雙通道傳輸射頻電纜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭露了一種雙通道傳輸射頻電纜，包括第一中心導(dǎo)體、包裹于所述第一中心導(dǎo)體外的第一介質(zhì)層、包裹于所述第一介質(zhì)層外的第一內(nèi)屏蔽層、包裹于所述第一內(nèi)屏蔽層外的第二中心導(dǎo)體、包裹于所述第二中心導(dǎo)體外的第二介質(zhì)層和包裹于所述第二介質(zhì)層的第二內(nèi)屏蔽層。本實(shí)用新型通過設(shè)計兩個中心導(dǎo)體，根據(jù)電流的集膚效應(yīng)，與對應(yīng)的屏蔽層之間各形成一個回路，使電纜實(shí)現(xiàn)了雙通道信號傳輸功能。
【專利說明】雙通道傳輸射頻電纜
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及同軸電纜【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種實(shí)現(xiàn)雙通道信號傳輸?shù)纳漕l同軸電纜。
【【背景技術(shù)】】
[0002]在目前市場上絕大多數(shù)的射頻電纜都只能實(shí)現(xiàn)單通道傳輸，如中國專利CN201020689308.9公開的“一種低損耗同軸射頻電纜”,內(nèi)導(dǎo)體和復(fù)合外導(dǎo)體只能構(gòu)成一個信息回路。如果要多信號平行傳輸，就往往簡單將多個電纜綁在一起，成為復(fù)合電纜來使用，比如中國專利CN201020554412.7公開的“復(fù)合電纜”，這種復(fù)合電纜中包裹的多個電纜非同軸，因此信號容易互相影響，而且整個電纜當(dāng)中空隙大，以致整體更加占用空間。一些特殊場合需要用到能夠?qū)崿F(xiàn)雙通道傳輸?shù)纳漕l電纜，而這些技術(shù)都掌握在一些外國企業(yè)的手中，這直接影響了國內(nèi)通訊、航空、航天、宇航等領(lǐng)域的發(fā)展。
[0003]因此，有必要提供一種雙通道射頻電纜來解決上述問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種實(shí)現(xiàn)雙通道信號傳輸?shù)纳漕l同軸電纜。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型可采用如下技術(shù)方案:一種雙通道傳輸射頻電纜，包括第一中心導(dǎo)體、包裹于所述第一中心導(dǎo)體外的第一介質(zhì)層、包裹于所述第一介質(zhì)層外的第一內(nèi)屏蔽層、包裹于所述第一內(nèi)屏蔽層外的第二中心導(dǎo)體、包裹于所述第二中心導(dǎo)體外的第二介質(zhì)層和包裹于所述第二介質(zhì)層的第二屏蔽層。
[0006]優(yōu)選的，所述第一中心導(dǎo)體與所述第一內(nèi)屏蔽層形成第一回路。
[0007]優(yōu)選的，所述第二中心導(dǎo)體與所述第二內(nèi)屏蔽層形成第二回路。
[0008]在一些實(shí)施方案中，所述第一中心導(dǎo)體和第二中心導(dǎo)體層由鍍銀銅絞合而成。
[0009]在一些實(shí)施方案中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層由聚四氟乙烯帶繞包而成。
[0010]在一些實(shí)施方案中，所述第一內(nèi)屏蔽層和第二內(nèi)屏蔽層由鍍銀銅帶編織而成。
[0011]優(yōu)選的，所述第一內(nèi)屏蔽層和第二內(nèi)屏蔽層由鍍銀銅帶編織而成。
[0012]優(yōu)選的，所述第二內(nèi)屏蔽層外包裹有鋁箔層，所述鋁箔層外包裹有外屏蔽層。
[0013]在一些實(shí)施方案中，所述外屏蔽層由鍍銀銅絲編織而成。
[0014]優(yōu)選的，所述外屏蔽層外包裹有護(hù)套。
[0015]在一些實(shí)施方案中，所述護(hù)套由PUR材料熱熔擠出而成。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型雙通道傳輸射頻電纜的有益效果在于:
[0017]1、除了第一中心導(dǎo)體與第一內(nèi)屏蔽層構(gòu)成第一個導(dǎo)電回路，第二中心導(dǎo)體和第二內(nèi)屏蔽層形成第二個導(dǎo)電回路，實(shí)現(xiàn)雙通道的信號傳輸。
[0018]2、由于電磁波的集膚效應(yīng)，電流會在第一中心導(dǎo)體和第二中心導(dǎo)體上傳輸,第一屏蔽層和第二屏蔽層形成了良好的屏蔽效果或回路作用；而編織層填充密度較小，提供外層支持的同時減輕了單位長度的電纜重量。
[0019]3、第一中心導(dǎo)體與第二中心導(dǎo)體層都是由鍍銀銅絞合而成，使電纜較為柔軟。
[0020]4、鋁箔層具有良好的導(dǎo)電性，與鍍銀銅絲編織而成的外屏蔽形成兩層屏蔽結(jié)構(gòu)，能夠?qū)ν饨绺蓴_起到良好的隔離效果。
[0021]5、保護(hù)套用于保護(hù)外屏蔽層不被磨損，延長電纜的使用壽命。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0022]圖1為本實(shí)用新型雙通道傳輸射頻電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖中:
