氣體混合設(shè)備的制作方法
【專利摘要】在此提供氣體混合設(shè)備的實施方式。在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備可包括容器、多個第一入口和出口，所述容器界定內(nèi)部容積，所述容器具有封閉的頂部和底部以及相對于穿過頂部和底部的容器的中心軸的具有圓形截面的側(cè)壁；所述多個第一入口在靠近容器的頂部處耦接至容器，以提供多種處理氣體至容器的內(nèi)部容積，所述多個第一入口被設(shè)置成使得通過多個第一入口的多種處理氣體的流動路徑與容器的側(cè)壁實質(zhì)上正切；所述出口在靠近容器的底部處耦接至容器，以允許多種處理氣體從容器的內(nèi)部容積移除。
【專利說明】氣體混合設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式大體涉及半導(dǎo)體處理裝備。

【背景技術(shù)】
[0002]本
【發(fā)明者】已經(jīng)觀察到，用于將多種處理氣體傳送至處理腔室的許多傳統(tǒng)的氣體傳送系統(tǒng)，可能無法提供均勻的處理氣體混合物至處理腔室。這種在處理氣體混合物中缺乏均勻性的情況，導(dǎo)致處理腔室的區(qū)域接收較高濃度的處理氣體的個別組分，因此造成處理的非均勻性。
[0003]因此，本
【發(fā)明者】提供一種改良的氣體混合設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在此提供氣體混合設(shè)備的實施方式。在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備可以包括容器、多個第一入口和出口，所述容器界定內(nèi)部容積，所述容器具有封閉的頂部和底部，以及相對于穿過頂部和底部的所述容器的中心軸的具有圓形截面的側(cè)壁；所述多個第一入口在靠近所述容器的頂部處耦接至所述容器，以提供多種處理氣體至所述容器的內(nèi)部容積，所述多個第一入口設(shè)置成使得通過多個第一入口的多種處理氣體的流動路徑實質(zhì)上與容器的側(cè)壁正切(tangential);所述出口在靠近所述容器的底部處耦接至所述容器，以允許多種處理氣體從容器的內(nèi)部容積移除。
[0005]在一些實施方式中，一種用于處理基板的設(shè)備可以包括處理腔室、基板支撐件和氣體混合設(shè)備，所述處理腔室具有處理容積；所述基板支撐件位于處理容積內(nèi)；所述氣體混合設(shè)備耦接至所述處理腔室，以提供處理氣體混合物至處理腔室的處理容積。氣體混合設(shè)備可以包括容器、多個第一入口和出口，所述容器界定內(nèi)部容積，所述容器具有封閉的頂部和底部，以及相對于穿過頂部和底部的容器的中心軸的具有圓形截面的側(cè)壁；所述多個第一入口在靠近容器的頂部處耦接至所述容器，以提供多種處理氣體至容器的內(nèi)部容積，多個第一入口設(shè)置成使得通過多個第一入口的多種處理氣體的流動路徑實質(zhì)上與容器的側(cè)壁正切；所述出口在靠近容器的底部處并耦接至容器，以允許多種處理氣體從容器的內(nèi)部容積移除。
[0006]下面描述本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實施方式。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]以上簡要概述并于以下更加詳細(xì)地討論的本發(fā)明的各實施方式，可通過參照在附圖中所描繪的本發(fā)明的示例性實施方式來理解。然而要注意這些附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施方式，并因此不被視為限制本發(fā)明的范圍，本發(fā)明可以允許其他等效的實施方式。
[0008]圖1為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性側(cè)視圖。
[0009]圖2為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性俯視圖。
[0010]圖3為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性側(cè)視圖。
