技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種多層陶瓷電子組件、其制造方法和具有其的電路板，所述多層陶瓷電子組件具有低的等效串聯(lián)電阻以及優(yōu)異的可靠性和耐久性。
背景技術(shù)：
：使用陶瓷材料的電子組件(諸如電容器、電感器、壓電元件、壓敏電阻、熱敏電阻等)包括由陶瓷材料形成的陶瓷主體、形成在陶瓷主體中的內(nèi)電極以及安裝在陶瓷主體的表面上以連接到內(nèi)電極的外電極。在陶瓷電子組件中，多層陶瓷電容器包括多個(gè)堆疊的介電層、設(shè)置為彼此面對(duì)并且具有各個(gè)介電層置于其間的內(nèi)電極以及電連接到內(nèi)電極的外電極。另外，多層陶瓷電容器已經(jīng)被有效地用作設(shè)置在大規(guī)模集成(LSI)方式的電源電路中的旁通電容器。在這種情況下，多層陶瓷電容器需有效地去除高頻噪聲以用作旁通電容器。隨著電子裝置的高頻化傾向，這種需求也隨之增加。用作旁通電容器的多層陶瓷電容器可通過焊料電連接到電路板的安裝焊盤，安裝焊盤可通過板中的布線圖案或?qū)щ娺^孔連接到其它外部電路。多層陶瓷電容器除了具有電容成分之外，還具有等效串聯(lián)電阻(ESR)成分和等效串聯(lián)電感(ESL)成分。這些ESR成分和ESL成分會(huì)阻礙多層陶瓷電容器用作旁通電容器。因此，需要開發(fā)具有低的等效串聯(lián)電阻(ESR)值的多層陶瓷電容器。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本公開的一方面可提供一種多層陶瓷電子組件、其制造方法和具有其的 電路板，所述多層陶瓷電子組件具有低的等效串聯(lián)電阻以及優(yōu)異的可靠性和耐久性。根據(jù)本公開的一方面，可提供一種多層陶瓷電子組件、制造其的方法和具有其的電路板，所述多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體和外電極，所述陶瓷主體包括介電層和內(nèi)電極，外電極包括基礎(chǔ)電極層和設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上的樹脂電極層。樹脂電極層可設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上，但可使基礎(chǔ)電極層部分地暴露，而非完全覆蓋基礎(chǔ)電極層，從而可減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻。在基礎(chǔ)電極層中，基礎(chǔ)電極層的其上未形成樹脂電極層的暴露區(qū)域的寬度可比陶瓷主體的其上形成有基礎(chǔ)電極層的暴露的區(qū)域的外表面的寬度窄，從而多層陶瓷電子組件可具有改善的抗彎強(qiáng)度。基礎(chǔ)電極層的未形成樹脂電極層的邊緣的一部分可被暴露，從而可減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻，基礎(chǔ)電極層的邊緣的剩余區(qū)域可被樹脂電極層覆蓋，從而多層陶瓷電子組件可具有改善的耐潮性、可靠性和抗彎強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的一方面，可提供一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層以及置于介電層之間的內(nèi)電極，陶瓷主體具有在第一方向上彼此背對(duì)的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此背對(duì)的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此背對(duì)的第五表面和第六表面；基礎(chǔ)電極層，設(shè)置在陶瓷主體上，并包括連接到內(nèi)電極的主體部和從主體部延伸的延伸部；樹脂電極層，設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上，同時(shí)使基礎(chǔ)電極層的延伸部的端部暴露，其中，延伸部的寬度比陶瓷主體的其上設(shè)置有延伸部的表面的寬度窄，在與延伸部的寬度方向平行的方向上測(cè)量陶瓷主體的表面的寬度。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可提供一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：六面體形狀的陶瓷主體，具有六個(gè)外表面，并包括介電層以及置于介電層之間的內(nèi)電極；兩個(gè)外電極，包括基礎(chǔ)電極層以及設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上的樹脂電極層，所述基礎(chǔ)電極層設(shè)置在陶瓷主體的六個(gè)外表面中彼此背對(duì)的兩個(gè)外表面上并覆蓋陶瓷主體的四個(gè)剩余外表面中的至少一個(gè)表面，基礎(chǔ)電極層連接到內(nèi)電極，其中，樹脂電極層中的每個(gè)樹脂電極層覆蓋基礎(chǔ)電極層中的相應(yīng)的一個(gè)基礎(chǔ)電極層的邊緣的一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可提供一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層以及置于介電層之間的內(nèi)電極；外電極，包括設(shè)置在陶瓷主體上并連接到內(nèi)電極的基礎(chǔ)電極層、設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