夾層連接器的制造方法
【專利摘要】一種用于高速、高密度信號的兩片式夾層連接器。連接器由晶片組裝，晶片可以由相同的晶片半部形成。晶片半部可以具有形成通道的內(nèi)部，損耗件可以被保持在通道中以選擇性地配置用于高頻性能的連接器。損耗件可以為蛇形，以提供相對于信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的不同的間隔以及當(dāng)被保持在晶片半部之間時提供柔性以擠壓接地導(dǎo)體。替代或除了被保持在兩個晶片半部之間的損耗件之外，晶片半部每個可以具有在至少一側(cè)上包覆模制的損耗材料，使得組裝的晶片可以使損耗材料布置在外側(cè)上。晶片可以具有被固定在燕尾狀通道內(nèi)的燕尾狀突出，以形成連接器的結(jié)構(gòu)件。
【專利說明】夾層連接器
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2011年2月2日提交的題目為“夾層連接器”的美國臨時專利申請N0.61/438, 956的美國專利法35U.S.C第119條第(e)項的優(yōu)先權(quán)；以及
[0003]本申請還要求2011年4月8日提交的題目為“夾層連接器”的美國臨時專利申請N0.61/473，565的美國專利法35U.S.C第119條第(e)項的優(yōu)先權(quán)。
[0004]上面提及的申請中的每個申請其全部內(nèi)容通過引用合并到本文中。
【背景技術(shù)】
[0005]本公開內(nèi)容總體上涉及用于連接印刷電路板(“PCB”)的電互連。
[0006]在很多電子系統(tǒng)中使用電互連。通常，在由電連接器相互連接的若干PCB上制造系統(tǒng)比將系統(tǒng)制造成單個組件更容易且更高成本效益。用于將若干PCB互連的傳統(tǒng)的布置是使一個PCB用作背板。然后，被稱為子板或子卡的其他PCB通過該背板由電連接器連接。
[0007]依賴于待連接的PCB的類型和方向，使用不同格式的連接器。一些連接器為直角連接器，表示它們用于將以相互成直角安裝在電子系統(tǒng)中的兩個印刷電路板聯(lián)接(join)。另一類型的連接器被稱為夾層連接器。這樣的連接器用于連接相互平行的印刷電路板。
[0008]在以下申請中可以找到夾層連接器的示例:公布為美國專利申請公布N0.2011-0104948 的美國專利申請N0.12/612，510 ;公布為國際公布N0.W0/2010/039188 的國際申請 N0.PCT/US2009/005275 ;美國專利 N0.6，152，747 ;以及美國專利 N0.6，641，410。這些專利和專利申請中的全部被轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人并且通過引用將其全部內(nèi)容合并到本文中。
[0009]通常，電子系統(tǒng)已經(jīng)變得更小、更快且功能上更復(fù)雜。這些變化表示，近年來電子系統(tǒng)的給定面積中的電路的數(shù)量連同電路操作的頻率已經(jīng)顯著增加。當(dāng)前系統(tǒng)在印刷電路板之間傳遞更多數(shù)據(jù)，并且要求能夠以比甚至幾年前的連接器更高的速度來電處理更多數(shù)據(jù)的電連接器。
[0010]制作高密度高速連接器的問題中的一個問題為:連接器中的電導(dǎo)體可以很靠近使得在相鄰的信號導(dǎo)體之間可以存在電干擾。為了減少干擾，以及另外提供期望的電氣屬性，通常將金屬件放置在相鄰的信號導(dǎo)體之間或周圍。金屬用作屏蔽以防止一個導(dǎo)體上攜帶的信號在另一導(dǎo)體上造成“串?dāng)_”。金屬還影響每個導(dǎo)體的阻抗，這可以進(jìn)一步有助于期望的電氣屬性。
[0011 ] 隨著信號頻率增加，存在在連接器中以如反射、串?dāng)_和電磁輻射的形式生成電噪聲的更大可能性。因此，電連接器被設(shè)計成限制不同的信號路徑之間的串?dāng)_并且控制每個信號路徑的特征阻抗。為此，通常將屏蔽件鄰近于信號導(dǎo)體放置。
[0012]可以通過布置各種信號路徑使得它們相互更遠(yuǎn)間隔并且更靠近于屏蔽如接地板來限制連接器中的不同的信號之間的串?dāng)_。從而，不同的信號路徑往往更多地電磁耦合至屏蔽以及更少地相互耦合 。對于給定級別的串?dāng)_，當(dāng)保持對接地導(dǎo)體的足夠的電磁耦合時，可以將信號路徑放置得更靠近在一起。[0013]盡管通常由金屬部件制作用于相互隔離導(dǎo)體的屏蔽，被轉(zhuǎn)讓給本申請的相同受讓人并且通過引用其全部內(nèi)容被合并到本文中的美國專利N0.6，709，294描述了由導(dǎo)電塑料制作連接器中的屏蔽板的擴(kuò)展。
[0014]在一些連接器中，由被特定定形和定位以提供屏蔽的導(dǎo)電件提供屏蔽。當(dāng)導(dǎo)電件被安裝在印刷電路板上時，導(dǎo)電件被設(shè)計成連接至參考電位或接地。據(jù)說這樣的連接器具有專用接地系統(tǒng)。
[0015]在其他連接器中，通常所有的導(dǎo)電件可以具有相同的形狀并且以規(guī)則的陣列被定位。如果期望屏蔽在連接器內(nèi)，則可以將額外的導(dǎo)電件連接至AC接地。其他所有導(dǎo)電件可以用于攜帶信號。稱為“開放引腳現(xiàn)場連接器”的這樣的連接器提供靈活性在于:當(dāng)設(shè)計使用連接器的系統(tǒng)時，可以選擇數(shù)量以及接地的具體導(dǎo)電件，或反之，數(shù)量以及可利用于攜帶信號或電力的具體導(dǎo)體件。然而，通過確保如果連接以攜帶信號而非提供接地的這些導(dǎo)電件提供信號的適當(dāng)?shù)穆窂降男枰s束提供屏蔽的導(dǎo)電件的形狀和定位。
[0016]可以使用其他技術(shù)來控制連接器的性能。例如，差分地傳輸信號還可以減少串?dāng)_。由稱為“差分對”的一對導(dǎo)電路徑攜帶差分信號。導(dǎo)電路徑之間的電壓差表示信號。通常，差分對被設(shè)計成在差分對的導(dǎo)電路徑之間具有優(yōu)選的耦合。例如，差分對的兩個導(dǎo)電路徑可以在連接器中被布置成相互更靠近行進(jìn)(run)而非更靠近相鄰的信號路徑行進(jìn)。常規(guī)地，在差分對的導(dǎo)電路徑之間不期望屏蔽，但可以在差分對之間使用屏蔽。
[0017]在美國專利N0.6，293，827、美國專利6，503，103、美國專利6，776，659以及美國專利7，163，421中示出了差分電連接器的示例，所有的這些專利被轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人并且通過引用其全部內(nèi)容被合并到本文中。
[0018]差分連接器通常被當(dāng)作“邊緣耦合”或“寬邊耦合”。在這兩種類型的連接器中，攜帶信號的導(dǎo)電件通常在截面中為矩形。矩形的兩個對邊比其他邊較寬，形成導(dǎo)電件的寬邊。當(dāng)導(dǎo)電件對被定位成對的導(dǎo)電件的寬邊相互靠近而非靠近相鄰的導(dǎo)電件時，連接器被當(dāng)作寬邊耦合。相反地，如果導(dǎo)電件對被布置成聯(lián)接寬邊的較窄的邊相互靠近而非靠近相鄰的導(dǎo)電件，那么連接器被當(dāng)作邊緣耦合。
