī)發(fā)光層和陰極電極，有機(jī)發(fā)光層位于陽(yáng)極電極106與陰極電極之間，陰極電極位于最上方。金屬隔離墻105的高度超過(guò)oled器件108并向上突出于oled器件108中的陰極電極的上表面。

然后，制作形成蓋板200。請(qǐng)參圖2，在第二襯底201上先沉積一層熱導(dǎo)率較低的材料并通過(guò)光刻形成具有第一凹陷203a的隔熱層203。隔熱層203的材料典型如氧化硅等。然后在隔熱層203上沉積一層低熔點(diǎn)金屬并通過(guò)光刻形成金屬層202，金屬層202的圖形填入隔熱層203的第一凹陷203a中，且金屬層202也形成為凹陷結(jié)構(gòu)，金屬層202內(nèi)設(shè)有第二凹陷202a。金屬層202具有熔點(diǎn)低(<350℃左右)的特點(diǎn)，典型材料如sn、in及其合金等。

最后，將基板100和蓋板200利用壓合設(shè)備30封合在一起，請(qǐng)參圖4，壓合設(shè)備30包括第一壓板31和第二壓板32兩個(gè)壓板，第一壓板31為熱板，第二壓板32為冷卻板或常溫板，兩個(gè)壓板均為導(dǎo)熱性良好、不易變形的厚金屬板?；?00放置在第二壓板32上，并使蓋板200和基板100對(duì)位好，再在第一壓板31施以壓力將蓋板200和基板100壓合，然后將第一壓板31快速升溫至金屬層202的熔點(diǎn)溫度附近，使蓋板200上的低熔點(diǎn)金屬層202熔化和基板100上的金屬隔離墻105焊接在一起，整個(gè)過(guò)程可在真空中實(shí)現(xiàn)。由于金屬層202設(shè)置為凹陷結(jié)構(gòu)，金屬隔離墻105突出的頂部可伸入金屬層202的第二凹陷202a中，在焊接時(shí)可以增大與金屬隔離墻105的接觸面積，提到焊接效果和密封效果。

請(qǐng)參圖4，圖中a區(qū)域?yàn)槊姘屣@示區(qū)域(oled像素區(qū))，圖中b區(qū)域?yàn)槊姘逯苓叿秋@示區(qū)，主要為一些信號(hào)走線及部分驅(qū)動(dòng)電路，b區(qū)域沒(méi)有oled像素。本發(fā)明實(shí)施例中，在b區(qū)域的下層制作信號(hào)走線109，在b區(qū)域的上層設(shè)置金屬隔離墻105的材料來(lái)增強(qiáng)封裝效果?，F(xiàn)有技術(shù)中，b區(qū)域的上層無(wú)封裝層，frit封裝層是設(shè)置在b區(qū)域的外圍，而邊框的大小是b區(qū)域與frit封裝層寬度的總和，因此現(xiàn)有技術(shù)中邊框相對(duì)較大。本發(fā)明實(shí)施例中，在b區(qū)域的外圍可以無(wú)需再設(shè)置frit封裝層，因此可以降低邊框的尺寸。

在圖1所示的基板100中，雖然金屬隔離墻105向上突出將各個(gè)像素區(qū)的oled器件108隔開，但是金屬隔離墻105是由導(dǎo)電金屬材料制成，金屬隔離墻105可將oled器件108中的陰極電極連接成一體形成導(dǎo)電連接。而且在金屬層202與金屬隔離墻105焊接之后，可進(jìn)一步確保金屬隔離墻105與oled器件108中的陰極電極之間形成良好的導(dǎo)電連接。

oled顯示面板具有兩種結(jié)構(gòu)，一種是底發(fā)光結(jié)構(gòu)，僅僅朝底部基板發(fā)射光，另一種是頂發(fā)光結(jié)構(gòu)，朝頂部非基板側(cè)發(fā)射光。由于用于控制各個(gè)像素的tft布置在有機(jī)發(fā)光器件下面，所以頂發(fā)光oled結(jié)構(gòu)具有更大的開口率，越來(lái)越多的oled器件采用頂發(fā)光結(jié)構(gòu)。然而在頂發(fā)光oled器件中， 為了保證出光率，要求陰極電極透光率較高，因此陰極電極一般比較薄，所以陰極電極具有較高的電阻，從而會(huì)造成ir壓降(即陰極電極的電阻導(dǎo)致的電壓降)。本實(shí)施例中形成的金屬隔離墻105同時(shí)與陰極電極接觸導(dǎo)通，可降低陰極電極的電阻，有效防止或者減輕由于陰極電極較薄而導(dǎo)致的ir壓降問(wèn)題，而在電阻降低的前提下可以使陰極電極做的更薄，有利于提高透光率。

本發(fā)明實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，通過(guò)在像素區(qū)周圍形成金屬隔離墻，并在蓋板上對(duì)應(yīng)位置形成焊接金屬層，最后通過(guò)熱壓焊接的方式實(shí)現(xiàn)蓋板和基板封合，將像素區(qū)的oled器件密封在金屬隔離墻內(nèi)，有效保護(hù)oled器件不受水汽和氧氣的影響，提高了封裝效果。

上述實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，由于封裝位置處于顯示區(qū)，在基板和蓋板的四周可以不用再進(jìn)行frit(玻璃粉)封裝，可以降低屏體邊框尺寸，實(shí)現(xiàn)窄邊框顯示，甚至無(wú)邊框顯示；且由于可減少激光熔融frit漿料的制程，也不會(huì)出現(xiàn)使用激光熔融frit的高溫?fù)p壞屏體外圍的走線及電路的問(wèn)題。

上述實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，用于封裝的金屬隔離墻同時(shí)起到支撐蓋板的作用，保證蓋板受力平衡而無(wú)凹陷，可降低牛頓環(huán)現(xiàn)象。

上述實(shí)施例提供的oled顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，金屬隔離墻還同時(shí)與oled器件中的陰極電極電性連接，金屬隔離墻可作為陰極電極的互連線，可提高陰極電極的導(dǎo)電性，降低陰極電極的電阻壓降。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。