帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，涉及通信領(lǐng)域的集成電路設(shè)計(jì)，該激光驅(qū)動器包括調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端、第一延時(shí)驅(qū)動單元、調(diào)制電流驅(qū)動單元、第二延時(shí)驅(qū)動單元、預(yù)加重驅(qū)動單元和激光器組件，第一延時(shí)驅(qū)動單元、第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸入端均與調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端相連；第一延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口相連，第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口相連；調(diào)制電流驅(qū)動單元與預(yù)加重驅(qū)動單元相連，調(diào)制電流驅(qū)動單元、預(yù)加重驅(qū)動單元均與激光器組件相連。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)激光驅(qū)動器的電流預(yù)加重輸出、輸出調(diào)制電流的大小可調(diào)，還能控制預(yù)加重的深度。
【專利說明】帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域的集成電路設(shè)計(jì)，特別是涉及一種帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器。
【背景技術(shù)】
[0002]激光驅(qū)動器是光通信模塊中的關(guān)鍵器件，用于為發(fā)光器件提供驅(qū)動電流。通常情況下，激光驅(qū)動器對于調(diào)制電流驅(qū)動的輸出波形同步反映輸入調(diào)制信號的變化情況。然而，在高速信號調(diào)制的時(shí)候，由于調(diào)制電流輸出信號走線延時(shí)以及發(fā)光器件本身的寄生電容的影響，可能會導(dǎo)致輸出光眼圖的劣化，在信號的傳輸過程中，由于高頻的衰減，會導(dǎo)致信號完整性的損失。為了解決這個(gè)問題，通?？梢栽谛盘柊l(fā)送之前對信號做預(yù)加重處理，預(yù)先提升信號的高頻分量，以補(bǔ)償信號在傳輸過程中高頻分量的衰減。因此，亟需設(shè)計(jì)出帶預(yù)加重功能的激光驅(qū)動器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了克服上述【背景技術(shù)】的不足，提供一種帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)激光驅(qū)動器的電流預(yù)加重輸出、輸出調(diào)制電流的大小可調(diào)，而且還能控制預(yù)加重的深度。
[0004]本發(fā)明提供一種帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，它包括電源VDD、調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat、第一延時(shí)驅(qū)動單元、調(diào)制電流驅(qū)動單元和激光器組件，調(diào)制電流驅(qū)動單元包括調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 IN1、調(diào)制電流控制端口 Imodctrl和調(diào)制電流輸出端口 Imodout,第一延時(shí)驅(qū)動單元的輸入端與調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat相連，第一延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl相連，調(diào)制電流驅(qū)動單元與激光器組件相連，它還包括第二延時(shí)驅(qū)動單元和預(yù)加重驅(qū)動單元，預(yù)加重驅(qū)動單元包括預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2、預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl和預(yù)加重輸出端口 Ipeout,第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸入端與調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat相連，第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2相連，調(diào)制電流驅(qū)動單元與預(yù)加重驅(qū)動單元相連，預(yù)加重驅(qū)動單元與激光器組件相連，其中:
[0005]所述第一延時(shí)驅(qū)動單元由若干個(gè)反相器串聯(lián)組成，用于實(shí)現(xiàn)調(diào)制信號的延時(shí)、放大和驅(qū)動，提聞?wù){(diào)制/[目號的驅(qū)動能力；
[0006]所述第二延時(shí)驅(qū)動單元也由若干個(gè)反相器串聯(lián)組成，用于對調(diào)制信號進(jìn)行延時(shí)、放大和驅(qū)動，再轉(zhuǎn)換成預(yù)加重信號；
[0007]所述調(diào)制電流驅(qū)動單元，用于:將延時(shí)和放大后的調(diào)制電流信號轉(zhuǎn)換成調(diào)制電流，將調(diào)制電流輸出給激光器組件，并通過調(diào)制電流控制端口 Imodctrl控制輸出調(diào)制電流的強(qiáng)度；
