薄膜晶體管基板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型是有關(guān)于一種薄膜晶體管基板，包括：一基板，且基板上方是依序設(shè)置多個(gè)薄膜晶體管單元、一絕緣層、一像素電極、以及一配向膜。其中，薄膜晶體管單元是設(shè)置于基板上且包括一柵極絕緣層、一主動(dòng)層、一源極及一漏極；絕緣層具有接觸孔以顯露薄膜晶體管單元的漏極；而像素電極是設(shè)置于絕緣層上且向接觸孔延伸以與漏極電性連接。其中，接觸孔的側(cè)壁在一第一方向上分別具有一第一傾斜部且在一第二方向上分別具有一第二傾斜部，第一方向與第二方向不同，且像素電極位于第一傾斜部的坡度與位于第二傾斜部的坡度不同。
【專利說明】
薄膜晶體管基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是關(guān)于一種薄膜晶體管基板，尤指一種可改善顯示面板漏光情形的薄膜晶體管基板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示器技術(shù)不斷進(jìn)步，所有的裝置均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發(fā)展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發(fā)展成液晶顯示設(shè)備。特別是，液晶顯示設(shè)備可應(yīng)用的領(lǐng)域相當(dāng)多，凡是日常生活中使用的手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、行動(dòng)導(dǎo)航裝置、電視等顯示設(shè)備，大多數(shù)均使用液晶顯示面板。
[0003]于現(xiàn)今所使用的液晶顯示面板中，主要結(jié)構(gòu)不外乎是通過設(shè)置于一薄膜晶體管基板上的薄膜晶體管單元控制液晶的轉(zhuǎn)動(dòng)，而達(dá)到顯示面板呈現(xiàn)亮暗態(tài)的功效。然而，于薄膜晶體管單元上的漏極接觸孔，卻會(huì)因光線在孔內(nèi)的反射，導(dǎo)致漏光的情形產(chǎn)生；而此漏光的情形卻是造成顯示面板顯示效果降低的因素之一。
[0004]因此，為了達(dá)到提升顯示面板顯示效果的目的，各家廠商無不積極開發(fā)一種可減少漏光的顯示面板，以符合消費(fèi)者對于顯示質(zhì)量的要求。據(jù)此，目前亟需發(fā)展一種薄膜晶體管基板，當(dāng)其應(yīng)用于顯示面板上時(shí)，可降低漏光的情形發(fā)生，而達(dá)到提升顯示質(zhì)量的目的。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的主要目的是在提供一種薄膜晶體管基板，其能減少以此所制備的顯示面板的漏光情形。
[0006]本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括:
[0007]一基板；
[0008]多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一柵極絕緣層、一主動(dòng)層、一源極及一漏極；
[0009]一絕緣層，設(shè)置于所述薄膜晶體管單元上具有多個(gè)接觸孔以分別顯露所述薄膜晶體管單元的該漏極；
[0010]一像素電極，設(shè)置于該絕緣層上且向所述接觸孔延伸以與該漏極電性連接；以及
[0011]一配向膜，覆蓋該像素電極；
[0012]其中所述接觸孔的側(cè)壁在一第一方向上分別具有一第一傾斜部且在一第二方向上分別具有一第二傾斜部，該第一方向與該第二方向不同，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度與位于至少一所述第二傾斜部的坡度不同。
[0013]其中該第一方向與該第二方向間的夾角介于85至90度之間。
[0014]其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于0至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于0至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度大于位于至少一所述第二傾斜部的坡度。
[0015]其中所述接觸孔分別具有一中間底部，該配向膜設(shè)于所述接觸孔中，且設(shè)于所述接觸孔的至少一所述中間底部的配向膜具有一多孔性結(jié)構(gòu)。
[0016]其中該多孔性結(jié)構(gòu)中的孔洞孔徑介于5011111至100011111之間。
[0017]其中該配向膜設(shè)于所述接觸孔中，且設(shè)于所述接觸孔的側(cè)壁上的該配向膜與設(shè)于該中間底部的該配向膜具有不同粗糙度。