[0019]可以通過使用吸收材料控制連接器的電氣特征。被轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人并且通過引用其全部內(nèi)容被合并到本文中的美國專利N0.6，786，771描述了使用吸收材料來減少不想要的諧振并且改進(jìn)連接器性能，尤其是高速(例如，IGHz或更大的信號頻率，尤其高于3GHz)。美國專利N0.7，371，117、美國專利7, 581,990以及公布為美國專利申請公布N0.2011-0230095的美國專利申請N0.13/029,052描述了使用損耗材料來改進(jìn)連接器性能，所有的這些專利被轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人并且通過引用其全部內(nèi)容被合并到本文中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本公開內(nèi)容的方面涉及改進(jìn)的高速、高密度互連系統(tǒng)。發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識和理解到用于通過用于高頻信號的連接器提供高信號密度的、連接器和電路組件的設(shè)計技術(shù)?？梢砸黄鹗褂茫瑔为毷褂没蛞匀魏芜m當(dāng)?shù)慕M合使用`這些技術(shù)。
[0021]在一些實施方式中，改進(jìn)的連接器可以包括適于相互配合的兩個部件片。每個部件片可以包括外殼，在外殼中可以可拆裝地或固定地安裝多個晶片。每個晶片可以通過將使用相同的工具制造的兩個晶片半部附接在一起來形成。例如，兩個晶片半部可以以相反的方向被布置，以及可以使用適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制如通過將形成在一個晶片半部上的柱插入形成在另一晶片半部上的相應(yīng)的孔中被相互附接。使用相同的工具制造兩個晶片半部可以簡化制造，從而降低成本。
[0022]在一些另外的實施方式中，晶片半部可以具有形成適于接納損耗件的內(nèi)部。例如，每個晶片半部的內(nèi)部可以具有交替的凹部和凸起(raised)區(qū)域，使得當(dāng)兩個晶片半部以相反的方向相互附接時，一個晶片半部中的每個凸起區(qū)域可以與另一晶片半部中的相應(yīng)的凹部對準(zhǔn)并且延伸至另一晶片半部中的相應(yīng)的凹部中?？梢栽谟上鄳?yīng)的凹部和凸起區(qū)域形成的通道中選擇性地包括損耗件以關(guān)于改進(jìn)的高頻性能配置連接器。
[0023]在又一些另外的實施方式中，損耗件可以具有適于沿著在兩個晶片半部之間形成的通道纏繞的蛇形形狀，使得損耗件被路由成交替地靠近被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件以及遠(yuǎn)離被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件。這樣的鋸齒結(jié)構(gòu)還可以將一些類似彈簧的屬性傳授給損耗件，這可以使得當(dāng)晶片半部相互附接時損耗件能夠擠壓晶片半部的內(nèi)部。該結(jié)構(gòu)可以便利于損耗件與被配置為接地導(dǎo)體的晶片半部中的一個或更多個導(dǎo)電元件之間的良好接觸。該結(jié)構(gòu)還可以便利于從一部分到一部分的更均勻的電氣屬性，而不管常規(guī)的制造變化。
[0024]在又一些另外的實施方式中，可以在晶片半部上形成損耗部分，使得由兩個晶片半部組裝的晶片可以具有布置在外部的損耗材料?？梢酝ㄟ^將損耗材料包覆模制(overmold)到晶片半部上來形成損耗部分。例如，晶片半部可以具有形成在一側(cè)或兩側(cè)上的通道，其中通道被配置成在模制工藝期間填充有熔化的損耗材料。在損耗材料布置在晶片半部的兩側(cè)上的實施方式中，晶片半部可以包括被配置成在模制工藝期間使得熔化的損耗材料能夠從晶片半部的一側(cè)流至另一側(cè)的結(jié)構(gòu)元件(例如，開口)。
[0025]在又一些另外的實施方式中，每塊晶片半部可以在任一端具有突出部分。每個突出部分的橫截面可以具有普通的梯形，使得當(dāng)兩個晶片半部固定在一起時兩個晶片半部的突出部分在晶片的一端形成燕尾塊。該燕尾塊可以被定形成安裝在連接器外殼中的相應(yīng)的溝槽內(nèi)，使得當(dāng)晶片插入相應(yīng)的溝槽中時晶片形成連接器的結(jié)構(gòu)件。
[0026]兩片式夾層連接器用于高速高密度信號。連接器中的一片可以包括具有梁形配合接觸的導(dǎo)電元件。梁可以包括開口以控制梁的機(jī)械屬性同時使得相鄰的梁之間的邊緣至邊緣間隔能夠被選擇以提供期望的電氣屬性。開口可以是淚狀物狀的，在梁的遠(yuǎn)端處具有較大的寬度。與信號導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的梁可以具有和與接地導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的梁的開口不同地被定形的開口。另外，對于第一連接器片，信號導(dǎo)體的配合接觸區(qū)域可以比接地導(dǎo)體的配合接觸區(qū)域較寬，然而，對于適于與第一連接器片配合的第二連接器片，信號導(dǎo)體的配合接觸區(qū)域可以比接地導(dǎo)體的配合接觸區(qū)域較窄。這些接觸形狀可以提供浮動同時保持高的接觸密度。
[0027]在一些實施方式中，改進(jìn)的連接器可以包括適于相互配合的兩個部件片。連接器片中的一個可以包括具有梁形配合接觸部分的導(dǎo)電元件，而另一連接器片可以包括具有適于與相應(yīng)的梁形配合接觸部分配合的焊盤形配合接觸部分的導(dǎo)電元件。梁可以是柔性的，以及焊盤可以是相對堅硬的，使得當(dāng)兩個連接器片相互配合時，梁擠壓焊盤以便利于每個梁與相應(yīng)的焊盤之間的良好電連接。
[0028]在一些另外的實施方式中，每個梁可以具有開口以控制梁的機(jī)械屬性同時使得相鄰的梁之間的邊緣至邊緣間隔能夠被選擇以提供所期望的電氣屬性。例如，開口可以是淚狀物狀，在朝向梁的遠(yuǎn)端處具有較大的寬度以及在朝向梁的近端具有較小的寬度。這導(dǎo)致朝向遠(yuǎn)端的較少的梁材料，使得彈力沿著梁的長度的分配近似于使用錐形梁實現(xiàn)的力的分配。以這種方式，可以將梁制成較寬，但不制成較硬，以實現(xiàn)相鄰的梁之間的期望的邊緣至邊緣間隔。
[0029]在又一些另外的實施方式中，關(guān)于不同功能被定形的梁可以具有不同定形的剪切塊。例如，與被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)的梁可以比與被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)的梁具有較窄的剪切塊。這可以均衡晶片中的所有梁的硬度，即使梁具有不同的尺寸。
