排列式存儲器單元的制作方法
【專利摘要】各種實(shí)施例包括具有至少兩個電阻改變存儲器RCM單元的設(shè)備。在一個實(shí)施例中，設(shè)備包含耦合到所述RCM單元中的每一者的至少兩個電觸點(diǎn)。存儲器單元材料安置于耦合到所述RCM中的每一者的所述電觸點(diǎn)中的每一者的對之間。所述存儲器單元材料能夠在所述電觸點(diǎn)之間形成導(dǎo)電路徑，其中所述存儲器單元材料的至少一部分經(jīng)布置以交叉耦合電耦合到所述至少兩個RCM單元中的每一者的所述至少兩個電觸點(diǎn)的選定者之間的導(dǎo)電路徑。本發(fā)明還描述額外設(shè)備及方法。
【專利說明】排列式存儲器單元
[0001] 優(yōu)先權(quán)申請
[0002] 本申請案主張2012年5月11日申請的第13/469, 706號美國申請案的優(yōu)先權(quán)益， 所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。

【背景技術(shù)】
[0003] 計算機(jī)及其它電子系統(tǒng)（例如，數(shù)字電視、數(shù)碼相機(jī)及蜂窩式電話）通常具有一或 多個存儲器裝置以存儲信息。日益減小存儲器裝置的尺寸以實(shí)現(xiàn)更高密度的存儲容量。即 使當(dāng)實(shí)現(xiàn)增加的密度時，消費(fèi)者仍常要求存儲器裝置還使用較少電力同時維持高速存取。
[0004] 針對使用離散導(dǎo)電路徑（CP)(例如形成于電阻改變存儲器（RCM)單元的電觸點(diǎn)之 間的細(xì)絲或絲狀連接器）操作的RCM單元，多個電觸點(diǎn)之間的多個路徑原則上為可行的。 所揭示的標(biāo)的物通過利用具有兩個以上電觸點(diǎn)（EC)的單元內(nèi)的多個導(dǎo)電路徑的各種組合 及排列而在RCM單元或其它類型的基于細(xì)絲存儲器單元（例如，電阻性隨機(jī)存取存儲器 (RRAM)單元）中提供用于冪次定律增加的存儲密度的機(jī)制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005] 圖1為根據(jù)實(shí)施例的具有存儲器陣列（其具有存儲器單元）的存儲器裝置的框 圖；
[0006] 圖2為根據(jù)實(shí)施例的具有包含存儲器單元（其具有存取組件及存儲器元件）的存 儲器陣列的存儲器裝置的部分框圖；
[0007] 圖3為根據(jù)各種實(shí)施例的具有耦合到存儲器元件的存取組件的存儲器單元的示 意圖；
[0008] 圖4為可配合圖1及2的存儲器裝置使用或可用以形成圖3的存儲器單元的若干 類型的電阻改變存儲器（RCM)單元中的一者的簡化示意框圖；
[0009] 圖5說明根據(jù)一實(shí)施例與具有兩個電觸點(diǎn)的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的若干組合及排 列；
[0010] 圖6說明根據(jù)一實(shí)施例的具有四個電觸點(diǎn)的存儲器單元中的導(dǎo)電路徑的若干組 合及排列；
[0011] 圖7說明根據(jù)一實(shí)施例的具有六個電觸點(diǎn)的存儲器單元中的導(dǎo)電路徑的若干組 合及排列；
[0012] 圖8為指示根據(jù)一實(shí)施例具有六邊形密集陣列中的七個電觸點(diǎn)的存儲器單元中 的導(dǎo)電路徑的若干組合及排列的平面圖；
[0013] 圖9為指示根據(jù)一實(shí)施例具有正方形陣列中的四個電觸點(diǎn)的存儲器單元中的導(dǎo) 電路徑的若干組合及排列的平面圖；及
[0014] 圖10為包含存儲器裝置的系統(tǒng)實(shí)施例的框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015] 以下描述包含體現(xiàn)標(biāo)的物的說明性設(shè)備（電路、裝置、結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及類似物）及方 法（例如，工藝、協(xié)議、序列、技術(shù)及科技）。在以下描述中，出于解釋的目的，闡述許多具體 細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明標(biāo)的物的各種實(shí)施例的理解。然而，在閱讀本發(fā)明之后，所屬領(lǐng)域的 一般技術(shù)人員將明白，可在無這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐標(biāo)的物的各種實(shí)施例。此外，未詳 細(xì)展示眾所周知的設(shè)備及方法以免混淆各種實(shí)施例的描述。