[0018]其中該絕緣層的一絕緣層表面的延伸線于該第一方向及該第二方向上分別與位于所述接觸孔的該像素電極的一電極表面形成一第一接觸點(diǎn)及一第二接觸點(diǎn)，于該像素電極及該漏極間的一第一預(yù)定高度上位于所述第一傾斜部與所述第二傾斜部的該像素電極的該電極表面分別具有一第一相交點(diǎn)及一第二相交點(diǎn)，位于至少一所述第一傾斜部上的該像素電極的斜率為該第一接觸點(diǎn)與該第一相交點(diǎn)的連線，位于至少一所述第二傾斜部上的該像素電極的斜率為該第二接觸點(diǎn)與該第二相交點(diǎn)的連線，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部與至少一所述第二傾斜部的斜率不同。
[0019]其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于0至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于0至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的斜率大于位于至少一所述第二傾斜部的斜率。
[0020]其中于該像素電極及該漏極間的一第二預(yù)定高度上，且該第二預(yù)定高度與該第一預(yù)定高度不同，位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑與位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑不同。
[0021]其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于0至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于0至5度之間，且位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑均小于位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑。
[0022]其中該主動(dòng)層的材料為1以0。
[0023]本實(shí)用新型還提供一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括:
[0024]一基板；
[0025]多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一柵極絕緣層、一主動(dòng)層、一源極及一漏極；
[0026]一絕緣層，設(shè)置于該薄膜晶體管單元上具有多個(gè)接觸孔以分別顯露所述薄膜晶體管單元的該漏極；
[0027]—像素電極，設(shè)置于該絕緣層上且向所述接觸孔延伸以與該漏極電性連接；以及
[0028]一配向膜，覆蓋該像素電極；
[0029]其中所述接觸孔分別具有一中間底部，且設(shè)于至少一所述中間底部的該配向膜具有一多孔性結(jié)構(gòu)。
[0030]其中該多孔性結(jié)構(gòu)中的孔洞孔徑介于5011111至100011111之間。
[0031]其中該配向膜設(shè)于所述接觸孔中，且設(shè)于所述接觸孔的側(cè)壁上的該配向膜與設(shè)于該中間底部的該配向膜具有不同粗糙度。
[0032]其中所述接觸孔的側(cè)壁在一第一方向上分別具有一第一傾斜部且在一第二方向上分別具有一第二傾斜部，該第一方向與該第二方向不同，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度與位于至少一所述第二傾斜部的坡度不同。
[0033]其中該第一方向與該第二方向間的夾角介于85至90度之間。
[0034]其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于0至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于0至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度大于位于至少一所述第二傾斜部的坡度。
[0035]其中該絕緣層的一絕緣層表面的延伸線于該第一方向及該第二方向上分別與位于所述接觸孔的該像素電極的一電極表面形成一第一接觸點(diǎn)及一第二接觸點(diǎn)，于該像素電極及該漏極間的一第一預(yù)定高度上位于所述第一傾斜部與所述第二傾斜部的該像素電極的該電極表面分別具有一第一相交點(diǎn)及一第二相交點(diǎn)，位于至少一所述第一傾斜部上的該像素電極的斜率為該第一接觸點(diǎn)與該第一相交點(diǎn)的連線，位于至少一所述第二傾斜部上的該像素電極的斜率為該第二接觸點(diǎn)與該第二相交點(diǎn)的連線，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部與至少一所述第二傾斜部的斜率不同。
[0036]其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于0至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于0至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的斜率大于位于至少一所述第二傾斜部的斜率。
[0037]其中于該像素電極及該漏極間的一第二預(yù)定高度上，且該第二預(yù)定高度與該第一預(yù)定高度不同，位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑與位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑不同。