[0030]在又一些另外的實施方式中，在兩片式連接器的一個連接器片中，被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部分可以比被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部分較窄。在相同的兩片式連接器中，另一連接器片的配合接觸部分可以具有相反的相對尺寸，被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部分可以比被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部分較寬。該設(shè)計可以減小晶片的整體尺寸，同時允許適于相互配合的相應(yīng)的配合接觸部分之間的“浮動”(例如，某種程度的未對準(zhǔn))。
[0031]在又一些另外的實施方式中，梁形配合接觸部分可以在遠(yuǎn)端具有接頭部分以及具有較靠近于近端的頸部。接觸區(qū)域可以在接頭部分與頸部之間形成，其中接觸區(qū)域比接頭部分和頸部兩者較寬。接頭部分與頸部之間的距離可以為最大1.5mm。如上面所討論的以及下面更詳細(xì)地討論的，加寬的接觸區(qū)域可以提供浮動，同時可以提供頸部以抵消由加寬的接觸區(qū)域產(chǎn)生的阻抗的變化。
[0032]電子組件的封裝由印刷電路板的表面上的導(dǎo)電焊盤形成。一個或更多個通孔可以將每個焊盤連接至印刷電路板內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。封裝可以使得焊盤的通孔沿著列對準(zhǔn)，在列之間留下寬的路由通道。焊盤可以具有不同的形狀。例如，焊盤中的一些焊盤每個可以具有電連接至接地平面的兩個焊料附接區(qū)域，而其他焊盤每個可以具有電連接至信號跡線的一個焊料附接區(qū)域。焊料附接區(qū)域可以如下模式被布置:焊料附接區(qū)域與連接器組件的相應(yīng)的接點尾線對準(zhǔn)。信號路徑可以在`焊料附接區(qū)域與相應(yīng)的接點尾線之間通過附接至接點尾線的焊球來形成。
[0033]在一些實施方式中，用于將連接器附接至印刷電路板的封裝可以包括在印刷電路板的表面上以將焊盤與附接至連接器的接點尾線的焊球?qū)?zhǔn)的模式形成的導(dǎo)電焊盤。一個或更多個通孔可以將每個焊盤連接至印刷電路板內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。封裝可以使得焊盤的通孔沿著列被對準(zhǔn)，在列之間留下寬的路由通道。這些路由通道可以使得信號跡線能夠容易地在位于封裝之下的印刷電路板的區(qū)域中路由，使得跡線可以甚至被路由到組件的每個中心。這樣的封裝可以減少印刷電路板中額外的層的需要，這又可以減低成本。
[0034]在一些另外的實施方式中，封裝的導(dǎo)電焊盤可以具有不同的形狀。例如，焊盤中的一些焊盤每個可以具有電連接至印刷電路板中的接地平面的兩個焊料附接區(qū)域，而其他焊盤每個可以具有電連接至印刷電路板中的信號跡線的一個焊料附接區(qū)域。封裝可以使得連接至適于攜帶差分信號的一對信號跡線的焊料附接區(qū)域通?？梢杂蛇B接至接地平面的焊料附接區(qū)域包圍。該配置可以提供適于攜帶差分信號的導(dǎo)體對之間的改進(jìn)的屏蔽。
[0035]在又一些另外的實施方式中，沿著列的導(dǎo)電焊盤可以具有不同的方向以便利于焊盤的高密度。例如，接地焊盤(例如，連接至一個或更多個接地平面的焊盤)可以相對應(yīng)于列的中心線成角度，以在列的相對側(cè)上，在具有不同的大小的接地焊盤之間建立區(qū)域。信號焊盤(例如，連接至信號跡線的焊盤)的焊料附接區(qū)域可以被定位在較大的區(qū)域中。該定位可以使得信號焊盤的焊料附接區(qū)域的中心至中心間隔能夠大于信號焊盤的通孔的中心至中心間隔，同時仍被定位在相鄰的接地焊盤的焊料附接區(qū)域之間。該布置可以實現(xiàn)具有良好的信號完整性屬性和寬的路由通道的高密度封裝。
[0036]當(dāng)結(jié)合附圖并且根據(jù)權(quán)利要求考慮時，根據(jù)本公開內(nèi)容的各種非限制性實施方式的下面的詳細(xì)描述，其他優(yōu)點和新穎有特征將變得明顯。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]附圖不意在按比例被描繪。為了清晰起見，沒有在每個圖中標(biāo)記每個部件。
[0038]圖1A是根據(jù)一些實施方式的適合于用于互連系統(tǒng)的第一連接器的透視圖。
[0039]圖1B是根據(jù)一些實施方式的被配置成與圖1A中示出的第一連接器配合的第二連接器的透視圖。
[0040]圖2A是根據(jù)一些實施方式的適合于用于圖1A中示出的連接器的說明性晶片的透視圖。
[0041]圖2B是圖2A中示出的說明性晶片的平面圖。
[0042]圖2C是圖2A中示出的說明性晶片的分解透視圖。
[0043]圖2D是根據(jù)一些實施方式的說明性晶片半部的一部分和說明性損耗插入的一部分的橫截面圖。
`[0044]圖3A是根據(jù)一些實施方式的說明性晶片半部的前側(cè)的透視圖。
[0045]圖3B是圖3A中示出的說明性晶片半部的背側(cè)的透視圖。
[0046]圖3C是圖3A中示出的說明性晶片半部的背側(cè)的平面圖。
[0047]圖3D是通過圖3A中示出的說明性晶片半部的橫截面圖。
[0048]圖4A是根據(jù)一些實施方式的適合用于互連系統(tǒng)中的另一說明性連接器的透視圖。
[0049]圖4B是沿著平行于配合面的平面獲得的圖4A中示出的說明性連接器的一部分的橫截面圖。
[0050]圖4C是通過圖4A中示出的說明性連接器的橫截面。
[0051]圖4D是如圖4C中所示的面積4D處放大的橫截面的示意圖。
[0052]圖4E示出了根據(jù)一些實施方式的具有安裝在說明性連接器中的說明性虛擬晶片的添加的如圖4D的相同的圖。
[0053]圖5A是根據(jù)一些實施方式的適合用于互連系統(tǒng)中的又另一說明性連接器的透視圖。
[0054]圖5B是圖5A中示出的說明性連接器的部分橫截面圖。
[0055]圖6A是根據(jù)一些實施方式的適合用于兩片式電連接器的連接器中的另一說明性晶片的透視圖。
[0056]圖6B是圖6A中示出的說明性晶片的分解圖。
[0057]圖7A是根據(jù)一些實施方式的具有完全相互配合的兩個部件連接器的說明性兩片式連接器的配合接口的橫截面圖。[0058]圖7B是圖7A中的指定7B的配合接口的部分的放大的橫截面圖。
[0059]圖8A是根據(jù)一些實施方式的適合用于兩片式電連接器的連接器中的又另一說明性晶片的分解圖。
[0060]圖SB是根據(jù)一些實施方式的具有布置在晶片半部上的損耗件的圖8A中示出的說明性晶片的晶片半部的透視圖。
[0061]圖9A示出了根據(jù)一些實施方式的關(guān)于連接器附接至印刷電路板的說明性封裝。
[0062]圖9B示出了圖9A中示出的封裝中的一列焊盤的一部分。
[0063]圖9C示出了根據(jù)一些另外的實施方式的兩列焊盤的部分。
[0064]圖1OA是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的說明性晶片半部的透視圖。
[0065]圖1OB是根據(jù)一些實施方式的具有布置在通道中的損耗材料的圖1OA中示出的說明性晶片半部的另一透視圖。
[0066]圖1OC是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的、圖1OA中示出的說明性晶片半部的背側(cè)的透視圖。
[0067]圖1OD是根據(jù)一些實施方式的具有布置在通道中的損耗材料的、圖1OA中示出的說明性晶片半部的背側(cè)的另一透視圖。
