專利名稱：薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于薄膜晶體管技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。
背景技術：
薄膜晶體管(Thin Film Transistor)是一種薄膜型的半導體器件,其在顯示技術(液晶顯示技術、有機發(fā)光二極管顯示技術)、集成電路技術等領域中被廣泛應用。一種頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，半導體層I (有源層)設于基底9上，半導體層I中部上方依次設有柵極絕緣層21和柵極2，半導體層I (包括柵極2和柵極絕緣層21)整體被保護層5覆蓋，柵極絕緣層21兩側(cè)的半導體層I分別通過保護層5中的過孔與源極3和漏極4相連，其中，在薄膜晶體管導通時，位于源極3和漏極4之間的半導體層I部分用于傳導電流，也就是形成“導電溝道”。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術中至少存在如下問題:為避免柵極2與源極3、漏極4間的保護層5被擊穿，故源極3和漏極4間(即兩個過孔間)需要有較大的距離；但是，源極3和漏極4之間的區(qū)域是通過半導體層I導電的，而半導體層I導電能力有限，故用于導電的半導體區(qū)的長度d越大則薄膜晶體管的開態(tài)電流越低，導電能力越差，這又要求而源極3和漏極4間的距離(或者說源極3和漏極4與半導體層I接觸部分間的最小距離)應盡量?。煌瑫r，過孔在形成過程中易變形，例如原本設計的方孔在曝光時會變?yōu)閳A孔(對小尺寸的過孔尤其明顯)，而過孔的形狀也會對用于導電的半導體區(qū)的長度d產(chǎn)生一定的影響，這會導致該長度d不穩(wěn)定，影響薄膜晶體管性能的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題包括，針對現(xiàn)有的薄膜晶體管的開態(tài)電流低且性能不穩(wěn)定的問題，提供一種開態(tài)電流高且性能穩(wěn)定的薄膜晶體管。解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種薄膜晶體管，其包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，且薄膜晶體管還包括:設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離。本發(fā)明的薄膜晶體管中設有源極導電層和漏極導電層，其源極和漏極上的電流可分別傳導到源極導電層和漏極導電層上，故其中用于導電的半導體區(qū)的長度d是由兩個導電層間的最短距離決定的，而非由源極和漏極間的距離(或者說過孔間的距離)決定；這樣，只要兩個導電層的位置、形狀確定，則不論源極和漏極處于什么位置以及過孔形狀如何，用于導電的半導體區(qū)的長度d都不會變化，因此該薄膜晶體管既可避免擊穿問題，又可保證較大且穩(wěn)定的開態(tài)電流。優(yōu)選的，所述源極導電層、漏極導電層、柵極絕緣層均形成在所述半導體層上，所述柵極形成在所述柵極絕緣層上；且，所述薄膜晶體管還包括:覆蓋所述半導體層、源極導電層、漏極導電層、柵極、柵極絕緣層的保護層，所述源極和漏極通過保護層中的過孔分別與源極導電層和漏極導電層相連。進一步優(yōu)選的，所述半導體層上表面未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分被柵極絕緣層分割為獨立的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極導電層和漏極導電層分別覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)。進一步優(yōu)選的，所述半導體層為金屬氧化物半導體層；所述源極導電層和漏極導電層是通過化學鍍工藝形成的。優(yōu)選的，所述半導體層為金屬氧化物半導體層、非晶硅半導體層、多晶硅半導體層、有機半導體層中的任意一種。優(yōu)選的，所述源極導電層和漏極導電層由鑰、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成。優(yōu)選的，所述源極導電層由至少兩個相互重疊的子源極導電層構(gòu)成；和/或所述漏極導電層由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構(gòu)成。解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種薄膜晶體管的制備方法，所述薄膜晶體管包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，所述薄膜晶體管還包括設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離；所述薄膜晶體管的制備方法包括:形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形。由于本發(fā)明的方法制備的是上述的薄膜晶體管，故其制得的薄膜晶體管的開態(tài)電流高且性能穩(wěn)定。