上的樹脂電極層以及設(shè)置在樹脂電極層上的鍍層，其中，基礎(chǔ)電極層包括主體部以及具有分別從主體部延伸的端部的等效串聯(lián)電阻(ESR)減小部，所述端部設(shè)置在未形成樹脂電極層的區(qū)域中以使ESR減小部直接與鍍層接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可提供一種制造多層陶瓷電子組件的方法，所述方法包括：形成陶瓷主體，陶瓷主體包括內(nèi)電極和介電層；形成基礎(chǔ)電極層，基礎(chǔ)電極層包括連接到內(nèi)電極的主體部以及在陶瓷主體的表面上從主體部延伸的延伸部；在除了基礎(chǔ)電極層的延伸部的端部之外的基礎(chǔ)電極層上形成樹脂電極層，其中，基礎(chǔ)電極層的形成包括涂敷主體部電極膏以及涂敷延伸部電極膏以連接到主體部電極膏。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可提供一種具有多層陶瓷電子組件的電路板，所述具有多層陶瓷電子組件的電路板包括：印刷電路板，印刷電路板上設(shè)置有電極焊盤；以上所述的多層陶瓷電子組件，安裝在印刷電路板上；焊料，分別使電極焊盤和多層陶瓷電子組件彼此連接。附圖說明通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)將會(huì)被更清楚地理解，在附圖中：圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的透視圖；圖2是沿圖1的A-A'線截取的剖視圖；圖3是沿圖1的B-B'線截取的剖視圖；圖4A至圖4C是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的陶瓷主體和基礎(chǔ)電極層的平面圖；圖5A和圖5B是示意性地示出多層陶瓷電子組件的透視圖以示出基礎(chǔ)電極層的修改示例；圖6是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的透視圖；圖7是沿圖6的C-C'線截取的剖視圖；圖8是沿圖6的D-D'線截取的剖視圖；圖9是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電子組件的方法的流程圖；圖10是示出其上安裝有根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的電路板的透視圖；圖11是沿圖10的E-E'線截取的剖視圖；圖12A是示出對(duì)比示例中多層陶瓷電子組件的彎曲耐久性測(cè)試結(jié)果的曲線圖；圖12B是示出在根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件中根據(jù)W1/W2的彎曲耐久性測(cè)試結(jié)果的曲線圖；圖13是示出評(píng)估抗彎強(qiáng)度特性的方法的示圖。具體實(shí)施方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例。然而，本公開可按照許多不同的形式來實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。確切地說，這些實(shí)施例被提供為使得本公開將是徹底的和完整的，且將本公開的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大元件的形狀和尺寸，并將始終使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或相似的元件。多層陶瓷電子組件根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件可包括陶瓷主體和外電極。陶瓷主體包括介電層和內(nèi)電極，外電極可包括連接到內(nèi)電極的基礎(chǔ)電極層和設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上的樹脂電極層。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，樹脂電極層設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上，但可部分地暴露基礎(chǔ)電極層，而不是完全覆蓋基礎(chǔ)電極層。樹脂電極層可形成在基礎(chǔ)電極層上，以覆蓋基礎(chǔ)電極層的邊緣的一部分，但不形成在基礎(chǔ)電極層的邊緣的剩余部分上。基礎(chǔ)電極層的邊緣的未形成樹脂電極層的部分可被暴露，從而可減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻，同時(shí)基礎(chǔ)電極層的邊緣的剩余區(qū)域被樹脂電極層覆蓋，從而可改善多層陶瓷電子組件的防潮性和可靠性以及其抗彎強(qiáng) 度?？箯潖?qiáng)度指的是在多層陶瓷電子組件中發(fā)生彎曲現(xiàn)象時(shí)，多層陶瓷電子組件可忍受施加到其的彎曲力而不產(chǎn)生損壞或裂紋的程度(在下文中，稱為“抗彎強(qiáng)度”)。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，外電極還可包括設(shè)置在樹脂電極層上的鍍層。鍍層可被設(shè)置為直接連接到基礎(chǔ)電極層的未形成有樹脂電極層的暴露的區(qū)域。樹脂電極層可被設(shè)置為使得基礎(chǔ)電極層的邊緣的第一區(qū)域可被暴露并使得基礎(chǔ)電極層的邊緣的第二區(qū)域可被樹脂電極層覆蓋。第一區(qū)域不受具體限制，但第一區(qū)域指的是基礎(chǔ)電極層的邊緣的一部分，第二區(qū)域指的是基礎(chǔ)電極層的邊緣的剩余區(qū)域。