[0011]圖4為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性俯視圖。
[0012]圖5為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性截面?zhèn)纫晥D。
[0013]圖6為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性截面俯視圖。
[0014]圖7為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性截面俯視圖。
[0015]圖8描繪適合與根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備一起使用的處理腔室的示意性側(cè)視圖。
[0016]圖9描繪適合與根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備一起使用的處理腔室的一部分的頂部透視圖。
[0017]圖10描繪適合與根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備一起使用的處理腔室的一部分的頂部透視圖。
[0018]為了便于理解，已經(jīng)盡可能使用相同的參考數(shù)字來標(biāo)示在各附圖中共有的相同元件。這些附圖并未按比例繪制，并可能為了清楚而簡化。預(yù)期一個實施方式的元件和特征可被有利地整合至其他實施方式中，而無需進(jìn)一步詳述。

【具體實施方式】
[0019]在此提供氣體混合設(shè)備的實施方式。在一些實施方式中，本發(fā)明的氣體混合設(shè)備相較于傳統(tǒng)的氣體傳送系統(tǒng)，可有利于向處理腔室提供更均勻的處理氣體混合物和/或更均勻的等離子體。
[0020]本
【發(fā)明者】已觀察到某些半導(dǎo)體處理需要使多種處理氣體充分混合，以避免處理非均勻性。例如，在準(zhǔn)備處理基板而用以清潔和/或調(diào)整處理腔室的干燥(seasoning)處理中，通常需要均勻的處理氣體混合物，以產(chǎn)生均勻的等離子體，以適當(dāng)?shù)厍鍧嵦幚砬皇?。然而，?br> 【發(fā)明者】已觀察到用以傳送多種處理氣體至處理腔室的傳統(tǒng)的氣體傳送系統(tǒng)，可能無法提供這些處理氣體的均勻混合物至處理腔室，因此導(dǎo)致處理非均勻性。
[0021]據(jù)此，本
【發(fā)明者】提供一種用以傳送多種處理氣體至處理腔室的改良的氣體混合設(shè)備的實施方式。例如，圖1為根據(jù)本發(fā)明一些實施方式的氣體混合設(shè)備的示意性側(cè)視圖。在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備100—般而言可包括容器106、多個入口(例如，多個第一入口)和出口 111。如圖1所示，示出第一入口 120和第二入口 122。導(dǎo)管耦接至多個入口的每一個入口，以便于傳送來自氣源和/或等離子體源的氣體和/或等離子體。例如，在一些實施方式中，如圖1所示，第一導(dǎo)管104可耦接至第一入口 120，且第二導(dǎo)管102可耦接至第二入口 122。
[0022]在一些實施方式中，容器106包括側(cè)壁和封閉的頂部116和底部118，由此界定內(nèi)部容積108。容器106可以具有適合使所需量的處理氣體和/或等離子體混合物被提供至容器106的任何形狀。在一些實施方式中，容器106的內(nèi)部容積108可具有圓形截面。本
【發(fā)明者】已觀察到，通過提供圓形截面，可使提供至容器106的處理氣體和/或等離子體以圓形方式或螺旋形方式流動，從而允許處理氣體和/或等離子體在經(jīng)由出口 111流出容器之前混合。在一些實施方式中，容器106的底部118可為平坦的?；蛘撸谝恍嵤┓绞街?，容器106的底部118可為彎曲的或?qū)嵸|(zhì)上為碗形，諸如圖1所示。在一些實施方式中，容器106實質(zhì)上可為圓柱形，如圖1所示?；蛘撸谝恍嵤┓绞街?，容器106可為圓錐形或截頭圓錐形(frustoconical)，例如，如圖3所示。在所述實施方式中，容器106在靠近容器的頂部116處的直徑可大于容器106在靠近容器106的底部118處的直徑。