優(yōu)選的，所述薄膜晶體管的制備方法還包括:通過構(gòu)圖工藝形成包括半導體層的圖形；通過構(gòu)圖工藝形成包括位于所述半導體層上的柵極絕緣層以及位于所述柵極絕緣層上的柵極的圖形；形成覆蓋所述半導體層、源極導電層、漏極導電層、柵極、柵極絕緣層的保護層，并通過構(gòu)圖工藝在所述保護層中形成過孔；通過構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形，所述源極和漏極通過保護層中的過孔分別與源極導電層和漏極導電層相連；其中，所述形成源極導電層和漏極導電層的步驟在形成半導體層的步驟和形成保護層的步驟之間進行。進一步優(yōu)選的，所述半導體層上表面未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分被柵極絕緣層分割為獨立的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極導電層和漏極導電層分別覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)。進一步優(yōu)選的，所述半導體層為金屬氧化物半導體層；所述形成源極導電層和漏極導電層的步驟在形成柵極絕緣層的步驟和形成保護層的步驟之間進行；且，所述形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形包括:通過化學鍍工藝在所述半導體層上表面的源極區(qū)和漏極區(qū)中分別形成源極導電層和漏極導電層。優(yōu)選的，所述半導體層為金屬氧化物半導體層、非晶硅半導體層、多晶硅半導體層、有機半導體層中的任意一種。優(yōu)選的，所述形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形包括:通過構(gòu)圖工藝形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形。
優(yōu)選的，所述源極導電層和漏極導電層由鑰、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成。優(yōu)選的，所述源極導電層由至少兩個相互重疊的子源極導電層構(gòu)成；和/或所述漏極導電層由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構(gòu)成。解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，其包括:上述的薄膜晶體管。由于本發(fā)明的陣列基板具有上述的薄膜晶體管，故其性能穩(wěn)定，可用于實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示。解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。由于本發(fā)明的顯示裝置具有上述的陣列基板，故其顯示質(zhì)量高且穩(wěn)定。本發(fā)明適用于顯示裝置中，尤其適用于液晶顯示裝置、有機發(fā)光二極管顯示裝置
坐寸ο


圖1為現(xiàn)有的薄膜晶體管經(jīng)過源極和漏極的面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的實施例2的薄膜晶體管經(jīng)過源極和漏極的面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的實施例2的薄膜晶體管的制備過程中在形成導電層前的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3的薄膜晶體管沿AA’面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的實施例2的薄膜晶體管的制備過程中在形成導電層后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5的薄膜晶體管沿BB’面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明的實施例2的另一種薄膜晶體管的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；其中附圖標記為:1、半導體層；2、柵極；21、柵極絕緣層；22、金屬層；3、源極；31、源極導電層；4、漏極；41、漏極導電層；5、保護層；9、基底；d、用于導電的半導體區(qū)的長度。
具體實施例方式為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細描述。實施例1:本實施例提供一種薄膜晶體管，其包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，且薄膜晶體管還包括:設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離。本實施例的薄膜晶體管中設有源極導電層和漏極導電層，其源極和漏極上的電流可分別傳導到源極導電層和漏極導電層上，故其中用于導電的半導體區(qū)的長度是由兩個導電層間的最短距離決定的，而非由源極和漏極間的距離(或者說過孔間的距離)決定；這樣，只要兩個導電層的位置、形狀確定，則不論源極和漏極處于什么位置以及過孔形狀如何，用于導電的半導體區(qū)的長度都不會變化，因此該薄膜晶體管既可避免擊穿問題，又可保證較大且穩(wěn)定的開態(tài)電流。