半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。半導(dǎo)體封裝件包括芯片、電性接點(diǎn)、第一包覆體及第二包覆體。芯片具有一外側(cè)面。電性接點(diǎn)形成于芯片上。第一包覆體包覆芯片的外側(cè)面的第一部分。第二包覆體包覆芯片的外側(cè)面的第二部分及部分電性接點(diǎn)。第一包覆體與第二包覆體于芯片的外側(cè)面直接接觸。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有包覆體的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件包括芯片及數(shù)個(gè)輸出/入接點(diǎn)。輸出/入接點(diǎn)例如是焊球，其形成于芯片的主動(dòng)面上。半導(dǎo)體封裝件通過(guò)焊球與外部電路板電性連接。然而，由于芯片結(jié)構(gòu)越來(lái)越薄且越來(lái)越大，當(dāng)半導(dǎo)體封裝件設(shè)于電路板上過(guò)程中，芯片容易發(fā)生龜裂。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，可改善半導(dǎo)體封裝件發(fā)生龜裂的問(wèn)題。
[0004]根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一芯片、一電性接點(diǎn)、一第一包覆體及一第二包覆體。芯片具有一外側(cè)面。電性接點(diǎn)形成于芯片上。第一包覆體包覆芯片的外側(cè)面的一第一部分。第二包覆體包覆芯片的外側(cè)面的一第二部分及部分電性接點(diǎn)。第一包覆體與第二包覆體于芯片的外側(cè)面直接接觸。
[0005]根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一芯片，芯片具有一外側(cè)面；重布芯片于一載板黏貼膜上，芯片的外側(cè)面的一第二部分陷入載板黏貼膜內(nèi)；形成一第一包覆體覆蓋芯片的外側(cè)面的一第一部分；移除載板黏貼膜，以露出芯片；形成一電性接點(diǎn)于芯片上；設(shè)置一接點(diǎn)黏貼膜覆蓋電性接點(diǎn)，部分電性接點(diǎn)陷入接點(diǎn)黏貼膜內(nèi)；以及，形成一第二包覆體覆蓋芯片的外側(cè)面的第二部分及電性接點(diǎn)未受到接點(diǎn)黏貼膜覆蓋的部分，其中第一包覆體與第二包覆體于芯片的外側(cè)面直接接觸。
[0006]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下:

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0008]圖2繪示圖1的半導(dǎo)體封裝件的特性與電性接點(diǎn)的露出部分的關(guān)系圖。
[0009]圖3A至3H繪示圖1的半導(dǎo)體封裝件的制造過(guò)程圖。
[0010]主要元件符號(hào)說(shuō)明:
[0011]10: 下模具
[0012]20: 上模具
[0013]100: 半導(dǎo)體封裝件
[0014]110:芯片
[0015]110s、112s、1131s、1133s、114s、130s、140s:外側(cè)面
[0016]111:接墊
[0017]112:保護(hù)層
[0018]113: 重布層
[0019]1131:第一介電層
[0020]1132:線路層
[0021]1133:第二介電層
[0022]1133u>130u:上表面
[0023]1131a、1133a:開(kāi)孔
[0024]110a:主動(dòng)面
[0025]110b:背面
[0026]llOsl:第一部分
[0027]110s2:第二部分
[0028]114:硅基材
[0029]120: 電性接點(diǎn)
[0030]121: 露出部分
[0031]122: 包覆部分
[0032]123:端部
[0033]130: 第一包覆體
[0034]140: 第二包覆體
[0035]140b:下表面
[0036]140’:第二包覆材料
[0037]140u: 凹陷曲面
[0038]141:樹(shù)脂