[0016] 針對使用離散導(dǎo)電路徑（CP)(例如形成于電阻改變存儲器（RCM)單元的電觸點(diǎn)之 間的細(xì)絲或絲狀連接器）操作的RCM單元，多個電觸點(diǎn)之間的多個路徑原則上為可行的。 所揭示的標(biāo)的物通過利用具有兩個以上電觸點(diǎn)（EC)的單元內(nèi)的多個導(dǎo)電路徑的各種組合 及排列而在RCM單元或其它類型的基于細(xì)絲的存儲器單元（例如，電阻性隨機(jī)存取存儲器 (RRAM)單元）中提供用于冪次定律增加的存儲密度的機(jī)制。
[0017] 現(xiàn)參考圖1，其展示呈存儲器裝置101的形式的設(shè)備的框圖。存儲器裝置101包含 具有根據(jù)一實(shí)施例的若干（例如，一或多個）存儲器單元100的一或多個存儲器陣列102。 存儲器單元100可連同存取線104 (例如，用以傳導(dǎo)信號WLO到WLm的字線）及第一數(shù)據(jù)線 106 (例如，用以傳導(dǎo)信號BLO到BLn的位線）一起布置成行及列。存儲器裝置101可使用 存取線104及第一數(shù)據(jù)線106傳遞信息到存儲器單元100且可從存儲器單元100傳遞數(shù)據(jù)。 行解碼器107及列解碼器108解碼地址線109上的地址信號AO到AX以確定待存取哪些存 儲器單元100。
[0018] 感測電路（例如，讀出放大器電路110)操作以依第一數(shù)據(jù)線106上的信號的形式 確定從存儲器單元100讀取的信息值。讀出放大器電路110還可使用第一數(shù)據(jù)線106上的 信號以確定待寫入到存儲器單元100的信息值。
[0019] 存儲器裝置101進(jìn)一步經(jīng)展示以包含電路112以在存儲器陣列102與輸入/輸出 (I/O)線105之間傳遞信息值。I/O線105上的信號DQO到DQN可表示從存儲器單元100 讀取或待寫入到存儲器單元100中的信息值。I/O線105在存儲器裝置101所駐留的封裝 上可包含存儲器裝置101的節(jié)點(diǎn)（例如，引腳、焊料球或其它互連科技，例如受控熔塌芯片 連接（C4)或覆晶接合（FCA))。存儲器裝置101外部的其它裝置（例如，存儲器控制器或處 理器（圖1中未展示））可通過I/O線105、地址線109或控制線120與存儲器101通信。
[0020] 存儲器裝置101可執(zhí)行存儲器操作，例如用以從存儲器單元100的選定者讀取信 息值的讀取操作及用以將信息編程（例如，寫入）到存儲器單元100的選定者中的編程操 作（也稱作為寫入操作）。存儲器裝置101還可執(zhí)行存儲器擦除操作以從一些或全部存儲 器單元100清除信息。
[0021] 存儲器控制單元118使用控制線120上的信號控制存儲器操作?？刂凭€120上的 信號的實(shí)例可包含一或多個時鐘信號及其它信號以指示存儲器裝置101可或應(yīng)執(zhí)行的操 作（例如，編程操作或讀取操作）。存儲器裝置101外部的其它裝置（例如，處理器或存儲 器控制器）可控制控制線120上的控制信號的值?？刂凭€120上的信號值的特定組合可產(chǎn) 生命令（例如，編程、讀取或擦除命令），所述命令可致使存儲器裝置101執(zhí)行對應(yīng)存儲器操 作（例如，編程、讀取或擦除操作）。
[0022] 盡管為易于理解，本文中所論述的各種實(shí)施例使用關(guān)于單一位存儲器存儲概念的 實(shí)例，但是本發(fā)明的標(biāo)的物也可應(yīng)用于許多多位方案。例如，存儲器單元100中的每一者可 經(jīng)編程到至少兩個數(shù)據(jù)狀態(tài)中的不同者以表示（例如）分率位值、單一位值或多個位（例 如，兩個、三個、四個或更大數(shù)目個位）的值。
