軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件，所述方法包括：步驟1、提供軟性基底（22）；步驟2、在該軟性基底（22）上形成石墨烯層（24）；步驟3、在石墨烯層（24）上形成保護(hù)層（26）；步驟4、在保護(hù)層（26）上形成低溫多晶硅層（28）。本發(fā)明的軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件，通過(guò)在軟性基底上形成石墨烯層，有效導(dǎo)出低溫多晶硅層制程中所產(chǎn)生的熱量，進(jìn)而避免熱量對(duì)軟性基底的影響，同時(shí)，不需要增加保護(hù)層的厚度，減小了內(nèi)部應(yīng)力，且利于薄型化。
【專(zhuān)利說(shuō)明】軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)與信息產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展，顯示器已從傳統(tǒng)的陰極射線管(cathoderay tubes, CRT)進(jìn)入平面顯示器(flat panel display, FPD)時(shí)代。而軟性顯示器(flexible display)更因其與現(xiàn)有剛性玻璃面板平面顯示器相比,具有更輕薄、可撓曲、耐沖擊等性能而具安全性，且不受場(chǎng)合、空間限制，成為下一代顯示器發(fā)展的新趨勢(shì)。
[0003]軟性薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)基板是軟性顯示器的重要組件之一，其基板材料的選擇與開(kāi)發(fā)更是軟性顯示器發(fā)展上最重要的議題。目前軟性基板材料的選擇有塑料基板(plastic substrate)、超薄玻璃(thin glass)基板、以及金屬軟板(metalfoil)，其中塑料基板可以實(shí)現(xiàn)輕薄、耐沖擊、低成本的理想，但塑料基板具有不耐高溫制程、熱膨脹系數(shù)較大等問(wèn)題。
[0004]請(qǐng)參閱圖1，為現(xiàn)有的一種軟性薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括:玻璃基板100、形成于玻璃基板100上的軟性基底300、形成于軟性基底300上的保護(hù)層500、形成于保護(hù)層500上的低溫多晶硅層700及形成于低溫多晶硅層700上的薄膜晶體管陣列(未圖示)，其中保護(hù)層500包括形成于軟性基底300上的氮化硅層502及形成于氮化硅層502上的氧化硅層504，低溫多晶硅層700 —般通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，且，由于低溫多晶硅層700的形成還需要經(jīng)過(guò)激光活化，而激光活化會(huì)產(chǎn)生很大的熱量，當(dāng)該熱量傳遞到軟性基底300時(shí)，可能導(dǎo)致軟性基底300變形，嚴(yán)重影響軟性薄膜晶體管基板的品質(zhì)。
[0005]如圖2所示，為了解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有另一種軟性薄膜晶體管基板增加了保護(hù)層500’的氧化硅層504’的厚度(從500nm左右增加到1_2 μ m)，以隔絕熱量傳遞到軟性基底300上。雖然，該種方法在一定程度上減小了軟性基底300變形的幾率，但，由于氧化硅層504’的厚度過(guò)大，則會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力過(guò)大，影響軟性薄膜晶體管基板的卷曲性能，同時(shí)，還可能造成低溫多硅層700結(jié)晶不良等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種軟性顯示器組件的制作方法，其制程簡(jiǎn)單，能有效避免熱量對(duì)軟性基底的影響，提升了軟性顯示器組件的品質(zhì)。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種軟性顯示器組件，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在制程中受熱量影響較小，且具有較薄的厚度，利于實(shí)現(xiàn)薄型化。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種軟性顯示器組件的制作方法，包括以下步驟:
[0009]步驟1、提供軟性基底；
[0010]步驟2、在該軟性基底上形成石墨烯層；
[0011]步驟3、在石墨烯層上形成保護(hù)層；[0012]步驟4、在保護(hù)層上形成低溫多晶硅層。
[0013]所述軟性基底由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚酰亞胺制成。
[0014]所述石墨烯層通過(guò)微波化學(xué)氣相沉積、轉(zhuǎn)移或旋涂工藝形成于所述軟性基底上，所述石墨烯層厚度為10nm-100nm。
[0015]所述保護(hù)層包括氮化硅層、氧化硅層至少一層。
[0016]所述低溫多晶硅層通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，再通過(guò)摻雜、激光活化工藝處理。