[0023]返回參照圖1，容器106可以具有適合使這些處理氣體和/或等離子體于容器106內(nèi)具有合適的停留時間(residence time)的任何尺寸，以促進(jìn)這些處理氣體和/或等離子體期望的混合。例如，在一些實施方式中，容器106可具有大約14.3毫米至大約18.6毫米的內(nèi)徑。在一些實施方式中，所述容器可以具有大約38.3毫米至大約58.7毫米的高度。
[0024]容器106可以由任何工藝兼容的材料制成，例如，對于提供至容器106的處理氣體或等離子體不具反應(yīng)性的任何材料。例如，在一些實施方式中，容器106可由金屬制成，諸如不銹鋼、鋁或類似金屬材料。
[0025]在一些實施方式中，出口(例如，第一出口 111)被設(shè)置成靠近容器106的底部118，并允許處理氣體和/或等離子體流出容器106。容器106可以具有多個出口，以便于容器106的內(nèi)容物傳送至處理腔室內(nèi)的對應(yīng)的多個氣體傳送區(qū)。例如，在一些實施方式中，容器106可以具有兩個或更多個出口，諸如如圖1所示具有三個出口(示出第一出口 111、第二出口 113和第三出口 115)。在所述實施方式中，導(dǎo)管可以分別耦接至每一個出口，以便于傳送混合的處理氣體和/或等離子體，例如，傳送至處理腔室的多個氣體傳送區(qū)。例如，第一導(dǎo)管112、第二導(dǎo)管114和第三導(dǎo)管110可以分別耦接至第一出口 111、第二出口 113和第三出口 115。
[0026]雖然在圖1中只示出兩個入口(g卩，第一入口 120和第二入口 122)，但容器106可以包括適合容納任何數(shù)量的處理氣體和/或等離子體的任何數(shù)量的入口，這些處理氣體和/或等離子體待被提供至容器106。例如，參照圖2，在一些實施方式中，容器106可以具有四個入口(即，示出第一入口 120、第二入口 122、第三入口 206和第四入口 208)。在所述實施方式中，與以上討論的第一入口 120和第二入口 122類似，第三入口 206和第四入口 208每一個都具有耦接至其本身的導(dǎo)管(例如，分別耦接至第三入口 206和第四入口 208的第三導(dǎo)管202和第四導(dǎo)管204)，以便于從氣源和/或等離子體源傳送氣體和/或等離子體。
[0027]多個入口(例如第一入口 120、第二入口 122、第三入口 206和第四入口 208)可以以適合于在容器106內(nèi)提供所需處理氣體和/或等離子體流的任何配置設(shè)置在容器106周圍。例如，在一些實施方式中，第一入口 120、第二入口 122、第三入口 206和第四入口 208的每一個都可以設(shè)置在容器106周圍，使得所提供的處理氣體和/或等離子體具有與容器106的截面正切的流動方向(如箭頭210所示)，諸如圖2中所示。本
【發(fā)明者】已觀察到，通過以這種方式提供流動，處理氣體和/或等離子體在經(jīng)由這些出口(例如，上述第一出口 111、第二出口 113和第三出口 115)流出容器之前混合更完全。本
【發(fā)明者】相信，容器106的圓形截面及處理氣體和/或等離子體的正切流動，使得處理氣體和/或等離子體以圓形或螺旋形方式流動。這種圓形或螺旋形方式流動可增加處理氣體和/或等離子體在容器內(nèi)的停留時間，并增加處理氣體和/或等離子體的紊流(turbulence)情況，由此促進(jìn)處理氣體和/或等離子體的混合。在一些實施方式中，處理氣體和/或等離子體可以達(dá)到100%的混合(也就是成分的完全或均勻混合)。