[0008]所述預(yù)加重驅(qū)動單元，用于:將預(yù)加重信號轉(zhuǎn)換成預(yù)加重電流輸出，并通過預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl控制預(yù)加重電流的強(qiáng)度，從而控制預(yù)加重的深度；[0009]所述調(diào)制電流驅(qū)動單元包括第一 NMOS晶體管Ml、第二 NMOS晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4，第一 NMOS晶體管Ml的柵極與漏極相連，第一 NMOS晶體管Ml的漏極還分別與第三NMOS晶體管M3的柵極、調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制電流控制端口Imodctrl相連；第一 NMOS晶體管Ml的源極與第二 NMOS晶體管M2的漏極相連，第二 NMOS晶體管M2的柵極接電源VDD，第二 NMOS晶體管M2的源極接地；第三NMOS晶體管M3的漏極與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制電流輸出端口 Imodout相連；第三NMOS晶體管M3的源極第四NMOS晶體管M4的漏極，第四NMOS晶體管M4的柵極與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl相連，第四NMOS晶體管M4的源極接地；
[0010]所述預(yù)加重驅(qū)動單元包括第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一 PMOS晶體管Ml1、第二 PMOS晶體管M12，第五NMOS晶體管M5的柵極與漏極相連，第五NMOS晶體管M5的漏極還分別與第七NMOS晶體管M7的柵極、第九NMOS晶體管M9的柵極、預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl相連?’第五NMOS晶體管M5的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連，第七NMOS晶體管M7的源極與第八NMOS晶體管M8的漏極相連，第九NMOS晶體管M9的源極與第十NMOS晶體管MlO的漏極相連，第六NMOS晶體管M6的柵極和第八NMOS晶體管M8的柵極均接電源VDD，第十NMOS晶體管MlO的柵極與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2相連；第六NMOS晶體管M6的源極、第八NMOS晶體管M8的源極和第十NMOS晶體管MlO的源極均接地；第七NMOS晶體管M7的漏極與第一 PMOS晶體管Mll的漏極相連，第一 PMOS晶體管Mll的漏極分別與第一 PMOS晶體管Mll的源極、第二 PMOS晶體管M12的柵極相連；第一 PMOS晶體管Mll的源極和第二 PMOS晶體管M12的源極均接電源VDD ;第二 PMOS晶體管M12的漏極與第九NMOS晶體管M9的漏極相連，并同時(shí)與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重輸出端口 Ipeout相連。
[0011]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述調(diào)制電流驅(qū)動單元中第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3為調(diào)制電流輸出電流鏡的鏡像管，將輸入調(diào)制電流信號放大若干倍;第二NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4為MOS開關(guān)，配合第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3輸出調(diào)制電流。
[0012]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述調(diào)制電流驅(qū)動單元中第二 NMOS晶體管M2設(shè)置為常開，第四NMOS晶體管M4由第一延時(shí)驅(qū)動單元來控制，從第三NMOS晶體管M3的漏極輸出調(diào)制電流號。
[0013]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述調(diào)制電流驅(qū)動單元中第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3的鏡像比以及第二 NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4的鏡像比滿足以下關(guān)系:M1:M3=M2:M4=1:N, N為正整數(shù)。
[0014]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述預(yù)加重驅(qū)動單元中第五NMOS晶體管M5、第七NMOS晶體管M7、第九NMOS晶體管M9、第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12均為預(yù)加重電流輸出電流鏡的鏡像管，第六NMOS晶體管M6、第八NMOS晶體管M8和第十NMOS晶體管MlO為MOS開關(guān)。
[0015]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述第六NMOS晶體管M6和第八NMOS晶體管M8設(shè)置為常開，第十NMOS晶體管MlO由第二延時(shí)驅(qū)動單元來控制。
[0016]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述第七NMOS晶體管M7和第八NMOS晶體管M8將輸入電流一比一鏡像后，通過第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12放大電流，在第二PMOS晶體管M12的漏極產(chǎn)生一個(gè)直流電流，與第九NMOS晶體管M9漏極的電流相減后輸出到激光器組件。
