亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

芯片結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:7077902閱讀:218來源:國知局
芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種芯片結(jié)構(gòu),包括:半導(dǎo)體襯底單元、集成電路結(jié)構(gòu)和邊角保護(hù)結(jié)構(gòu);所述集成電路結(jié)構(gòu)位于所述半導(dǎo)體襯底單元上,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)位于所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角上。在本實用新型提供的芯片結(jié)構(gòu)中,通過在所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角位置設(shè)置邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)以提高邊角的機械強度,避免所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角在芯片切割過程出現(xiàn)邊角裂紋,保護(hù)所述芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)部的集成電路結(jié)構(gòu)不受損傷,進(jìn)而提高芯片的成品率和可靠性。
【專利說明】芯片結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及集成電路【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種芯片結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 芯片的制造過程通常包括以下步驟:首先,提供一半導(dǎo)體襯底;接著,在所述半導(dǎo) 體襯底上形成各種集成電路;然后,進(jìn)行切割以形成獨立的芯片;最后,進(jìn)行芯片的封裝和 測試,完成芯片的制造。
[0003] 具體如圖1所示,現(xiàn)有的芯片10包括:半導(dǎo)體襯底單元11和集成電路結(jié)構(gòu)12 ;其 中,所述集成電路結(jié)構(gòu)12形成于所述半導(dǎo)體襯底單元11上,所述集成電路結(jié)構(gòu)12內(nèi)排布 有各種晶體管、電阻等各種功能器件(圖中未示出)。
[0004] 隨著半導(dǎo)體制造工藝及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,芯片的特征尺寸不斷減小,單個半 導(dǎo)體襯底所包含的芯片越來越多。為了在單個半導(dǎo)體襯底上制作更多的芯片,芯片切割的 寬度也要相應(yīng)變窄。芯片切割的寬度越窄,其臨近的芯片所承受的機械應(yīng)力就越大。與此 同時,芯片的厚度也不斷減薄,使得芯片的機械強度隨著厚度的減薄而降低。這就導(dǎo)致在芯 片的切割過程中,芯片非常容易出現(xiàn)裂紋。切割引起的裂紋通常產(chǎn)生于芯片的邊緣,并向中 間延伸,影響芯片的成品率和可靠性。
[0005] 在實際制造過程中發(fā)現(xiàn),雖然在芯片切割之后通過了各項測試,但是在最終的產(chǎn) 品檢查時仍然發(fā)現(xiàn)所述芯片10無法工作,所述芯片10失效的原因在于所述芯片10的邊角 存在破損現(xiàn)象。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn),由于所述芯片10的邊角是承受機械應(yīng)力的薄弱位置,在芯片 切割過程中邊角非常容易出現(xiàn)微小的裂紋,雖然芯片切割之后裂紋還未影響到所述芯片10 的功能器件,但是后續(xù)的封裝過程會使得裂紋進(jìn)一步加劇并延伸至功能器件中,使其無法 正常工作,進(jìn)而造成所述芯片10失效。因此,無法通過最終的產(chǎn)品檢查。而且,即使部分有 邊角裂紋的芯片10通過了最終的產(chǎn)品檢查,在運輸和使用過程中仍會受到機械應(yīng)力,導(dǎo)致 邊角破損并造成產(chǎn)品失效。
[0006] 基此,如何解決現(xiàn)有的芯片容易出現(xiàn)邊角裂紋,致使芯片的成品率和可靠性低的 問題成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。 實用新型內(nèi)容
[0007] 本實用新型的目的在于提供一種芯片結(jié)構(gòu),以解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片容易出現(xiàn)邊角 破損,致使芯片的成品率和可靠性低的問題。
[0008] 為解決上述問題,本實用新型提供一種芯片結(jié)構(gòu),所述芯片結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底 單元、集成電路結(jié)構(gòu)和邊角保護(hù)結(jié)構(gòu);
[0009] 所述集成電路結(jié)構(gòu)位于所述半導(dǎo)體襯底單元上,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)位于所述集成 電路結(jié)構(gòu)的邊角上。
[0010] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)包括多個邊角保護(hù)單元,所述邊 角保護(hù)單元的數(shù)量與所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角數(shù)量相同。 toon] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述集成電路結(jié)構(gòu)包括四個邊角,所述邊角保護(hù)結(jié) 構(gòu)包括四個邊角保護(hù)單元。
[0012] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述邊角保護(hù)單元的橫截面具有一凹部,所述凹部 由邊角保護(hù)單元的的內(nèi)側(cè)形狀限定而成,所述凹部的形狀與所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角的形 狀相同。
[0013] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角的形狀為圓弧形。