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，基礎(chǔ)電極層的其上未形成有樹脂電極層的部分可被暴露，從而電流可從外部流到內(nèi)電極，而不流經(jīng)具有比基礎(chǔ)電極層的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率的樹脂電極層。因此，可減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻(ESR)。此外，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，樹脂電極層可覆蓋基礎(chǔ)電極層的邊緣的第二區(qū)域，因此基礎(chǔ)電極層的邊緣具有暴露的部分，從而可確保預(yù)定水平或更高水平的抗彎強(qiáng)度特性。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，基礎(chǔ)電極層可包括主體部以及從主體部延伸的延伸部。這里，樹脂電極層可不形成在延伸部的部分上，以減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，延伸部可用作ESR減小部。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可提供具有相對(duì)低的等效串聯(lián)電阻以及優(yōu)異的耐久性和可靠性的多層陶瓷電子組件。此外，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可提供具有優(yōu)異的抗彎強(qiáng)度的多層陶瓷電子組件。另外，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可提供制造多層陶瓷電子組件的方法和具有該多層陶瓷電子組件的電路板。在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的示例性實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的透視圖。圖2是沿圖1的A-A'線截取的剖視圖，圖3是沿圖1的B-B'線截取的剖視圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件100可包括陶瓷主體110以及外電極131和132。外電極131和132可包括第一外電極131和第二外電極132。陶瓷主體110的形狀不受具體限制，但可以是如圖中示出的六面體形狀。在燒結(jié)片(chip)時(shí)，由于陶瓷粉末的燒結(jié)收縮，陶瓷主體110可能不具有帶有完全呈直線的完美的六面體形狀，但大體上可具有六面體形狀。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，陶瓷主體110可具有在第一方向(y方向)上彼此背對(duì)的第一表面1和第二表面2、在第二方向(z方向)上彼此背對(duì)并使第一表面和第二表面彼此連接的第三表面3和第四表面4以及在第三方向(x方向)上彼此背對(duì)并使第一表面和第二表面彼此連接的第五表面5和第六表面6。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一方向(y方向)可以是設(shè)置在陶瓷主體中的介電層和內(nèi)電極堆疊的方向。如圖2(多層陶瓷電子組件的剖視圖)所示，陶瓷主體110可包括多個(gè)介電層111以及設(shè)置在介電層111上的內(nèi)電極121和122。內(nèi)電極可包括第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極可具有施加到其的相反的極性的電壓。陶瓷主體110可包括：有源層，作為對(duì)電容形成做出貢獻(xiàn)的部分；上覆蓋層和下覆蓋層，分別形成在有源層的上部和下部上，作為上邊緣部和下邊緣部。有源層可包括介電層111以及內(nèi)電極121和122，多個(gè)第一內(nèi)電極121和多個(gè)第二內(nèi)電極122可交替地形成，并且各個(gè)介電層111置于多個(gè)第一內(nèi)電極121和多個(gè)第二內(nèi)電極122之間。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一方向(y方向，陶瓷主體的厚度方向)指的是具有各個(gè)介電層置于其間的內(nèi)電極堆疊的方向，第二方向(z方向)指的是陶瓷主體的寬度方向，第三方向(x方向)指的是陶瓷主體的長(zhǎng)度方向。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，陶瓷主體110可形成為在長(zhǎng)度方向上比在寬度方向或厚度方向上長(zhǎng)。構(gòu)成陶瓷主體110的多個(gè)介電層111可呈燒結(jié)態(tài)，這里，相鄰的介電層可彼此一體，使得相鄰的介電層之間的邊界在不使用掃描電子顯微鏡(SEM)的情況下不容易被識(shí)別出來。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122(具有相 反極性的一對(duì)電極)可通過在介電層111上印刷含有導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電膏至預(yù)定厚度來形成，并可通過設(shè)置在它們之間的介電層111彼此電絕緣。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一內(nèi)電極121可暴露于陶瓷主體的第五表面，第二內(nèi)電極122可暴露于陶瓷主體的第六表面。