本發(fā)明涉及例如在光通信系統(tǒng)中使用的調制器集成型激光器元件。

背景技術：
在專利文獻1中公開了用于對激光光束施加強度調制的調制器。為了改善消光比，使用驅動器的正相電信號和反相電信號來驅動該調制器。將使用了正相電信號和反相電信號兩者的驅動方式稱為差動驅動。在專利文獻2中也公開了進行差動驅動的調制器。在專利文獻3、4中，公開了調制器和激光器元件被集成于同一基板上的調制器集成型激光器元件。關于專利文獻3所公開的調制器集成型激光器元件，激光器元件與調制器的電極是共同的。關于專利文獻4所公開的調制器集成型激光器元件，激光器元件與調制器的電極是獨立的?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-277840號公報；專利文獻2：日本特開2003-17797號公報；專利文獻3：日本特開平04-061186號公報；專利文獻4：日本特開2007-158063號公報。發(fā)明要解決的課題在激光器元件和調制器被集成于同一基板的調制器集成型激光器元件中，存在對調制器施加的電壓影響激光器元件的工作的情況。當對激光器元件施加調制器的信號電壓時，激光器元件的光輸出強度被非有意地調制。由此存在調制器集成型激光器元件的光輸出的消光比惡化的問題。此外，當對激光器元件施加調制器的信號電壓時，還有在調制器集成型激光器元件的光輸出中產生波長啁啾（chirping）的問題。因此，有在光纖內對調制器集成型激光器元件的光輸出進行長距離傳輸時調制波形劣化、通信品質劣化的問題。特別是在對調制器進行差動驅動的情況下，這些問題顯著。因此，通常僅使用正相電信號或反相電信號的一方來對調制器集成型激光器元件的調制器進行單相驅動。

技術實現要素：
本發(fā)明是為了解決上述那樣的課題而完成的，其目的在于提供一種能夠不產生問題地對調制器進行差動驅動的調制器集成型激光器元件。用于解決課題的方案本申請發(fā)明提供一種調制器集成型激光器元件，在同一基板上形成有激光器部、分離部和調制部，其特征在于，該激光器部具有：第一下包覆（clad）層，形成在該基板上；有源層，形成在該第一下包覆層上；第一陽極電極，形成在該有源層的上方；以及第一陰極電極，一部分與該第一下包覆層相接，該分離部具有：第二下包覆層，與該激光器部相接，形成在該基板上；以及第一吸收層，以與該有源層連結的方式形成在該第二下包覆層上，該調制部具有：第三下包覆層，與該分離部相接，形成在該基板上；第二吸收層，以與該第一吸收層連結的方式形成在該第三下包覆層上；第二陽極電極，形成在該第二吸收層的上方；以及第二陰極電極，一部分與該第三下包覆層相接，該基板以半絕緣體形成，該第一下包覆層、該第二下包覆層和該第三下包覆層被一體地形成，該調制器集成型激光器元件的短尺寸方向的該第二下包覆層的寬度比該第一下包覆層的寬度及該第三下包覆層的寬度窄。發(fā)明效果根據本發(fā)明的調制器集成型激光器元件，因為提高了激光器部與調制部的隔離電阻，所以能夠不產生問題地對調制器進行差動驅動。附圖說明圖1是本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件的平面圖。圖2是圖1的A-A’剖面圖。圖3是圖1的B-B’剖面圖。圖4是圖1的C-C’剖面圖。圖5是表示裝載有調制器集成型激光器元件的光模塊的平面圖。圖6是本發(fā)明實施方式2的調制器集成型激光器元件的平面圖。圖7是圖6的C-C’剖面圖。圖8是本發(fā)明實施方式3的調制器集成型激光器元件的平面圖。圖9是圖8的A-A’剖面圖。圖10是圖8的C-C’剖面圖。圖11是本發(fā)明實施方式4的調制器集成型激光器元件的分離部的剖面圖。圖12是表示本發(fā)明實施方式4的調制器集成型激光器元件的分離部的變形例的剖面圖。圖13是本發(fā)明實施方式5的調制器集成型激光器元件的平面圖。圖14是圖13的B-B’剖面圖。圖15是本發(fā)明實施方式6的調制器集成型激光器元件的分離部的剖面圖。圖16是表示本發(fā)明實施方式6的變形例的分離部的剖面圖。圖17是表示本發(fā)明實施方式6的另一個變形例的分離部的剖面圖。