[0014] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述邊角保護(hù)單元的外側(cè)的形狀為圓弧形。
[0015] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于所述集成電路結(jié)構(gòu) 的高度。
[0016] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度等于所述集成電路結(jié)構(gòu) 的高度。
[0017] 可選的,在所述的芯片結(jié)構(gòu)中,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)采用的材料為銅。
[0018] 綜上所述,在本實用新型提供的芯片結(jié)構(gòu)中,通過在所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角位 置設(shè)置邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)以提高邊角的機械強度,避免所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角在芯片切割過 程出現(xiàn)邊角裂紋,保護(hù)所述芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)部的集成電路結(jié)構(gòu)不受損傷,進(jìn)而提高芯片的成品 率和可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的芯片結(jié)構(gòu)的立體圖;
[0020] 圖2是本實用新型實施例的芯片結(jié)構(gòu)的立體圖;
[0021] 圖3是本實用新型實施例的芯片結(jié)構(gòu)的俯視圖。

【具體實施方式】
[0022] 以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的芯片結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根 據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非 常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的 目的。
[0023] 請參考圖2,其為本實用新型實施例的芯片結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖2所示,所述芯片 結(jié)構(gòu)20包括:半導(dǎo)體襯底單元21、集成電路結(jié)構(gòu)22和邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23 ;其中,所述集成電 路結(jié)構(gòu)22位于所述半導(dǎo)體襯底單元21上,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23位于所述集成電路結(jié)構(gòu)22 的邊角上。
[0024] 所述半導(dǎo)體襯底單元21可以包括娃(silicon)、鍺(germanium)等半導(dǎo)體襯底 材料;半導(dǎo)體襯底21內(nèi)還可以形成有摻雜區(qū),例如N講(n-well)、P講(p-well)、源極 (source)、漏極(drain)、漂移區(qū)等;當(dāng)然,半導(dǎo)體襯底21內(nèi)還可以包括外延層、絕緣體上娃 (SOI)等結(jié)構(gòu)。所述集成電路結(jié)構(gòu)22形成于所述半導(dǎo)體襯底單元21上,所述集成電路結(jié) 構(gòu)22作為所述芯片結(jié)構(gòu)20的主體,其內(nèi)部排布有晶體管、電阻等各種功能器件(圖中未示 出)。
[0025] 所述集成電路結(jié)構(gòu)22通常具有多個邊角,所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角是承受機 械應(yīng)力的薄弱位置。為此,在所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角位置設(shè)置有邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23,所 述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23位于所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角上用以保護(hù)所述邊角,防止所述集成 電路結(jié)構(gòu)22的邊角在芯片切割過程中因受機械應(yīng)力而出現(xiàn)裂紋。
[0026] 在本實用新型優(yōu)選實施例中,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23采用金屬材料制成,例如銅, 可取得的較佳的保護(hù)效果。
[0027] 為了盡可能保護(hù)所述集成電路結(jié)構(gòu)22不受損傷,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23的高度dl 大于等于所述集成電路結(jié)構(gòu)22的高度d2??蛇x的,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23的高度dl等于所 述集成電路結(jié)構(gòu)22的高度d2。
[0028] 根據(jù)實際需要,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23可以設(shè)置于所述集成電路結(jié)構(gòu)22的一個邊 角或多個邊角。本實施例中,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)23包括多個邊角保護(hù)單元,所述邊角保護(hù) 單元的數(shù)量與所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角數(shù)量相同,S卩,所述集成電路結(jié)構(gòu)22的每個邊角 均被一個邊角保護(hù)單元所包圍。具體的,所述集成電路結(jié)構(gòu)22的截面形狀為矩形,具有4 個邊角。相應(yīng)的,所述邊角保護(hù)單元的數(shù)量是4個??梢岳斫獾氖?,在本實用新型其他實施 例中,所述集成電路結(jié)構(gòu)22的截面形狀也可以是多邊形或其他形狀,所述邊角保護(hù)單元的 數(shù)量與多邊形或其他形狀的邊角數(shù)量相同。