[0023] 舉例來說，存儲器單元100中的每一者可經(jīng)編程到兩個數(shù)據(jù)狀態(tài)的一者以表示單 一位中的二進(jìn)制值"〇"或"1"。此單元有時稱作單電平單元（SLC)。
[0024] 在另一實(shí)例中，存儲器單元100中的每一者可經(jīng)編程到兩個以上數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一 者以表示（例如）多個位的值，例如針對兩個位的四個可能值"00"、"01"、"10"及"11"中的 一者；針對三個位的八個可能值"〇〇〇"、"〇〇1"、"〇1〇"、"〇11"、"1〇〇"、"1〇1"、"11〇"及"111" 中的一者；或針對更大數(shù)目的多個位的另一組值中的一者?？删幊痰絻蓚€以上數(shù)據(jù)狀態(tài)中 的一者的單元有時被稱作為多電平單元（MLC)。下文更詳細(xì)論述對這些類型的單元的各種 操作。
[0025] 存儲器裝置101可分別接收第一供應(yīng)線130及第二供應(yīng)線132上的供應(yīng)電壓（包 括供應(yīng)電壓信號V。。及V ss)。供應(yīng)電壓信號Vss可（例如）在接地電位（例如，具有約零伏 的值）。供應(yīng)電壓信號V。。可包含從外部電源（例如，電池或交流轉(zhuǎn)直流（AC-DC)轉(zhuǎn)換器電 路（圖1中未展示））供應(yīng)到存儲器裝置101的外部電壓。
[0026] 存儲器裝置101的電路112進(jìn)一步經(jīng)展示以包含選擇電路115及輸入/輸出（1/ 0)電路116。選擇電路115可響應(yīng)于信號SELl到SELn以選擇第一數(shù)據(jù)線106及第二數(shù)據(jù) 線113上可表示待從存儲器單元100讀取或待編程到存儲器單元100中的信息值的信號。 列解碼器108可基于存在于地址線109上的AO到AX地址信號選擇性地激活SELl到SELn 信號。在讀取及編程操作期間，選擇電路115可選擇第一數(shù)據(jù)線106及第二數(shù)據(jù)線113上 的信號以提供存儲器陣列102與I/O電路116之間的通信。
[0027] 存儲器裝置101可包括非易失性存儲器裝置，且存儲器單元100可包含非易失性 存儲器單元，使得當(dāng)使電力（例如，V。?；騐 ss或兩者）與存儲器裝置101切斷連接時所述存 儲器單元100可留存存儲于其中的信息。
[0028] 存儲器單元100中的每一者可包含具有材料的存儲器元件，所述材料的至少一部 分可經(jīng)編程到所要數(shù)據(jù)狀態(tài)（例如，通過編程到對應(yīng)電阻狀態(tài)）。因此，不同數(shù)據(jù)狀態(tài)可表 示編程到存儲器單元100中的每一者中的不同信息值。
[0029] 當(dāng)存儲器裝置101 (例如，從外部處理器或存儲器控制器）接收編程命令和待編程 到存儲器單元100的一或多個選定者中的信息值時，存儲器裝置101可執(zhí)行編程操作?；?于所述信息值，存儲器裝置101可將選定存儲器單元編程到適當(dāng)數(shù)據(jù)狀態(tài)以表示待存儲于 其中的信息值。
[0030] 所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可認(rèn)識到，存儲器裝置101可包含其它組件，本文中論 述所述組件的至少一些組件。然而，圖中未展示這些組件的若干組件，以免混淆所描述的各 種實(shí)施例的細(xì)節(jié)。存儲器裝置101可包含裝置及存儲器單元，且使用類似于或相同于下文 參考本文中所論述的各種其它圖及實(shí)施例描述的存儲器操作的存儲器操作（例如，編程及 擦除操作）而操作。
[0031] 現(xiàn)參考圖2,根據(jù)實(shí)例實(shí)施例，呈存儲器裝置201的形式的設(shè)備的部分框圖經(jīng)展示 以包含存儲器陣列202,存儲器陣列202包含具有存取組件211及存儲器元件222的存儲器 單元200。存儲器陣列202可類似于或相同于圖1的存儲器陣列102。如圖2中進(jìn)一步展 示，存儲器單元200經(jīng)展示以連同存取線（例如，用以將信號（例如，信號WL0、WL1及WL2) 傳導(dǎo)到單元200的字線）一起布置成若干行230、231、232。存儲器單元還經(jīng)展示以連同數(shù) 據(jù)線（例如，用以將信號（例如，信號BLO、BLl及BL2)傳導(dǎo)到單元200的位線）一起布置 成若干列240、241、242。存取組件211可開啟（例如，通過使用信號孔0、11^1及孔2的適 當(dāng)值）以允許對存儲器元件222的存取，例如將存儲器元件222操作為通過元件，或從存儲 器元件222讀取信息或?qū)⑿畔⒕幊蹋ɑ驅(qū)懭耄┑酱鎯ζ髟?22中。