[0017]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一 PMOS晶體管Mil、第二 PMOS晶體管M12的鏡像比滿足以下關(guān)系:M5:M7:M9=M6:M8:M10=1:1:M ；Mil:M12=1:M，M 為正整數(shù)。
[0018]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述第二延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)與第一延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)相同。
[0019]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述第二延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)與第一延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)不同。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下:
[0021]本發(fā)明提供的集成光通信激光驅(qū)動器包括第一延時(shí)驅(qū)動單元、調(diào)制電流驅(qū)動單元、第二延時(shí)驅(qū)動單元、預(yù)加重驅(qū)動單元和激光器組件，第一延時(shí)驅(qū)動單元實(shí)現(xiàn)調(diào)制信號的延時(shí)、放大和驅(qū)動，調(diào)制電流驅(qū)動單元將延時(shí)和放大后的調(diào)制電流信號轉(zhuǎn)換成調(diào)制電流后輸出給激光器組件，并控制輸出調(diào)制電流的強(qiáng)度；第二延時(shí)驅(qū)動單元將調(diào)制信號延時(shí)、放大和驅(qū)動后，轉(zhuǎn)換成預(yù)加重信號，預(yù)加重驅(qū)動單元將預(yù)加重信號轉(zhuǎn)換成預(yù)加重電流輸出，并控制預(yù)加重電流的強(qiáng)度，從而控制預(yù)加重的深度。因此，本發(fā)明不僅能夠?qū)崿F(xiàn)激光驅(qū)動器的電流預(yù)加重輸出、輸出調(diào)制電流的大小可調(diào)，而且還能控制預(yù)加重的深度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明實(shí)施例中帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)框圖。
[0023]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中第一延時(shí)驅(qū)動單元的電路圖。
[0024]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中調(diào)制電流驅(qū)動單元的電路圖。
[0025]圖4是本發(fā)明實(shí)施例中預(yù)加重驅(qū)動單元的電路圖。
[0026]圖5是激光驅(qū)動器通常情況下輸出調(diào)制電流的波形圖。
[0027]圖6是將圖5中的輸出調(diào)制電流減去一個(gè)直流電流的波形圖。
[0028]圖7是本發(fā)明實(shí)施例中產(chǎn)生一個(gè)小幅度并且相位相反的輸出調(diào)制電流鏡像的波形圖。
[0029]圖8是將圖7的波形延時(shí)后與圖6的波形疊加的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0031]參見圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，包括電源VDD、調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat、第一延時(shí)驅(qū)動單元、調(diào)制電流驅(qū)動單元、第二延時(shí)驅(qū)動單元、預(yù)加重驅(qū)動單元和激光器組件，調(diào)制電流驅(qū)動單元包括調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl、調(diào)制電流控制端口 Imodctrl和調(diào)制電流輸出端口 Imodout,預(yù)加重驅(qū)動單元包括預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2、預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl和預(yù)加重輸出端口 Ipeout,第一延時(shí)驅(qū)動單元、第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸入端均與調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat相連；第一延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl相連，第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2相連；調(diào)制電流驅(qū)動單元與預(yù)加重驅(qū)動單元相連，調(diào)制電流驅(qū)動單元、預(yù)加重驅(qū)動單元均與激光器組件相連，其中:
[0032]參見圖2所示，第一延時(shí)驅(qū)動單元由若干個(gè)反相器串聯(lián)組成，用于實(shí)現(xiàn)調(diào)制信號的延時(shí)、放大和驅(qū)動，提聞?wù){(diào)制/[目號的驅(qū)動能力；
[0033]第二延時(shí)驅(qū)動單元也由若干個(gè)反相器串聯(lián)組成，用于對調(diào)制信號進(jìn)行延時(shí)、放大和驅(qū)動，再轉(zhuǎn)換成預(yù)加重信號；第二延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)與第一延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)可以相同，也可以不同；
