負離子發(fā)生器的制造方法
【專利摘要】負離子發(fā)生器屬于電暈放電裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種負離子發(fā)生器。本實用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡單、安全可靠的負離子發(fā)生器。本實用新型包括整流二極管D1、整流二極管D2、硅堆D3、硅堆D4、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C1、電容C2、電容C3、單向可控硅SCR和脈沖變壓器T，其結(jié)構(gòu)要點整流二極管D1陽極分別與市電火線、電阻R1一端相連，整流二極管D1陰極與電阻R2一端相連，電阻R2另一端與單向可控硅SCR控制端相連，單向可控硅SCR陰極分別與整流二極管D2陽極、電容C1一端相連，整流二極管D2陰極與電阻R1另一端相連，電容C1另一端分別與市電零線、脈沖變壓器原邊一端相連。
【專利說明】負離子發(fā)生器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型屬于電暈放電裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種負離子發(fā)生器。

【背景技術(shù)】
[0002] 負離子發(fā)生器是一種生成空氣負離子的裝置，該裝置將輸入的直流或交流電經(jīng) EMI處理電路及雷擊保護電路處理后，通過過壓限流、高低壓隔離等線路升為高壓，然后通 過特殊等級電子材料整流濾波后得到純凈的直流負高壓，將直流負高壓連接到金屬或碳元 素制作的釋放尖端，利用尖端直流高壓產(chǎn)生高電暈，高速地放出大量的電子，而電子無法 長久存在于空氣中，立刻會被空氣中的氧分子捕捉，從而生成空氣負離子。
[0003] 現(xiàn)有負離子發(fā)生器結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，安全性有待提高，且耗電量較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本實用新型就是針對上述問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、安全可靠的負離子發(fā)生器。
[0005] 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案，本實用新型包括整流二極管D1、 整流二極管D2、硅堆D3、硅堆D4、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C1、電容C2、電容C3、單向 可控硅SCR和脈沖變壓器T，其結(jié)構(gòu)要點整流二極管D1陽極分別與市電火線、電阻R1 -端 相連，整流二極管D1陰極與電阻R2 -端相連，電阻R2另一端與單向可控硅SCR控制端相 連，單向可控硅SCR陰極分別與整流二極管D2陽極、電容C1 一端相連，整流二極管D2陰極 與電阻R1另一端相連，電容C1另一端分別與市電零線、脈沖變壓器原邊一端相連，脈沖變 壓器原邊另一端與單向可控硅SCR陽極相連，脈沖變壓器副邊一端分別與硅堆D3陰極、電 容C3 -端相連，脈沖變壓器副邊另一端分別與市電零線、電容C2 -端相連，電容C2另一端 分別與硅堆D3陽極、硅堆D4陰極相連，硅堆D4陽極分別與電容C3另一端、電阻R3 -端相 連，電阻R3另一端與放電針相連。
[0006] 作為一種優(yōu)選方案，本實用新型所述放電針采用懸浮式放電針。
[0007] 作為另一種優(yōu)選方案，本實用新型所述脈沖變壓器原邊采用Φ=0. 35_漆包線或 絲包線繞28匝，脈沖變壓器副邊采用Φ=0. 08mm高強度聚脂漆包線繞2495匝。
[0008] 作為另一種優(yōu)選方案，本實用新型所述脈沖變壓器副邊每層的繞線圈數(shù)為50圈， 橫向均勻排列。
[0009] 作為另一種優(yōu)選方案，本實用新型所述脈沖變壓器副邊每層的繞線起始端為同一 側(cè)。
[0010] 作為另一種優(yōu)選方案，本實用新型所述脈沖變壓器副邊相鄰層之間設(shè)置有高強度 聚乙烯薄膜，且每層的外表面均涂有絕緣清漆。