圖18是表示本發(fā)明實施方式6的另一個變形例的分離部的剖面圖。具體實施方式實施方式1.圖1是本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件的平面圖。調制器集成型激光器元件10在同一基板上單片地形成有激光器部12、分離部14和調制部16。分離部14通過在一方與激光器部12相接，在另一方與調制部16相接，從而位于激光器部12與調制部16之間，將它們分離。在激光器部12的表面形成有第一陽極電極20和第一陰極電極22。在激光器部12的表面中的未形成有第一陽極電極20和第一陰極電極22的部分，形成有作為鈍化（passivation）膜而發(fā)揮作用的SiN膜24。在分離部14的表面形成有SiN膜24。在調制部16的表面形成有第二陽極電極30和第二陰極電極32。在調制部16的表面中的未形成有第二陽極電極30和第二陰極電極32的部分，形成有SiN膜24。在激光器部12形成有帶S1，在分離部14形成有帶S2，在調制部16形成有帶S3。帶S1-S3形成直線的波導。帶S1-S3的寬度是2μm左右。關于調制器集成型激光器元件10，沿著上述的帶S1-S3的方向（長尺寸方向）的長度是700μm，與帶垂直的方向（短尺寸方向）的長度是250μm，厚度是100μm。圖2是圖1的A-A’剖面圖。參照圖2對激光器部12的剖面進行說明?；?0例如以摻雜鐵的InP等的半絕緣體形成。在基板40上例如以n型InP等形成有第一下包覆層42。在第一下包覆層42上，例如以InGaAsP的多量子阱結構（MQW）形成有有源層44。再有，有源層44也可以用AlGaInAs等的化合物半導體形成。在帶S1的有源層44上形成有衍射光柵45。在帶S1以外的有源層44上以及衍射光柵45上，例如以p型InP等形成有第一上包覆層46。在第一上包覆層46上，例如以p型InGaAs等形成有接觸層48。在帶S1的左側形成有從接觸層48到達第一下包覆層42的槽50。第一陰極電極22是與露出于槽50底面的第一下包覆層42相接的部分和隔著SiN膜24形成在接觸層48上的部分被一體形成的電極。像這樣，第一陰極電極22的一部分與第一下包覆層42相接。在帶S1的右側形成有用于形成帶S1的槽52。第一陽極電極20具有：與帶S1處的接觸層48上相接的部分、隔著SiN膜24沿著槽52形成的部分、以及隔著SiN膜24形成在接觸層48上的部分。第一陽極電極20的所有部分均形成在有源層44的上方。像這樣，在激光器部12形成有分布反饋型激光器元件。圖3是圖1的B-B’剖面圖。參照圖3對分離部14的剖面進行說明。在基板40上形成有帶S2。帶S2具有在基板40上例如以n型InP形成的第二下包覆層60。在第二下包覆層60上形成有第一吸收層62。再有，第二下包覆層60為了使其寬度變窄而僅形成在第一吸收層62的正下方。第一吸收層62以與帶S1的有源層44連結的方式形成。第一吸收層62例如以AlGaInAs的多量子阱結構（MQW）形成。再有，第一吸收層62也可以用InGaAsP等的化合物半導體形成。在第一吸收層62上例如以p型InP形成有第二上包覆層64。帶S2由第二下包覆層60、第一吸收層62以及第二上包覆層64形成。帶S2是對成為核心層的第一吸收層62進行蝕刻而形成的，因此成為所謂的高臺面（high-mesa）型的光波導。分離部14的表面整體被SiN膜24覆蓋。在分離部14的表面未形成有電極。圖4是圖1的C-C’剖面圖。參照圖4對調制部16的剖面進行說明。在基板40上例如以n型InP形成有第三下包覆層70。在第三下包覆層70上形成有第二吸收層72。第二吸收層72以與上述的第一吸收層62連結的方式形成。第二吸收層72以與第一吸收層62相同的材料形成。在第二吸收層72上例如以p型InP形成有第三上包覆層74。在第三上包覆層74上形成有接觸層48。帶S3是對成為核心層的第二吸收層72進行蝕刻而形成的，因此成為所謂的高臺面型的光波導。在帶S3的左側形成有從接觸層48到達第三下包覆層70的槽80。而且，第二陰極電極32是與露出于槽80底面的第三下包覆層70相接的部分和隔著SiN膜24形成在接觸層48上的部分被一體形成的電極。