[0068]圖1OE是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的、圖1OA中示出的說明性晶片半部的橫截面圖。
[0069]圖1OF是根據(jù)一些實施方式的具有布置在前側(cè)和背側(cè)兩者上的損耗材料的、圖1OA中示出的說明性晶片半部的另一橫截面圖。
[0070]圖1OG是根據(jù)一些實施方式的、由圖1OA中示出的說明性晶片半部和類似的晶片半部制成的說明性晶片的透視圖。
[0071]圖1OH是圖1OG中示出的說明性晶片的橫截面圖。
[0072]圖1lA是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的、另一說明性晶片半部的前側(cè)的透視圖。
[0073]圖1lB是根據(jù)一些實施方式的具有布置在通道中的損耗材料的、圖1lA中示出的說明性晶片半部的另一透視圖。
[0074]圖1lC是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的、圖1lA中示出的說明性晶片半部的背側(cè)的透視圖。
[0075]圖1lD是根據(jù)一些實施方式的具有布置在通道中的損耗材料的、圖1lA中示出的說明性晶片半部的背側(cè)的另一透視圖。
[0076]圖1lE是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的、圖1lA中示出的說明性晶片半部的橫截面圖。
[0077]圖1lF是根據(jù)一些實施方式的具有布置在前側(cè)和背側(cè)兩者上的損耗材料的、圖1lA中示出的說明性晶片半部的另一橫截面圖。
[0078]圖1lG是根據(jù)一些實施方式的由圖1lA中示出的說明性晶片半部和類似的晶片半部制成的說明性晶片的透視圖。
[0079]圖1lH是圖1lG中示出的說明性晶片的橫截面圖?！揪唧w實施方式】
[0080]圖1A是第一連接器IlOA的透視圖，以及圖1B是被配置成與第一連接器IlOA配合的第二連接器100B的透視圖。根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式，連接器100A和連接器100B共同形成兩件式電連接器。在此，該兩片式連接器被示為配置成用于連接相互平行的兩塊PCB的夾層連接器。例如，連接器100A可以具有適于附接至第一 PCB (未示出)的附接面105A，以及連接器100B可以具有適于附接至平行于第一 PCB的第二 PCB (未示出)的附接面105B。另外，連接器100A可以具有適于與連接器100B的配合面IlOB配合的配合面110A,以便在第一 PCB和第二 PCB中的跡線之間進(jìn)行電連接。
[0081]在圖1A中示出的示例中，連接器100A包括外殼，多個晶片可以可拆裝地或固定地安裝在該外殼中。在此，外殼被定形為具有限定通常開放的內(nèi)部區(qū)域的外壁的殼體115A。殼體115A通?？梢员欢ㄐ螢橹锌站匦喂?，然而還可以使用其他形狀。殼體115A還可以由可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞交ミB的一塊或更多塊組成。例如，在一些實施方式中，殼體115A可以包括至少兩個組成塊，第一塊包括配合面IlOA以及第二塊包括附接面105A。可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞街谱鬟@些塊中的每塊。作為一個示例，可以使用強(qiáng)化纖維填料由熱塑性聚合物模制塊?？梢詫⑦@樣的結(jié)構(gòu)制作成絕緣的。然而，在一些實施方式中，為了屏蔽、阻抗控制和/或諧振控制，導(dǎo)電件或損耗件、或?qū)щ姴炕驌p耗部可以被合并到殼體115A中。
[0082]為了清晰起見，圖1A示出了說明性布置，在該布置中殼體115A的僅一部分由安裝的晶片120A占用?？梢詫⒏嗟木惭b在殼體115A的未占用的部分處。晶片120A可以使用任何適當(dāng)?shù)臋C(jī)制被安裝在殼體115A中。例如，如下面結(jié)合圖4A至圖4C更詳細(xì)討論的，晶片120A的垂直邊緣可以被定形為在由殼體115A的內(nèi)部側(cè)壁上的凹部(例如，圖1A中示出的凹部125A)形成的通道內(nèi)滑動。凹部可以以如下方式形成，該方式使得一旦晶片120A的垂直邊緣被插入凹部，基本上限制晶片120A的橫向和/或旋轉(zhuǎn)運(yùn)動。從而，凹部之間的相對間距可以確定安裝的晶片之間的相對間距。這樣的間距可以是規(guī)則的，但不必須是規(guī)則的。
[0083]在一些實施方式中，晶片可`以包括一個或更多個導(dǎo)電元件，每個導(dǎo)電元件可以具有適于附接至PCB的接點尾線以及`適于與兩件式連接器中的相應(yīng)的連接器(例如，圖1B中示出的連接器100B)的相應(yīng)的導(dǎo)電元件進(jìn)行電連接的配合接觸部。在圖1A中示出的圖中，晶片的接點尾線部面向上并且是可見的，以及配合接觸部面向下并且從圖中看是遮擋的。在圖2A至圖2C以及圖3A至圖3D中示出了適合于用于連接器100A中的晶片的說明性結(jié)構(gòu)，并且在下面對其進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
[0084]在各個實施方式中，殼體115A的面105A和面IlOA中的任一個或兩者可以部分地或整體地被密封。例如，在圖1A示出的實施方式中，殼體115A的配合面IlOA部分地被密封。如可以看到的，在由安裝的晶片120A未遮擋的配合面IlOA的一部分中，配合面IlOA可以具有插槽如插槽130A。這些插槽可以在連接器100A中相對于安裝的晶片定位，使得當(dāng)連接器100A與相應(yīng)的連接器(例如，圖1中示出的連接器100B)配合時，相應(yīng)的連接器的配合接觸部可以通過插槽以將連接器100A的安裝的晶片的配合接觸部接合。
[0085]圖1B是根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的、在互連系統(tǒng)中可以用于附接至PCB的連接器100B的透視圖。例如，連接器100B可以結(jié)合圖1A中示出的連接器100A用于夾層連接器配置中以形成兩個平行的PCB之間的電連接。[0086]可以使用與用于制作連接器100A的技術(shù)類似的技術(shù)構(gòu)造連接器100B。例如，在圖1B示出的實施方式中，連接器100B可以包括殼體115B以及可以可拆裝地或固定地安裝在殼體115B中的多個晶片120B。與連接器100A的晶片120A相似，晶片120B還包括導(dǎo)電元件，導(dǎo)電元件具有接點尾線和配合接觸部。晶片120B的導(dǎo)電元件的接點尾線可以以與晶片120A的導(dǎo)電元件的接點尾線相同或相似的方式被定形，因此還可以適合于附接至PCB。另一方面，晶片120B的導(dǎo)電元件的配合接觸部可以互補(bǔ)于晶片120A的導(dǎo)電元件的配合接觸部，使得當(dāng)連接器100A和連接器100B配合時，晶片120A的導(dǎo)電元件的配合接觸部可以與晶片120B的相應(yīng)的導(dǎo)電元件的配合接觸部進(jìn)行電連接和機(jī)械連接。以這種方式，可以在由連接器100A和連接器100B形成的兩件式連接器中建立信號路徑。
