一種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括振蕩部分、過渡部分、放大部分和底面溝槽，所述過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，所述底面溝槽分別位于所述振蕩部分、過渡部分和放大部分的兩側(cè)，且所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度不同。本發(fā)明巧妙地通過過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，依靠所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側(cè)深度不同的底面溝槽防止形成非預(yù)期的反射破壞基橫模輸出，為一種基于常規(guī)脊波導(dǎo)的芯片結(jié)構(gòu)，因而只需采用普通的脊波導(dǎo)工藝就能實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體基橫模激光輸出芯片的制作，產(chǎn)品制作工藝簡單成熟，成品率高，成本低，適用于批量生產(chǎn)制作。
【專利說明】 一種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域，具體涉及一種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，實(shí)現(xiàn)低成本大功率基橫模輸出要求，一般采用將一個(gè)激光器和半導(dǎo)體光放大器集成到一個(gè)芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)，其制作工藝復(fù)雜、成品率低、成本高，其典型的三種方式如圖1和圖2所示。具體地，圖1方式采用DFB(分布式反饋激光器)或DBR(分布式布拉格反射)半導(dǎo)體激光器芯片作為振蕩部分11，其輸出激光通過后續(xù)的半導(dǎo)體光放大部分12進(jìn)一步放大輸出，振蕩部分11保證激光器基橫模輸出，半導(dǎo)體光放大部分12進(jìn)行功率放大，實(shí)現(xiàn)高功率輸出，防反射溝槽13防止半導(dǎo)體光放大部分12的前端面和振蕩部分11的前端面(包括光刻引入的反射)形成非預(yù)期的F-P腔激射，破壞基橫模工作狀態(tài)，其原理如圖3所示，但是圖1中的方式需要制作亞微米定值反射光柵14，因而工藝復(fù)雜、成本高昂。圖2方式采用圖1中類似的方法，只是采用刻蝕反射溝槽24代替DFB或DBR中的定值反射光柵14形成反射，以期避免工藝復(fù)雜的光柵制作，但是刻蝕反射溝槽24的制作工藝?yán)щy，工藝參數(shù)一致性不好，成品率低，無法實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)制造。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片存在的由于需要制作定值反射光柵導(dǎo)致設(shè)備昂貴和工藝復(fù)雜，以及制作反射溝槽導(dǎo)致工藝一致性不好，無法實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)制造的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種新型低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]—種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括振蕩部分、過渡部分、放大部分和底面溝槽，所述過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，所述底面溝槽分別位于所述振蕩部分、過渡部分和放大部分的兩側(cè)，且所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度不同。
[0006]本發(fā)明提供的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)中，巧妙地通過過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，依靠芯片的前后自然解理端面實(shí)現(xiàn)振蕩，通過芯片后部窄的條寬保證基橫模輸出，依靠振蕩部分輸出位置兩邊的放大部分進(jìn)行放大實(shí)現(xiàn)高功率輸出，依靠所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側(cè)深度不同的底面溝槽防止形成非預(yù)期的反射破壞基橫模輸出，為一種基于常規(guī)脊波導(dǎo)的芯片結(jié)構(gòu)，因而只需采用普通的脊波導(dǎo)工藝就能實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體基橫模激光輸出芯片的制作，產(chǎn)品制作工藝簡單成熟，成品率高，成本低，適用于批量生產(chǎn)制作。