像這樣，通過形成槽80，從而第二陰極電極32的一部分能夠與第三下包覆層70相接。在帶S3的右側，形成有從調制部16的表面至少達到基板40的槽82。沿著槽82的壁面形成有SiN膜24。利用槽82將第三下包覆層70分割為第二吸收層72的正下方的第二吸收層正下方部70a和離開部70b。離開部70b利用槽82與第二吸收層正下方部70a離開。該離開部70b與分離部14的第二下包覆層60及激光器部12的第一下包覆層42絕緣。第二陽極電極30具有第二吸收層正上方部30a、槽部30b和引線接合部30c。第二吸收層正上方部30a形成在帶S3處的第二吸收層正下方部70a的上方。槽部30b沿著絕緣膜（SiN膜24）而形成，該絕緣膜（SiN膜24）沿著槽82的壁面而形成。引線接合部30c形成在離開部70b的上方。該引線接合部30c形成在第二吸收層72的上方。此外，在第二吸收層72與引線接合部30c之間形成有第三上包覆層74。像這樣，在本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件10中，以有源層44、第一吸收層62及第二吸收層72形成寬度均勻的帶狀波導。在本結構的各層的層厚中，例如基板40是100μm，第一下包覆層42、第二下包覆層60及第三下包覆層70是0.5μm，有源層44是0.3μm，第一吸收層62及第二吸收層72是0.3μm，第一上包覆層46、第二上包覆層64及第三上包覆層74是2μm，接觸層48是0.5μm。接著，參照圖5對調制器集成型激光器元件10的工作進行說明。圖5是表示裝載有調制器集成型激光器元件10的光模塊的平面圖。光模塊90具有傳輸線路基板92。在傳輸線路基板92形成有電極92a和電極92b。電極92a通過引線94與第二陽極電極30連接。電極92b通過引線96與第二陰極電極32連接。從激光器部12發(fā)出激光光束，使其向調制部16入射。對電極92a、92b施加作為調制信號的各自的相位僅相差180度的高頻的正相電信號和反相電信號。也就是說，對電極92a、92b施加差動信號。而且，因為調制部16處的激光光束的吸收量根據差動信號的電壓差而變化，所以能夠進行經由光學耦合系統(tǒng)98輸出的激光光束的強度調制。本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件10能夠通過以下3個特征來提高激光器部12與調制部16的隔離電阻。第一特征是，第一陽極電極20、第一陰極電極22、第二陽極電極30、第二陰極電極32分別獨立地形成。當例如使第一陰極電極22和第二陰極電極32為共同電極時，對調制部施加的電壓影響激光器部的工作?？墒牵ㄟ^將激光器部的電極與調制部的電極分離，從而能夠解決該問題。第二特征是，例如以摻雜鐵的InP等的半絕緣體形成基板40。由此，能夠避免激光器部12和調制部16經由基板40而被電連接。第三特征是，使分離部14的第二下包覆層60小型化，并且在分離部14不設置接觸層。以n型InP形成的第二下包覆層60的電阻小。因此，為了提高激光器部12與調制部16的隔離電阻，優(yōu)選使連結第一下包覆層42與第三下包覆層70的第二下包覆層60的剖面積小。在本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件10中，在分離部14處在基板40上僅形成有帶S2，第二下包覆層60的剖面積非常小。因而，能夠提高激光器部12與調制部16的隔離電阻。此外，因為在分離部14未形成電極，所以不需要接觸層。因此，通過除去分離部14的接觸層，從而能夠將激光器部12的接觸層48與調制部16的接觸層48分離。通過該分離，能夠提高激光器部12與調制部16的隔離電阻。通過以上3個特征，能夠充分減小對調制部16進行差動驅動的電信號對激光器部12的影響，能夠強化激光器部12與調制部16的電分離。特別是能夠強化第一陰極電極22與第二陰極電極32的電分離。由此，能夠進行差動驅動，同時改善調制器集成型激光器元件10的輸出光的消光比，并且，能夠抑制輸出光的波長啁啾的產生。