[0028]替代地或結(jié)合地，在一些實施方式中并如圖3所示，額外的入口 304(例如，第二入口 )可以耦接至容器106的頂部306，并被配置成在與容器106的頂部306實質(zhì)上垂直的方向上(如箭頭303所示)提供處理氣體和/或等離子體流。在一些實施方式中，額外的入口 304可被用于經(jīng)由額外的導(dǎo)管302將在遠(yuǎn)程等離子體源中形成的等離子體提供至容器106，而第一入口 120和第二入口 122從耦接至第一入口 120和第二入口 122的氣源提供處理氣體。例如，在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備100可耦接至處理腔室(諸如作為非限制性的實例，如以下參照圖8所述的等離子體離子浸沒注入反應(yīng)器)，以提供處理氣體和等離子體的混合物，以在處理腔室內(nèi)執(zhí)行干燥處理。在所述實施方式中，可以經(jīng)由第一入口 120提供一種含硅氣體(例如硅烷(SiH4))至容器106，可以經(jīng)由第二入口 122提供一種含氧氣體(例如氧氣(O2))至容器106，并且可以經(jīng)由額外的入口 304提供一種含氬(Ar)等離子體至容器106。當(dāng)以這種配置設(shè)置時，經(jīng)由第一入口 120和第二入口 122提供的這些氣體可以與容器106的截面正切的方向被提供(諸如圖2中的箭頭210或圖4中的箭頭402所示)，而經(jīng)由額外的入口 304提供的等離子體可以與容器106的頂部306實質(zhì)上垂直的方向被提供(如圖3中箭頭303所示)。
[0029]在一些實施方式中，可以在容器106內(nèi)設(shè)置一個或多個額外的部件，以強(qiáng)化這些處理氣體和/或等離子體的混合。例如，參照圖5，在一些實施方式中，可在容器106內(nèi)設(shè)置多個擋板(baffle)501。本
【發(fā)明者】相信，當(dāng)存在多個擋板501時，可以增加這些處理氣體和/或等離子體流的停留時間和紊流，由此強(qiáng)化這些處理氣體和/或等離子體的混合。
[0030]多個擋板501可被設(shè)置成足以增加前面提及的這些處理氣體和/或等離子體的停留時間和紊流的任何數(shù)量或配置方式。例如，在一些實施方式中，多個擋板501可以包括從容器106的壁505朝向容器106的中央503延伸的一個或更多個擋板(示出第一擋板502、第二擋板504、第三擋板506、第四擋板508和第五擋板510)。在一些實施方式中，這些擋板可以延伸超過容器106的軸向中心線，例如以利于使這些氣體在容器106中的流動路徑最大化，并因此使停留時間最大化。在一些實施方式中，這些擋板可被設(shè)置成與容器106的頂部306實質(zhì)上平行，諸如圖5中所示。在一些實施方式中，多個擋板501的每一個都可被設(shè)置成使得每一擋板都與相鄰擋板交錯，例如，諸如通過設(shè)置在容器106的相對側(cè)上。在一些實施方式中，多個擋板501的每一個都具有大約0.5毫米至大約I毫米的高度，或在一些實施方式中具有大約I毫米的高度。
[0031]替代地或結(jié)合地，在一些實施方式中，多個擋板501的至少一些擋板可被設(shè)置成與容器106的頂部實質(zhì)上垂直，例如，諸如圖6所示的第一擋板602、第二擋板604、第三擋板606和第四擋板608。在一些實施方式中，多個擋板501可為平坦的，如圖6所示，或可以具有彎曲形狀，諸如圖7所示的第一擋板702、第二擋板704、第三擋板706和第四擋板708。在一些實施方式中，多個擋板的每一個都可具有大約0.5毫米至大約I毫米的高度，或在一些實施方式中具有大約10毫米的高度。
[0032]可以使用以上描述的氣體混合設(shè)備100，將處理氣體和/或等離子體的混合物提供至用于在基板上執(zhí)行處理的任何類型的處理裝備。例如，氣體混合設(shè)備100可耦接至環(huán)形源等離子體離子浸沒注入反應(yīng)器，諸如從美國California(加利福尼亞)州SantaClara (圣克拉拉)市的Applied Materials, Inc.(應(yīng)用材料公司)可購得的CONFORM?反應(yīng)器，但不限于此。其他處理腔室，包括為其他處理所配置以及可從其他制造商購得的那些處理腔室，也可以根據(jù)在此提供的教導(dǎo)方式，從其修改獲得益處。
[0033]參照圖8，環(huán)形源等離子體離子浸沒注入反應(yīng)器800 —般而言可以包括圓柱形真空腔室802，所述真空腔室802由圓柱形側(cè)壁804和盤狀(disk-shaped)頂板806界定。在腔室802底板處的基板支撐基座808支撐待處理的基板810。頂板806上的氣體分配板或噴頭812從氣體混合設(shè)備100接收處理氣體于其氣體歧管814中。