此外，包含在第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的導(dǎo)電金屬可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)或者它們的合金，但本公開不限于此。介電層111可包含具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末，例如，碳酸鋇(BaTiO3)基粉末或者鈦酸鍶(SrTiO3)基粉末，但本公開不限于此。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可通過其的暴露于陶瓷主體110的第五表面5和第六表面6的部分分別電連接到第一外電極131和第二外電極132。因此，當(dāng)向第一外電極131和第二外電極132施加電壓時(shí)，電荷積聚在彼此面對(duì)的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間。在這種情況下，多層陶瓷電子組件100的電容可與第一內(nèi)電極121與第二內(nèi)電極122之間的重疊的區(qū)域的面積成比例。除了在其中不包括內(nèi)電極，上覆蓋層和下覆蓋層的材料和構(gòu)造可與介電層111的材料和構(gòu)造相同。上覆蓋層和下覆蓋層可通過分別在有源層的上表面和下表面上沿豎直方向堆疊一個(gè)或更多個(gè)介電層來形成，并可用于防止內(nèi)電極121和122受到物理應(yīng)力或化學(xué)應(yīng)力而損壞。第一外電極131可電連接到第一內(nèi)電極121，第二外電極132可電連接到第二內(nèi)電極122。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一外電極131可包括基礎(chǔ)電極層131a和樹脂電極層131b，第二外電極132可包括基礎(chǔ)電極層132a和樹脂電極層132b?；A(chǔ)電極層131a和132a可分別直接連接到第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，以確保外電極與內(nèi)電極之間的電連接。基礎(chǔ)電極層131a和132a可包含導(dǎo)電金屬，導(dǎo)電金屬可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或者它們的合金，但本公開不限于此?；A(chǔ)電極層131a和132a可以是通過燒結(jié)含有導(dǎo)電金屬的膏而形成的燒結(jié)式電極。詳細(xì)地講，基礎(chǔ)電極層131a和132a可通過燒結(jié)包含玻璃以及作為導(dǎo)電金屬的銅的膏來形成。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，樹脂電極層131b和132b可分別設(shè)置在基礎(chǔ) 電極層131a和132a上，但不形成在基礎(chǔ)電極層131a和132a的將要被暴露的部分上。樹脂電極層131b和132b可形成在基礎(chǔ)電極層131a和132a上，使得基礎(chǔ)電極層131a和132a的邊緣的其上未形成有樹脂電極層的部分被暴露，基礎(chǔ)電極層131a和132a的邊緣的剩余部分被樹脂電極層131b和132b覆蓋。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，基礎(chǔ)電極層131a和132a以及樹脂電極層131b和132b可從陶瓷主體的第五表面和第六表面延伸至第一表面至第四表面中的至少一個(gè)表面。例如，基礎(chǔ)電極層131a和132a以及樹脂電極層131b和132b可從第五表面和第六表面延伸至覆蓋第一表面至第四表面的部分表面。然而，即使在基礎(chǔ)電極層131a和132a以及樹脂電極層131b和132b延伸至第一表面和第二表面或者第三表面和第四表面的情況下，樹脂電極層131b和132b也可覆蓋基礎(chǔ)電極層131a和132a的邊緣的一部分，同時(shí)使其邊緣的區(qū)域部分地暴露。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，基礎(chǔ)電極層131a和132a不完全被樹脂電極層131b和132b覆蓋，而是被部分地暴露，從而電流可從外部流到內(nèi)電極121和122，而不流經(jīng)樹脂電極層131b和132b。在以樹脂電極層完全覆蓋基礎(chǔ)電極層的方式制造多層陶瓷電子組件的情況下，電流流經(jīng)樹脂電極層來形成外部電連接。樹脂電極層131b和132b可包含用于確保導(dǎo)電性的導(dǎo)電粉末和用于吸收沖擊的基礎(chǔ)樹脂。在樹脂電極層包含基礎(chǔ)樹脂的情況下，可改善在發(fā)生彎曲時(shí)多層陶瓷電子組件抵抗外部應(yīng)力的耐久性，但與不包含基礎(chǔ)樹脂的電極相比，樹脂電極層具有相對(duì)高的比電阻值，從而會(huì)增大多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻(ESR)。然而，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，在樹脂電極層131b和132b被設(shè)置為使得基礎(chǔ)電極層131a和132a不被完全覆蓋而是使基礎(chǔ)電極層131a和132a的邊緣的一部分被暴露的情況下，電流可不流經(jīng)樹脂電極層131b和132b，而是可從內(nèi)電極121和122通過基礎(chǔ)電極層131a和132a向外流動(dòng)。