再有，作為對調制部16進行差動驅動的效果，舉出消光比的改善、與單相驅動相比能夠以低電壓振幅進行驅動。通過以低電壓驅動進行驅動，從而能夠實現省電化，能夠使用低成本的驅動器。像這樣，根據本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件10，能夠不產生問題地對調制器16進行差動驅動?？墒?，由于通常陽極電極的引線接合部的大小是大到50μm見方左右，所以有在與其下的下包覆層之間產生大的電容而妨礙調制部的高速工作的問題。在該情況下，下包覆層與引線接合部之間的上包覆層等作為電介質而發(fā)揮作用?？墒?，在本發(fā)明的實施方式1中，引線接合部30c之下的包覆層即離開部70b被調制器集成型激光器元件10的端面、深度到達基板40的槽82、以及帶S2的橫向的未形成有第二下包覆層60的空間所包圍。也就是說，離開部70b在元件10的端面方向具有剖面，在槽82的側面方向具有剖面，在分離部14的方向也具有剖面。因而，位于引線接合部30c之下的第三下包覆層（離開部70b）能夠與位于帶S3之下并從第二陰極電極32被施加電壓的第三下包覆層（第二吸收層正下方部70a）電分離。因此，難以生成引線接合部30c與離開部70b之間的電容，能夠使調制部16高速工作?？墒?，由于專利文獻4所公開的元件是通過離子注入來制作絕緣性的分離部（分離區(qū)域）的，所以被認為會對有源層注入離子使元件的可靠性降低?？墒?，在本發(fā)明的實施方式1中，因為不會對有源層進行離子注入，所以與專利文獻4所公開的元件相比，能夠提高可靠性。此外，專利文獻4所公開的分離部（分離區(qū)域）的上包覆層以與激光器部（LD區(qū)域）及調制部（EA區(qū)域）的上包覆層相反的導電型形成，下包覆層以與激光器部（LD區(qū)域）及調制部（EA區(qū)域）的下包覆層相反的導電型形成。為了形成這樣的分離部需要除去工序、再生長工序，而且難以充分提高與調制部（EA區(qū)域）的電阻?？墒?，在本發(fā)明的實施方式1中，因為不需要上述的各工序，而且離開部70b被實施了電分離，所以能夠提高調制部（離開部70b）與分離部的電阻。在本發(fā)明實施方式1的調制器集成型激光器元件10中，為了強化激光器部12與調制部16的電分離，舉出了上述的3個特征，但是采用任一個特征均能夠實現該電分離。因而，可以采用3個特征的任一個。除此之外，在不丟失本發(fā)明的特征的范圍內能夠進行各種變形。例如，也可以代替SiN膜24而使用其他絕緣膜。實施方式2.本發(fā)明實施方式2的調制器集成型激光器元件與實施方式1的調制器集成型激光器元件的共同點較多。因此，以與實施方式1的調制器集成型激光器元件的不同點為中心進行說明。圖6是本發(fā)明實施方式2的調制器集成型激光器元件的平面圖。調制部16的結構與實施方式1不同。沿著帶S3的兩側形成有低洼部100。雖然低洼部100的上表面比帶S3的上表面低，但是比槽80、槽82的底面高。再有，調制器集成型激光器元件的長尺寸方向、短尺寸方向的長度以及調制器集成型激光器元件的厚度與實施方式1是同樣的。圖7是圖6的C-C’剖面圖。在帶S3中，第三上包覆層74與接觸層48的寬度相等，第二吸收層72形成得比該寬度寬。也就是說，帶S3為脊型的光波導。像這樣，即使以脊型的光波導形成調制部16，也能夠獲得與實施方式1的調制器集成型激光器元件同樣的效果。實施方式3.本發(fā)明實施方式3的調制器集成型激光器元件與實施方式1的調制器集成型激光器元件的共同點較多。因此，以與實施方式1的調制器集成型激光器元件的不同點為中心進行說明。圖8是本發(fā)明實施方式3的調制器集成型激光器元件的平面圖。激光器部12和調制部16的結構與實施方式1不同。以虛線示出第一帶S1，與其兩側沒有高度的差。還以虛線示出第三帶S3，與其兩側沒有高度的差。再有，調制器集成型激光器元件的長尺寸方向、短尺寸方向的長度以及調制器集成型激光器元件的厚度與實施方式1是同樣的。圖9是圖8的A-A’剖面圖。在帶S1處的第一下包覆層42的一部分、有源層44、衍射光柵45、以及第一上包覆層46的一部分的兩側，形成有半絕緣體110。