[0032] 將信息編程到存儲器元件222中可包含致使存儲器元件222具有特定電阻狀態(tài)。 因此，從存儲器單元200讀取信息可包含（例如）響應(yīng)于施加到其存取組件211的特定電壓 而確定存儲器元件222的電阻狀態(tài)。確定電阻的動作可涉及（例如，通過感測電耦合到存 儲器單元的位線的電流）感測流經(jīng)存儲器單元200的電流（或電流的缺乏）?；陔娏鞯?測得值（在一些實(shí)例中，包含是否檢測了電流），可確定存儲于存儲器中的信息的對應(yīng)值。 可以其它方式確定存儲于存儲器單元200中的信息值，例如通過感測電耦合到存儲器單元 的位線的電壓。
[0033] 圖3為根據(jù)各種實(shí)施例的具有耦合到存儲器元件333的存取組件311的存儲器單 元300的示意圖。圖3中標(biāo)記為WL及BL的線可分別對應(yīng)于圖1的存取線104中的任何 者及第一數(shù)據(jù)線106中的任何者。圖3展示包含（例如）金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET)的存取組件311的實(shí)例。如所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明之后將了解， 存儲器單元300可包含其它類型的存取組件（舉例來說，例如二極管）或可不包含任何存 取組件，在一些交叉點(diǎn)陣列實(shí)施例的情況下便是如此。
[0034] 存儲器元件333可耦合到兩個電極（例如，第一電極351及第二電極352)且布置 于所述兩個電極之間。圖3將這些電極示意性地展示為點(diǎn)。在結(jié)構(gòu)上，這些電極中的每一 者可包含導(dǎo)電材料。存儲器元件333可包含可（例如）響應(yīng)于信號而改變以具有不同電阻 狀態(tài)的材料。存儲于存儲器元件333中的信息值可對應(yīng)于存儲器元件333的電阻狀態(tài)。在 存儲器單元300的操作期間（例如在讀取、編程或擦除操作期間），存取組件311可使信號 (例如，體現(xiàn)為電壓或電流）能夠經(jīng)由電極對351、352傳遞到存儲器元件333且從存儲器元 件333傳遞。
[0035] 編程操作可使用信號WL以開啟存取組件311，且接著施加信號BL (例如，具有編程 電壓或電流的信號）通過存儲器元件333。此信號可致使存儲器元件333的材料的至少一 部分改變其電阻狀態(tài)?？赏ㄟ^（例如）執(zhí)行擦除操作反轉(zhuǎn)所述改變。舉例來說，局部導(dǎo)電 區(qū)域可形成于包含于存儲器元件333內(nèi)的電解質(zhì)內(nèi)。下文（例如）參考圖4更詳細(xì)論述局 部導(dǎo)電區(qū)域的形成。局部導(dǎo)電區(qū)域的橫向尺寸可確定存儲器單元300的電阻狀態(tài)，其中不 同電阻狀態(tài)對應(yīng)于表示存儲于存儲器元件333中的不同信息值的不同數(shù)據(jù)狀態(tài)。
[0036] 讀取操作可使用信號WL以開啟存取組件311 (或以其它方式存取存儲器單元 300)，且接著施加具有跨存儲器元件333的電壓或通過存儲器元件333的電流（例如，讀取 電壓或電流）的信號BL。讀取操作可基于讀取電壓或電流測量存儲器單元300的電阻以確 定存儲于其中的對應(yīng)信息值。舉例來說，在存儲器單元300中，當(dāng)讀取電流通過存儲器元件 333時，不同電阻狀態(tài)可賦予不同值（例如，電壓或電流值）給信號BL。存儲器裝置的其它 電路（例如，例如圖1的I/O電路116等電路）可使用信號BL來測量存儲器元件333的電 阻狀態(tài)以確定存儲于其中的信息值。