[0007]進(jìn)一步，所述振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽深度較深，所述放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度較淺，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽深度介于所述振蕩部分和放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度之間。
[0008]進(jìn)一步，所述振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽深度為1-3微米，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽深度為0.5-3微米，所述放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度為0.5-2微米。
[0009]進(jìn)一步，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽為在水平和垂直方向均具有傾斜角度的傾斜溝槽。
[0010]進(jìn)一步，所述過渡部分兩側(cè)的底面傾斜溝槽，在水平方向的傾斜角度為I微米/100微米?10微米/100微米，在垂直方向的傾斜角度為0.2微米/100微米?5微米/100微米。
[0011]進(jìn)一步，所述振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽寬度為5-10微米，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽寬度為2-40微米，所述放大部分兩側(cè)的底面溝槽寬度為20-40微米。
[0012]進(jìn)一步，所述振蕩部分的寬度為2-4微米，所述過渡部分的寬度為2-8微米，所述放大部分的寬度為4-8微米。
[0013]進(jìn)一步，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于芯片后端面的反射膜，以及設(shè)置于芯片前端面的增透膜。
[0014]進(jìn)一步，所述反射膜與增透膜鍍設(shè)于芯片的后端面與前端面上。
[0015]進(jìn)一步，所述反射膜的反射率為50% -100%，所述增透膜的反射率小于等于15%。
[0016]采用本發(fā)明提供的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，能夠減小制作時(shí)的工藝復(fù)雜程度和工藝難度，有效提高了批量生產(chǎn)能力和降低了生產(chǎn)成本，增加產(chǎn)品的競爭能力。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的采用DFB或DBR大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2是現(xiàn)有技術(shù)提供的采用刻蝕溝槽大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖3是圖1和圖2中防反射溝槽防止形成非預(yù)期的F-P腔激射原理示意圖。
[0020]圖4是本發(fā)明提供的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖5是本發(fā)明提供的芯片底面小角度傾斜溝槽垂直方向剖面示意圖。
[0022]圖6是本發(fā)明提供的芯片底面小角度傾斜溝槽芯片表面俯視示意圖。
[0023]圖7是本發(fā)明提供的芯片底面小角度傾斜溝槽水平方向防止形成非預(yù)期F-P腔激射原理示意圖。
[0024]圖8是本發(fā)明提供的芯片底面小角度傾斜溝槽垂直方向防止形成非預(yù)期F-P腔激射原理示意圖。
[0025]圖9是耦合有本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)的激光器同常規(guī)激光器的1-P曲線測試對(duì)比結(jié)果示意圖。
[0026]圖10是耦合有本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)的激光器同常規(guī)激光器的水平發(fā)散角測試對(duì)比結(jié)果示意圖。
[0027]圖中，11、振蕩部分；12、放大部分；13、防反射溝槽；14、定值反射光柵；21、振蕩部分；22、放大部分；23、防反射溝槽；24、反射溝槽；31、振蕩部分；32、過渡部分；33、放大部分；330、增益區(qū)；34、底面溝槽；341、振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽；342、過渡部分兩側(cè)的底面溝槽；343、放大部分兩側(cè)的底面溝槽；35、反射膜；36、增透膜。

【具體實(shí)施方式】
