專利名稱：一種具有去污效果的晶片臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體光刻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有去污效果的晶片臺(tái)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體行業(yè)一直是投資最密集的行業(yè)之一。缺陷控制對(duì)晶片產(chǎn)量保證是至關(guān)重要的。在曝光過程中引入的顆粒污染會(huì)引起的晶片散焦是最典型和最普通類型的缺陷，這些缺陷會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)率，從而降低生產(chǎn)率。如圖1a所示的一晶片臺(tái)10，具體的，如圖1b所示，所述晶片臺(tái)10包括一晶片載臺(tái)12和一晶片曝光臺(tái)14，晶片曝光臺(tái)14與晶片載臺(tái)12之間存在一垂直通道16，晶片載臺(tái)12還存在一邊緣角18。一晶片20置于晶片曝光臺(tái)14上進(jìn)行曝光，曝光過程中需要使用去離子水(DIwater)和/或氮?dú)庾鳛榍鍧崉?通過清潔劑來吹掃任何微粒,防止回流可能帶來的粒子源，從而保持曝光環(huán)境的干凈以及保持氣流和氣壓的穩(wěn)定狀態(tài)，則需要向垂直通道16增加抽氣氣流，以將顆粒和清潔流量從垂直通道16吸取帶走。由于晶片載臺(tái)12的邊緣角18的存在，會(huì)增加邊緣角18附近的固體表面空氣流動(dòng)粘度，使顆粒易沉積和積累在晶片載臺(tái)12的邊緣角18處。又由于氣流氣壓的存在，如圖1c所示，這些殘留在晶片載臺(tái)12的邊緣角18附近處的顆?？赡軙?huì)轉(zhuǎn)移到晶片曝光臺(tái)14的邊緣，并隨著氣流運(yùn)動(dòng)、曝光的動(dòng)態(tài)過程、晶片曝光臺(tái)的機(jī)械運(yùn)動(dòng)(例如高度和左右位置的調(diào)整)，以及晶片離開和放置在晶片曝光臺(tái)上的接觸的動(dòng)態(tài)過程，均會(huì)引起顆粒擴(kuò)散沉積在晶片邊緣上并引起晶片邊緣散焦，而這些晶片邊緣散焦會(huì)導(dǎo)致需要花費(fèi)大量的機(jī)械時(shí)間去除顆粒以及降低掃描工具的掃描能力。用掃描工具獲得的結(jié)果如圖1d所示，區(qū)域Dl表示晶片邊緣由于顆粒的沉積導(dǎo)致的厚度增加，區(qū)域D2表示沒有被顆粒污染的晶片的厚度不變。因此，在曝光過·程中引入的晶片污染(類似晶片背面顆粒，邊緣珠去除，或EBR殘差等作為第一個(gè)因素)和/或晶片曝光臺(tái)邊緣污染大多發(fā)生在晶片邊緣(作為第二個(gè)因素)。通過提高晶片清洗和EBR工程是可以解決第一個(gè)因素。而為了解決第二個(gè)因素，通常需要頻繁清洗晶片載臺(tái)和晶片曝光臺(tái)，以降低這種微粒引起的晶片邊緣散焦的影響，但是這樣不僅浪費(fèi)大量寶貴的加工時(shí)間，而且清潔結(jié)束后有時(shí)也未必獲得令人不滿意的結(jié)果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有去污效果的晶片臺(tái)，以降低晶片邊緣顆粒污染。為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種具有去污效果的晶片臺(tái)，所述晶片臺(tái)包括一晶片載臺(tái)和一晶片曝光臺(tái)，所述晶片載臺(tái)和晶片曝光臺(tái)之間有一垂直通道，所述晶片臺(tái)還具有貫穿所述晶片載臺(tái)且連接所述晶片載臺(tái)邊緣表面至垂直通道底部的光滑通道陣列。進(jìn)一步的，所述光滑通道陣列中的光滑通道的數(shù)目為一個(gè)或多個(gè)由所述晶片載臺(tái)邊緣的形狀和面積大小決定。進(jìn)一步的，每個(gè)所述光滑通道的曲率和端口的大小相同或不同。進(jìn)一步的，在每個(gè)所述光滑通道中，位于所述晶片載臺(tái)邊緣表面的頂部端口和位于所述晶片載臺(tái)邊緣側(cè)壁的底部端口的大小相同或不同。優(yōu)選的，所述頂部端口和底部端口的特征尺寸為0.1-1_。優(yōu)選的，所述晶片曝光臺(tái)具有第一表面和第二表面，所述光滑通道的底部端口低于所述晶片曝光臺(tái)的第一表面。優(yōu)選的，所述晶片曝光臺(tái)的第二表面低于所述晶片載臺(tái)的邊緣角的水平面。