[0034]調(diào)制電流驅(qū)動單元，用于:將延時(shí)和放大后的調(diào)制電流信號轉(zhuǎn)換成調(diào)制電流，將調(diào)制電流輸出給激光器組件，并通過調(diào)制電流控制端口 Imodctrl控制輸出調(diào)制電流的強(qiáng)度；
[0035]預(yù)加重驅(qū)動單元，用于:將預(yù)加重信號轉(zhuǎn)換成預(yù)加重電流輸出，并通過預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl控制預(yù)加重電流的強(qiáng)度，從而控制預(yù)加重的深度。
[0036]參見圖3所示，調(diào)制電流驅(qū)動單元包括第一 NMOS晶體管Ml、第二 NMOS晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4，第一 NMOS晶體管Ml的柵極與漏極相連，第一NMOS晶體管Ml的漏極還分別與第三NMOS晶體管M3的柵極、調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制電流控制端口 Imodctrl相連；第一 NMOS晶體管Ml的源極與第二 NMOS晶體管M2的漏極相連，第二 NMOS晶體管M2的柵極接電源VDD，第二 NMOS晶體管M2的源極接地；第三NMOS晶體管M3的漏極與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制電流輸出端口 Imodout相連；第三NMOS晶體管M3的源極第四NMOS晶體管M4的漏極，第四NMOS晶體管M4的柵極與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl相連，第四NMOS晶體管M4的源極接地。
[0037]參見圖4所示，預(yù)加重驅(qū)動單元包括第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一PMOS晶體管Ml1、第二 PMOS晶體管M12，第五NMOS晶體管M5的柵極與漏極相連，第五NMOS晶體管M5的漏極還分別與第七NMOS晶體管M7的柵極、第九NMOS晶體管M9的柵極、預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl相連；第五NMOS晶體管M5的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連，第七NMOS晶體管M7的源極與第八NMOS晶體管M8的漏極相連，第九NMOS晶體管M9的源極與第十NMOS晶體管MlO的漏極相連，第六NMOS晶體管M6的柵極和第八NMOS晶體管M8的柵極均接電源VDD，第十NMOS晶體管MlO的柵極與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2相連；第六NMOS晶體管M6的源極、第八NMOS晶體管M8的源極和第十NMOS晶體管MlO的源極均接地；第七NMOS晶體管M7的漏極與第一 PMOS晶體管Mll的漏極相連，第一 PMOS晶體管Mll的漏極分別與第一 PMOS晶體管Mll的源極、第二 PMOS晶體管M12的柵極相連；第一 PMOS晶體管Mll的源極和第二 PMOS晶體管M12的源極均接電源VDD ;第二 PMOS晶體管M12的漏極與第九NMOS晶體管M9的漏極相連，并同時(shí)與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重輸出端口 Ipeout相連。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例的工作原理詳細(xì)闡述如下:
[0039]參見圖3所示，調(diào)制電流驅(qū)動單元中第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3為調(diào)制電流輸出電流鏡的鏡像管，將輸入調(diào)制電流信號放大若干倍；第二NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4為MOS開關(guān)，配合第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3輸出調(diào)制電流。為提高第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3的電流鏡像精度，第二 NMOS晶體管M2設(shè)置為常開，第四NMOS晶體管M4則由第一延時(shí)驅(qū)動單元來控制，從第三NMOS晶體管M3的漏極輸出調(diào)制電流信號。為實(shí)現(xiàn)以較小的控制電流來控制較大的電流輸出的目的，第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3的鏡像比以及第二 NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4的鏡像比滿足以下關(guān)系:M1:M3=M2:M4=1:N, N為正整數(shù)。
[0040]參見圖4所示，預(yù)加重驅(qū)動單元中第五NMOS晶體管M5、第七NMOS晶體管M7、第九NMOS晶體管M9、第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12均為預(yù)加重電流輸出電流鏡的鏡像管，第六NMOS晶體管M6、第八NMOS晶體管M8和第十NMOS晶體管MlO為MOS開關(guān)。為提高第五NMOS晶體管M5、第七NMOS晶體管M7和第九NMOS晶體管M9的電流鏡像精度，第六NMOS晶體管M6和第八NMOS晶體管M8設(shè)置為常開，第十NMOS晶體管MlO則由第二延時(shí)驅(qū)動單元來控制。第七NMOS晶體管M7和第八NMOS晶體管M8將輸入電流一比一鏡像后，通過第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12放大電流，在第二 PMOS晶體管M12的漏極產(chǎn)生一個(gè)直流電流，與第九NMOS晶體管M9漏極的電流相減后輸出到激光器組件。為實(shí)現(xiàn)預(yù)加重深度可控的目的，第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一 PMOS晶體管Ml1、第二 PMOS 晶體管 M12 的鏡像比滿足以下關(guān)系:M5:M7:M9=M6:M8:M10=1:1:M ；M11:M12=1:M,M為正整數(shù)。