[0028]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0029]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“寬度”、“深度”、“上”、“下”、“前”、“后”、
“左”、“右”、“垂直”、“水平”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0030]請參考圖4所示，本發(fā)明提供一種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括振蕩部分31、過渡部分32、放大部分33和底面溝槽34，所述過渡部分32將所述振蕩部分31和放大部分33連接并融合在一起，所述底面溝槽34分別位于所述振蕩部分31、過渡部分32和放大部分33的兩側(cè)，且所述振蕩部分31、過渡部分32和放大部分33兩側(cè)的底面溝槽深度不同。
[0031]本發(fā)明提供的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)中，巧妙地通過過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，依靠芯片的前后自然解理端面實(shí)現(xiàn)振蕩，通過芯片后部窄的條寬保證基橫模輸出，依靠振蕩部分輸出位置兩邊的放大部分進(jìn)行放大實(shí)現(xiàn)高功率輸出，依靠所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側(cè)深度不同的底面溝槽防止形成非預(yù)期的反射破壞基橫模輸出，為一種基于常規(guī)脊波導(dǎo)的芯片結(jié)構(gòu)，因而只需采用普通的脊波導(dǎo)工藝就能實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體基橫模激光輸出芯片的制作，產(chǎn)品制作工藝簡單成熟，成品率高，成本低，適用于批量生產(chǎn)制作。
[0032]作為具體實(shí)施例，請參考圖4所示，所述底面溝槽34具體包括設(shè)于所述振蕩部分31兩側(cè)的底面溝槽341，設(shè)于所述過渡部分32兩側(cè)的底面溝槽342，以及設(shè)于所述放大部分33兩側(cè)的底面溝槽343，所述底面溝槽342連接于所述底面溝槽341和底面溝槽343之間，且所述底面溝槽341、底面溝槽342和底面溝槽343的溝槽深度不同，其形成的原理為不同光刻溝槽寬度在相同腐蝕條件下具有不同的刻蝕深度，由此可通過不同寬度的光刻溝槽一次刻蝕而成。具體地，所述振蕩部分31兩側(cè)的底面溝槽341深度較深，用于光和電流限制，實(shí)現(xiàn)所述振蕩部分31控制基橫模輸出；所述放大部分33兩側(cè)的底面溝槽343深度較淺，只用于電流限制，實(shí)現(xiàn)增益區(qū)部分電流限制；所述過渡部分32兩側(cè)的底面溝槽342深度介于所述振蕩部分和放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度之間，用于平滑連接所述底面溝槽341和底面溝槽343，防止形成非預(yù)期的反射破壞基橫模輸出。
[0033]作為一種實(shí)施方式，所述振蕩部分31兩側(cè)的底面溝槽341深度為1_3微米(優(yōu)選為1.6-2微米)，所述過渡部分32兩側(cè)的底面溝槽342深度為0.5-3微米(優(yōu)選為0.8-2微米)，所述放大部分33兩側(cè)的底面溝槽343深度為0.5-2微米(優(yōu)選為0.8-1.2微米)，由此可以實(shí)現(xiàn)振蕩部分深度足以保證實(shí)現(xiàn)單模激光輸出，放大部分能提供更高的輸出功率，過渡部分保持平滑，以實(shí)現(xiàn)盡量小的反射。
[0034]作為優(yōu)選實(shí)施例，請參考圖4所示，為了既能保證平滑的連接，又能防止同增益區(qū)(圖3中虛線兩側(cè)的區(qū)域330)前端面形成F-P腔激射，避免器件工作出現(xiàn)多階橫模工作，影響耦合效率，所述過渡部分32兩側(cè)的底面溝槽342為在水平和垂直方向均具有傾斜角度的傾斜溝槽。具體地，請參考圖5所示，所述底面溝槽342連接于所述底面溝槽341和底面溝槽343之間，從芯片的后端面往前端面看，底面溝槽的深度逐漸減小，即所述底面溝槽341的深度較深，所述底面溝槽343的深度較淺，所述底面溝槽342的深度介于前述兩部分之間，由此實(shí)現(xiàn)垂直方向底面小角度傾斜溝槽并平滑連接于所述底面溝槽341和底面溝槽343之間。同理，請參考圖6所示，從芯片的后端面往前端面看，所述底面溝通342在芯片左右的水平方向上，其溝槽的寬度逐漸增大并形成傾斜角，由此實(shí)現(xiàn)水平方向底面小角度傾斜溝槽，保證本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)用于耦合單模光纖激光器或其他要求使用大功率基橫模激光器系統(tǒng)時(shí)的耦合效率。從圖7和圖8可以看出，由于所述過渡部分32兩側(cè)的底面溝槽342在水平和垂直方向設(shè)為具有傾斜角度的傾斜溝槽，因而更好地防止了同增益區(qū)前端面形成F-P腔激射，進(jìn)一步避免器件工作出現(xiàn)多階橫模工作。