[0011] 作為另一種優(yōu)選方案，本實用新型所述脈沖變壓器線圈設(shè)置在高壓包外殼內(nèi)，脈 沖變壓器線圈與高壓包外殼內(nèi)壁之間灌注有環(huán)氧樹脂清漆。
[0012] 作為另一種優(yōu)選方案，本實用新型所述電容C1采用金屬化紙介電容。
[0013] 其次，本實用新型所述整流二極管D1型號為IN4007,整流二極管D2型號為 IN4007,硅堆D3采用18kV硅堆，硅堆D4采用18kV硅堆，電阻R1采用22K歐1/2W電阻，電 阻R2采用27K歐1/2W電阻，電阻R3采用40M電阻，電容C1采用0. lu/400V電容，電容C2 采用1000PF/20KV電容，電容C3采用1000PF/20KV電容，單向可控硅SCR采用1A/400V可 控硅。
[0014] 另外，本實用新型所述電阻R3另一端通過30KV高壓線與放電針相連。
[0015] 本實用新型有益效果。
[0016] 本實用新型采用可控硅逆變高壓，懸浮式放電針等組成部件；結(jié)構(gòu)相對簡單。經(jīng)試 驗，使用效果良好，安全可靠。本實用新型在市電電壓160?250V均能正常工作，且耗電極 省，僅1W左右，因此可長期連續(xù)工作。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型做進一步說明。本實用新型保護范圍 不僅局限于以下內(nèi)容的表述。
[0018] 圖1是本實用新型電路原理圖。

【具體實施方式】
[0019] 如圖所示，本實用新型包括整流二極管D1、整流二極管D2、硅堆D3、硅堆D4、電阻 R1、電阻R2、電阻R3、電容C1、電容C2、電容C3、單向可控硅SCR和脈沖變壓器T，其結(jié)構(gòu)要 點整流二極管D1陽極分別與市電火線、電阻R1 -端相連，整流二極管D1陰極與電阻R2 - 端相連，電阻R2另一端與單向可控硅SCR控制端相連，單向可控硅SCR陰極分別與整流二 極管D2陽極、電容C1 一端相連，整流二極管D2陰極與電阻R1另一端相連，電容C1另一端 分別與市電零線、脈沖變壓器原邊一端相連，脈沖變壓器原邊另一端與單向可控硅SCR陽 極相連，脈沖變壓器副邊一端分別與硅堆D3陰極、電容C3 -端相連，脈沖變壓器副邊另一 端分別與市電零線、電容C2 -端相連，電容C2另一端分別與硅堆D3陽極、硅堆D4陰極相 連，硅堆D4陽極分別與電容C3另一端、電阻R3 -端相連，電阻R3另一端與放電針相連。
[0020] 所述放電針采用懸浮式放電針。
[0021] 所述脈沖變壓器原邊采用φ=0. 35mm漆包線或絲包線繞28匝，脈沖變壓器副邊采 用Φ=0. 08mm高強度聚脂漆包線繞2495匝。
[0022] 所述脈沖變壓器副邊每層的繞線圈數(shù)為50圈，橫向均勻排列；可防止線圈層間因 電位差過高而發(fā)生跳火。
[0023] 所述脈沖變壓器副邊每層的繞線起始端為同一側(cè)。每層繞制完畢導線要折回到始 邊后繼續(xù)繞下一層，可使每層各線圈邊的電位差保持一致，防止層間跳火。
[0024] 所述脈沖變壓器副邊相鄰層之間設(shè)置有高強度聚乙烯薄膜，且每層的外表面均涂 有絕緣清漆。采用高強度的聚乙烯薄膜可加強層間絕緣性能；且每繞一層涂上絕緣清漆后 再繞下一層，可進一步加強絕緣和排除駐留在線圈中的空氣。
[0025] 所述脈沖變壓器線圈設(shè)置在高壓包外殼內(nèi)，脈沖變壓器線圈與高壓包外殼內(nèi)壁之 間灌注有環(huán)氧樹脂清漆。線圈繞制完畢后，進行烘干處理，烘干完畢將線圈放到高壓包外殼 里，并灌注環(huán)氧樹脂清漆進行封裝。
[0026] 所述電容C1采用金屬化紙介電容。
[0027] 所述整流二極管D1型號為IN4007,整流二極管D2型號為IN4007,硅堆D3采用 18kV硅堆，硅堆D4采用18kV硅堆，電阻R1采用22K歐1/2W電阻，電阻R2采用27K歐1/2W 電阻，電阻R3采用40M電阻，電容C1采用0. lu/400V電容，電容C2采用1000PF/20KV電容， 電容C3采用1000PF/20KV電容，單向可控硅SCR采用1A/400V可控硅。
[0028] 下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】本實用新型的工作過程。