[0029] 請參考圖3,其為本實用新型實施例的芯片結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖3所示,所述邊角 保護(hù)單元包括外側(cè)231和內(nèi)側(cè)232,所述邊角保護(hù)單元的內(nèi)側(cè)232靠近所述集成電路結(jié)構(gòu) 22,所述外側(cè)231遠(yuǎn)離所述集成電路結(jié)構(gòu)22,其中,所述內(nèi)側(cè)232的形狀限定成一凹部,所述 凹部的形狀與所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角的形狀相同,若所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角為 圓弧形倒角,則所述凹部的形狀為圓弧形,若所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角為直角,則所述 凹部形狀為直角三角形。
[0030] 為了降低邊角裂紋產(chǎn)生的風(fēng)險,所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角為圓弧形倒角。相應(yīng) 的,所述邊角保護(hù)單元的內(nèi)側(cè)232的形狀也為圓弧形。本實施例中,所述外側(cè)231的形狀也 為圓弧形。
[0031] 需要說明的是,上述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角和邊角保護(hù)單元的外側(cè)231的形狀僅 為舉例,而非限定,本領(lǐng)域技術(shù)人員可結(jié)合實際需求對所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角和邊角 保護(hù)單元的外側(cè)231的形狀進(jìn)行設(shè)置。
[0032] 本實用新型實施例提供的芯片結(jié)構(gòu)20中,所述集成電路結(jié)構(gòu)22的每個邊角均被 所述邊角保護(hù)單元所包圍,所述邊角保護(hù)單元能夠提高所述集成電路結(jié)構(gòu)22的邊角的機 械強度。
[0033] 綜上可見,在本實用新型實施例提供的芯片結(jié)構(gòu)中,在所述集成電路結(jié)構(gòu)的每個 邊角均設(shè)置有邊角保護(hù)單元以提高其機械強度,防止所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角在芯片切割 過程中出現(xiàn)裂紋,從而徹底避免后續(xù)的制造和使用過程造成所述裂紋進(jìn)一步加劇進(jìn)而損傷 芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)部的集成電路結(jié)構(gòu),由此提高所述芯片的成品率和可靠性。
[〇〇34] 本實用新型雖然已以較佳實施例公開如上,但其并不是用來限定本實用新型,任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi),都可以利用上述揭示的方法和技 術(shù)內(nèi)容對本實用新型技術(shù)方案做出可能的變動和修改,因此,凡是未脫離本實用新型技術(shù) 方案的內(nèi)容,依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及 修飾,均屬于本實用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:半導(dǎo)體襯底單元、集成電路結(jié)構(gòu)和邊角保護(hù)結(jié) 構(gòu);所述集成電路結(jié)構(gòu)位于所述半導(dǎo)體襯底單元上,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)位于所述集成電路 結(jié)構(gòu)的邊角上。
2. 如權(quán)利要求1所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)包括多個邊角保護(hù) 單元,所述邊角保護(hù)單元的數(shù)量與所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角數(shù)量相同。
3. 如權(quán)利要求2所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述集成電路結(jié)構(gòu)包括四個邊角,所述 邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)包括四個邊角保護(hù)單元。
4. 如權(quán)利要求2所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊角保護(hù)單元的橫截面具有一凹 部,所述凹部由邊角保護(hù)單元的的內(nèi)側(cè)形狀限定而成,所述凹部的形狀與所述集成電路結(jié) 構(gòu)的邊角的形狀相同。
5. 如權(quán)利要求4所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述集成電路結(jié)構(gòu)的邊角的形狀為圓 弧形。
6. 如權(quán)利要求4所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊角保護(hù)單元的外側(cè)的形狀為圓 弧形。
7. 如權(quán)利要求1所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于所述集 成電路結(jié)構(gòu)的高度。
8. 如權(quán)利要求1所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度等于所述集 成電路結(jié)構(gòu)的高度。
9. 如權(quán)利要求1所述的芯片結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊角保護(hù)結(jié)構(gòu)采用的材料為銅。
【文檔編號】H01L23/00GK203895431SQ201420275924
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月27日
【發(fā)明者】張賀豐 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1