[0035]作為一種實(shí)施方式，所述過渡部分32兩側(cè)的底面傾斜溝槽342，在水平方向的傾斜角度為I微米/100微米?10微米/100微米(優(yōu)選為2微米/100微米)，在垂直方向的傾斜角度為0.2微米/100微米?5微米/100微米(優(yōu)選為I微米/100微米)，由此可以形成平滑的小角度斜面，不會(huì)同前端面形成諧振，產(chǎn)生F-P模式同本發(fā)明需要基橫模競爭。
[0036]作為優(yōu)選實(shí)施例，為了利用腐蝕液的特性，在不同區(qū)域得到平滑的不同深度的溝槽，所述振蕩部分31兩側(cè)的底面溝槽寬度為5-10微米，所述過渡部分32兩側(cè)的底面溝槽寬度為2-40微米(優(yōu)選為5-40微米)，所述放大部分33兩側(cè)的底面溝槽寬度為20-40微米。
[0037]作為具體實(shí)施例，所述振蕩部分31的寬度為2-4微米，所述過渡部分32的寬度為2-8微米，所述放大部分33的寬度為4-8微米。具體地，所述振蕩部分31通過注入電流后，實(shí)現(xiàn)基橫模振蕩，用于大功率基橫模半導(dǎo)體激光器的基橫模激光輸出保證，為了能有效實(shí)現(xiàn)基橫模激光輸出，所述振蕩部分的寬度為2-4微米；所述放大部分33通過注入電流后，實(shí)現(xiàn)對(duì)基橫模振蕩激光的放大輸出，用于大功率基橫模半導(dǎo)體激光器的大功率輸出保證，為了保證能實(shí)現(xiàn)大功率輸出和高效率的耦合效率為標(biāo)準(zhǔn)，所述放大部分33的寬度為4-8微米，以約小于單模光纖的內(nèi)徑為益或相當(dāng)；所述過渡部分32通過注入電流后，實(shí)現(xiàn)對(duì)光波導(dǎo)的平滑過渡，用于連接前后不同寬度波導(dǎo)，為了既保證不形成有害的反射，同時(shí)也能提供部分增益，提高激光器的輸出功率，所述過渡部分32的寬度為2-8微米。
[0038]作為具體實(shí)施例，請參考圖4所示，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于芯片后端面的反射膜35，以及設(shè)置于芯片前端面的增透膜36 ;其中，所述反射膜35用于將激光器后端面輸出的激光反射到諧振腔內(nèi)，以降低閾值電流，提高斜率效率，提高有用端輸出功率，所述增透膜36用于防止在放大部分形成反饋，影響激光質(zhì)量，同時(shí)也同后端面反射膜35構(gòu)成諧振搶的兩個(gè)反射面，以實(shí)現(xiàn)基橫模震蕩。
[0039]作為一種實(shí)施方式，所述反射膜35與增透膜36鍍設(shè)于芯片的后端面與前端面上，即在所述芯片的后端面鍍上反射層，在所述芯片的前端面鍍上增透膜，以此完成芯片的制作，其具體鍍設(shè)的方式可以采用化學(xué)鍍、電鍍等。當(dāng)然，所述反射膜35和增透膜36的設(shè)置方式并不局限于此，還可以采用其它的方式實(shí)現(xiàn)，具體可在芯片的后端面和前端面上粘貼一層反射膜與增透膜。
[0040]作為優(yōu)選實(shí)施例,所述反射膜35的反射率為50% -100%，所述增透膜36的反射率小于等于15%。具體地，所述反射膜35的反射率越高越好，有利于提高輸出端面的功率；所述增透膜36的反射率越低越好，有利于防止器件工作出現(xiàn)多階橫模工作。
[0041]本發(fā)明提供的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，整個(gè)結(jié)構(gòu)均在一次外延生長好的外延層上制作，主體材料就是半導(dǎo)體激光器所需的外延材料，根據(jù)不同的具體參數(shù)和使用需求確定，因種類繁多，在此不再贅述。具體制作時(shí)，外延材料先通過光刻獲得圖形，再通過腐蝕形成溝道，自然就形成了振蕩部分、過渡部分、放大部分、底面小角度傾斜溝槽等芯片的主體結(jié)構(gòu)，再制作一層用于電隔離的介質(zhì)膜層，通過腐蝕介質(zhì)膜層暴露出外延材料的頂層，進(jìn)行金屬化就可以獲得電流注入通道，最后在芯片的前后端面鍍上增透膜和高反射膜層，完成了芯片的制作。
[0042]P面的電極可以采用Ti/Pa/Au、CrAu或ZnAu等常規(guī)的歐姆接觸制作材料和工藝方式，N面的電極采用AuGeNi/Au等常規(guī)的歐姆接觸制作材料和工藝方式，實(shí)現(xiàn)電極制作，介質(zhì)隔離膜也可采用常規(guī)的制作材料和工藝方式，實(shí)現(xiàn)電流限制，在此不再進(jìn)行說明。
[0043]在本發(fā)明中，采用低成本脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)能實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體基橫模激光輸出，相同注入電流下還能改善水平發(fā)散角，不涉及到垂直方向上激光輸出模式和發(fā)散角，可以和其他的多種提高輸出功率的方式共用，其原理還可用于掩埋方式類似結(jié)構(gòu)的激光器制作。