半絕緣體110以摻雜鐵的InP形成。該結構是具有將有源層44作為核心并且其周圍被基板40、第一下包覆層42、衍射光柵45、第一上包覆層46、以及半絕緣體110覆蓋的光波導的所謂的掩埋型結構。第一陽極電極20平坦地形成，在帶S1的上表面取得接觸。圖10是圖8的C-C’剖面圖。調制部16的第二吸收層72被半絕緣體112掩埋。半絕緣體110、112的層厚是2μm。像這樣，即使以半絕緣體110、112掩埋有源層44、第二吸收層72，也能夠獲得與實施方式1的調制器集成型激光器元件同樣的效果。實施方式4.本發(fā)明實施方式4的調制器集成型激光器元件與實施方式1的調制器集成型激光器元件的共同點多。因此，以與實施方式1的調制器集成型激光器元件的不同點為中心進行說明。圖11是本發(fā)明實施方式4的調制器集成型激光器元件的分離部的剖面圖。在帶S2中，第一吸收層62與第二下包覆層60的寬度相等，第二上包覆層64形成得比該寬度窄。第二上包覆層64的寬度是2μm，第一吸收層62與第二下包覆層60的寬度是10μm。再有，調制器集成型激光器元件的長尺寸方向、短尺寸方向的長度以及調制器集成型激光器元件的厚度與實施方式1是同樣的。帶S2為低臺面（low-mesa）脊型的光波導。由于調制器集成型激光器元件的元件寬度是250μm，第一吸收層62的寬度是10μm，所以第一吸收層62的兩側合起來是240μm，未形成有第二下包覆層60的區(qū)域擴大。由于第一吸收層62的寬度（10μm）相對于光波導的寬度（帶S1-S3的寬度）即2μm充分大，所以不會干擾低臺面脊型光波導的光封閉。此外，在達到250μm的元件寬度中，第二下包覆層60所占的僅是10μm，因此能夠減少第二下包覆層60的剖面積。因而，能夠增大激光器部與調制部的隔離電阻。再有，也可以在實施方式2或3的調制器集成型激光器元件中采用本發(fā)明實施方式4的分離部。圖12是表示本發(fā)明實施方式4的調制器集成型激光器元件的分離部的變形例的剖面圖。第一吸收層62的寬度是2μm，被半絕緣體114掩埋。第一吸收層62和半絕緣體114的寬度之和與第二上包覆層64的寬度及第二下包覆層60的寬度一致。由于第二下包覆層60的寬度是10μm，調制器集成型激光器元件的元件寬度是250μm，所以作為掩埋層的半絕緣體114的兩側合起來是240μm，未形成有第二下包覆層的區(qū)域擴大。根據變形例的調制器集成型激光器元件，能夠不干擾光波導的光封閉而減少第二下包覆層60的剖面積，并且能夠增大激光器部12與調制部16的隔離電阻。實施方式5.本發(fā)明實施方式5的調制器集成型激光器元件與實施方式3的調制器集成型激光器元件的共同點多。因此，以與實施方式3的調制器集成型激光器元件的不同點為中心進行說明。圖13是本發(fā)明實施方式5的調制器集成型激光器元件的平面圖。以虛線示出帶S1-S3，與它們的兩側沒有高度的差。在本發(fā)明實施方式5的調制器集成型激光器元件中，分離部14與調制部16的結構與實施方式3不同。平坦地形成分離部的表面。調制部16的槽82形成為L字型。圖14是圖13的B-B’剖面圖。第一吸收層62的寬度是2μm。第一吸收層62被半絕緣體120掩埋。半絕緣體120的厚度是3μm。第二上包覆層64和第二下包覆層60僅形成于帶S2。再有，調制器集成型激光器元件的長尺寸方向、短尺寸方向的長度以及調制器集成型激光器元件的厚度與實施方式1是同樣的。本發(fā)明實施方式5的調制器集成型激光器元件采用帶S1-S3中的核心被半絕緣體掩埋的結構。在該結構中，與實施方式1同樣地，也能夠實現激光器部12與調制部16的電分離。在此，因為調制部16的槽82形成為L字型，所以第三下包覆層的離開部70b與第二吸收層正下方部70a離開，并且也與分離部14的半絕緣體120離開。因此，能夠減少將離開部70b和形成在其上方的引線接合部30c作為電極的寄生電容器的電容，能夠實現調制部16的高速工作?？墒?，在本發(fā)明的實施方式5中，以半絕緣體120掩埋第一吸收層62，但是也可以用載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層掩埋。