氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB的衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB衰減片，其包括一尺寸為8.9*5.7*1mm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿導體層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線，銀漿導線的兩端各連接一個焊盤，所述銀漿導線間印刷有電阻，所述電阻上印刷有高溫保護膜，所述銀漿導線和高溫保護膜上印刷有耐酸堿保護膜。該衰減片在設(shè)計思路上優(yōu)化了輸出端的電路結(jié)構(gòu)，改善了輸出端的駐波，調(diào)整了電路的容感性，同時通過電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。該氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB衰減片，各項指標優(yōu)良，滿足了目前4G網(wǎng)絡(luò)的使用要求。
【專利說明】氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB的衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB的衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當基站工作發(fā)生故障時無法及時地做出判斷，對設(shè)備沒有保護作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控，從而對設(shè)備形成有效保護。
[0003]衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國內(nèi)100W-6dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時，其衰減精度往往達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足83.5±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為6±0.5dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB的衰減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
包括一尺寸為8.9*5.7*1_的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿導體層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線，銀漿導線的兩端各連接一個焊盤，所述銀漿導線間印刷有電阻，所述電阻上印刷有高溫保護膜，所述銀漿導線和高溫保護膜上印刷有耐酸堿保護膜。
[0006]優(yōu)選的，所述電路采用5個電阻設(shè)計的π型衰減電路。
[0007]優(yōu)選的，所述導體層和導線采用氮化鋁基板厚膜專用銀漿印刷并高溫燒結(jié)而成。
[0008]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該衰減片以8.9*5.7*1ΜΜ的氮化鋁基板作為基片，采用MWO仿真軟件，完善了電路走向，調(diào)整了電路的容感性，提高了產(chǎn)品的駐波，同時通過電阻漿料表面電阻率的修改，配合高精度激光調(diào)阻技術(shù)，得到精確的電阻值，從而得到高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值83.5±3%Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為6±0.5dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0009]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。
[0012]如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB的衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有導體層，導體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻Rl、R2、R3、R4、R5及銀漿導線2，銀漿導線2將電阻Rl、R2、R3、R4、R5連接起來形成TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻Rl、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護膜3，玻璃保護膜3用于保護電阻町、1?2、1?3、1?4、1?5。在整個電路即銀漿導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，黑色保護膜4上再印刷有一層黑色保護膜5，這樣可對整個電路進行包括，黑色保護膜5上還可印刷品牌和型號。
[0013]該衰減片輸入端和接地的阻值為83.5±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為83.5±3% Ω。信號從輸入端進入衰減片，從輸出端經(jīng)過R1、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0014]該衰減片以8.9*5.7*1麗的氮化鋁基板作為基片，采用MWO仿真軟件，完善了電路走向，調(diào)整了電路的容感性，提高了產(chǎn)品的駐波，同時通過電阻漿料表面電阻率的修改，配合高精度激光光調(diào)阻技術(shù)，得到精確的電阻值，從而得到高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值83.5±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為6±0.5dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0015]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板衰減片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB衰減片，其特征在于:包括一尺寸為8.9*5.7*lmm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿導體層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線，銀漿導線的兩端各連接一個焊盤，所述銀漿導線間印刷有電阻，所述電阻上印刷有高溫保護膜，所述銀漿導線和高溫保護膜上印刷有耐酸堿保護膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB衰減片，其特征在于:所述電路采用5個電阻設(shè)計的π型衰減電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板100瓦6dB衰減片，其特征在于:所述導體層和導線采用氮化鋁基板厚膜專用銀漿印刷并高溫燒結(jié)而成。
【文檔編號】H01P1/22GK104241784SQ201410235500
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司