[0039]142: 填充粒子
[0040]200: 載板黏貼膜
[0041]300: 接點(diǎn)黏貼膜
[0042]300b: 凸出曲面
[0043]C1、C2:曲線
[0044]Η: 高度
[0045]h、hs:高度
[0046]S: 間距
[0047]SP1: 轉(zhuǎn)角空間
[0048]T: 厚度

【具體實(shí)施方式】
[0049]請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件100包括芯片110、至少一電性接點(diǎn)120、第一包覆體130及第二包覆體140。
[0050]芯片110具有相對(duì)的主動(dòng)面110a、背面110b與外側(cè)面110s。芯片110包括至少一接墊111、保護(hù)層112及重布層113，接墊111位于主動(dòng)面110a。
[0051]保護(hù)層112例如是無(wú)機(jī)保護(hù)層，其覆蓋芯片110的主動(dòng)面110a并露出接墊111。
[0052]重布層113包括第一介電層1131、線路層1132及第二介電層1133。第一介電層1131覆蓋保護(hù)層112并具有至少一開(kāi)孔1131a露出接墊111，使線路層1132可通過(guò)開(kāi)孔1131a電性連接于露出的接墊111。第二介電層1133覆蓋線路層1132的一部分且具有至少一開(kāi)孔1133a露出線路層1132的另一部分，使電性接點(diǎn)120可形成于線路層1132的露出的另一部分上，以電性連接線路層。第一介電層1131及第二介電層1133可由聚酰亞胺(Polyimide, PI)或聚苯并惡唑(Polybenzoxozoles, ΡΒ0),苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene, BCB)制成。第一介電層1131與第二介電層1133的材料可相同或相巳
[0053]電性接點(diǎn)120例如是焊料凸塊，其可通過(guò)重布層113電性連接于接墊111。
[0054]第一包覆體130包覆芯片110的背面110b與外側(cè)面110s的第一部分llOsl。本實(shí)施例中，第一部分llOsl包括硅基材114的外側(cè)面114s、保護(hù)層112的整個(gè)外側(cè)面112s及第一介電層1131的外側(cè)面1131s的一部分。另一例中，第一部分llOsl包括硅基材114的整個(gè)外側(cè)面114s與保護(hù)層112的外側(cè)面112s的一部分；或者，第一部分llOsl包括硅基材114的整個(gè)外側(cè)面114s、保護(hù)層112的整個(gè)外側(cè)面112s、第一介電層1131的整個(gè)外側(cè)面1131s與第二介電層1133的部分外側(cè)面1133s。
[0055]第二包覆體140包覆第二介電層1133的上表面1133u與芯片110的外側(cè)面110s的第二部分110s2。本實(shí)施例中，第二部分110s2包括第一介電層1131的外側(cè)面1131s的一部分及第二介電層1133的整個(gè)外側(cè)面1133s。另一例中，第二部分110s2包括保護(hù)層112的外側(cè)面112s的一部分、第一介電層1131的整個(gè)外側(cè)面1131s及第二介電層1133的整個(gè)外側(cè)面1133s ;或者，第二部分110s2包括第二介電層1133的外側(cè)面1133s的一部分。
[0056]如上所述，第一包覆體130與第二包覆體140分別包覆芯片110的外側(cè)面110s的第一部分llOsl及第二部分110s2，且第一包覆體130與第二包覆體140于芯片110的外側(cè)面110s之處直接接觸；詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一包覆體130具有一上表面130u，而第二包覆體140具有一下表面140b，其中第一包覆體130的上表面130u與第二包覆體140的下表面140b直接接觸。本實(shí)施例中，上表面130u與下表面140b是于第一介電層的外側(cè)面1131s之處直接接觸；另一例中，上表面130u與下表面140b可于第二介電層1133的外側(cè)面1133s之處直接接觸；或者，上表面130u與下表面140可于保護(hù)層112的外側(cè)面112s之處直接接觸。