[0037] 在讀取、編程或擦除操作期間所使用的電壓或電流可彼此不同。舉例來說，在編程 操作中，產(chǎn)生流經(jīng)存儲器元件333的電流的信號（例如，圖3中的信號BL)的值（例如，電 壓）可足以致使存儲器元件的材料狀態(tài)或至少一部分改變。所述改變可更改存儲器元件的 電阻狀態(tài)以反映待存儲于存儲器單元333中的信息值。
[0038] 在讀取操作中，產(chǎn)生流經(jīng)存儲器元件333的電流的信號（例如，圖3中的信號BL) 的值（例如，電壓）可足以產(chǎn)生電流但不足以致使存儲器元件的任何部分改變。因此，在讀 取操作期間及讀取操作之后，存儲于存儲器元件中的信息值可保持不變。
[0039] 在擦除操作中，信號（例如，圖3中的信號BL)的電壓值可具有與用于編程操作中 的電壓相反的極性。因此，在此情況中產(chǎn)生電流的信號可將存儲器元件的材料狀態(tài)改變或 復(fù)位到其初始狀態(tài)；例如，在對存儲器單元執(zhí)行任何編程之前的狀態(tài)。
[0040] 圖1到3的各個或全部存儲器單元100、200、300可包含具有類似于或相同于下文 所描述的存儲器單元的一或多者的結(jié)構(gòu)的存儲器單元。
[0041] 舉例來說，圖4為可配合圖1及2的存儲器裝置使用且可類似于或相同于圖3的 存儲器元件333的若干存儲器單元中的一者的簡化示意框圖。即，存儲器單元300可包括 電阻改變存儲器（RCM)單元400。RCM單元400可包含其中單元電阻及因此存儲器狀態(tài)的 改變是基于存儲器單元電極之間的局部導(dǎo)電區(qū)域的形成或移除的存儲器單元。在一些RCM 科技中，有時將局部導(dǎo)電區(qū)域稱作為導(dǎo)電細(xì)絲。在一些實(shí)施例中，RCM包含電阻性隨機(jī)存取 存儲器（RRAM)的類型，其中局部導(dǎo)電區(qū)域形成于基于氧化物或硫族化物的存儲器單元材 料中。在一個實(shí)施例中，RRAM單元為導(dǎo)電橋接RAM(CBRAM)存儲器單元。在此情況中，RCM 單元400的操作是基于RCM單元400的存儲器單元材料409內(nèi)的金屬離子的電壓驅(qū)動離子 遷移及電化學(xué)沉積。在另一實(shí)施例中，RRAM單元是基于在過渡金屬氧化物存儲器單元材料 內(nèi)通過氧陰離子的電場驅(qū)動漂移或氧空位形成及擦除局部導(dǎo)電區(qū)域。
[0042] 在將任何信號（例如，偏壓電壓）施加到RCM單元400的陽極405及陰極407之 前，RCM單元400的基本構(gòu)造為金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，每一 RCM單元 經(jīng)構(gòu)造而與非歐姆存取裝置（例如，二極管）串聯(lián)以控制通過存儲器單元陣列內(nèi)的未選定 存儲器單元的寄生電流路徑。在將任何電壓施加到陽極405之前，RCM單元400可被視為 處于"復(fù)位"（例如，原生）狀態(tài)。歸因于存儲器單元材料409的自然絕緣（S卩，非導(dǎo)電）性 質(zhì)，復(fù)位狀態(tài)為相對高電阻狀態(tài)。通過將（例如）正電壓施加到RCM單元400的陽極405， 從陽極405驅(qū)動金屬離子通過存儲器單元材料409且朝向陰極407。
[0043] 陽極405可為（例如）可氧化快速擴(kuò)散金屬或金屬合金層。陽極405可由各種類 型的電化學(xué)活性金屬或金屬合金組成。在特定實(shí)例中，陽極405可包括銀（Ag)、銅（Cu)、鋁 (Al)或鋅（Zn),且充當(dāng)金屬離子施主。陰極407可為包括半導(dǎo)體或金屬材料的相對惰性 材料，所述相對惰性材料不擁有提供離子到存儲器單元材料409的顯著溶解性或顯著遷移 率。
[0044] 在特定實(shí)例中，陰極407可包括鉬（Pt)、鎢（W)、鈦（Ti)、鉭（Ta)、氮化鈦（TiN)、 摻雜硅（Si)、氮化鉭（TaN)或釕（Ru)。存儲器單元材料409可為硫族化物，例如，銀摻雜硒 化鍺（Ag-GeSe)、銀摻雜硫化鍺（Ag-GeS 2)、銅摻雜硫化鍺（Cu-GeS2)或碲化銅（CuTex);或 氧化物，例如，過渡金屬氧化物（例如，ZrO x)、半導(dǎo)體氧化物（例如，SiOx)、稀土氧化物（例 如，YbOx)、另一金屬氧化物（例如，AlO x)或其組合（例如，ZrSiOx)。