[0041]激光驅(qū)動器通常情況下的輸出調(diào)制電流波形參見圖5所示，為實(shí)現(xiàn)預(yù)加重功能，首先需要將通常情況下的輸出調(diào)制電流減去一個(gè)直流電流，具體波形參見圖6所示。由于調(diào)制電流輸出通常需要配合偏置電流(偏置電流未畫出)，實(shí)際上用于發(fā)光的激光器不會出現(xiàn)負(fù)的電流，而是由實(shí)際通過激光器的偏置電流減小來代替。為實(shí)現(xiàn)預(yù)加重功能，其次需要產(chǎn)生一個(gè)小幅度并且相位相反的輸出調(diào)制電流鏡像，具體波形參見圖7所示。為實(shí)現(xiàn)預(yù)加重功能，最后還需要將圖7中的波形延時(shí)后，與圖6中的波形疊加，最終實(shí)現(xiàn)的波形參見圖8所示。
[0042]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種修改和變型，倘若這些修改和變型屬在本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則這些修改和變型也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0043]說明書中未詳細(xì)描述的內(nèi)容為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
【權(quán)利要求】
1.一種帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，它包括電源VDD、調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat、第一延時(shí)驅(qū)動單元、調(diào)制電流驅(qū)動單元和激光器組件，調(diào)制電流驅(qū)動單元包括調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl、調(diào)制電流控制端口 Imodctrl和調(diào)制電流輸出端口 Imodout,第一延時(shí)驅(qū)動單元的輸入端與調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat相連，第一延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl相連，調(diào)制電流驅(qū)動單元與激光器組件相連，其特征在于:它還包括第二延時(shí)驅(qū)動單元和預(yù)加重驅(qū)動單元，預(yù)加重驅(qū)動單元包括預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2、預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl和預(yù)加重輸出端口 Ipeout,第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸入端與調(diào)制數(shù)據(jù)信號輸入端Dat相連，第二延時(shí)驅(qū)動單元的輸出端與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2相連，調(diào)制電流驅(qū)動單元與預(yù)加重驅(qū)動單元相連，預(yù)加重驅(qū)動單元與激光器組件相連，其中: 所述第一延時(shí)驅(qū)動單元由若干個(gè)反相器串聯(lián)組成，用于實(shí)現(xiàn)調(diào)制信號的延時(shí)、放大和驅(qū)動，提高調(diào)制信號的驅(qū)動能力； 所述第二延時(shí)驅(qū)動單元也由若干個(gè)反相器串聯(lián)組成，用于對調(diào)制信號進(jìn)行延時(shí)、放大和驅(qū)動，再轉(zhuǎn)換成預(yù)加重信號； 所述調(diào)制電流驅(qū)動單元，用于:將延時(shí)和放大后的調(diào)制電流信號轉(zhuǎn)換成調(diào)制電流，將調(diào)制電流輸出給激光器組件，并通過調(diào)制電流控制端口 Imodctrl控制輸出調(diào)制電流的強(qiáng)度；所述預(yù)加重驅(qū)動單元，用于:將預(yù)加重信號轉(zhuǎn)換成預(yù)加重電流輸出，并通過預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl控制預(yù)加重電流的強(qiáng)度，從而控制預(yù)加重的深度； 所述調(diào)制電流驅(qū)動單元包括第一 NMOS晶體管Ml、第二 NMOS晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4，第一 NMOS晶體管Ml的柵極與漏極相連，第一 NMOS晶體管Ml的漏極還分別與第三NMOS晶體管M3的柵極、調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制電流控制端口Imodctrl相連；第一 NMOS晶體管Ml的源極與第二 NMOS晶體管M2的漏極相連，第二 NMOS晶體管M2的柵極接電源VDD，第二 NMOS晶體管M2的源極接地；第三NMOS晶體管M3的漏極與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制電流輸出端口 Imodout相連；第三NMOS晶體管M3的源極第四NMOS晶體管M4的漏極，第四`NMOS晶體管M4的柵極與調(diào)制電流驅(qū)動單元的調(diào)制驅(qū)動信號輸入端口 INl相連，第四NMOS晶體管M4的源極接地； 所述預(yù)加重驅(qū)動單元包括第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一 PMOS晶體管Ml1、第二 PMOS晶體管M12，第五NMOS晶體管M5的柵極與漏極相連，第五NMOS晶體管M5的漏極還分別與第七NMOS晶體管M7的柵極、第九NMOS晶體管M9的柵極、預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重深度控制端口 Ipectrl相連?’