[0057]此外，第一包覆體130覆蓋芯片110的背面110b的厚度T介于約100微米至200微米之間。若厚度T過(guò)大時(shí)，容易因芯片110與第一包覆體130之間的熱膨脹系數(shù)不匹配(CTE mismatch),而導(dǎo)致翅曲(warpage)產(chǎn)生；若厚度T過(guò)小時(shí),容易因壓合控制不當(dāng)，例如膠量過(guò)少或力道過(guò)大，導(dǎo)致壓模模具(未繪示)的模面碰觸到芯片110，造成芯片110損傷。
[0058]第一包覆體130可包括酌.醒基樹(shù)脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹(shù)脂(epoxy-based res in)、娃基樹(shù)脂(silicone-based res in)或其他適當(dāng)?shù)陌矂５谝话搀w130亦可包括適當(dāng)?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀的二氧化硅。可利用?shù)種封裝技術(shù)形成第一包覆體 130,例如是壓縮成型(compress1n molding)、液態(tài)封裝型(liquid encapsulat1n)、注射成型(inject1n molding)或轉(zhuǎn)注成型(transfer molding)。第一包覆體130與第二包覆體140的材質(zhì)可相同或相異。
[0059]第二包覆體140包含混合的樹(shù)脂141與數(shù)個(gè)填充粒子142。當(dāng)填充粒子142占第二包覆體140的比例愈多，則第二包覆體140的強(qiáng)度愈高且熱膨脹系數(shù)愈低，但黏度增加。黏度愈大，則第二包覆體140愈難填入二電性接點(diǎn)120之間。由于本實(shí)施例的填充粒子142占第二包覆體140的比例介于65%至75%之間，可獲得高強(qiáng)度、熱膨脹系數(shù)接近芯片110且黏度控制在可順利填入二電性接點(diǎn)120之間的第二包覆體140。
[0060]就第二包覆體140的黏度來(lái)說(shuō)，當(dāng)填充粒子142占第二包覆體140的比例介于65%至75%時(shí)，第二包覆體140的黏度介于lOOPas與500Pas之間，此黏度可讓第二包覆體140順利地填入相鄰二電性接點(diǎn)120之間的空間。。
[0061]就第二包覆體140的強(qiáng)度來(lái)說(shuō)，當(dāng)填充粒子142占第二包覆體140的比例介于65%至75%時(shí)，第二包覆體140的楊氏系數(shù)介于lOGpa至13Gpa之間，此范圍的楊氏系數(shù)提供第二包覆體140足夠的強(qiáng)度。
[0062]就第二包覆體140的熱膨脹系數(shù)來(lái)說(shuō)，當(dāng)填充粒子142占第二包覆體140的比例介于65%至75%時(shí)，高溫?zé)崤蛎浵禂?shù)(溫度高于第二包覆體140的玻璃轉(zhuǎn)化溫度的熱膨脹系數(shù))介于約16ppm至27ppm之間，此范圍的高溫?zé)崤蛎浵禂?shù)有助于提高半導(dǎo)體封裝件100
的可靠度。
[0063]就填充粒子142的尺寸來(lái)說(shuō)，填充粒子142的尺寸小于相鄰二電性接點(diǎn)120的間距S，才不會(huì)阻塞于相鄰二電性接點(diǎn)120之間。
[0064]第一包覆體130與第二包覆體140分別具有外側(cè)面130s及140s。由于第一包覆體130的外側(cè)面130s與第二包覆體140的外側(cè)面140s是于同一切割工藝中形成，故第一包覆體130的外側(cè)面130s與第二包覆體140的外側(cè)面140s是大致上對(duì)齊，例如是齊平。
[0065]第二包覆體140包覆電性接點(diǎn)120的部分形成凹陷曲面140u，凹陷曲面140u面向遠(yuǎn)離芯片110的主動(dòng)面110a的方向，即凹陷曲面140u背向主動(dòng)面110a。此外，電性接點(diǎn)120包括一未受到第二包覆體140包覆的露出部分121及受到第二包覆體140包覆的包覆部分122。露出部分121是凹陷曲面140u與鄰近的電性接點(diǎn)120接觸的交線140e與電性接點(diǎn)120的端部123之間的部分(虛線以上的區(qū)域)。包覆部分122是電性接點(diǎn)120的交線140e以下的部分，其受到第二包覆體140包覆。