[0044]因而采用本發(fā)明的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，相對(duì)于采用光柵的傳統(tǒng)方案，只需要采用普通的脊波導(dǎo)工藝設(shè)備和工藝能力，避免了成本高昂的光柵制作工藝和至少兩次外延生長，只需一次外延生長即可，產(chǎn)品的成品率均能達(dá)到80%以上，但生產(chǎn)成本只有傳統(tǒng)方案的1/3 ;相對(duì)于采用防反射溝槽的傳統(tǒng)方案，需要的工藝設(shè)備一樣，但避免了溝槽刻蝕一致性不好的困難，其生產(chǎn)成本為該傳統(tǒng)方案的1/4-1/3。
[0045]將耦合有本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)的激光器同常規(guī)激光器進(jìn)行1-P曲線測試，對(duì)比結(jié)果如圖9所示。從該圖中可以看出，耦合有本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)的激光器，其注入電流近600mA，而輸出功率達(dá)到300mW ;而常規(guī)激光器的注入電流近300mA，而輸出功率只有10mW多，明顯低于前者。
[0046]將耦合有本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)的激光器同常規(guī)激光器進(jìn)行水平發(fā)散角測試，對(duì)比結(jié)果如圖10所示。從該圖中可以看出，在具有基本相同激光強(qiáng)度的情況下，耦合有本發(fā)明提供的激光器芯片結(jié)構(gòu)的激光器水平發(fā)散角小于常規(guī)激光器水平發(fā)散角，激光聚集效果更好。
[0047]以上僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)，直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括振蕩部分、過渡部分、放大部分和底面溝槽,所述過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，所述底面溝槽分別位于所述振蕩部分、過渡部分和放大部分的兩側(cè)，且所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽深度較深，所述放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度較淺，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽深度介于所述振蕩部分和放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽深度為1-3微米，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽深度為0.5-3微米，所述放大部分兩側(cè)的底面溝槽深度為0.5-2微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽為在水平和垂直方向均具有傾斜角度的傾斜溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu),其特征在于，所述過渡部分兩側(cè)的底面傾斜溝槽，在水平方向的傾斜角度為I微米/100微米?10微米/100微米，在垂直方向的傾斜角度為0.2微米/100微米?5微米/100微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振蕩部分兩側(cè)的底面溝槽寬度為2-10微米，所述過渡部分兩側(cè)的底面溝槽寬度為2-40微米，所述放大部分兩側(cè)的底面溝槽寬度為20-40微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振蕩部分的寬度為2-4微米，所述過渡部分的寬度為2-8微米，所述放大部分的寬度為4-8微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于芯片后端面的反射膜，以及設(shè)置于芯片前端面的增透膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射膜與增透膜鍍設(shè)于芯片的后端面與前端面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低成本大功率半導(dǎo)體基橫模激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射膜的反射率為50% -100%，所述增透膜的反射率小于等于15%。
【文檔編號(hào)】H01S5/24GK104269739SQ201410555782
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】劉剛明, 張靖, 鄧光華, 段利華, 周勇 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所