一種耐電壓抗沖擊磁芯的制作方法
【專利摘要】一種耐電壓抗沖擊磁芯，包括芯體，所述芯體表面均勻覆蓋一層絕緣材料，所述絕緣材料厚度為0.5μm-500μm，所述絕緣材料為釉。本實(shí)用新型磁芯的芯體晶粒與絕緣釉層緊密貼合，釉將芯體表面的晶粒間隙填充，使磁芯表面光潔度提高，同時(shí)提升了磁芯的強(qiáng)度，抗外力震動(dòng)的能力相對(duì)現(xiàn)有磁芯提高了50%以上；絕緣釉層使磁芯表面絕緣電阻提高了2倍以上，抗電壓能力大幅提高；絕緣釉層包覆在芯體的全周表面，將芯體邊緣的毛刺完全覆蓋，在制作電感線圈時(shí)，漆包線不會(huì)接觸到毛刺，使漆包線得到保護(hù)，表皮不會(huì)受到損傷。
【專利說明】_種耐電壓抗沖擊磁芯

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種耐電壓抗沖擊磁芯。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，電感線圈所使用的磁芯，普遍存在表面粗糙及邊緣有毛刺、表面絕緣阻抗低、強(qiáng)度差等缺點(diǎn)。由于磁芯表面粗糙及邊緣有毛刺，制作電感線圈的漆包線容易受到表皮損傷，甚至割斷漆包線，從而導(dǎo)致短路或開路的致命缺陷；磁芯表面絕緣阻抗低，存在短路的風(fēng)險(xiǎn)；磁芯強(qiáng)度差，容易受到外力震動(dòng)而產(chǎn)生破裂不良。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種表面光滑、高絕緣度、高阻抗、高強(qiáng)度的磁芯，即一種耐電壓抗沖擊磁芯。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采取以下技術(shù)方案:
[0005]一種耐電壓抗沖擊磁芯，包括芯體，所述芯體表面均勻覆蓋一層絕緣材料。
[0006]所述絕緣材料厚度為0.5 μ m-500 μ m。
[0007]所述絕緣材料為釉。
[0008]所述磁芯利邊設(shè)有倒角或倒圓。
[0009]本實(shí)用新型磁芯的芯體晶粒與絕緣釉層緊密貼合，釉將芯體表面的晶粒間隙填充，使磁芯表面光潔度提高，同時(shí)提升了磁芯的強(qiáng)度，抗外力震動(dòng)的能力相對(duì)現(xiàn)有磁芯提高了 50%以上；絕緣釉層使磁芯表面絕緣電阻提高了 2倍以上，抗電壓能力大幅提高；絕緣釉層包覆在芯體的全周表面，將芯體邊緣的毛刺完全覆蓋，在制作電感線圈時(shí)，漆包線不會(huì)接觸到毛刺，使漆包線得到保護(hù)，表皮不會(huì)受到損傷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型磁芯的芯體晶粒與絕緣釉層貼合的結(jié)構(gòu)放大圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中標(biāo)號(hào)所不為:1_芯體，2-絕緣材料。

【具體實(shí)施方式】
[0013]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0014]如圖1、2所不，一種耐電壓抗沖擊磁芯，包括芯體1，所述芯體1表面均勾覆蓋一層絕緣材料2。所述絕緣材料2為釉。所述絕緣材料2，即絕緣釉層厚度為0.5 μ m-500 μ m。所述磁芯利邊設(shè)有倒角或倒圓。
[0015]本實(shí)用新型磁芯的芯體晶粒與絕緣釉層緊密貼合，釉將芯體表面的晶粒間隙填充，使磁芯表面光潔度提高，同時(shí)提升了磁芯的強(qiáng)度，抗外力震動(dòng)的能力相對(duì)現(xiàn)有磁芯提高了 50%以上；絕緣釉層使磁芯表面絕緣電阻提高了 2倍以上，抗電壓能力大幅提高；絕緣釉層包覆在芯體的全周表面，將芯體邊緣的毛刺完全覆蓋，漆在制作電感線圈時(shí)，漆包線不會(huì)接觸到毛刺，使漆包線得到保護(hù)，表皮不會(huì)受到損傷。
[0016]如圖2所示，本實(shí)施例采用工字型磁芯為例進(jìn)行說明，絕緣釉層的覆蓋面為芯體1的全周表面，利邊進(jìn)行鈍化處理，釉層包覆上去后整體表面光滑，由于釉的晶粒小于芯體的晶粒，因此絕緣釉層與芯體的貼合度遠(yuǎn)高于其他絕緣涂層的貼合度，且絕緣釉層的硬度和抗沖擊能力比其他絕緣涂層更高，因此整體方案具有明顯的進(jìn)步性。
[0017]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)現(xiàn)方案，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，只是對(duì)本實(shí)用新型作出直接的置換或等同的替換，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種耐電壓抗沖擊磁芯，包括芯體，其特征在于:所述芯體表面均勻覆蓋一層絕緣材料；所述絕緣材料厚度為0.5 μ m-500 μπι ;所述絕緣材料為釉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電壓抗沖擊磁芯，其特征在于:所述磁芯利邊設(shè)有倒角或倒圓。
【文檔編號(hào)】H01F3/00GK204229992SQ201420339151
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月24日
【發(fā)明者】楊明雄 申請(qǐng)人:標(biāo)旗磁電產(chǎn)品(佛岡)有限公司