[0066]當(dāng)?shù)诙搀w140包覆電性接點(diǎn)120的體積愈多(即露出部分121的體積愈少)，半導(dǎo)體封裝件100的可靠度愈佳，但電性接點(diǎn)120的焊錫能力(Solderability)愈差(表示半導(dǎo)體封裝件100設(shè)于電路板時(shí)，電性接點(diǎn)120愈容易發(fā)生裂縫)。本實(shí)施例中，露出部分121的體積占電性接點(diǎn)120的體積的比例介于40%至60%之間，可獲得優(yōu)秀可靠度且及半導(dǎo)體封裝件100設(shè)于電路板時(shí)電性接點(diǎn)120不易發(fā)生裂縫。
[0067]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示圖1的半導(dǎo)體封裝件的特性與電性接點(diǎn)的露出部分的關(guān)系圖。曲線C1表示第二包覆體140覆蓋電性接點(diǎn)120的高度h(圖1)與半導(dǎo)體封裝件100的可靠度的關(guān)系圖。曲線C2表示第二包覆體140覆蓋電性接點(diǎn)120的高度h(圖1)與電性接點(diǎn)120的焊錫能力的關(guān)系圖。由圖可知，高度h愈高，則半導(dǎo)體封裝件100的可靠度愈好，但電性接點(diǎn)120的焊錫能力愈差。本實(shí)施例中，以電性接點(diǎn)120的高度Η為約200微米、相鄰二電性接點(diǎn)120的間距S為約150微米來(lái)說(shuō)，較佳高度hs所對(duì)應(yīng)的體積比例(露出部分121的體積占電性接點(diǎn)120的體積的比例)約50%，可獲得優(yōu)秀可靠度且及半導(dǎo)體封裝件100設(shè)于電路板時(shí)電性接點(diǎn)120不易發(fā)生裂縫。
[0068]請(qǐng)參照?qǐng)D3A至3H，其繪示圖1的半導(dǎo)體封裝件的制造過(guò)程圖。
[0069]如圖3A所示，提供數(shù)個(gè)單一化后的芯片110。各芯片110具有外側(cè)面110s及相對(duì)的主動(dòng)面110a與背面110b。芯片110包括至少一接墊111、保護(hù)層112及重布層113，接墊111位于主動(dòng)面110a。
[0070]保護(hù)層112例如是無(wú)機(jī)保護(hù)層，其覆蓋芯片110的主動(dòng)面110a并露出接墊111。重布層113是形成于單一化前的晶圓；重布層113形成后，可采用激光或刀具單一化晶圓成為數(shù)個(gè)芯片110。
[0071]重布層113包括第一介電層1131、線路層1132及第二介電層1133。第一介電層1131覆蓋保護(hù)層112并具有至少一開(kāi)孔1131a露出接墊111，使線路層1132可通過(guò)開(kāi)孔1131a電性連接于露出的接墊111。第二介電層1133覆蓋線路層1132的一部分且具有至少一開(kāi)孔1133a露出線路層1132的另一部分，使后續(xù)形成的電性接點(diǎn)120可形成于線路層1132的露出的另一部分上，以電性連接線路層1132。
[0072]如圖3A所示，重布此些芯片110于載板黏貼膜200上。由于載板黏貼膜200的質(zhì)地軟，使芯片110的外側(cè)面110s的第二部分110S2陷入載板黏貼膜200內(nèi)，其中外側(cè)面110s的第二部分110s2包括第二介電層1133的外側(cè)面1133s及第一介電層1131的外側(cè)面1131s的一部分。
[0073]如圖3B所示，可采用例如是壓縮成型、液態(tài)封裝型、注射成型或轉(zhuǎn)注成型，形成第一包覆體130覆蓋芯片110的外側(cè)面110s的第一部分llOsl，此第一部分llOsl是芯片110的外側(cè)面110s未陷入載板黏貼膜200的部分，例如是保護(hù)層112的外側(cè)面112s、第一介電層1131的外側(cè)面1131s的另一部分及硅基材114的外側(cè)面114s。