實施例2:本實施例提供一種薄膜晶體管，如圖2至圖7所示，其包括源極3、漏極4、半導體層1、柵極2、柵極絕緣層21、源極導電層31、漏極導電層41 ;其中，源極導電層31和漏極導電層41設于半導體層I表面(即兩個導電層31、41均與半導體層I表面接觸)，且兩個導電層31、41相互隔開(即兩個導電層31、41間不接觸)。且源極導電層31與漏極導電層32間的最短距離d小于源極3與漏極2間的最短距離。其中，作為薄膜晶體管的常規(guī)結(jié)構(gòu)，柵極絕緣層21應將柵極2與半導體層I隔開，而源極3和漏極4分別與柵極絕緣層21兩側(cè)的半導體層I相連；與常規(guī)的薄膜晶體管不同，本實施例中源極3和漏極4是分別通過源極導電層31和漏極導電層41與柵極絕緣層21兩側(cè)的半導體層I相連，因此，該源極導電層31和漏極導電層41也不應與柵極2接觸。根據(jù)柵極2與柵極絕緣層21位置的不同，薄膜晶體管可分為頂柵型(柵極2設在半導體層I上方，比半導體層I更遠離基底9)和底柵型(柵極2設在半導體層I與基底9之間)。優(yōu)選的，本實施例的薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，如圖2所示，其半導體層I設在基底9上，柵極絕緣層21設在半導體層I的中部上，柵極2設在柵極絕緣層21上，源極導電層31和漏極導電層41分別設在柵極絕緣層21兩側(cè)的半導體層I表面上；同時，半導體層1、柵極2、柵極絕緣層21、源極導電層31、漏極導電層41等均被保護層5覆蓋，源極3和漏極4通過保護層5中的過孔分別與源極導電層31和漏極導電層41相連。對于頂柵型薄膜晶體管，因其源極3、漏極4、柵極2同樣設在半導體層I的頂側(cè)，故更容易發(fā)生源極3、漏極4、柵極2間的擊穿，更適用于本發(fā)明。進一步優(yōu)選的，如圖3所示，半導體層I上表面未被柵極絕緣層21覆蓋的部分被柵極絕緣層21分割為獨立的源極區(qū)(柵極絕緣層21左側(cè)的區(qū)域)和漏極區(qū)(柵極絕緣層21右側(cè)的區(qū)域)，如圖5所示，源極導電層31和漏極導電層41分別覆蓋源極區(qū)和漏極區(qū)。也就是說，源極導電層31和漏極導電層41分別覆蓋滿了半導體層I的裸露表面，并分別緊鄰柵極絕緣層21的兩側(cè)，這種方式可將用于導電的半導體區(qū)的長度d減少到最小，同時這樣的源極導電層31和漏極導電層41也便于用化學鍍工藝制備。優(yōu)選的，源極導電層31和漏極導電層41由鑰、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成(即由這些金屬中的任意一種或多種組成的合金構(gòu)成)。以上的金屬/合金材料為半導體領域的常用導電金屬，不會對半導體器件的性能產(chǎn)生不良影響。當然，如果使用其他類型的導電材料，也是可行的。優(yōu)選的，源極導電層31由至少兩個相互重疊的子源極導電層構(gòu)成；和/或漏極導電層41由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構(gòu)成。也就是說，源極導電層31和漏極導電層41均可由多個重疊的層組成，其中每個層的材料可以相同或不同。通過采用這種多層的結(jié)構(gòu)，可以更好的調(diào)整源極導電層31和漏極導電層41的性能(比如使其既與半導體層結(jié)合緊密又導電性能良好)。優(yōu)選的，半導體層I為金屬氧化物半導體層，即薄膜晶體管為金屬氧化物薄膜晶體管。
金屬氧化物薄膜晶體管具有載流子遷移率高、制備工藝簡單、成膜均勻性好、成本低等諸多優(yōu)點，故是優(yōu)選的。當然，如果以非晶硅半導體(a-Si)、多晶硅半導體(P-Si)、有機半導體等其他材料作為半導體層1，也是可行的。同時，優(yōu)選的，當半導體層I為金屬氧化物半導體層時，源極導電層31和漏極導電層41可由化學鍍工藝制造。當然，應當理解，本實施例的薄膜晶體管并不限于頂柵型結(jié)構(gòu)，其他形式的薄膜晶體管也是可行的；例如，可如圖7所示，柵極2和柵極絕緣層21設于半導體層I與基底9之間(即為底柵型結(jié)構(gòu))；同時，根據(jù)具體的需要，薄膜晶體管中還可具有其他的結(jié)構(gòu)，例如基底9上還可設有緩沖層，半導體層I中還可包括用于改善其性能的各種摻雜區(qū)等。由于薄膜晶體管的具體形式是多樣的，故在此不再逐一描述，但只要其源極3和漏極4是分別通過源極導電層31和漏極導電層41與半導體層I相連的，即屬于本發(fā)明的保護范圍。上述薄膜晶體管的制備可包括以下步驟:S01、優(yōu)選的，通過構(gòu)圖工藝(通常包括形成沉積層、光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟)在基底9上形成包括半導體層I的圖形。S02、在完成上述步驟的基板上沉積柵極絕緣層薄膜。S03、在完成上述步驟的基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極絕緣層21與柵極2的圖形，得到如圖3、圖4所示的結(jié)構(gòu)。S04、形成源極導電層31和漏極導電層41，得到如圖5、圖6所示的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，對于如圖2所示的頂柵型薄膜晶體管，若其半導體層I為金屬氧化物半導體層，則其源極導電層31和漏極導電層41可通過化學鍍工藝形成?