[0038]其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于0至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于0至5度之間，且位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑均小于與位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑。
[0039]其中該主動(dòng)層的材料為1以0。
[0040]本實(shí)用新型的有益效果是，其能減少以此所制備的顯示面板的漏光情形。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]為進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中:
[0042]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1的液晶顯示面板示意圖。
[0043]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]圖3八及圖38是分別為本實(shí)用新型實(shí)施例1的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)沿圖2的八-八’與8-8’首I』面線的首I』面不意圖。
[0045]圖4八及圖48是分別為本實(shí)用新型實(shí)施例1的圖3八及圖38的區(qū)域4的放大圖。
[0046]圖5八及圖58是分別為本實(shí)用新型實(shí)施例2的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)沿圖2的八-八’與8-8’首I』面線的首I』面不意圖。
[0047]圖6八及圖68是分別為本實(shí)用新型實(shí)施例2的圖4八及圖48的區(qū)域4的放大圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048]以下是通過特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟習(xí)此技術(shù)的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型亦可通過其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可針對不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。
[0049]實(shí)施例1
[0050]如圖1所示，本實(shí)施例的液晶顯示面板的包括:一薄膜晶體管基板1 ；一彩色濾光基板2，與薄膜晶體管基板1相對設(shè)置；多個(gè)間隔物4，設(shè)于薄膜晶體管基板1及彩色濾光基板2間；一框膠5，設(shè)于薄膜晶體管基板1及彩色濾光基板2間且位于設(shè)于薄膜晶體管基板1及彩色濾光基板2外周圍；以及一液晶層3，設(shè)于薄膜晶體管基板1及彩色濾光基板2所形成的空間中。接下來，將描述本實(shí)施例的薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)。
[0051]如圖2所示，其是為本實(shí)施例的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)示意圖；且如圖3八所示，其為本實(shí)施例的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)沿圖2的八-八’剖面線的剖面示意圖。請同時(shí)參照圖2及圖3八，本實(shí)施例的薄膜晶體管基板包括:一基板10，其上方設(shè)置有一由第一金屬層形成的掃描線11與柵極111、一柵極絕緣層12、一主動(dòng)層13、一由第二金屬層形成的資料線14及源極(圖未示)與漏極142、一第一絕緣層15、一第二絕緣層16、一像素電極17及一配向膜18 ；且柵極111、柵極絕緣層12、主動(dòng)層13、源極(圖未示)與漏極142是組成本實(shí)施例的薄膜晶體管單元。其中，如圖2所示，掃描線11是沿第一方向X配置；更具體而言，第一方向X與和薄膜晶體管單元電性連接的掃描線11間的夾角是介于0至5度之間，且較佳為實(shí)質(zhì)上平行。此外，資料線14則沿第二方向丫配置；更具體而言，第二方向V與和薄膜晶體管單元電性連接的一資料線14間的夾角是介于0至5度之間，且較佳為實(shí)質(zhì)上平行。此外，第一方向X與第二方向X是不相同；于本實(shí)施例中，第一方向X與第二方向X間的夾角是介于85至90度之間；較佳為，第一方向X與第二方向V是實(shí)質(zhì)上垂直。