[0074]如圖3C所示，移除載板黏貼膜200 (圖3B)，以露出芯片110的重布層113。
[0075]如圖3D所示，形成至少一電性接點(diǎn)120于芯片110上。電性接點(diǎn)120形成于露出的線路層1132，以電性連接于線路層1132。
[0076]如圖3E所示，設(shè)置圖3D的結(jié)構(gòu)于下模具10，其中電性接點(diǎn)120朝向上模具20。
[0077]設(shè)置接點(diǎn)黏貼膜300于上模具20上，接點(diǎn)黏貼膜300朝向位于下模具10的電性接點(diǎn)120。然后，以例如是涂布技術(shù)，形成第二包覆材料140’覆蓋電性接點(diǎn)120。此時(shí)的第二包覆材料140’若在受壓及受熱下可產(chǎn)生流動(dòng)性而布滿所有芯片110。
[0078]如圖3F所示，合模下模具10與上模具20，使接點(diǎn)黏貼膜300擠壓電性接點(diǎn)120，進(jìn)而使電性接點(diǎn)120的露出部分121陷入接點(diǎn)黏貼膜300內(nèi)。電性接點(diǎn)120的包覆部分122未陷入接點(diǎn)黏貼膜300內(nèi)，使包覆部分122可受到第二包覆材料140’的包覆。由于接點(diǎn)黏貼膜300的質(zhì)地軟，使接點(diǎn)黏貼膜300與電性接點(diǎn)120接觸后，接點(diǎn)黏貼膜300擠壓出一凸出曲面300b，如此使第二包覆材料140’形成對(duì)應(yīng)的凹陷曲面140u。
[0079]合模過(guò)程中，第二包覆材料140’在受壓及受熱下充滿于接點(diǎn)黏貼膜300與第一包覆體130之間，并覆蓋芯片110的外側(cè)面110s的第二部分110s2及電性接點(diǎn)120的包覆部分122。雖然電性接點(diǎn)120與接點(diǎn)黏貼膜300之間的轉(zhuǎn)角空間SP1狹小，然由于第二包覆材料140’的黏度控制在lOOPas至500Pas之間，使第二包覆材料140’可順利地填滿電性接點(diǎn)120與接點(diǎn)黏貼膜300之間狹小的轉(zhuǎn)角空間SP1。
[0080]此外，由于電性接點(diǎn)120部分陷入接點(diǎn)黏貼膜300內(nèi)而擠壓到第二包覆材料140’的容置空間，使第二包覆材料140’在受壓下更快速地填滿接點(diǎn)黏貼膜300與芯片110之間的空間，也可使第二包覆材料140’更為緊實(shí)。
[0081]此外，第二包覆材料140’在受壓下直接接觸到第一包覆體130。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，合模后，第二包覆材料140’與第一包覆體130分別形成下表面140b與上表面130u，其中下表面140b與上表面130u直接接觸。
[0082]一實(shí)施例中，可驅(qū)動(dòng)下模具10往上模具20移動(dòng)，以合模下模具10與上模具20。在合模前、合模過(guò)程中或合模后，可持續(xù)加熱下模具10與上模具20的至少一者，以于合模后將第二包覆材料140’固化成第二包覆體140。此外，在合模過(guò)程前，可先預(yù)熱下模具10與上模具20至少一者。
[0083]如圖3G所示，分離下模具10 (圖3F)與上模具20 (圖3F)，以分離位于上模具20上的接點(diǎn)黏貼膜300 (圖3F)與第二包覆體140。
[0084]如圖3H所示，以例如是刀具或激光，形成至少一切割道P1經(jīng)過(guò)第二包覆體140與第一包覆體130，以形成至少一如圖1所示的半導(dǎo)體封裝件100。切割后，第二包覆體140與第一包覆體130分別形成外側(cè)面140s及130s，其中外側(cè)面140s與130s大致上對(duì)齊，如齊平。