[0029] 220V市電經(jīng)D1、D2和R1、R2的整流、限流，單向脈動電流控制SCR的通斷，產(chǎn)生振 蕩，經(jīng)變壓器T升壓后，經(jīng)D3、D4倍壓整流得到18KV左右的負高壓，經(jīng)放電針對空氣放電， 產(chǎn)生電離，生成負離子。
[0030] 可以理解的是，以上關(guān)于本實用新型的具體描述，僅用于說明本實用新型而并非 受限于本實用新型實施例所描述的技術(shù)方案，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，仍然可以 對本實用新型進行修改或等同替換，以達到相同的技術(shù)效果；只要滿足使用需要，都在本實 用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 負離子發(fā)生器，包括整流二極管D1、整流二極管D2、硅堆D3、硅堆D4、電阻R1、電阻 R2、電阻R3、電容C1、電容C2、電容C3、單向可控硅SCR和脈沖變壓器T，其特征在于整流二 極管D1陽極分別與市電火線、電阻R1 -端相連，整流二極管D1陰極與電阻R2-端相連， 電阻R2另一端與單向可控硅SCR控制端相連，單向可控硅SCR陰極分別與整流二極管D2 陽極、電容C1 一端相連，整流二極管D2陰極與電阻R1另一端相連，電容C1另一端分別與 市電零線、脈沖變壓器原邊一端相連，脈沖變壓器原邊另一端與單向可控硅SCR陽極相連， 脈沖變壓器副邊一端分別與硅堆D3陰極、電容C3 -端相連，脈沖變壓器副邊另一端分別與 市電零線、電容C2 -端相連，電容C2另一端分別與硅堆D3陽極、硅堆D4陰極相連，硅堆D4 陽極分別與電容C3另一端、電阻R3 -端相連，電阻R3另一端與放電針相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述放電針采用懸浮式放電針。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述脈沖變壓器原邊采用 Φ=0. 35mm漆包線或絲包線繞28匝，脈沖變壓器副邊采用Φ=0. 08mm高強度聚脂漆包線繞 2495 阻。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述脈沖變壓器副邊每層的繞線圈 數(shù)為50圈，橫向均勻排列。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述脈沖變壓器副邊每層的繞線起 始端為同一側(cè)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述脈沖變壓器副邊相鄰層之間設(shè) 置有高強度聚乙烯薄膜，且每層的外表面均涂有絕緣清漆。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述脈沖變壓器線圈設(shè)置在高壓包 外殼內(nèi)，脈沖變壓器線圈與高壓包外殼內(nèi)壁之間灌注有環(huán)氧樹脂清漆。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述電容C1采用金屬化紙介電容。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述整流二極管D1型號為IN4007， 整流二極管D2型號為IN4007,硅堆D3采用18kV硅堆，硅堆D4采用18kV硅堆，電阻R1采 用22K歐1/2W電阻，電阻R2采用27K歐1/2W電阻，電阻R3采用40M電阻，電容C1采用 0. lu/400V電容，電容C2采用1000PF/20KV電容，電容C3采用1000PF/20KV電容，單向可控 硅SCR采用1A/400V可控硅。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述負離子發(fā)生器，其特征在于所述電阻R3另一端通過30KV高壓 線與放電針相連。
【文檔編號】H01T23/00GK203883315SQ201420198308
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月23日
【發(fā)明者】陳宥余, 劉義偉 申請人:陳宥余