[0087]為了提供適于相互匹配的兩個配合接觸部之間的適當(dāng)?shù)碾娺B接和/或機(jī)械連接，兩個配合接觸部中的一個可以是柔性的以及另一個可以是相對堅硬的。在圖1A至圖1B中示出的實施方式中，可以由可以在連接器100A中形成的梁形配合接觸部(簡稱“梁”)提供柔性。在圖2A至圖2C以及圖3A至圖3D中示出了這樣的梁形配合接觸部的示例，并且在下面對其進(jìn)行進(jìn)一步描述。對應(yīng)的相對堅硬的配合接觸部可以是焊盤形的，并且可以在連接器100B中形成。在圖6A和圖6B中示出了這樣的焊盤形配合接觸部(簡稱“焊盤”)的示例，并且在下面對其進(jìn)行進(jìn)一步描述。
[0088]如由圖1A與圖1B的比較所示，在一些實施方式中連接器100A和100B可以具有不同的高度。在該示例中，將連接器100B示為比連接器100A較高。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，可以結(jié)合所公開的發(fā)明性的概念中的任何概念和所有概念使用高度的任何適當(dāng)?shù)慕M合。
[0089]連接器100B的殼體115B類似連接器100A的殼體115A，可以具有普通管形。在圖1A和圖1B中示出的實施方式中，連接器100B的殼體115B具有通常與連接器100A相同或相似的尺寸，但可以具有被定形成與連接器100A的配合面IlOA配合的配合面110B。在該示例中，連接器100B的配合面IlOB沒有被密封。反而，配合面IlOB使得包括具有焊盤形的配合接觸部的導(dǎo)電元件的、連接器100B的晶片120B可以被插入連接器100A的配合面IlOA中的相應(yīng)的插槽中，以允 許兩個連接器中的相應(yīng)的配合接觸部之間的電連接和/或機(jī)械連接。
[0090]圖2A是適合用于圖1A中示出的連接器100A中的說明性晶片200的透視圖。在該示例中，晶片200由兩片(在下文中，“晶片半部”)200X和200Y制作，晶片半部200X和200Y由一些適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制固定在一起。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，替選實施方式中的晶片200可以形成為整片或多于兩片的組合。
[0091]在一些實施方式中，晶片半部200X和200Y中的每個可以通過在一個或更多個導(dǎo)電元件周圍模制絕緣材料來形成。在圖2A示出的示例中，晶片半部200X可以包括通常在多個導(dǎo)電元件周圍形成的絕緣部分210X，多個導(dǎo)電元件通常被布置成相互平行。每個導(dǎo)電元件可以具有未由絕緣部分210X覆蓋的暴露部。這樣的暴露部可以包括接點尾線(例如，圖2A中示出的接點尾線220X)和配合接觸部(例如，圖2A中示出的梁形配合接觸部225X、230X、235X、240X 和 245X)。
[0092]在圖2A中示出的示例中，每個晶片半部在任一端具有突出部如晶片半部200X的突出部250X和晶片半部200Y的突出部250Y。每個突出部的橫截面可以具有普通的梯形，使得突出部250X和250Y當(dāng)固定在一起時在晶片200的端處形成鴿子尾隨塊。鴿子尾隨塊可以被定形成裝配在連接器殼體中的凹部如圖1A中示出的殼體115A的凹部125A中。下面結(jié)合圖4A至圖4C以及圖5A和圖5B對用于將晶片安裝在連接器殼體中的說明性方法的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)進(jìn)行描述。
[0093]如上所述，連接器中的導(dǎo)電元件的接點尾線可以用于附接至PCB。例如，在圖2A中示出的實施方式中，接點尾線220X可以適合于安裝到PCB的表面。焊球(圖2A中未示出)可以附接至接點尾線220X的端部，以便利于包括晶片200的連接器到PCB的表面安裝附接?？梢允褂靡阎闹圃旒夹g(shù)提供這樣的附接。在一個示例中，接點尾線可以適當(dāng)?shù)囟ㄎ辉赑CB的表面上的焊盤上以熔化錫，因此形成接點尾線220X與所選擇的跡線或連接至焊盤的PCB中的接地導(dǎo)體、接地平面之間的電連接。在圖9中示出了焊盤的合適的布置的示例，并且在下面對其進(jìn)行討論。
[0094]在圖2A中示出的示例中，接點尾線220X可以在焊球可以被附接的端部或端部附近“收縮”(即，變較窄)。這樣的構(gòu)造可以簡化制造和/或提供改進(jìn)的電氣屬性。例如，因為接點尾線220X的端部比接點尾線220X的其余部分較窄，所以當(dāng)焊球被附接至端部時，接點尾線220X作為整體可以具有導(dǎo)電材料的更均勻分配。可替代地，接點尾線的形狀可以便利于焊球的附接。
[0095]應(yīng)當(dāng)理解的是，可以使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)(例如通過將接點尾線插入焊球中，焊球被固定在模槽中并且被加熱到將錫軟化到接點尾線可以被插入焊球中的狀態(tài)下的溫度)，焊球可以被附接至晶片半部200X的導(dǎo)電元件的接點尾線。而且，焊球可以在制造的任何合適的階段被附接至接點尾線，例如，當(dāng)形成晶片半部200X時、在已經(jīng)形成晶片半部200X之后、在晶片半部200X已經(jīng)與另一晶片半部結(jié)合以形成晶片之后、或在形成的晶片被安裝在連接器殼體中之后。然而，在一些實施方式中，焊球?qū)τ谶B接器中的所有的晶片的所有接點尾線以相同的操作被附接。
[0096]如上所述，晶片半部200X的`導(dǎo)電元件可以具有適于與兩件式連接器中的相應(yīng)的連接器的導(dǎo)電元件的對應(yīng)的焊盤形配合接觸部配合的柔性的梁形配合接觸部(例如，圖2A中示出的梁225X、230X、235X、240X和245X)。在圖2A中示出的實施方式中，每個梁可以具有在晶片半部200X的絕緣部分210X附近的底部處較寬并且在遠(yuǎn)端較窄的通常的錐形。當(dāng)梁與相應(yīng)的焊盤配合時，這樣的錐形可以提供彈力沿著梁的長度的更均勻的分配，這又可以便利于梁與焊盤之間的更均勻的電氣連接。
[0097]在圖2A中示出的實施方式中，接頭(例如，接頭255X)被設(shè)置在每個梁處，從梁的遠(yuǎn)端延伸。如下面結(jié)合圖5更詳細(xì)地說明的，這樣的接頭可以在限定連接器殼體的配合面(例如，圖1A中示出的殼體115A的配合面110A)的結(jié)構(gòu)中接合結(jié)構(gòu)元件，以便減小梁與焊盤之間的配合的短線的機(jī)會。
[0098]圖2A示出了連接器晶片的一些具體設(shè)計和布置。應(yīng)當(dāng)理解的是，僅處于說明的目的，提供這樣的設(shè)計和布置。其他設(shè)計和/或布置也可以是適當(dāng)?shù)模驗樵诒疚闹泄_的各種說明性的概念不限于實現(xiàn)的任何特定模式。