優(yōu)選的，每個(gè)所述光滑通道間隔的距離為0.2_5mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型公開的一種具有去污效果的晶片臺(tái)，由于在晶片臺(tái)上具有貫穿晶片載臺(tái)且連接晶片載臺(tái)邊緣表面至垂直通道底部的光滑通道陣列，所述光滑通道和垂直通道一起作為抽取污染源的通道使用，而沉積在晶片載臺(tái)邊緣上的顆粒通過所述光滑通道后帶走，大大降低了在晶片載臺(tái)邊緣的顆粒停留和積累的機(jī)會(huì)，以防止沉積在晶片載臺(tái)邊緣上的顆粒擴(kuò)散到晶片曝光臺(tái)邊緣處，再擴(kuò)散到置于晶片曝光臺(tái)上的晶片邊緣上，從而降低了晶片邊緣的散焦的可能性，進(jìn)而提高了晶片的產(chǎn)量。同時(shí)，減少了清洗晶片載臺(tái)與晶片曝光臺(tái)的頻率，也節(jié)省了機(jī)械工具去除顆粒的工作時(shí)間和提高了掃描工具的掃描率。此外，所述光滑通道的底部端口低于晶片曝光臺(tái)的第一表面，而晶片曝光臺(tái)的第二表面低于晶片載臺(tái)邊緣的水平面，這種設(shè)計(jì)會(huì)在光滑通道中自然存在流量-壓力差，使所述光滑通道自然形成從頂部至底部抽取污染源的通道，否則沉積和積累在晶片載臺(tái)邊緣處污染物易擴(kuò)散， 然后成為晶片邊緣散焦的來源。還有，所述光滑通道為陣列排布，每個(gè)所述光滑通道的頂部端口和底部端口的特征尺寸為0.1-1mm,每個(gè)所述光滑通道間隔的距離為0.2-5mm,因此對(duì)于浸沒式掃描來說，由于所述光滑通道具有相對(duì)小的端口以及由這些端口所形成的相對(duì)小的總面積，則浸沒罩驅(qū)動(dòng)在晶片載臺(tái)邊緣上時(shí)所引起的壓力干擾被最小化。

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)晶片臺(tái)的整體結(jié)構(gòu)不意圖；圖1b為圖1a的晶片邊緣的垂直通道附近的剖視圖；圖1c為圖1a殘留在晶片載臺(tái)上的顆粒在曝光的動(dòng)態(tài)過程中擴(kuò)散至晶片曝光臺(tái)及晶片邊緣的剖視圖；圖1d為用掃描工具掃描置于被顆粒污染的晶片曝光臺(tái)上的晶片所獲得晶片質(zhì)量示意圖；圖2a為本實(shí)用新型具有去污效果的晶片臺(tái)的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為圖2a的晶片載臺(tái)邊緣的光滑通道附近的剖視圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。[0025]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施的限制。參見圖2a，本實(shí)用新型提供一種具有去污效果的晶片臺(tái)100，所述晶片臺(tái)100包括一晶片載臺(tái)102和一晶片曝光臺(tái)104,所述晶片載臺(tái)102和晶片曝光臺(tái)104之間有一垂直通道106，所述晶片臺(tái)100還具有貫穿所述晶片載臺(tái)102且連接所述晶片載臺(tái)邊緣表面至垂直通道底部的光滑通道陣列108。由于所述光滑通道陣列108的存在，所述光滑通道陣列108和垂直通道106 —起作為抽取污染源的通道使用，而沉積在晶片載臺(tái)邊緣上的顆粒通過所述光滑通道陣列108后帶走，大大降低了在晶片載臺(tái)邊緣的顆粒停留和積累的機(jī)會(huì)，以防止沉積在晶片載臺(tái)邊緣上的顆粒擴(kuò)散到晶片曝光臺(tái)邊緣處，再擴(kuò)散到置于晶片曝光臺(tái)上的晶片邊緣上，從而降低了晶片邊緣的散焦的可能性，進(jìn)而提高了晶片的產(chǎn)量。同時(shí)，減少了清洗晶片載臺(tái)102與晶片曝光臺(tái)104的頻率，也節(jié)省了機(jī)械工具去除顆粒的工作時(shí)間和提高了掃描工具的掃描率。所述光滑通道陣列108中的光滑通道的具體結(jié)構(gòu)如圖2b所示，結(jié)合圖2b，對(duì)所述具有去污效果的晶片臺(tái)100進(jìn)行分析:因制造的晶片大小不同，用于曝光的晶片臺(tái)100大小也不同，所導(dǎo)致的晶片載臺(tái)邊緣的形狀和面積大小也發(fā)生變化，根據(jù)所述晶片載臺(tái)邊緣的形狀和面積大小決定所述光滑通道的數(shù)目是為一個(gè)還是為多個(gè)。當(dāng)所述光滑通道的數(shù)目增多時(shí)，可以加速所述晶片載臺(tái)邊緣上的顆粒抽取。