在電流可流經(jīng)的路徑的數(shù)量多的情況下，由于電流主要流經(jīng)比電阻相對(duì)小的路徑，因此根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，電流不會(huì)流經(jīng)樹脂電極層，而是可通過基礎(chǔ)電極層131a和132a的暴露的邊緣流動(dòng)，從而可將外部電流施加到內(nèi)電極121和122。例如，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，電流可經(jīng)由內(nèi)電極、隨后經(jīng)由基礎(chǔ)電極層向外部流動(dòng)，因此，可防止等效串聯(lián)電阻因樹脂電極層而增大。例如，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，當(dāng)樹脂電極層形成在基礎(chǔ)電極層的一部分上以使基礎(chǔ)電極層被部分地暴露時(shí)，由于可減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻，因此可增大樹脂電極層的導(dǎo)電粉末的含量的自由度。例如，在需要進(jìn)一步改善多層陶瓷電子組件的沖擊吸收效率的情況下，可增加包含在樹脂電極層中的基礎(chǔ)樹脂的含量并可減少導(dǎo)電粉末的含量。樹脂電極層131b和132b可包含熱固性聚合物，例如，環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂或者它們的混合物，但不限于此。樹脂電極層131b和132b可包含作為導(dǎo)電粉末的金屬粉末。例如，樹脂電極層131b和132b可包含銀(Ag)、銅(Cu)、鎳等。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，如圖1所示，基礎(chǔ)電極層131a可包括連接到內(nèi)電極的主體部31和從主體部延伸的延伸部31'，基礎(chǔ)電極層132a可包括連接到內(nèi)電極的主體部32和從主體部延伸的延伸部32'。樹脂電極層131b和132b可設(shè)置為使得延伸部31'和32'的端部暴露。例如，樹脂電極層131b和132b可被設(shè)置為完全覆蓋主體部31和32以及延伸部31'和32'的鄰近于主體部31和32的部分，并設(shè)置為使延伸部31'和32'的剩余部分(例如，包括延伸部的端部)暴露。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，主體部31和32可設(shè)置在陶瓷主體的第五表面和第六表面上并可連接到內(nèi)電極的暴露的端部。主體部31和32可從第五表面和第六表面延伸到陶瓷主體110的第一表面至第四表面中的至少一個(gè)表面。延伸部31'和32'可從主體部31和32延伸，并可設(shè)置在陶瓷主體110的外表面上。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，延伸部31'和32'可分別設(shè)置在陶瓷主體110的第一表面至第四表面中的至少一個(gè)表面上，并分別從主體部31和32沿陶瓷主體110的長(zhǎng)度方向(x方向)延伸?？赏ㄟ^將陶瓷主體110的第五表面和第六表面浸漬在用于形成基礎(chǔ)電極層的膏中的方法來形成主體部31和32，并可通過浸漬深度來調(diào)整主體部31和32的延伸到陶瓷主體110的第一表面至第四表面的程度。可通過在陶瓷主體110的外表面上印刷用于形成基礎(chǔ)電極層的膏并連接 到主體部31和32來形成延伸部31'和32'。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，延伸部的寬度可形成為比主體部的寬度窄。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，延伸部的寬度可形成為比陶瓷主體110的其上設(shè)置有延伸部的外表面的寬度窄。可沿與延伸部的寬度方向平行的方向測(cè)量陶瓷主體110的其上設(shè)置有延伸部的外表面的寬度，延伸部的寬度方向可以是與延伸部所延伸的方向垂直的方向?？裳嘏c延伸部所延伸的方向垂直的方向測(cè)量延伸部的寬度。例如，當(dāng)延伸部設(shè)置在陶瓷主體110的第一表面上時(shí)，設(shè)置在陶瓷主體110的第一表面上的延伸部的寬度可形成為比陶瓷主體110的沿與延伸部的寬度方向平行的方向測(cè)量的第一表面的寬度窄。此外，當(dāng)延伸部設(shè)置在陶瓷主體110的第二表面上時(shí)，設(shè)置在陶瓷主體110的第二表面上的延伸部的寬度可形成為比陶瓷主體110的沿與延伸部的寬度方向平行的方向測(cè)量的第二表面的寬度窄。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，延伸部的其上未形成有樹脂電極層的暴露區(qū)域的寬度可比陶瓷主體110的其上設(shè)置有延伸部的外表面的寬度窄，從而可減小多層陶瓷電子組件的等效串聯(lián)電阻，并可通過減小基礎(chǔ)電極層的面積來改善抗彎強(qiáng)度。在不單獨(dú)地形成延伸部而是通過在形成主體部時(shí)增大浸漬深度來使主體部延伸到將要設(shè)置延伸部的端部時(shí)的區(qū)域的情況下，由于增大了基礎(chǔ)電極層的面積而導(dǎo)致不能確保抗彎強(qiáng)度，并且會(huì)使基礎(chǔ)電極層形成的較厚。然而，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，當(dāng)延伸部的寬度形成為比陶瓷主體110的其上設(shè)置有延伸部的外表面的寬度窄時(shí)，可確?？