[0034]多個氣源和/或等離子體源(示出三個源852、854、856)可耦接至氣體混合設(shè)備100，以提供處理氣體和/或等離子體至氣體混合設(shè)備100，以進(jìn)行混合并隨后提供至腔室802。在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備100可耦接至位于上方的上歧管801，并耦接至腔室802，以將混合的處理氣體和/或等離子體分配至處理腔室的期望的氣體傳送區(qū)或區(qū)域。在一些實施方式中，上歧管801可以直接耦接至處理腔室的內(nèi)部，或耦接至位于腔室802內(nèi)的下歧管(例如，氣體分配板或噴頭812)。
[0035]參照圖9，在一些實施方式中，上歧管801可以包括多個歧管。例如，在一些實施方式中，多個歧管可以包括多個氣體環(huán)，諸如內(nèi)部氣體環(huán)904和外部氣體環(huán)902，還包括中央注入口 908。內(nèi)部氣體環(huán)904和外部氣體環(huán)902的每一個都可以包括多個氣體出口(例如，多個第三氣體出口)。在圖9中，圖示的各個氣體出口 910用于外部氣體環(huán)902，而圖示的各個氣體出口 912用于內(nèi)部氣體環(huán)904。這些氣體出口 910、912耦接至腔室802并促進(jìn)處理氣體和/或等離子體從內(nèi)部氣體環(huán)904和外部氣體環(huán)902至腔室802內(nèi)部的傳送(例如，經(jīng)由以上描述的氣體分配板或噴頭812)。
[0036]氣體混合設(shè)備100可以在相對于上歧管801的任何位置耦接至上歧管801，所述位置適合提供需要的處理氣體和/或等離子體混合物至腔室802內(nèi)需要的位置。
[0037]例如，在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備100可以位于內(nèi)部氣體環(huán)904上方，其中第一導(dǎo)管112耦接至內(nèi)部氣體環(huán)904，第二導(dǎo)管114耦接至外部氣體環(huán)902，而第三導(dǎo)管110耦接至中央注入口 908，諸如圖9中所示。在這些實施方式中，額外的導(dǎo)管906可耦接至中央注入口 908，以便于單獨傳送例如來自遠(yuǎn)程等離子體源的等離子體。
[0038]或者，在一些實施方式中，氣體混合設(shè)備100可以位于中央注入口 908上方，其中第一導(dǎo)管112耦接至中央注入口 908，第二導(dǎo)管114耦接至內(nèi)部氣體環(huán)904，而第三導(dǎo)管110耦接至外部氣體環(huán)902，諸如圖10中所示。在所述實施方式中，來自遠(yuǎn)程等離子體源的等離子體可以經(jīng)由額外的導(dǎo)管302被提供至氣體混合設(shè)備100。
[0039]返回參照圖8，真空泵820親接至泵送環(huán)(pumping annulus) 822，泵送環(huán)822界定于基板支撐基座808與側(cè)壁804之間。處理區(qū)域824界定于基板810與氣體分配板812之間。
[0040]一對外部重入導(dǎo)管(reentrant conduit) 826、828為通過處理區(qū)域824的等離子體電流建立重入環(huán)形路徑，并且這些環(huán)形路徑在處理區(qū)域824中相交。這些導(dǎo)管826、828的每一個都具有耦接至腔室的相對側(cè)的一對端部830。每一導(dǎo)管826、828都為空心傳導(dǎo)管。每一導(dǎo)管826、828都具有直流絕緣環(huán)832，防止在導(dǎo)管的兩個端部之間形成閉環(huán)傳導(dǎo)路徑。
[0041]每一導(dǎo)管826、828的環(huán)形部分都被環(huán)形磁芯834所環(huán)繞。環(huán)繞磁芯834的勵磁線圈(excitat1n coil)836通過阻抗匹配裝置840親接至射頻功率源838。親接至這些磁芯836的相應(yīng)磁芯的這兩個射頻功率源838可具有兩種稍微不同的頻率。從射頻功率發(fā)生器838耦合的射頻功率，在延伸穿過各個導(dǎo)管826、828和穿過處理區(qū)域824的封閉環(huán)形路徑中產(chǎn)生等離子體離子電流。這些離子電流在各個射頻功率源838的頻率處震蕩。利用偏壓功率發(fā)生器842通過阻抗匹配電路844對基板支撐基座808施加偏壓功率。