為了使晶片載臺(tái)102上沉積的顆粒順利的通過所述光滑通道108’，所述光滑通道108’具有一定曲率，每個(gè)所述光滑通道108’的曲率相同，也可以不同；另外，所述光滑通道陣列108中的每個(gè)光滑通道108’的端口也可以相同或不同。而每個(gè)所述光滑通道108’具有頂部端口 110和底部端口 112，所述頂部端口 110位于所述晶片載臺(tái)邊緣表面上，所述底部端口 112位于所 述晶片載臺(tái)邊緣側(cè)壁上，所述頂部端口 110和底部端口 112的大小也可以相同或不同。優(yōu)選的，所述頂部端口 110和底部端口 112的特征尺寸為0.1-lmm，且每個(gè)所述光滑通道108’間隔的距離D3為0.2-5mm。因此對(duì)于浸沒式掃描來說，由于所述光滑通道108’具有相對(duì)小的端口以及由這些端口所形成的相對(duì)小的總面積，則浸沒罩驅(qū)動(dòng)在晶片載臺(tái)邊緣上時(shí)所引起的壓力干擾被最小化。所述晶片曝光臺(tái)104具有第一表面114和第二表面116，所述光滑通道108的底部端口 112低于所述晶片曝光臺(tái)104的第一表面114,而所述晶片曝光臺(tái)104的第二表面116低于所述晶片載臺(tái)邊緣的水平面。這種設(shè)計(jì)會(huì)在光滑通道中自然存在流量-壓力差，使所述光滑通道108’自然形成從頂部至底部抽取污染源的通道，否則沉積和積累在所述晶片載臺(tái)邊緣處污染物易擴(kuò)散，然后成為晶片邊緣散焦的來源。本實(shí)用新型雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種具有去污效果的晶片臺(tái)，所述晶片臺(tái)包括一晶片載臺(tái)和一晶片曝光臺(tái)，所述晶片載臺(tái)和晶片曝光臺(tái)之間有一垂直通道，其特征在于:具有貫穿所述晶片載臺(tái)且連接所述晶片載臺(tái)邊緣表面至垂直通道底部的光滑通道陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片臺(tái)，其特征在于，所述光滑通道陣列中的光滑通道的數(shù)目為一個(gè)或多個(gè)由所述晶片載臺(tái)邊緣的形狀和面積大小決定。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片臺(tái)，其特征在于，每個(gè)所述光滑通道的曲率和端口的大小相同或不同。
4.如權(quán)利要求3所述的晶片臺(tái)，其特征在于，在每個(gè)所述光滑通道中，位于所述晶片載臺(tái)邊緣表面的頂部端口和位于所述晶片載臺(tái)邊緣側(cè)壁的底部端口的大小相同或不同。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片臺(tái)，其特征在于，所述頂部端口和底部端口的特征尺寸為0.1-1mm0
6.如權(quán)利要求4所述的晶片臺(tái)，其特征在于，所述晶片曝光臺(tái)具有第一表面和第二表面，所述光滑通道的底部端口低于所述晶片曝光臺(tái)的第一表面。
7.如權(quán)利要求6所述的晶片臺(tái)，其特征在于，所述晶片曝光臺(tái)的第二表面低于所述晶片載臺(tái)的邊緣角的水平面。
8.如權(quán)利要求2所述的晶片臺(tái)，其特征在于，每個(gè)所述光滑通道間隔的距離為·0.2-5mm。·
專利摘要本實(shí)用新型提供一種具有去污效果的晶片臺(tái)，所述晶片臺(tái)包括一晶片載臺(tái)和一晶片曝光臺(tái)，所述晶片載臺(tái)和晶片曝光臺(tái)之間有一垂直通道，所述晶片臺(tái)還具有貫穿晶片載臺(tái)的光滑通道，所述光滑通道的入口端和出口端分別位于所述晶片載臺(tái)的表面和側(cè)壁上。本實(shí)用新型可以防止沉積在晶片載臺(tái)邊緣上的顆粒擴(kuò)散到晶片曝光臺(tái)邊緣處，再擴(kuò)散到置于晶片曝光臺(tái)上的晶片邊緣上，從而降低了晶片邊緣的散焦的可能性，進(jìn)而提高了晶片的產(chǎn)量。同時(shí)，減少了清洗晶片載臺(tái)與晶片曝光臺(tái)的頻率，也節(jié)省了機(jī)械工具去除顆粒的工作時(shí)間和提高了掃描工具的掃描率。
文檔編號(hào)H01L21/683GK203134770SQ201320094069
公開日2013年8月14日 申請日期2013年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月1日
發(fā)明者鄧國貴, 伍強(qiáng), 姚欣, 胡華勇 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司