箯潖?qiáng)度。此外，在與主體部單獨(dú)地形成延伸部的情況下，可解決基礎(chǔ)電極層的厚度增大的問題。圖2是沿穿過圖1中設(shè)置有延伸部的區(qū)域的A-A'線截取的剖視圖，圖3是沿穿過圖1中未設(shè)置延伸部的區(qū)域的B-B'線截取的剖視圖。參照?qǐng)D2(其上設(shè)置有延伸部的區(qū)域的截面圖)，延伸部的其上未形成樹脂電極層的端部可被暴露。換言之，基礎(chǔ)電極層的其上未形成樹脂電極層的邊緣可被暴露。參照?qǐng)D3(其上未設(shè)置延伸部的區(qū)域的截面圖)，可確定基礎(chǔ)電極層的邊緣被樹脂電極層覆蓋。樹脂電極層覆蓋基礎(chǔ)電極層的其中未設(shè)置延伸部的區(qū) 域的邊緣，從而可改善多層陶瓷電子組件的抗彎強(qiáng)度。圖4A是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的陶瓷主體110和基礎(chǔ)電極層的平面圖。參照?qǐng)D4A，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，當(dāng)將延伸部的寬度定義為W1、將在與延伸部的寬度方向平行的方向上測(cè)量的陶瓷主體110的其上設(shè)置有延伸部的一個(gè)表面的寬度定義為W2時(shí)，W1/W2可滿足W1/W2≤0.5。詳細(xì)地講，延伸部的寬度W1可以為1μm或更大。W1可指沿延伸部的寬度方向測(cè)量的延伸部的未形成樹脂電極層的暴露區(qū)域的最寬寬度。在W1小于1μm的情況下，減小等效串聯(lián)電阻(ESR)的效果會(huì)不顯著，在W1/W2大于0.5的情況下，會(huì)劣化抗彎強(qiáng)度特性，從而會(huì)使彎曲裂紋的產(chǎn)生增多。延伸部的未形成樹脂電極層的暴露區(qū)域的長(zhǎng)度可以為1μm或更大?？裳匮由觳克由斓姆较驕y(cè)量延伸部的長(zhǎng)度。圖4B和圖4C是示出多層陶瓷電子組件的陶瓷主體110和基礎(chǔ)電極層的平面圖，以示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的延伸部的形狀的修改示例。參照?qǐng)D4B，延伸部31'和32'可分別具有其寬度在延伸部從主體部31和32所延伸的方向上增大的形狀。參照?qǐng)D4C，延伸部31'和32'可分別具有其寬度在延伸部從主體部31和32所延伸的方向上減小的形狀。圖5A和圖5B是示意性地示出多層陶瓷電子組件的透視圖以示出基礎(chǔ)電極層的修改示例。延伸部可設(shè)置在陶瓷主體110的在厚度方向上彼此背對(duì)的第一表面和第二表面中的至少一個(gè)表面上(如圖1所示)。例如，延伸部可設(shè)置在陶瓷主體110的第一表面和第二表面上。可選地，延伸部可設(shè)置在陶瓷主體110的在寬度方向上彼此背對(duì)的第三表面和第四表面中的至少一個(gè)表面上(如圖5A所示)。例如，延伸部可設(shè)置在第三表面和第四表面上?？蛇x地，延伸部可分別設(shè)置在陶瓷主體110的第一表面至第四表面上(如圖5B所示)。圖6是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的透視圖。圖7是沿圖6的C-C'線截取的剖視圖，圖8是沿圖6的D-D'線截取的剖視圖。參照?qǐng)D6，根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件可包括陶瓷主體110以及外電極131和132。第一外電極131和第二外電極132還可包括設(shè)置在根據(jù)本公開的前述示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的第一外電極和第二外電極的樹脂電極層上的鍍層。參照?qǐng)D7和圖8，根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的第一外電極131可包括基礎(chǔ)電極層131a、形成為使得基礎(chǔ)電極層131a的邊緣的部分暴露的樹脂電極層131b、以及鍍層131c，第二外電極132可包括第一外電極132a、形成為使得基礎(chǔ)電極層132a的邊緣的部分暴露的樹脂電極層132b、以及鍍層132c。在描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件時(shí)，將省略與根據(jù)本公開的前述示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的描述重復(fù)的描述，以下將主要描述它們之間的區(qū)別。鍍層131c和132c可分別形成在樹脂電極層131b和132b上并設(shè)置為與基礎(chǔ)電極層131a和132a的其上未形成樹脂電極層的暴露的區(qū)域直接接觸。因此，基礎(chǔ)電極層131a和鍍層131c可彼此電連接，基礎(chǔ)電極層132a和鍍層132c可彼此電連接。鍍層131c和132c可被設(shè)置為分別覆蓋延伸部31'和32'的其上未形成樹脂電極層131b和132b的端部。鍍層131c和132c可形成為完全覆蓋樹脂電極層131b和132b以及基礎(chǔ)電極層131a和132a的其上未形成樹脂電極層131b和132b的區(qū)域的部分。例如，當(dāng)形成鍍層131c和132c時(shí)，電流可流經(jīng)從內(nèi)電極通過基礎(chǔ)電極層和鍍層到達(dá)外部的路徑，與本公開的上述示例性實(shí)施例相似，可通過樹脂電極層防止等效串聯(lián)電阻的增大。鍍層131c和132c可包含鎳(Ni)或錫(Sn)，但不限于此。鍍層131c和132c可由雙層構(gòu)成。