此外，也可以采用在與光的傳播方向垂直的方向將有源層、第一吸收層、或第二吸收層的至少1個掩埋的結構。在該情況下也不限于半絕緣體，能夠用載流子濃度為1×1017cm-3以下的層進行掩埋。實施方式6.本發(fā)明實施方式6的調制器集成型激光器元件的特征在于分離部。而且，關于激光器部和調制部，采用實施方式1至4的任一個所公開的激光器部和調制部。圖15是本發(fā)明實施方式6的調制器集成型激光器元件的分離部的剖面圖。第二下包覆層60a用包含InP的半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層形成。第二上包覆層64a也同樣地用半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層形成。在分離部14中，在帶S2以外的部分未形成有第二下包覆層、第一吸收層和第二上包覆層。在本發(fā)明實施方式6的分離部14中，用半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層來形成圖3（實施方式1中已說明）的結構中的第二下包覆層和第二上包覆層的材料。根據本發(fā)明實施方式6的調制器集成型激光器元件，因為用電阻高的材料形成分離部14的第二下包覆層60a和第二上包覆層64a，所以能夠提高激光器部12和調制部16的電分離效果。圖16是表示本發(fā)明實施方式6的變形例的分離部的剖面圖。第二下包覆層60a和第二上包覆層64a用半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層形成。在該變形例中，將圖11的結構中的第二下包覆層和第二上包覆層的材料如上述那樣進行替換。圖17是表示本發(fā)明實施方式6的另一個變形例的分離部的剖面圖。第二下包覆層60a和第二上包覆層64a用半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層形成。在該變形例中，將圖12的結構中的第二下包覆層和第二上包覆層的材料如上述那樣進行替換。圖18是表示本發(fā)明實施方式6的另一個變形例的分離部的剖面圖。第二下包覆層60a和第二上包覆層64a用半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的n型或p型的InP層形成。在該變形例中，將圖14的結構中的第二下包覆層和第二上包覆層的材料如上述那樣進行替換。在本發(fā)明的實施方式6中，用半絕緣體等形成第二上包覆層和第二下包覆層這兩者，但是只要用半絕緣體或載流子濃度為1×1017cm-3以下的層來形成第二上包覆層或上述第二下包覆層，就能夠獲得激光器部12與調制部16的電分離效果。此外，因為第一下包覆層、第二下包覆層和第三下包覆層被一體地形成，所以使調制器集成型激光器元件的短尺寸方向的第二下包覆層60a的寬度比第一下包覆層的寬度及第三下包覆層的寬度窄會對提高激光器部與調制部的電分離效果做出貢獻。本發(fā)明的調制器集成型激光器元件能夠進行各種各樣的變形。例如，也可以適當地組合上述各實施方式的調制器集成型激光器元件的特征。此外，也能夠使各層的導電型適當地反轉、或者追加其他的半導體層。附圖標記的說明：10調制器集成型激光器元件、12激光器部、14分離部、16調制部、20第一陽極電極、22第一陰極電極、24SiN膜、30第二陽極電極、30a第二吸收層正上方部、30b槽部、30c引線接合部、32第二陰極電極、40基板、42第一下包覆層、44有源層、45衍射光柵、46第一上包覆層、48接觸層、50槽、52槽、60，60a第二下包覆層、62第一吸收層、64，64a第二上包覆層、70第三下包覆層、70a第二吸收層正下方部、70b離開部、72第二吸收層、74第三上包覆層、80槽、82槽、90光模塊、92傳輸線路基板、92a，92b電極、94，96引線、98光學耦合系統(tǒng)、100低洼部、110，112，114，120半絕緣體、S1，S2，S3帶。