[0099]圖2B是圖2A中示出的說明性晶片200的平面圖。在該圖中，晶片200的導(dǎo)電元件的接點尾線中的一些被示為具有附接于此的焊球222。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，在此僅將焊球描述為用于將連接器附接至PCB的機(jī)制的示例。其他機(jī)制也可以是適當(dāng)?shù)摹?br> [0100]圖2C是圖2A中示出的說明性晶片200的分解透視圖。晶片半部200X和200Y兩者在該圖中是可見的，以及一些用于將晶片半部200X和200Y固定在一起的說明性附接結(jié)構(gòu)元件。說明性附接結(jié)構(gòu)元件包括形成在一個晶片半部上的柱以及形成在另一晶片半部上的相應(yīng)的孔。例如，柱260Y可以在晶片半部200Y的絕緣部分210Y中被模制并且被定形為被插入至在晶片半部200X中形成的孔260X?？?60X可以通過晶片半部200X的導(dǎo)電元件并且可以具有比柱260Y的直徑稍微較小的直徑。當(dāng)柱260Y的一部分通過孔260X被施力時，柱260Y的一部分可以被壓縮，但一旦通過孔260X可以再擴(kuò)張，因此，柱260Y可以變得安全地固定在孔260X中。類似地，柱265X (在圖2C中來看部分被遮擋)可以在晶片半部200X的絕緣部分210X中被模制，并且可以被定形成插入在晶片半部200Y中形成的孔265Y中。
[0101]當(dāng)在圖2C中將柱和相應(yīng)的孔示為附接至晶片半部200X和200Y，應(yīng)當(dāng)理解的是，為了該目的還可以使用其他適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制。替選的附接機(jī)制可以包括，例如，粘合件、焊接件或封閉件。
[0102]在一些實施方式中，晶片半部可以具有相同的尺寸和形狀，使得可以對于制造步驟中的一些或全部使用相同的制造工具形成晶片半部兩者。工具可以包括沖模以模壓和從一張導(dǎo)電材料中形成引線框，以及用于將絕緣部分包覆模制在引線框上的模型。在圖2C中示出的實施方式中，已經(jīng)使用相同的工具，使得在制造中發(fā)現(xiàn)的正常偏差內(nèi)晶片半部200X和晶片半部200Y相同。因此，圖2A中不出的晶片200可以由兩個相同的晶片半部組成，這兩個相同的晶片半部當(dāng)被附接以形成晶片200時以相互相反的方向被布置。該設(shè)計可以簡化制造，因此減低成本。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開內(nèi)容不要求使用相同的晶片半部。還可以利用使用不相同的晶片半部的其他設(shè)計。
[0103]在圖2C中示出的示例中，晶片半部200X和200Y每個包括固定在絕緣部分中的多個導(dǎo)電元件。例如，可以使用插入模式操作制造這樣的晶片半部。每個晶片半部中的導(dǎo)電元件除了在一端上可以以四 個為一組被布置。每個組可以在中心包括被定形成用作信號導(dǎo)體的一對導(dǎo)電元件。在示出的實施方式中，這些信號導(dǎo)體被定形成一對適于攜帶差分信號的邊緣耦合信號導(dǎo)體。中心對的任一側(cè)上的兩個剩余導(dǎo)電元件可以被定形成用作接地導(dǎo)體。
[0104]例如，梁225X、230X、235X和240X可以是相同組內(nèi)的導(dǎo)電元件中的部分。梁230X和235X可以是被配置成信號導(dǎo)體的一對導(dǎo)電元件的配合接觸部，而梁225X和240X可以是被配置成接地導(dǎo)體的兩個導(dǎo)電元件的配合接觸部。
[0105]不包括在任何組內(nèi)的額外的導(dǎo)電元件可以在每個晶片半部的端處。該導(dǎo)電元件可以被配置成接地導(dǎo)體。這樣的導(dǎo)電元件的包括可以提供所有信號導(dǎo)體對周圍的接地導(dǎo)體的通常均勻的模式，即使是位于一行的端附近的這些信號導(dǎo)體。例如，與梁225X、230X、235X和240X位于晶片半部200X的相對端處的梁245X可以是被配置成接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部。盡管從圖2C的視圖中不可見，梁245X可以形成為與梁246X相同的導(dǎo)體元件的部分，梁246X還可以被配置為接地導(dǎo)體。可以通過平面結(jié)構(gòu)將梁245X和246X聯(lián)接，該平面結(jié)構(gòu)在圖2C的實施方式中在絕緣部分210X內(nèi)。當(dāng)晶片半部200X和200Y被擠壓在一起時，該平面結(jié)構(gòu)與形成梁230Y和235Y的導(dǎo)電元件的中部分對準(zhǔn)。該平面部在兩個端上由梁245X和246X以及相應(yīng)的接點尾線(未標(biāo)記)終止。相似的平面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橫跨在相鄰的組中被指定為接地導(dǎo)體的梁。例如，梁240X和241X可以是單個導(dǎo)電元件的部分，使得梁240X和241X在絕緣部分210X內(nèi)由平面件聯(lián)接。同樣地，梁242X和243X在絕緣部分210X內(nèi)由導(dǎo)電件聯(lián)接。這些平面件中的每個可以與相對的晶片半部200Y中的一對信號導(dǎo)體的中部對準(zhǔn)。 [0106]盡管圖2C示出了適合用于攜帶差分信號的導(dǎo)電元件的說明性布置，應(yīng)當(dāng)理解的是，本文中所描述的發(fā)明性的概念還可以應(yīng)用于具有被布置和配置成攜帶單端信號的導(dǎo)電元件的連接器。例如，在一些實施方式中，晶片半部中的一列導(dǎo)電元件可以具有以替選模式而非如圖2C的示例中以四個為一組布置的信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體。在一種實現(xiàn)中，每個接地導(dǎo)體可以是每個信號導(dǎo)體的約兩倍寬，使得每個信號導(dǎo)體可以具有兩個相應(yīng)的梁，然而每個信號導(dǎo)體可以具有僅一個相應(yīng)的梁。信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體可以提供相鄰的梁之間的均勻的間距的方式被布置。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開內(nèi)容的方面不限于任何特定的布置或信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的相對尺寸。如上面所討論的，圖2C中示出的說明性晶片半部200X和200Y相同地被制造。因此，晶片半部200X和200Y包括相同數(shù)量組的導(dǎo)電元件。這些組被定位使得當(dāng)晶片半部200X和200Y相互配合(在相反的方向上)時，被配置為晶片半部200X中的信號導(dǎo)體的導(dǎo)體元件通常與被配置為晶片半部200Y中的接地導(dǎo)體的導(dǎo)體元件對準(zhǔn)，或被配置為晶片半部200Y中的接地導(dǎo)體的導(dǎo)體元件通常與被配置為晶片半部200X中的信號導(dǎo)體的導(dǎo)體元件對準(zhǔn)。這樣的布置還可以增強(qiáng)接地導(dǎo)體圍繞所有信號導(dǎo)體對的普通模式。作為另一示例，所有的導(dǎo)體元件可以具有基本上相同的大小，使得沒有導(dǎo)體被設(shè)計成接地導(dǎo)體。