例如，鎳(Ni)鍍層可形成在樹脂電極層上，錫(Sn)鍍層可形成在鎳(Ni)鍍層上，但本公開不限于此。制造多層陶瓷電子組件的方法根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例，提供一種制造多層陶瓷電子組件的方法。圖9是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電子組件的方法的流程圖。參照?qǐng)D9，根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：形成陶瓷主體(S1)；在陶瓷主體的外表面上形成基礎(chǔ)電極層(S2)；在基礎(chǔ)電極層上形成樹脂電極層(S3)。在下文中，將描述根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電子組件的方法，但本公開不限于此。在描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電子組件的方法中，將省略與根據(jù)本公開的上述示例性實(shí)施例的描述重復(fù)的描述。在形成陶瓷主體時(shí)，可將包含粉末(諸如碳酸鋇(BaTiO3)粉末)的漿料涂敷到載體膜上，并使其干燥，以制備多個(gè)陶瓷生片，從而形成介電層和覆蓋層?？赏ㄟ^以下方法來制造陶瓷生片：將陶瓷粉末、粘結(jié)劑和溶劑彼此混合以制備漿料，使用制備好的漿料通過刮刀法制造具有幾微米厚度的生片。接下來，可制備包含導(dǎo)電粉末的內(nèi)電極導(dǎo)電膏。在將內(nèi)電極導(dǎo)電膏通過絲網(wǎng)印刷方法涂敷到生片上以形成內(nèi)電極之后，可堆疊印刷有內(nèi)電極的多個(gè)生片，可在堆疊件的上表面和下表面上堆疊未印刷內(nèi)電極的多個(gè)生片，然后對(duì)其進(jìn)行燒結(jié)，從而制造陶瓷主體。陶瓷主體可包括內(nèi)電極、介電層和覆蓋層，這里，通過燒結(jié)其上印刷有內(nèi)電極的生片，可使介電層形成為具有形成在其上的內(nèi)電極，通過燒結(jié)未形成內(nèi)電極的生片，形成覆蓋層。然后，基礎(chǔ)電極層可形成在陶瓷主體的外表面上，以電連接到內(nèi)電極。在形成基礎(chǔ)電極層時(shí)，可將陶瓷主體的使內(nèi)電極暴露的第三表面和第四表面浸漬到用于形成基礎(chǔ)電極層的膏中以在其上形成主體部31和32。然后，為了形成延伸部31'和32'，可將用于形成基礎(chǔ)電極層的膏另外地涂敷到陶瓷主體的外表面并連接到為了形成主體部31和32而涂敷的膏，然后可燒結(jié)用于形成基礎(chǔ)電極層的膏，從而可形成基礎(chǔ)電極層?？墒褂糜∷⒂糜谛纬苫A(chǔ)電極層的膏的工藝在陶瓷主體的外表面上執(zhí)行用于形成延伸部的膏的涂敷?？赏ㄟ^燒結(jié)包含導(dǎo)電金屬和玻璃的膏來形成基礎(chǔ)電極層。導(dǎo)電金屬不受具體限制，但可以是例如從由銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)和它們的合金組成的組中選擇的一種或更多種，更詳細(xì)地講，導(dǎo)電金屬可包含銅(Cu)。玻璃不受具體限制，但可以是具有與用于形成根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層陶瓷電子組件的外電極的玻璃的成分相同的成分的材料。接下來，可通過將樹脂成分涂敷到基礎(chǔ)電極層上，然后對(duì)其進(jìn)行固化來形成樹脂電極層。樹脂成分可包含導(dǎo)電粉末和基礎(chǔ)樹脂，這里，基礎(chǔ)樹脂可以是環(huán)氧樹脂、熱固性樹脂，但不限于此。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，由于延伸部的寬度形成為比主體部的寬度窄，因此可通過將其上形成有基礎(chǔ)電極層的陶瓷主體浸漬在樹脂成分中來涂敷樹脂成分。此外，制造多層陶瓷電子組件的方法還可包括：在形成樹脂電極層之后，在樹脂電極層上形成鍍層(S4)，鍍層可包括鎳鍍層以及形成在鎳鍍層上的錫鍍層。具有電子組件的電路板200根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，提供一種具有根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例或另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的電路板。圖10是示出其上安裝有根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的電路板的透視圖。圖11是沿圖10的E-E'線截取的剖視圖。參照?qǐng)D10和圖11，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的具有電子組件的電路板可包括：印刷電路板210，其上形成有第一電極焊盤221和第二電極焊盤222；多層陶瓷電子組件100，安裝在印刷電路板210上。在這種情況下，在第一外電極131和第二外電極132分別位于第一電極焊盤221和第二電極焊盤222上以彼此接觸的狀態(tài)下，多層陶瓷電子組件100可通過焊料230電連接到印刷電路板210。為避免重復(fù)描述，將省略與根據(jù)本公開的上述示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的描述重復(fù)的具有多層陶瓷電子組件的電路板的描述。