[0052]如圖3八所示，本實(shí)施例的薄膜晶體管基板包括:一基板10、多個(gè)薄膜晶體管單元、一包括第一絕緣層15及第二絕緣層16的絕緣層、一像素電極17、以及一配向膜18。其中，薄膜晶體管單元是設(shè)置于基板10上且分別包括:一柵極111 ；一柵極絕緣層12，設(shè)置于柵極111及基板10上；一主動(dòng)層(圖未示)，設(shè)置于柵極絕緣層12上；以及一源極(圖未示)及一漏極142，設(shè)置于主動(dòng)層(圖未示)上。此外，包括第一絕緣層15及第二絕緣層16的絕緣層則設(shè)置于薄膜晶體管單元上且分別具有一絕緣層開孔1521及一接觸孔161以顯露薄膜晶體管單元的漏極142 ；像素電極17是設(shè)置第一絕緣層15及第二絕緣層16上且向接觸孔161延伸以與漏極142電性連接；而配向膜18則覆蓋像素電極17。
[0053]于本實(shí)施例中，是以下柵極式薄膜晶體管單元作為示例，于本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，也可為其他類型的薄膜晶體管單元，如上柵極式薄膜晶體管單元。
[0054]在此，第一金屬層及第二金屬層材料可使用本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的導(dǎo)電材料，如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、或其他本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的電極材料；且較佳為金屬材料。于本實(shí)施例中，第一金屬層可為由％及1依序?qū)盈B的復(fù)合金屬層，而第二金屬層可為由丁1、八1及II依序?qū)盈B的復(fù)合金屬層。此外，柵極絕緣層12的材料可為本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的絕緣材料；于本實(shí)施例中，柵極絕緣層12為由氮化硅所形成的第一柵極絕緣層121及由氧化硅所形成的第二柵極絕緣層122依序?qū)盈B形成的絕緣層。再者，主動(dòng)層13的材料可為本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的半導(dǎo)體材料；于本實(shí)施例中，主動(dòng)層13的材料為1以0。同時(shí)，于本實(shí)施例中，設(shè)于第二金屬層上的絕緣層是由第一絕緣層15及第二絕緣層16層疊形成；其中，第一絕緣層15的材料可為本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的絕緣層材料，在此，第一絕緣層15是由氧化硅所形成的第一保護(hù)絕緣層151及由氮化硅所形成的第二保護(hù)絕緣層152依序?qū)盈B形成，且第一保護(hù)絕緣層151與第二保護(hù)絕緣層152分別具有一絕緣層開孔1511、1521以顯露薄膜晶體管單元的漏極142 ；至于第二絕緣層16的材料可為本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的平坦層材料，且具有一接觸孔161以顯露薄膜晶體管單元的漏極142。于本實(shí)施例中，設(shè)于第二金屬層上的絕緣層是由第一絕緣層15及第二絕緣層16依序?qū)盈B形成；然而，于本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，設(shè)于第二金屬層上的絕緣層可僅包括第一絕緣層15及第二絕緣層16的其中一者。再者，像素電極17的材料可使用本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的透明導(dǎo)電材料，如110、120等金屬氧化物的透明電極材料。在此須說明的是，前述的各層材料僅為本實(shí)用新型其中一實(shí)施例，但本實(shí)用新型并不僅限于此。
[0055]請同時(shí)參照圖3八及圖38，于圖3八中，顯露漏極142的開孔大小是由第二保護(hù)絕緣層152的絕緣層開孔1521所決定，而于圖38中，則由第二絕緣層16的接觸孔161所決定。
[0056]請同時(shí)參照圖3八及圖38，其分別為本實(shí)施例的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)沿圖2的八-八’與8-8’剖面線的剖面示意圖。請同時(shí)參照圖2及圖3八及38，接觸孔161的側(cè)壁在第一方向X上具有一第一傾斜部1611且在第二方向X上具有一第二傾斜部1612，且像素電極17位于第一傾斜部1611的坡度與位于第二傾斜部1612的坡度不同。
[0057]請同時(shí)參照圖4八及圖48，其分別為圖3八及圖38的區(qū)域4的放大圖。請同時(shí)參照圖2及圖4八及48，像素電極17位于接觸孔161的側(cè)壁在第一方向X上的第一傾斜部1611的坡度大于位于接觸孔161的側(cè)壁在第二方向V的第二傾斜部1612的坡度。
[0058]更詳細(xì)而言，如圖2及圖4八及48所示，第二絕緣層16的一絕緣層表面16&的延伸線(如虛線所示)于第一方向X及第二方向X上分別與位于接觸孔161的像素電極17的一電極表面形成一第一接觸點(diǎn)？1及一第二接觸點(diǎn)于像素電極17及漏極142間的一第一預(yù)定高度上位于第一傾斜部1611與第二傾斜部1612的像素電極17的電極表面173分別具有一第一相交點(diǎn)及一第二相交點(diǎn)02，位于第一傾斜部1611上的像素電極178的斜率為第一接觸點(diǎn)？1與第一相交點(diǎn)的連線，位于第二傾斜部1612上的像素電極17的斜率為第二接觸點(diǎn)？2與第二相交點(diǎn)02的連線，且像素電極17位于第一傾斜部1611與第二傾斜部1612的斜率不同。較佳為，于本實(shí)施例中，像素電極17位于第一傾斜部1611的斜率大于位于第二傾斜部1612的斜率。