第五NMOS晶體管M5的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連，第七NMOS晶體管M7的源極與第八NMOS晶體管M8的漏極相連，第九NMOS晶體管M9的源極與第十NMOS晶體管MlO的漏極相連，第六NMOS晶體管M6的柵極和第八NMOS晶體管M8的柵極均接電源VDD，第十NMOS晶體管MlO的柵極與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重驅(qū)動信號輸入端口 IN2相連；第六NMOS晶體管M6的源極、第八NMOS晶體管M8的源極和第十NMOS晶體管MlO的源極均接地；第七NMOS晶體管M7的漏極與第一 PMOS晶體管Mll的漏極相連，第一 PMOS晶體管Mll的漏極分別與第一 PMOS晶體管Mll的源極、第二 PMOS晶體管M12的柵極相連；第一 PMOS晶體管Mll的源極和第二 PMOS晶體管M12的源極均接電源VDD ;第二 PMOS晶體管M12的漏極與第九NMOS晶體管M9的漏極相連，并同時(shí)與預(yù)加重驅(qū)動單元的預(yù)加重輸出端口 Ipeout相連。
2.如權(quán)利要求1所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述調(diào)制電流驅(qū)動單元中第一NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3為調(diào)制電流輸出電流鏡的鏡像管，將輸入調(diào)制電流信號放大若干倍；第二 NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4為MOS開關(guān)，配合第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3輸出調(diào)制電流。
3.如權(quán)利要求2所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述調(diào)制電流驅(qū)動單元中第二 NMOS晶體管M2設(shè)置為常開，第四NMOS晶體管M4由第一延時(shí)驅(qū)動單元來控制，從第三NMOS晶體管M3的漏極輸出調(diào)制電流信號。
4.如權(quán)利要求1所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述調(diào)制電流驅(qū)動單元中第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3的鏡像比以及第二 NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4的鏡像比滿足以下關(guān)系:M1:M3=M2:M4=1:N, N為正整數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述預(yù)加重驅(qū)動單元中第五NMOS晶體管M5、第七NMOS晶體管M7、第九NMOS晶體管M9、第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12均為預(yù)加重電流輸出電流鏡的鏡像管，第六NMOS晶體管M6、第八NMOS晶體管M8和第十NMOS晶體管MlO為MOS開關(guān)。
6.如權(quán)利要求1所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述第六NMOS晶體管M6和第八NMOS晶體管M8設(shè)置為常開，第十NMOS晶體管MlO由第二延時(shí)驅(qū)動單元來控制。
7.如權(quán)利要求6所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述第七NMOS晶體管M7和第八NMOS晶體管M8將輸入電流一比一鏡像后，通過第一 PMOS晶體管Ml I和第二 PMOS晶體管M12放大電流，在第二 PMOS晶體管M12的漏極產(chǎn)生一個(gè)直流電流，與第九NMOS晶體管M9漏極的電流相減后輸出到激光器組件。
8.如權(quán)利要求1所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一 PMOS晶體管Ml1、第二 PMOS晶體管M12的鏡像比滿足以下關(guān)系:M5:M7:M9=M6:M8:M10=1:1:M ；M11:M12=1:M, M 為正整數(shù)。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述第二延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)與第一延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)相同。
10.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的帶預(yù)加重的集成光通信激光驅(qū)動器，其特征在于:所述第二延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)與第一延時(shí)驅(qū)動單元中反相器的個(gè)數(shù)、參數(shù)不同。
【文檔編號】H01S5/042GK103457154SQ201310383074
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】蔣湘 申請人:烽火通信科技股份有限公司