[0045] 與更傳統(tǒng)存儲器科技（例如，快閃存儲器）相比，RCM單元400的一個優(yōu)點(diǎn)在于， RCM單元400提供按比例調(diào)整到較小科技節(jié)點(diǎn)的可能性，且可針對全部操作（例如，讀取、編 程及擦除）以相對低功率操作。并且，可以高于傳統(tǒng)存儲器的速度執(zhí)行這些操作。
[0046] 現(xiàn)參考圖5,說明具有兩個電觸點(diǎn)的存儲器單元500的若干組合及排列。第一電觸 點(diǎn)501 (ECl)及第二電觸點(diǎn)503 (EC2)通過（例如）存儲器單元材料505分離。展示從第一 電觸點(diǎn)501延伸到第二電觸點(diǎn)503的導(dǎo)電路徑507。假設(shè)存儲器單元500的簡單二進(jìn)制接 通/關(guān)斷布置，導(dǎo)電路徑507提供第一電觸點(diǎn)501與第二電觸點(diǎn)503之間的唯一可能電耦 合。
[0047] 如上文簡要論述，針對基于離散CP操作的RCM單元，多個電觸點(diǎn)之間的多個路徑 原則上是可行的?？煽紤]每單元具有兩個以上電觸點(diǎn)的任何基于細(xì)絲的RCM單元科技。 [0048] 用于信息存儲的排列的數(shù)目以與每單元電極觸點(diǎn)的數(shù)目成近似冪次定律關(guān)系而 增加，而組合（及編程/擦除以及讀取操作）的數(shù)目僅近似線性增加。針對電觸點(diǎn)的給定數(shù) 目N e。，在所說明配置中的存儲器單元上，可通過方程式（1)確定導(dǎo)電路徑的最大數(shù)目Ncp:

【權(quán)利要求】
1. 一種設(shè)備，其包括： 至少兩個電阻改變存儲器RCM單元； 至少兩個電觸點(diǎn)，其電耦合到所述至少兩個RCM單元中的每一者；及 存儲器單元材料，其安置于耦合到所述至少兩個RCM單元中的每一者的所述至少兩個 電觸點(diǎn)的對之間，所述存儲器單元材料能夠在所述至少兩個電觸點(diǎn)之間形成導(dǎo)電路徑，所 述存儲器單元材料的至少一部分經(jīng)布置以交叉耦合電耦合到所述至少兩個RCM單元中的 每一者的所述至少兩個電觸點(diǎn)的選定者之間的導(dǎo)電路徑。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述至少兩個RCM單元共享連續(xù)存儲器單元材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中電耦合到所述至少兩個RCM單元中的每一者的所 述至少兩個電觸點(diǎn)中的每一者的所述對經(jīng)配置以針對編程、擦除或讀取操作個別地存取。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中待形成于電耦合到所述至少兩個RCM單元中的每 一者的所述至少兩個電觸點(diǎn)的所述對之間的導(dǎo)電路徑的數(shù)目基于所述電觸點(diǎn)的總數(shù)目近 似線性增加。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中用于編程、擦除或讀取操作的排列的數(shù)目基于導(dǎo) 電路徑的所述數(shù)目近似根據(jù)冪次定律關(guān)系而增加。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述RCM單元包括導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲器 CBRAM單元。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述RCM單元包括電阻性隨機(jī)存取存儲器RRAM單 J Li 〇
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中至少一些所述RCM單元包括單電平單元存儲器裝 置。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中至少一些所述RCM單元包括多電平單元存儲器裝 置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元材料包括硫族化物材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電觸點(diǎn)的至少一者為包括可氧化金屬材料 的陽極。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電觸點(diǎn)中的至少一者為包括惰性材料的陰 極。