[0059]第一傾斜部1611及第二傾斜部1612間除了有前述斜率關(guān)系外，更有曲率半徑關(guān)系。如圖2及圖4八及48所示，于像素電極17及漏極142間的一第一預(yù)定高度及一第二預(yù)定高度取上，且第二預(yù)定高度與第一預(yù)定高度不同，位于第一傾斜部1611在第一預(yù)定高度及第二預(yù)定高度取下的像素電極17的曲率半徑與位于第二傾斜部1612在第一預(yù)定高度及第二預(yù)定高度取下的像素電極17的曲率半徑不同。在此，所謂的曲率半徑是指于第一預(yù)定高度上分別位于第一傾斜部1611與第二傾斜部1612的像素電極17的電極表面173的第一相交點(diǎn)及第二相交點(diǎn)02、以及于第二預(yù)定高度上分別位于第一傾斜部1611與第二傾斜部1612的像素電極17的電極表面17&的第三相交點(diǎn)町及第四相交點(diǎn)財(cái)為基準(zhǔn)所得到的曲率半徑。較佳為，于本實(shí)施例中，位于第一傾斜部1611在第一預(yù)定高度及第二預(yù)定高度取下的像素電極17的曲率半徑均小于位于第二傾斜部1612在第一預(yù)定高度及第二預(yù)定高度取下的像素電極17的曲率半徑。
[0060]于本實(shí)施例中，如圖2至圖48所示，通過將接觸孔于不同方向上設(shè)計(jì)不同坡度，更具體而言，通過將接觸孔的側(cè)壁于不同方向上的第一傾斜部及第二傾斜部設(shè)計(jì)成具有不同坡度(包括斜率及曲率半徑等)，則可避免光線于接觸孔中的反射角度相同，由此可達(dá)到降低漏光的效果。
[0061]此外，如圖3八及圖38所示，于本實(shí)施例中，接觸孔161分別具有一中間底部1613，配向膜18是設(shè)于接觸孔161中，且設(shè)于接觸孔161的中間底部16匕的配向膜18具有一多孔性結(jié)構(gòu)。其中，多孔性結(jié)構(gòu)中的孔洞181孔徑可介于5011111至100011111之間。再者，設(shè)于接觸孔161的側(cè)壁上的配向膜18與設(shè)于中間底部16匕的配向膜18具有不同粗糙度。在此，配向膜18可使用本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的配向膜材料(如制備；且可通過選擇配向膜18材料的單體及聚合程度，進(jìn)而控制配向膜18是否具有多孔性結(jié)構(gòu)以及控制多孔性結(jié)構(gòu)中的孔洞孔徑大小。
[0062]于本實(shí)施例中，如圖3八及圖38所示，通過將接觸孔中的配向膜設(shè)計(jì)成具有多孔性結(jié)構(gòu)，而可減少光線在多孔性結(jié)構(gòu)內(nèi)反射，以避免于接觸孔中產(chǎn)生漏光的情形。
[0063]在此，于圖3八至圖48中，僅以同一漏極接觸孔的剖面表示，于其他實(shí)施例中，圖2的八-八’及8-8’剖面線可位于不同接觸孔，只要符合前述條件即可。
[0064]此外，如圖2至圖48所示，在此僅以接觸孔161于第一方向X及第二方向X的左側(cè)壁的第一傾斜部1611及第二傾斜部1612進(jìn)行比較；然而，于本實(shí)用新型中，并不限于將接觸孔161的左側(cè)壁的傾斜部進(jìn)行比較，而可將不同接觸孔161于第一方向X的左側(cè)壁和右側(cè)壁的其中一者的傾斜部與相同或不同接觸孔161于第二方向V的左側(cè)壁和右側(cè)壁的其中一者的傾斜部進(jìn)行比較，只要符合前述條件即可。
[0065]實(shí)施例2
[0066]本實(shí)施例的液晶顯示面板及其薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)是與實(shí)施例1相同，除了下述不同點(diǎn)。
[0067]首先，本實(shí)施例的薄膜晶體管元件中的主動(dòng)層材料為非晶硅。
[0068]此外，圖5八及圖58是分別為本實(shí)施例的漏極接觸孔結(jié)構(gòu)沿圖2的八-八’與8-8’剖面線的剖面示意圖。如圖5八及圖58所示，本實(shí)施例的薄膜晶體管基板上，配向膜18不具有多孔性結(jié)構(gòu)。再者，圖6八及圖68是分別為圖5八及圖58的區(qū)域八的放大圖。請比較圖4八、48、6八及68，雖然實(shí)施例1的第一傾斜部1611及第二傾斜部1612較本實(shí)施例彎曲，但本實(shí)施例的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)仍具有前述像素電極17位于接觸孔161的側(cè)壁在第一方向X上的第一傾斜部1611的坡度大于位于接觸孔161的側(cè)壁在第二方向V的第二傾斜部1612的坡度的特征，由此而可避免光線于接觸孔中的反射角度相同以達(dá)到降低漏光的效果。