[0107]盡管不在圖2C中可見，被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的中部可以比被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的中部較寬。然而，在圖2C中示出的示例中，被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部(例如，梁225X和240X)可以比被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的配合接觸部(例如，梁230X和235X)較窄。如下面結(jié)合圖6A和圖6B以及圖7A和圖7B更詳細(xì)地描述的，相應(yīng)的焊盤形配合接觸部可以具有相反的相對尺寸，被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的焊盤比被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的焊盤較寬。因此，可以減小晶片的整體尺寸，盡管允許適于在兩片式連接器中相互配合的相應(yīng)的晶片之間“浮動”(例如，某些程度的不對準(zhǔn))。
[0108]圖2C還示出了在一些實施方式中晶片200包括損耗件270。在該示例中，損耗件270起皺并且可以固定在由兩個晶片半部200X和200Y的相對內(nèi)表面中的腔的對準(zhǔn)形成的溝槽內(nèi)。腔可以形成在保持導(dǎo)電元件的兩個晶片半部200X和200Y的絕緣部分中。例如，晶片半部200Y可以具有以交替模式布置的腔280Y、282Y和284Υ，以及突出281Υ、283Υ和285Υ。盡管在圖2C中示出的圖中不可見，晶片半部200Χ的內(nèi)表面還可以具有交替的腔和突出，因為晶片半部200Χ可以相同地被制造為晶片半部200Υ。當(dāng)晶片半部200Χ和200Υ相互附接(以相對的方向)，晶片半部200Χ中的每個突出可以與晶片半部200Υ中的相應(yīng)的腔對準(zhǔn)并且延伸至晶片半部200Υ中的相應(yīng)的腔，或反之亦然。從而，在該示例中，每個晶片半部上的腔和突出的模式在晶片半部的中心的周圍不對稱；反而，存在如突出一樣多的腔。
[0109]雖然晶片半部200Χ和200Υ上的腔和突出的示出的模式可以有利于下面指出的各種原因，但不要求這樣的模式。例如，在一些替選的實施方式中，兩個晶片半部中的僅一個晶片可以具有這樣的交替的腔和突出。在又一些另外的實施方式中，晶片半部可以不具有任何腔和突出的模式。
[0110]在圖2C中示出的示例中，當(dāng)晶片半部200Χ和晶片半部200Υ相互保護(hù)時，可以使損耗件270保持在晶片半部200X與晶片半部200Y之間。因此，不需要用于保持損耗部件270的具體的附接結(jié)構(gòu)元件。而且，在示出的實施方式中，損耗件270不形成晶片200的結(jié)構(gòu)件，允許晶片200與或不與損耗件270組裝。然而，當(dāng)本公開內(nèi)容不需要任何特定的附接方法時，還可以使用用于將損耗件270擰緊或其他方式附接至晶片200的其他技術(shù)，包括合并損耗件270作為晶片200的結(jié)構(gòu)件。
[0111]圖2D示出了根據(jù)一些實施方式的晶片半部200Z的一部分和損耗插入270Z的一部分的橫截面圖。在該示例中，提供了結(jié)構(gòu)元件以阻止晶片半部200Z與損耗插入270Z之間的相對運(yùn)動?？梢云谕@樣的結(jié)構(gòu)元件用于在相應(yīng)的晶片半部(未示出)附接至晶片半部200Z以形成使損耗插入270Z合并在其中的晶片之前，減小在制造工藝期間從晶片半部200Z中強(qiáng)行去除損耗插入270Z的可能性。
[0112]在圖2D中示出的示例中，晶片半部200Z包括多個導(dǎo)電元件如導(dǎo)電元件280Z、230Z、235Z、282Z和231Z。導(dǎo)電元件280Z和282Z可以被配置為接地導(dǎo)體，而導(dǎo)電元件230Z、231Z和235Z可以被配置為信號導(dǎo)體。
[0113]類似于圖2C中示出的說明性的損耗插入270，損耗插入270Z可以具有蛇形形狀，使得當(dāng)損耗插入270Z合并到晶片中時，損耗材料被布置在靠近接地導(dǎo)體(例如，導(dǎo)電元件280Z和282Z)但遠(yuǎn)離信號導(dǎo)體(例如，導(dǎo)電元件230Z、231Z和235Z)。晶片半部200Z還可以包括一個或更多個絕緣部分(例如，絕緣部分281Z和283Z)，一個或更多個絕緣部分進(jìn)一步將損耗插入270Z與信號導(dǎo)體絕緣以及在一些實施方式中與接地導(dǎo)體絕緣。
[0114]與圖2C中示出的絕緣損耗插入270不同，圖2D的示例中的損耗插入270Z可以具有適于被插入在絕緣部分28IZ中形成的凹部290Z中的突出部275Z。可以提供這些結(jié)構(gòu)元件以阻止晶片半部200Z與損耗插入270Z之間的相對運(yùn)動。在一些實施方式中，這些結(jié)構(gòu)元件可以用作例如經(jīng)由干擾和粘合安裝將損耗插入270Z附接至晶片半部200Z。在替選實施方式中，突出部275Z可以在垂直方向`上自由移動，但橫向移動會被凹部290Z的壁阻止。在又一些另外的實施方式中，突出部可以在絕緣部分281Z中(而非在損耗插入270Z中)形成，以及相應(yīng)的凹部可以在損耗插入270Z中(而非在絕緣部分281Z中)形成。
[0115]然而在上面已經(jīng)結(jié)合圖2D討論了阻止結(jié)構(gòu)元件的移動的具體示例，應(yīng)當(dāng)理解的是，還可以使用其他結(jié)構(gòu)元件用于阻止制造工藝期間晶片半部與損耗插入之間的相對移動。例如，在替選的實施方式中，為了該目的，可以使用粘合，而不在絕緣部分中形成凹部或在損耗插入上形成突出。
[0116]在一些實施方式中，損耗件270可以例如通包覆模制由損耗材料形成。導(dǎo)電但具有一些損耗且遍及感興趣的頻率范圍的材料在本文中通常稱為“損耗”材料?？梢杂蓳p耗電介質(zhì)和/或損耗導(dǎo)電材料形成電損耗材料。感興趣的頻率范圍依賴于使用這樣的連接器的系統(tǒng)的操作參數(shù)，但可以通常在約IGHz與25GHz之間。還可以在一些應(yīng)用中對該范圍之外的頻率(例如，較高頻或較低頻)感興趣。另一方面，一些連接器設(shè)計可以具有僅橫跨該范圍的一部分的感興趣的頻率范圍如IGHz至10GHz、3GHz至15GHz或3GHz至6GHz。
[0117]可以由傳統(tǒng)當(dāng)作電介質(zhì)材料的材料(如在感興趣的頻率范圍內(nèi)具有大于近似0.003的電損耗正切的這些材料)形成電損耗材料?！半姄p耗正切”是材料的復(fù)介質(zhì)常數(shù)的虛部與實部之間的比率。
[0118]還可以由如下材料形成電損耗材料:該材料通常被認(rèn)作導(dǎo)體但在感興趣的頻率范圍中為相對弱的導(dǎo)體，包含充分分散的不提供高導(dǎo)電性的粒子或區(qū)域或在感興趣的頻率范圍中由引起相對弱的體積導(dǎo)電性的屬性準(zhǔn)備。電損耗材料通常具有約I西門子/米至約
6.1 X IO7西門子/米，優(yōu)選地約I西門子/米至約I X IO7西門子/米，以及最優(yōu)選地，約I西門子/米至約30000西門子/米的電導(dǎo)率。