13. -種設(shè)備，其包括： 至少一個電阻改變存儲器RCM單元； 三個或三個以上電觸點(diǎn)，其電耦合到所述至少一個RCM單元，所述三個或三個以上電 觸點(diǎn)彼此橫向布置；及 存儲器單元材料，其安置于三個或三個以上電觸點(diǎn)的對之間，所述存儲器單元材料能 夠在所述三個或三個以上電觸點(diǎn)的對之間形成導(dǎo)電路徑。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元材料的至少一部分經(jīng)布置以交 叉耦合電耦合到所述至少一個RCM單元的所述三個或三個以上電觸點(diǎn)的選定者之間的導(dǎo) 電路徑。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述三個或三個以上電觸點(diǎn)經(jīng)配置以歸因于操 作所述RCM單元的排列的數(shù)目而增加所述至少一個RCM單元的存儲密度。
16. -種設(shè)備，其包括： 電裝置； 至少三個電觸點(diǎn)，其耦合到所述電裝置，所述三個觸點(diǎn)彼此橫向布置且配置為交叉耦 合；及 存儲器單元材料，其安置于所述至少三個電觸點(diǎn)的至少若干對之間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元材料經(jīng)布置以允許交叉耦合所 述至少三個電觸點(diǎn)的選定者。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述電裝置包括單片固態(tài)移位寄存器。
19. 一種操作存儲器裝置的方法，所述方法包括： 在具有至少三個電觸點(diǎn)的存儲器裝置中， 選擇對所述存儲器裝置執(zhí)行多個操作的序列； 選擇所述至少三個電觸點(diǎn)的第一對以對所述存儲器裝置執(zhí)行第一操作；及 選擇所述至少三個電觸點(diǎn)的交叉耦合者的后續(xù)對以對所述存儲器裝置執(zhí)行后續(xù)操作。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述多個操作中的至少一者包含執(zhí)行所述存儲 器裝置的電阻測量。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中通過冪次定律關(guān)系近似描述所述序列的選定者 的最大數(shù)目。
22. -種設(shè)備，其包括： 至少三個電阻改變存儲器RCM單元； 數(shù)個電觸點(diǎn)，其包含電稱合到所述至少三個RCM單元中的每一者的至少一個電觸點(diǎn)， 所述至少三個RCM單元彼此橫向布置；及 存儲器單元材料，其安置于電耦合到所述至少三個RCM單元中的每一者的至少一個電 觸點(diǎn)的至少若干對之間，所述存儲器單元材料能夠在所述電觸點(diǎn)的所述至少若干對之間形 成導(dǎo)電路徑。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元材料的至少一部分經(jīng)布置以交 叉耦合電耦合到所述至少三個RCM單元中的每一者的所述至少一個電觸點(diǎn)的選定者之間 的導(dǎo)電路徑。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中所述RCM單元形成于六邊形密集陣列中。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中所述RCM單元形成于正方形陣列中。
【文檔編號】H01L27/115GK104350598SQ201380030235
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月11日
【發(fā)明者】斯科特·E·西里斯 申請人:美光科技公司