[0017]本發(fā)明還提供一種軟性顯示器組件，包括:軟性基底、形成于軟性基底上的石墨烯層、形成于石墨烯層上的保護(hù)層及形成于保護(hù)層上的低溫多晶硅層。
[0018]所述軟性基底由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚酰亞胺制成。
[0019]所述石墨烯層通過(guò)微波化學(xué)氣相沉積、轉(zhuǎn)移或旋涂工藝形成于所述軟性基底上，所述石墨烯層厚度為10nm-100nm。
[0020]所述保護(hù)層包括氮化硅層、氧化硅層至少一層。
[0021]所述低溫多晶硅層通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，再通過(guò)摻雜、激光活化工藝處理。
[0022]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件，通過(guò)在軟性基底上形成石墨烯層，有效導(dǎo)出低溫多晶硅層制程中所產(chǎn)生的熱量，進(jìn)而避免熱量對(duì)軟性基底的影響，同時(shí)，不需要增加保護(hù)層的厚度，減小了內(nèi)部應(yīng)力，且利于薄型化。
[0023]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。
[0025]附圖中，
[0026]圖1為現(xiàn)有的一種軟性薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為現(xiàn)有的另一種軟性薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明軟性顯示器組件的制作方法的流程圖；
[0029]圖4為本發(fā)明軟性顯示器組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031]請(qǐng)參閱圖3及圖4，本發(fā)明提供一種軟性顯示器組件的制作方法，包括以下步驟:
[0032]步驟1、提供軟性基底22。
[0033]所述軟性基底22由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、或聚酰亞胺(PI)制成。在本實(shí)施例中，所述軟性基底22形成于玻璃基板20上。
[0034]步驟2、在該軟性基底22上形成石墨烯層24。[0035]所述石墨烯(graphene)層24通過(guò)微波化學(xué)氣相沉積(micro wave CVD)、轉(zhuǎn)移或旋涂(spin coat)工藝形成于所述軟性基底22上。石墨烯是一種由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的材料，三維立體結(jié)構(gòu)的石墨烯具有超高等效熱導(dǎo)率和超低界面熱阻，因此該石墨烯層24具有優(yōu)異的導(dǎo)熱效果，能夠很好的導(dǎo)出熱量，保護(hù)軟性基底22。其中，所述石墨烯層24厚度沒(méi)有特別要求，但從利于薄型化的方面考慮，優(yōu)選厚度為10nm-100nm。
[0036]值得一提的是，該石墨烯層24可以為一整層還可以進(jìn)行圖案化，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的不同要求。
[0037]步驟3、在石墨烯層24上形成保護(hù)層26。
[0038]所述保護(hù)層26包括氮化硅層(SiNx) 262、氧化硅層(SiOx) 264至少一層，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)層26為氮化娃層262與氧化娃層264的疊層,其中，氮化娃層262形成于石墨烯層24上,氧化娃層264形成于氮化娃層262上。所述氮化娃層262、氧化娃層264可利用化學(xué)氣相沉積法形成。
[0039]其中，由于設(shè)置了石墨烯層24，故而保護(hù)層26中氧化硅層264的厚度可以相對(duì)較薄(此時(shí)氧化硅層264厚度可以為500nm左右)，相較于傳統(tǒng)的增加氧化硅層厚度的方案(此時(shí)氧化硅層厚度為1-2 μ m)而言，厚度明顯減??；進(jìn)而保證整個(gè)軟性顯示器組件的厚度相對(duì)較小。
[0040]步驟4、在保護(hù)層26上形成低溫多晶硅層28。
[0041]所述低溫多晶硅層28通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，然后再通過(guò)摻雜、激光活化等工藝處理。激光活化時(shí)，激光產(chǎn)生的熱量通過(guò)石墨烯層24導(dǎo)出，能有效避免軟性基底22受到熱量的影響，且不需要加厚保護(hù)層26的厚度，利于實(shí)現(xiàn)薄型化。
[0042]請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明還提供一種軟性顯示器組件，包括:軟性基底22、形成于軟性基底22上的石墨烯層24、形成于石墨烯層24上的保護(hù)層26及形成于保護(hù)層26上的低溫多晶硅層28。在本實(shí)施例中，所述軟性顯示器組件形成于玻璃基板20上。