[0024]1、第一回路，11、第一中心導(dǎo)體，12、第一介質(zhì)層，13、第一內(nèi)屏蔽層，2、第二回路，21、第二中心導(dǎo)體，22、第二介質(zhì)層，23、第二內(nèi)屏蔽層，3、鋁箔層，4、外屏蔽層，5、護(hù)套。
【【具體實(shí)施方式】】
[0025]如圖1所示，本實(shí)用新型為一種雙通道傳輸射頻電纜，包括第一中心導(dǎo)體11、包裹于第一中心導(dǎo)體11外的第一介質(zhì)層12、包裹于第一介質(zhì)層12外的第二內(nèi)屏蔽13、包裹于第二內(nèi)屏蔽層13外的第二中心導(dǎo)體21、包裹于第二中心導(dǎo)體21外的第二介質(zhì)層22、包裹于第二介質(zhì)層22外的第二內(nèi)屏蔽層23、包裹于第二內(nèi)屏蔽層23外的鋁箔層3，包裹于鋁箔層3外的外屏蔽層4,包裹于外屏蔽層4外的護(hù)套5。
[0026]第一中心導(dǎo)體11由鍍銀銅絞合而成的，然后在第一中心導(dǎo)體11外繞包聚四氟乙烯帶形成的第一介質(zhì)層12，第一介質(zhì)層12外以鍍銀銅帶編織形成第一內(nèi)屏蔽層13，第一中心導(dǎo)體11與第一內(nèi)屏蔽層13通過第一介質(zhì)層12進(jìn)行絕緣隔離，構(gòu)成用于發(fā)送和接受電信號的第一回路1，絞合而成的第一中心導(dǎo)體11會使電纜更為柔軟。
[0027]第二中心導(dǎo)體21由鍍銀銅絞合線在第一內(nèi)屏蔽層13外編織而成，第二中心導(dǎo)體層21外繞包聚四氟乙烯帶形成的第二介質(zhì)層22，第二介質(zhì)層22外以鍍銀銅帶編織形成第二內(nèi)屏蔽層23，第二中心導(dǎo)體21與第二內(nèi)屏蔽層23通過第二介質(zhì)層22進(jìn)行絕緣隔離，構(gòu)成用于發(fā)送和接受電信號的第二回路2，絞合而成的第二中心導(dǎo)體21會使電纜更為柔軟。
[0028]鋁箔層3由鋁箔帶在第二內(nèi)屏蔽層13外繞包而成，鋁箔層3外再用鍍銀銅絲在外編織形成外屏蔽層4。經(jīng)過以上兩層結(jié)構(gòu)，能夠?qū)ν饨绺蓴_信號起到更好的屏蔽作用。
[0029]最后在編織完成的外屏蔽層4外圍用PUR材料熱熔擠出而成護(hù)套5。護(hù)套5可以防止編織而成的外屏蔽層4磨損斷裂，延長電纜使用壽命。
[0030]以上所述的僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:包括第一中心導(dǎo)體、包裹于所述第一中心導(dǎo)體外的第一介質(zhì)層、包裹于所述第一介質(zhì)層外的第一內(nèi)屏蔽層、包裹于所述第一內(nèi)屏蔽層外的第二中心導(dǎo)體、包裹于所述第二中心導(dǎo)體外的第二介質(zhì)層和包裹于所述第二介質(zhì)層的第二內(nèi)屏蔽層。
2.如權(quán)利要求1所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述第一中心導(dǎo)體與所述第一內(nèi)屏蔽層形成第一回路。
3.如權(quán)利要求1所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述第二中心導(dǎo)體與所述第二內(nèi)屏蔽層形成第二回路。
4.如權(quán)利要求1所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述第一中心導(dǎo)體和第二中心導(dǎo)體層由鍍銀銅絞合而成。
5.如權(quán)利要求1所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層由聚四氟乙烯帶繞包而成。
6.如權(quán)利要求1所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述第一內(nèi)屏蔽層和第二內(nèi)屏蔽層由鍍銀銅帶編織而成。
7.如權(quán)利要求1所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述第二內(nèi)屏蔽層外包裹有鋁箔層，所述鋁箔層外包裹有外屏蔽層。
8.如權(quán)利要求7所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述外屏蔽層由鍍銀銅絲編織而成。
9.如權(quán)利要求7所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述外屏蔽層外包裹有護(hù)套。
10.如權(quán)利要求9所述的雙通道傳輸射頻電纜，其特征在于:所述護(hù)套由PUR材料熱熔擠出而成。
【文檔編號】H01P3/06GK203983439SQ201420342300
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月24日
【發(fā)明者】李軍民, 朱云川 申請人:昆山安勝達(dá)微波科技有限公司