[0069]于前述實(shí)施例中，僅以薄膜晶體管基板與彩色濾光基板相對設(shè)置的液晶顯示面板加以示例，其他如陣列上彩色濾光膜(⑶八)顯示面板亦可使用前述本實(shí)用新型所提供的薄月吳晶體管基板。
[0070]此外，本實(shí)用新型前述實(shí)施例所制得的顯示設(shè)備，可應(yīng)用于本【技術(shù)領(lǐng)域】已知的任何需要顯示屏幕的電子裝置上，如顯示器、手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、行動(dòng)導(dǎo)航裝置、電視等。
[0071]上述實(shí)施例僅是為了方便說明而舉例而已，本實(shí)用新型所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括: 一基板； 多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一柵極絕緣層、一主動(dòng)層、一源極及一漏極； 一絕緣層，設(shè)置于所述薄膜晶體管單元上具有多個(gè)接觸孔以分別顯露所述薄膜晶體管單元的該漏極； 一像素電極，設(shè)置于該絕緣層上且向所述接觸孔延伸以與該漏極電性連接；以及 一配向膜，覆蓋該像素電極； 其中所述接觸孔的側(cè)壁在一第一方向上分別具有一第一傾斜部且在一第二方向上分別具有一第二傾斜部，該第一方向與該第二方向不同，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度與位于至少一所述第二傾斜部的坡度不同。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與該第二方向間的夾角介于85至90度之間。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于O至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于O至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度大于位于至少一所述第二傾斜部的坡度。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中所述接觸孔分別具有一中間底部，該配向膜設(shè)于所述接觸孔中，且設(shè)于所述接觸孔的至少一所述中間底部的配向膜具有一多孔性結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該多孔性結(jié)構(gòu)中的孔洞孔徑介于50nm至100nm之間。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該配向膜設(shè)于所述接觸孔中，且設(shè)于所述接觸孔的側(cè)壁上的該配向膜與設(shè)于該中間底部的該配向膜具有不同粗糙度。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該絕緣層的一絕緣層表面的延伸線于該第一方向及該第二方向上分別與位于所述接觸孔的該像素電極的一電極表面形成一第一接觸點(diǎn)及一第二接觸點(diǎn)，于該像素電極及該漏極間的一第一預(yù)定高度上位于所述第一傾斜部與所述第二傾斜部的該像素電極的該電極表面分別具有一第一相交點(diǎn)及一第二相交點(diǎn)，位于至少一所述第一傾斜部上的該像素電極的斜率為該第一接觸點(diǎn)與該第一相交點(diǎn)的連線，位于至少一所述第二傾斜部上的該像素電極的斜率為該第二接觸點(diǎn)與該第二相交點(diǎn)的連線，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部與至少一所述第二傾斜部的斜率不同。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于O至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于O至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的斜率大于位于至少一所述第二傾斜部的斜率。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中于該像素電極及該漏極間的一第二預(yù)定高度上，且該第二預(yù)定高度與該第一預(yù)定高度不同，位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑與位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑不同。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于O至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于O至5度之間，且位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑均小于位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該主動(dòng)層的材料為IGZO。