[0085]綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括: 一芯片，具有一外側(cè)面； 一電性接點(diǎn)，形成于該芯片上； 一第一包覆體，包覆該芯片的該外側(cè)面的一第一部分；以及 一第二包覆體，包覆該芯片的該外側(cè)面的一第二部分及部分該電性接點(diǎn)，其中該第一包覆體與第二包覆體于該芯片的該外側(cè)面的處直接接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該芯片包括: 一重布層，具有一外側(cè)面； 其中，該第一包覆體覆蓋該重布層的該外側(cè)面的一部分，而該第二包覆體覆蓋該重布層的該外側(cè)面的另一部分。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該芯片具有一主動(dòng)面且包括: 一接墊，形成于該主動(dòng)面；以及 一保護(hù)層，覆蓋該主動(dòng)面并露出該接墊且具有一外側(cè)面； 一重布層，包括: 一第一介電層，該第一介電層覆蓋該保護(hù)層并露出該接墊且具有一外側(cè)面； 一線路層，電性連接該接墊；以及 一第二介電層，覆蓋該線路層的一部分且具有一開(kāi)孔露出該線路層的另一部分，該第二介電層具有一外側(cè)面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第二包覆體具有一凹陷曲面，該凹陷曲面背向該芯片的一主動(dòng)面的方向。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該電性接點(diǎn)包括: 一露出部分，是該凹陷曲面與鄰近的該電性接點(diǎn)接觸的交線與該電性接點(diǎn)的端部之間的部分； 其中，該露出部分的體積占該電性接點(diǎn)的體積的比例介于40%至60%之間。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一包覆體與該第二包覆體的材質(zhì)相異。
7.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，包括: 提供一芯片，該芯片具有一外側(cè)面； 重布該芯片于一載板黏貼膜上，該芯片的該外側(cè)面的一第二部分陷入該載板黏貼膜內(nèi)； 形成一第一包覆體覆蓋該芯片的該外側(cè)面的一第一部分； 移除該載板黏貼膜，以露出該芯片； 形成一電性接點(diǎn)于該芯片上； 設(shè)置一接點(diǎn)黏貼膜覆蓋該電性接點(diǎn)，部分該電性接點(diǎn)陷入該接點(diǎn)黏貼膜內(nèi)；以及形成一第二包覆體覆蓋該芯片的該外側(cè)面的該第二部分及該電性接點(diǎn)未受到該接點(diǎn)黏貼膜覆蓋的部分，其中該第一包覆體與第二包覆體于該芯片的該外側(cè)面之處直接接觸。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，于提供該芯片的步驟中，該芯片包括一重布層，該重布層具有一外側(cè)面； 于形成該第一包覆體覆蓋該芯片的該外側(cè)面的該第一部分的步驟中，該第一包覆體覆蓋該重布層的該外側(cè)面的一部分； 于形成該第二包覆體覆蓋該芯片的該外側(cè)面的該第二部分的步驟中，該第二包覆體覆蓋該重布層的該外側(cè)面的另一部分。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，于設(shè)置該一接點(diǎn)黏貼膜覆蓋該電性接點(diǎn)的步驟中，該接點(diǎn)黏貼膜形成一突出曲面，使于形成該第二包覆體覆蓋該芯片的該外側(cè)面的該第二部分的步驟中，該第二包覆體形成對(duì)應(yīng)該突出曲面的一凹陷曲面。
10.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，于設(shè)置該接點(diǎn)黏貼膜覆蓋該電性接點(diǎn)的步驟包括: 設(shè)置該第一包覆材料及該芯片于一下模具上； 設(shè)置該接點(diǎn)黏貼膜于一上模具；以及 合模該下模具與該上模具，使該部分電性接點(diǎn)陷入該接點(diǎn)黏貼膜內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK104425395SQ201310364137
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月20日
【發(fā)明者】蔡崇宣, 蔡裕斌, 謝爵安, 曾國(guó)展 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司