；瘜W鍍工藝簡單易行，成本低；且由于其工藝特點，故其只會在金屬或金屬氧化物上成膜，而對于頂柵型薄膜晶體管，其基底9通常為玻璃材料，柵極絕緣層21通常為氮化硅等材料，故源極導電層31和漏極導電層41會直接形成在柵極絕緣層21兩側(cè)的半導體層I表面，而柵極絕緣層21和基底9上不形成導電層，這樣其可直接制成如圖5、圖6所示的具有最短的用于導電的半導體區(qū)的長度d的薄膜晶體管。當然，由于柵極2通常是金屬材料的，故其上也會形成金屬層22，但該層的存在對柵極2的性能沒有影響。以形成鑰導電層作為化學鍍工藝的例子:在室溫至100°C間的溫度下，將化學鍍鑰液涂布在具有如圖3、圖4所示結(jié)構(gòu)的基底9上，待其反應完全即可得到如圖5、圖6所示的結(jié)構(gòu)，之后清洗、烘干，進行后續(xù)步驟。其中，化學鍍鑰液的成分可包括:0.1 0.3mol/L的硫酸鑰，0.05 0.15mol/L的硫化鈉(穩(wěn)定劑)，0.I lmol/L的醋酸鈉(緩沖劑)，0.1 lmol/L的酒石酸(絡合劑)，余量的水。當然，以上只是化學鍍鑰液的一個具體例子，其成分可有不同，例如其中還可含有加速劑、PH值調(diào)節(jié)劑等其他物質(zhì)，且各已有組分的濃度、物質(zhì)選擇也可不同。由于通過化學鍍形成導電層的工藝是已知的，故在此不再對其進行詳細介紹。當然，應當理解，通過化學鍍工藝形成源極導電層31和漏極導電層41的步驟只要在形成柵極絕緣層21之后進行即可(當然應當在下述的形成保護層5的步驟之前)，也就是說，S03與S04步驟是可以互換的，即可以先成導電層31、41，再形成柵極2(當然這樣柵極2上就不會再形成金屬層22 了)。
優(yōu)選的，也可通過構(gòu)圖工藝形成包括源極導電層31和漏極導電層41的圖形。構(gòu)圖工藝雖然相對復雜，但是其適用范圍廣，可用于形成各種材料的導電層31、41 (例如其可形成非金屬材料的導電層)，且可形成任何形式的導電層31、41 (例如其可形成如圖7所示的只覆蓋半導體層I表面一部分的導電層31、41，而化學鍍工藝則難以形成這樣的結(jié)構(gòu))。當然，應當理解，如果是通過構(gòu)圖工藝形成源極導電層31和漏極導電層41，則此步驟只要在形成半導體層I的步驟之后即可(當然應當在下述的形成保護層5的步驟之前)，即其可與形成柵極2、形成柵極絕緣層21的步驟互換。S05、優(yōu)選的，形成保護層5，并通過構(gòu)圖工藝在保護層5中形成過孔。S06、通過構(gòu)圖工藝形成包括源極3和漏極4的圖形，其中源極3和漏極4通過保護層5中的過孔分別與源極導電層31和漏極導電層41相連。當然，根據(jù)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的不同，其具體制備方法也是多樣的，在此不再逐一描述，但只要其包括形成源極導電層31和漏極導電層41的步驟即屬于本發(fā)明的保護范圍。實施例3:本實施例提供一種陣列基板，其包括上述的薄膜晶體管。優(yōu)選的，陣列基板可包括基底和形成于基底上的柵極線和數(shù)據(jù)線，柵極線和數(shù)據(jù)線相互交叉并定義了多個像素單元，每個像素單元中設有至少一個薄膜晶體管，且其中至少有一個薄膜晶體管是上述的薄膜晶體管。當然，在陣列基板中還應具有存儲電容、像素電極、有機發(fā)光二極管、像素限定層(PDL)等其他的已知結(jié)構(gòu)，在此不再詳細描述。由于本實施例的陣列基板具有上述的薄膜晶體管，故其性能穩(wěn)定，可用于實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示。實施例4:本實施例提供一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。優(yōu)選的，所述顯示裝置為液晶顯示裝置或有機發(fā)光二極管顯示裝置。當然，在顯示裝置中還應具有電源單元、框架、驅(qū)動單元、彩膜、液晶層等其他的已知結(jié)構(gòu)，在此不再詳細描述。由于本實施例的顯示裝置具有上述的陣列基板，故其顯示質(zhì)量高且穩(wěn)定?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括: 設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述源極導電層、漏極導電層、柵極絕緣層均形成在所述半導體層上，所述柵極形成在所述柵極絕緣層上； 且，所述薄膜晶體管還包括: 覆蓋所述半導體層、源極導電層、漏極導電層、柵極、柵極絕緣層的保護層，所述源極和漏極通過保護層中的過孔分別與源極導電層和漏極導電層相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述半導體層上表面未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分被柵極絕緣層分割為獨立的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極導電層和漏極導電層分別覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述半導體層為金屬氧化物半導體層； 所述源極導電層和漏極導電層是通過化學鍍工藝形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述半導體層為金屬氧化物半導體層、非晶硅半導體層、多晶硅半導體層、有機半導體層中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述源極導電層和漏極導電層由鑰、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述源極導電層由至少兩個相互重疊的子源極導電層構(gòu)成； 和/或 所述漏極導電層由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構(gòu)成。