[0043]具體地，所述軟性基底22由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、或聚酰亞胺(PI)制成。所述石墨烯層24通過(guò)微波化學(xué)氣相沉積(micro wave CVD)、轉(zhuǎn)移或旋涂(spin coat)工藝形成于所述軟性基底22上。石墨烯是一種由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的材料，三維立體結(jié)構(gòu)的石墨烯具有超高等效熱導(dǎo)率和超低界面熱阻，因此該石墨烯層24具有優(yōu)異的導(dǎo)熱效果，能夠很好的導(dǎo)出熱量，保護(hù)軟性基底22。其中，所述石墨烯層24厚度沒(méi)有特別要求，但從利于薄型化的方面考慮，優(yōu)選厚度為10nm-100nm。
[0044]所述保護(hù)層26包括氮化硅層262、氧化硅層264至少一層，在本實(shí)施例中，所述保護(hù)層26為氮化娃層262與氧化娃層264的疊層,其中，氮化娃層262形成于石墨烯層24上，氧化娃層264形成于氮化娃層262上。所述氮化娃層262、氧化娃層264可利用化學(xué)氣相沉積法形成。
[0045]其中，由于設(shè)置了石墨烯層24，故而保護(hù)層26中氧化硅層264的厚度可以相對(duì)較薄(此時(shí)氧化硅層264厚度可以為500nm左右)，相較于傳統(tǒng)的增加氧化硅層厚度的方案(此時(shí)氧化硅層厚度為1-2 μ m)而言，厚度明顯減??；進(jìn)而保證整個(gè)軟性顯示器組件的厚度相對(duì)較小。
[0046]所述低溫多晶硅層28通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，然后再通過(guò)摻雜、激光活化等工藝處理。激光活化時(shí)，激光產(chǎn)生的熱量通過(guò)石墨烯層24導(dǎo)出，能有效避免軟性基底22受到熱量的影響，且不需要加厚保護(hù)層26的厚度，利于實(shí)現(xiàn)薄型化。
[0047]值得一提的是，該石墨烯層24可以為一整層還可以進(jìn)行圖案化，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的不同要求。
[0048]綜上所述，本發(fā)明的軟性顯示器組件的制作方法及其制作的軟性顯示器組件，通過(guò)在軟性基底上形成石墨烯層，有效導(dǎo)出低溫多晶硅層制程中所產(chǎn)生的熱量，進(jìn)而避免熱量對(duì)軟性基底的影響，同時(shí)，不需要增加保護(hù)層的厚度，減小了內(nèi)部應(yīng)力，且利于薄型化。
[0049]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種軟性顯示器組件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供軟性基底(22)； 步驟2、在該軟性基底(22)上形成石墨烯層(24)； 步驟3、在石墨烯層(24)上形成保護(hù)層(26)； 步驟4、在保護(hù)層(26 )上形成低溫多晶硅層(28 )。
2.如權(quán)利要求1所述的軟性顯示器組件的制作方法，其特征在于，所述軟性基底(22)由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚酰亞胺制成。
3.如權(quán)利要求1所述的軟性顯示器組件的制作方法，其特征在于，所述石墨烯層(24)通過(guò)微波化學(xué)氣相沉積、轉(zhuǎn)移或旋涂工藝形成于所述軟性基底(22)上，所述石墨烯層(24)厚度為 IOnm-1OOnm。
4.如權(quán)利要求1所述的軟性顯示器組件的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層(26)包括氮化娃層(262)、氧化娃層(264)至少一層。
5.如權(quán)利要求1所述的軟性顯示器組件的制作方法，其特征在于，所述低溫多晶硅層(28)通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，再通過(guò)摻雜、激光活化工藝處理。
6.一種軟性顯示器組件，其特征在于，包括:軟性基底(22)、形成于軟性基底(22)上的石墨烯層(24)、形成于石墨烯層(24)上的保護(hù)層(26)及形成于保護(hù)層(26)上的低溫多晶娃層(28)。
7.如權(quán)利要求6所述的軟性顯示器組件，其特征在于，所述軟性基底(22)由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚酰亞胺制成。
8.如權(quán)利要求6所述的軟性顯示器組件，其特征在于，所述石墨烯層(24)通過(guò)微波化學(xué)氣相沉積、轉(zhuǎn)移或旋涂工藝形成于所述軟性基底(22)上，所述石墨烯層(24)厚度為IOnm-1OOnm0
9.如權(quán)利要求6所述的軟性顯示器組件，其特征在于，所述保護(hù)層(26)包括氮化硅層(262)、氧化娃層(264)至少一層。
10.如權(quán)利要求6所述的軟性顯示器組件，其特征在于，所述低溫多晶硅層(28)通過(guò)非晶硅層經(jīng)由退火工藝形成，再通過(guò)摻雜、激光活化工藝處理。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103606535SQ201310611655
【公開(kāi)日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月26日
【發(fā)明者】胡國(guó)仁 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司