[0042]利用通過氣體分配板812將處理氣體或處理氣體的混合物引入到腔室824中，并對重入導(dǎo)管826、828施加來自發(fā)生器838的足夠的源功率，以在這些導(dǎo)管和在處理區(qū)域824中產(chǎn)生環(huán)形等離子體電流的方式，形成等離子體。
[0043]靠近晶片表面的等離子體通量由射頻偏壓功率發(fā)生器842施加的晶片偏壓所確定。等離子體率或等離子體通量(每秒每平方厘米晶片表面采樣的離子數(shù)量)由等離子體密度確定，等離子體密度受到射頻源功率發(fā)生器838供應(yīng)的射頻功率水平所控制。在晶片810處的累積離子劑量(離子/平方厘米)由通量和通量維持的總時間所確定。
[0044]如果晶片支撐基座808為靜電卡盤，則在晶片支撐基座的絕緣板848內(nèi)設(shè)置埋藏電極846，并且所述埋藏電極846通過阻抗匹配電路844和/或直流電壓源850耦接至偏壓功率發(fā)生器842。
[0045]操作上，例如，基板810可以放置于基板支撐基座808上，并且一種或更多種處理氣體可被引入至腔室802中，以從這些處理氣體擊出等離子體。例如，如以上討論的，可以由反應(yīng)器800內(nèi)的這些處理氣體產(chǎn)生等離子體，以選擇性地對基板810的表面進(jìn)行修飾(modify) ο根據(jù)上述處理方式，利用對重入導(dǎo)管826、828施加來自發(fā)生器838的足夠的源功率，以在導(dǎo)管826、828中和在處理區(qū)域824中產(chǎn)生等離子體離子電流的方式，在處理區(qū)域824中形成等離子體。在一些實施方式中，由射頻偏壓功率發(fā)生器842所傳送的晶片偏壓可被調(diào)整以控制至晶片表面的離子通量，并可能可以控制在晶片上形成層的厚度或嵌入晶片表面中的等離子體物種的濃度之一或多者。
[0046]控制器854包括中央處理單元(CPU) 856、用于CPU 856的存儲器858和支持電路860，并且控制器854有助于控制腔室802的部件，并因此對蝕刻處理進(jìn)行控制，如以下進(jìn)一步詳細(xì)討論的。為了促進(jìn)對處理腔室802的控制，例如如以下所討論的，控制器854可為能夠在工業(yè)環(huán)境中使用的任何形式的通用計算機(jī)處理器之一，以控制各種腔室和子處理器。CPU 856的存儲器858或計算機(jī)可讀介質(zhì)可為一個或多個容易取得的存儲器，諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬盤或是任何其他形式的本地或遠(yuǎn)程數(shù)字儲存器。支持電路860耦接至CPU 856，以常規(guī)方式支持處理器。這些電路包括高速緩沖存儲器(cache)、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路和子系統(tǒng)及類似電路。在此描述的本發(fā)明的方法或至少其一部分可作為軟件程序儲存在存儲器858中。所述軟件程序也可以由第二 CPU (未示出)所儲存和/或執(zhí)行，所述第二 CPU位于由CPU 856所控制的硬件的遠(yuǎn)程位置。
[0047]因此，在此提供了氣體混合設(shè)備的實施方式，所述氣體混合設(shè)備可有利于對提供至一個或更多個氣體傳送區(qū)的處理氣體和/或等離子體進(jìn)行強(qiáng)化混合。
[0048]雖然前述內(nèi)容針對本發(fā)明的各實施方式，但在不背離本發(fā)明基本范圍的情況下，可以設(shè)計本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種氣體混合設(shè)備，所述氣體混合設(shè)備包括: 容器，所述容器界定內(nèi)部容積，所述容器具有封閉的頂部和底部及側(cè)壁，所述側(cè)壁相對于穿過所述頂部和底部的所述容器的中心軸的具有圓形截面； 多個第一入口，所述多個第一入口在靠近所述容器的所述頂部處耦接至所述容器，以提供多種處理氣體至所述容器的所述內(nèi)部容積，所述多個第一入口被設(shè)置成使得通過所述多個第一入口的所述多種處理氣體的流動路徑與所述容器的所述側(cè)壁實質(zhì)上正切；和 出口，所述出口在靠近所述容器的所述底部處耦接至所述容器，以允許所述多種處理氣體從所述容器的所述內(nèi)部容積移除。