8.一種薄膜晶體管的制備方法，所述薄膜晶體管包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離； 所述薄膜晶體管的制備方法包括: 形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括: 通過構(gòu)圖工藝形成包括半導體層的圖形； 通過構(gòu)圖工藝形成包括位于所述半導體層上的柵極絕緣層以及位于所述柵極絕緣層上的柵極的圖形； 形成覆蓋所述半導體層、源極導電層、漏極導電層、柵極、柵極絕緣層的保護層，并通過構(gòu)圖工藝在所述保護層中形成過孔； 通過構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形，所述源極和漏極通過保護層中的過孔分別與源極導電層和漏極導電層相連； 其中， 所述形成源極導電層和漏極導電層的步驟在形成半導體層的步驟和形成保護層的步驟之間進行。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于， 所述半導體層上表面未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分被柵極絕緣層分割為獨立的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極導電層和漏極導電層分別覆蓋所述源極區(qū)和漏極區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述半導體層為金屬氧化物半導體層；所述形成源極導電層和漏極導電層的步驟在形成柵極絕緣層的步驟和形成保護層的步驟之間進行；且，所述形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形包括: 通過化學鍍工藝在所述半導體層上表面的源極區(qū)和漏極區(qū)中分別形成源極導電層和漏極導電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任意一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于， 所述半導體層為金屬氧化物半導體層、非晶硅半導體層、多晶硅半導體層、有機半導體層中的任意一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任意一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形包括: 通過構(gòu)圖工藝形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任意一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于， 所述源極導電層和漏極導電層由鑰、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任意一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于， 所述源極導電層由至少兩個相互重疊的子源極導電層構(gòu)成； 和/或 所述漏極導電層由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構(gòu)成。
16.—種陣列基板,其特征在于,包括: 權(quán)利要求1至7中任意一項所述的薄膜晶體管。
17.一種顯示裝置，其特征在于，包括: 權(quán)利要求16所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，屬于薄膜晶體管技術領域，其可解決現(xiàn)有的薄膜晶體管開態(tài)電流低且性能不穩(wěn)定的問題。本發(fā)明的薄膜晶體管包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，且還包括設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離。本發(fā)明的薄膜晶體管制備方法包括形成上述源極導電層和漏極導電層的步驟。本發(fā)明的陣列基板和顯示裝置包括上述薄膜晶體管。本發(fā)明的薄膜晶體管可用于顯示裝置中，尤其是用于液晶顯示裝置、有機發(fā)光二極管顯示裝置。
文檔編號H01L29/786GK103199113SQ20131009069
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月20日
發(fā)明者陳海晶, 王東方, 姜春生 申請人:京東方科技集團股份有限公司