12.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括: 一基板； 多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一柵極絕緣層、一主動(dòng)層、一源極及一漏極； 一絕緣層，設(shè)置于該薄膜晶體管單元上具有多個(gè)接觸孔以分別顯露所述薄膜晶體管單元的該漏極； 一像素電極，設(shè)置于該絕緣層上且向所述接觸孔延伸以與該漏極電性連接；以及 一配向膜，覆蓋該像素電極； 其中所述接觸孔分別具有一中間底部，且設(shè)于至少一所述中間底部的該配向膜具有一多孔性結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該多孔性結(jié)構(gòu)中的孔洞孔徑介于50nm至100nm之間。
14.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該配向膜設(shè)于所述接觸孔中，且設(shè)于所述接觸孔的側(cè)壁上的該配向膜與設(shè)于該中間底部的該配向膜具有不同粗糙度。
15.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中所述接觸孔的側(cè)壁在一第一方向上分別具有一第一傾斜部且在一第二方向上分別具有一第二傾斜部，該第一方向與該第二方向不同，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度與位于至少一所述第二傾斜部的坡度不同。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與該第二方向間的夾角介于85至90度之間。
17.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管基板,其特征在于,其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于O至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于O至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的坡度大于位于至少一所述第二傾斜部的坡度。
18.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該絕緣層的一絕緣層表面的延伸線于該第一方向及該第二方向上分別與位于所述接觸孔的該像素電極的一電極表面形成一第一接觸點(diǎn)及一第二接觸點(diǎn)，于該像素電極及該漏極間的一第一預(yù)定高度上位于所述第一傾斜部與所述第二傾斜部的該像素電極的該電極表面分別具有一第一相交點(diǎn)及一第二相交點(diǎn)，位于至少一所述第一傾斜部上的該像素電極的斜率為該第一接觸點(diǎn)與該第一相交點(diǎn)的連線，位于至少一所述第二傾斜部上的該像素電極的斜率為該第二接觸點(diǎn)與該第二相交點(diǎn)的連線，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部與至少一所述第二傾斜部的斜率不同。
19.如權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于O至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于O至5度之間，且該像素電極位于至少一所述第一傾斜部的斜率大于位于至少一所述第二傾斜部的斜率。
20.如權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中于該像素電極及該漏極間的一第二預(yù)定高度上，且該第二預(yù)定高度與該第一預(yù)定高度不同，位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑與位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑不同。
21.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該第一方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一掃描線間的夾角介于O至5度之間，該第二方向與和該薄膜晶體管單元電性連接的一資料線間的夾角介于O至5度之間，且位于至少一所述第一傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑均小于與位于至少一所述第二傾斜部在該第一預(yù)定高度及該第二預(yù)定高度下的該像素電極的曲率半徑。
22.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，其中該主動(dòng)層的材料為IGZO。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK204243040SQ201420410804
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】徐旭寬, 邱國豪, 朱夏青, 黃鵬丞, 孫銘謙 申請人:群創(chuàng)光電股份有限公司