試驗(yàn)示例圖12A是示出包括其中樹脂電極層未涂敷在基礎(chǔ)電極層上的外電極的多 層陶瓷電子組件(對(duì)比示例1)、包括其中樹脂電極層被設(shè)置為完全覆蓋基礎(chǔ)電極層的外電極的多層陶瓷電子組件(對(duì)比示例2)以及包括其中樹脂電極層被設(shè)置為使基礎(chǔ)電極層的整個(gè)邊緣暴露的外電極的多層陶瓷電子組件(對(duì)比示例3)的鍍覆片的抗彎強(qiáng)度測(cè)試結(jié)果的曲線圖。在對(duì)比示例1至3中，外電極從陶瓷主體的在陶瓷主體的長(zhǎng)度方向上彼此背對(duì)的兩個(gè)表面延伸到陶瓷主體的在陶瓷主體的厚度方向上彼此背對(duì)的兩個(gè)表面的部分，并延伸到陶瓷主體的在陶瓷主體的寬度方向上彼此背對(duì)的兩個(gè)表面的部分，基礎(chǔ)電極層以僅包括主體部而不包括延伸部的方式來形成。圖12B是示出在根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件中根據(jù)延伸部的寬度W1與陶瓷主體110的其上設(shè)置有延伸部31'和32'的外面的寬度W2的比值(W1/W2)的抗彎強(qiáng)度測(cè)試結(jié)果的曲線圖。通過圖13中示出的方法測(cè)量抗彎強(qiáng)度特性。如圖13所示，其上安裝有多層陶瓷電子組件的板210被設(shè)置為使得多層陶瓷電子組件100面對(duì)地面，包括能夠容納多層陶瓷電子組件的容納槽的支撐件400設(shè)置在板的下方。設(shè)置在支撐件400中的槽的寬度D1大約為8cm。另外，可通過將電容測(cè)量裝置500(電容測(cè)量設(shè)備)連接到支撐件的兩端來實(shí)時(shí)測(cè)量電容，從而可確定多層陶瓷電子組件的電容的減小。使用具有1608尺寸(長(zhǎng)度×寬度×厚度：大約1.6mm×0.8mm×0.8mm)的多層陶瓷電子組件作為多層陶瓷電子組件。多層陶瓷電子組件100位于支撐件400的中央部分，將壓力施加到板210的與多層陶瓷電子組件的位置相對(duì)應(yīng)的位置的上表面，從而板210向下彎曲了彎曲量D2，這表現(xiàn)在圖12A和圖12B的橫軸上。在這種情況下，每當(dāng)多層陶瓷電子組件下降1mm，使多層陶瓷電子組件在這種狀態(tài)下保持5秒，再次下降并保持，直到最后深度。在如上所述的工藝過程中連續(xù)地測(cè)量多層陶瓷電子組件的電容，使得當(dāng)基于初始電容的電容改變率為±10％或更大時(shí)，判斷為有缺陷的電容。圖12A和圖12B的縱軸表示未出現(xiàn)缺陷的多層陶瓷電子組件的比率(合格率(survivalrate)％)。參照?qǐng)D12A，在未設(shè)置樹脂電極層的對(duì)比示例1的情況下，合格率最低，在涂敷樹脂電極層以完全覆蓋基礎(chǔ)電極層的對(duì)比示例2的情況下，合格率最高。然而，在對(duì)比示例2的情況下，存在等效串聯(lián)電阻相對(duì)高的問題。參照?qǐng)D12B，在W1/W2為0.5的情況下，與對(duì)比示例1和3相比，改善了彎曲耐久性性能。此外，在W1/W2為0.1或0.3的情況下，確保彎曲耐久性性能的水平與對(duì)比示例2(樹脂電極層覆蓋整個(gè)基礎(chǔ)電極層)的水平相似。在圖12B中示出的本公開的實(shí)施例的情況下，可以領(lǐng)會(huì)的是，包括其上未形成有樹脂電極層的延伸部31'和32'，使得等效串聯(lián)電阻減小，并且也確保了抗彎強(qiáng)度特性。下面的表1示出根據(jù)包括其中樹脂電極層未涂敷在基礎(chǔ)電極層上的外電極的多層陶瓷電子組件(試樣1)、包括其中樹脂電極層設(shè)置為完全覆蓋基礎(chǔ)電極層的外電極的多層陶瓷電子組件(試樣2)以及根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件(試樣3至試樣6)中的延伸部31'和32'的寬度W1的等效串聯(lián)電阻(ESR)測(cè)試結(jié)果。在試樣1至試樣6中，使用具有1608尺寸(長(zhǎng)度×寬度×厚度：大約1.6mm×0.8mm×0.8mm)的高電容多層陶瓷電子組件，除了外電極的形狀之外，在相同的條件下執(zhí)行測(cè)量。通過以下方法測(cè)量每個(gè)試樣的ESR：將多層陶瓷電子組件安裝在板上，將ESR測(cè)量裝置連接到板，然后確認(rèn)基于頻率的ESR變化，并以ESR最低時(shí)的數(shù)值作為基準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)量。[表1]試樣W1ESR(mΩ)評(píng)價(jià)1樹脂電極層未設(shè)置在基礎(chǔ)電極層上7.74OK2樹脂電極層覆蓋整個(gè)基礎(chǔ)電極層22.08NG30.1μm18.47NG41μm7.39OK510μm8.79OK6100μm7.35OK如表1所示，可以確定的是，在W1小于1μm(試樣3)的情況下，減小ESR的效果不明顯，在W1為1μm或更大(試樣4至6)的情況下，ERS實(shí)現(xiàn)與試樣1(樹脂電極層未形成在基礎(chǔ)電極層上)的水平相似的水平。如上所述，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可提供具有低的等效串聯(lián)電阻和優(yōu)異的耐久性的多層陶瓷電子組件、制造其的方法和具有其的板。另外，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可提供具有優(yōu)異的抗彎強(qiáng)度的多層陶瓷電子組件、制造其的方法和具有其的板。雖然已經(jīng)在上面示出和描述了示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出修改和變型。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3