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體混合設(shè)備，進(jìn)一步包括多個氣源，所述多個氣源分別耦接至所述多個第一入口。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體混合設(shè)備，其中所述多個氣源的至少一個氣源被配置成以等離子體狀態(tài)提供氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體混合設(shè)備，進(jìn)一步包括: 第二入口，所述第二入口耦接至所述容器的頂部，以提供第二處理氣體至所述容器，所述第二入口經(jīng)設(shè)置使得通過所述第二入口的所述第二處理氣體的流動路徑與所述容器的所述頂部實質(zhì)上垂直。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體混合設(shè)備，進(jìn)一步包括第二氣源，所述第二氣源耦接至所述第二入口。
6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的氣體混合設(shè)備，其中所述容器的所述底部為碗狀，具有遠(yuǎn)離所述內(nèi)部容積延伸的碗部，其中所述出口耦接至所述底部。
7.如權(quán)利要求1至5任一項所述的氣體混合設(shè)備，其中所述容器具有圓錐形，其中所述容器在靠近所述容器的所述頂部處的直徑大于所述容器在靠近所述容器的所述底部處的直徑。
8.如權(quán)利要求1至5任一項所述的氣體混合設(shè)備，進(jìn)一步包括: 多個擋板，所述多個擋板位于所述容器內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的氣體混合設(shè)備，其中所述多個擋板實質(zhì)上為平面，并與所述容器的所述頂部平行，其中所述多個擋板的每一個擋板都從所述容器的所述側(cè)壁朝向所述容器的所述中心軸延伸。
10.如權(quán)利要求8所述的氣體混合設(shè)備，其中所述多個擋板實質(zhì)上與所述容器的所述頂部垂直，其中所述多個擋板的每一個擋板都從所述容器的壁朝向所述容器的所述中心軸延伸。
11.如權(quán)利要求1至5任一項所述的氣體混合設(shè)備，進(jìn)一步包括: 多個出口，所述多個出口在靠近所述容器的所述底部處耦接至所述容器；和 多個氣體環(huán)，每一個所述氣體環(huán)都具有多個第三氣體出口，其中所述容器經(jīng)由所述多個出口流體耦接至所述多個氣體環(huán)。
12.如權(quán)利要求11所述的氣體混合設(shè)備，其中所述多個氣體環(huán)包括中央注入口、設(shè)置在所述中央注入口周圍的內(nèi)部氣體環(huán)和設(shè)置在所述內(nèi)部氣體環(huán)周圍的外部氣體環(huán)。
13.如權(quán)利要求11所述的氣體混合設(shè)備，其中所述多個氣體出口流體耦接至下歧管，所述下歧管位于處理腔室內(nèi)，所述下歧管具有多個氣體分散孔，以提供所述多種處理氣體至所述處理腔室的內(nèi)部容積。
14.一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 處理腔室，所述處理腔室具有處理容積； 基板支撐件，所述基板支撐件位于所述處理容積內(nèi)；和 氣體混合設(shè)備，所述氣體混合設(shè)備耦接至所述處理腔室，以提供處理氣體混合物至所述處理腔室的所述處理容積，所述氣體混合設(shè)備如前述任一項權(quán)利要求所描述。
【文檔編號】H01L21/205GK104471672SQ201380036866
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月12日
【發(fā)明者】卡爾蒂克·薩哈, 卡利安吉特·戈什, 斯科特·麥克萊蘭 申請人:應(yīng)用材料公司