[0119]電損耗材料可以是部分導(dǎo)電材料，如具有在I Ω /平方與IO6 Ω /平方之間的表面電阻率。在一些實施方式中，可以使用具有1Ω/平方與103Ω/平方之間的表面電阻率的電損耗材料。在一些替選實施方式中，可以使用具有10Ω/平方與100Ω/平方之間的表面電阻率的電損耗材料。作為更具體的示例，可以使用具有約20 Ω /平方與40 Ω /平方之間的表面電阻率的電損耗材料。
[0120]在一些實施方式中，通過將包含導(dǎo)電粒子的填充物添加至結(jié)合劑來形成電損耗材料?？梢员挥米魈畛湮镆孕纬呻姄p耗材料的導(dǎo)電粒子的示例包括形成為纖維、白點或其他粒子的碳或石墨。以粉末、白點、纖維或其他粒子的形式的金屬還可以用于提供適當(dāng)?shù)碾姄p耗屬性。可替代地，可以使用填充物的組合。例如，可以使用鍍金屬碳粒子。銀和鎳是纖維的合適的金屬鍍層?？梢詥为毣蚪Y(jié)合其他填充物如碳白點使用涂覆粒子。在一些實施方式中，導(dǎo)電粒子可以布置在通常甚至延伸穿過的損耗件中，渲染通常恒定的損耗件的導(dǎo)電性。在其他實施方式中，損耗件的第一區(qū)域可以比損耗件的第二區(qū)域更導(dǎo)電，所以導(dǎo)電性，以及損耗件內(nèi)的損耗量可以變化。
[0121]結(jié)合劑或混合料可以是將設(shè)置，固化或可以用于定位填充物材料的任何材料。在一些實施方式中，結(jié)合劑可以是熱塑性材料如傳統(tǒng)用于電連接器的制造中以便利于將電損耗材料模制成期望的形狀和定位成電連接器的制造的一部分的熱塑性材料。然而，可以使用結(jié)合劑材料的很多替選的形式?？晒袒牟牧先绛h(huán)氧樹脂可以用作結(jié)合劑?？商娲兀梢允褂貌牧先鐭峁绦詷渲蛘澈蟿?。而且，盡管可以使用上面所描述的結(jié)合劑材料以通過在導(dǎo)電粒子填充物周圍形成結(jié)合劑來產(chǎn)生電損耗材料，還可以使用形成電損耗材料的其他方法。例如，導(dǎo)電粒子可以滲透到形成的混合材料，或可以例如通過將導(dǎo)電涂層施加到塑料外殼來涂覆到形成的混合材料 上。如本文中所使用的，術(shù)語“結(jié)合劑”包括密封填充物的任何材料，與填充物一起滲透，或用作保持填充物的底部。
[0122]優(yōu)選地，填充物將以足夠的體積百分比存在以使得從粒子到粒子的導(dǎo)電路徑能夠被建立。例如，當(dāng)使用金屬纖維時，纖維可以以3%至40%的體積存在。填充物的量可以影響材料的導(dǎo)電屬性。
[0123]可以商業(yè)購買填充物材料如由Ticona以商標(biāo)名稱Celestran _出售的材料。還可以使用損耗材料如損耗導(dǎo)電碳填充粘合執(zhí)行，如由美國馬薩諸塞州比爾里卡的Techfilm出售的這些。該執(zhí)行可以包括填充有碳粒子的環(huán)氧樹脂結(jié)合劑。結(jié)合劑圍繞碳粒子，結(jié)合劑用作用于執(zhí)行的增強(qiáng)。這樣的執(zhí)行可以被定形成形成損耗件的全部或部分，并且可以被定位成將接地導(dǎo)體粘合到連接器中。在一些實施方式中，該執(zhí)行可以通過執(zhí)行中的粘合劑粘和，這可以在熱處理中固化?？梢允褂酶鞣N形式的增強(qiáng)纖維，編織或非編織形式、涂覆或非涂覆形式。非編織碳纖維是一種適當(dāng)?shù)牟牧稀．?dāng)本公開內(nèi)容不要求任何特定類型的填充材料時，還可以利用其它適當(dāng)?shù)牟牧?，如由RTP公司出售的定制共混料。
[0124]返回到圖2C中示出的示例中，突出部281Υ、283Υ和285Υ可以鄰近于晶片半部200Υ中的被配置成信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件。同樣地，腔280Υ、282Υ和284Υ可以與被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件對準(zhǔn)。在一些實施方式中，以四個為相鄰的組的被配置為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件(例如，導(dǎo)電元件290Y和292Y)可以接合至為導(dǎo)電的且在相鄰的組之間橫跨距離的公共的通常平面的中部。在圖2C中示出的示例中，這樣的平面導(dǎo)電部可以在晶片半部200Y的內(nèi)表面上的腔(例如，腔282Y)的底部中。
[0125]在一些實施方式中，可以暴露平面導(dǎo)電部，使得損耗件270可以擠壓平面導(dǎo)電部。在這樣的實施方式中，損耗件270可以與平面導(dǎo)電部進(jìn)行歐姆接觸。然而，不要求損耗件270進(jìn)行這樣的歐姆接觸，平面導(dǎo)電部可以由晶片半部200Y的絕緣部分210Y的絕緣材料部分地或整體地與損耗件270分離。即使損耗件270不與被設(shè)計為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件進(jìn)行歐姆接觸，將損耗件270定形使得由損耗件270的部分靠近于接地導(dǎo)體的部分提供接地導(dǎo)體與損耗件270之間的耦合。該耦合可以抑制可以在連接器的接地系統(tǒng)中形成的振蕩。
[0126]如可以在圖2C的示例中看到的，當(dāng)損耗件270在晶片半部210X和210Y中交替地被路由到較靠近于接地導(dǎo)體且較遠(yuǎn)離信號導(dǎo)體時，損耗件270可以具有蛇形形狀，沿著在晶片半部210X與210Y之間形成的通道 彎曲。
[0127]這樣的皺紋結(jié)構(gòu)還可以影響對損耗件270的一些類似彈簧的屬性，這可以使得當(dāng)晶片半部200X和200Y被固定在一起時損耗件可以擠壓晶片半部200X和200Y的內(nèi)部表面。該結(jié)構(gòu)可以便利于損耗件270與被設(shè)計為接地導(dǎo)體的一個或更多個導(dǎo)電元件之間的良好接觸，如果這樣的導(dǎo)電元件整體地或部分地暴露在腔(腔280Y、282Y和284Υ中的任一個)的底部中。該結(jié)構(gòu)還可以便利于從部分到部分的統(tǒng)一的電氣屬性，而不管例程制造變化。
[0128]盡管圖2C示出了連接器晶片元件的一些具體設(shè)計和布置，應(yīng)當(dāng)理解的是，僅出于示出的目的，提供了這樣的設(shè)計和布置。當(dāng)本文中所公開的各種發(fā)明性的概念不限于任何特定模式的實現(xiàn)時，其他的設(shè)計和/或布置也可以是適當(dāng)?shù)摹?br> [0129]現(xiàn)返回至圖3Α至圖3D，示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的說明性的晶片半部300的替選設(shè)計。類似于圖2Α至圖2C中示出的晶片半部200Χ和200Υ，晶片半部300可以與另一類似的晶片半部聯(lián)接以形成適合用于連接器如圖1A中示出的連接器100Α中的
曰
曰曰/T ο
[0130]可以使用如上面結(jié)合晶片半部200X和200Y所描述的部件和技術(shù)構(gòu)造晶片半部300。然而，如可以在圖3A中看到的，晶片半部300的導(dǎo)電元件的梁具有與晶片半部200X和200Y的梁不同的配置。
[0131]圖3A是說明性的晶片半部300的前側(cè)的透視圖。在該示例中，晶片半部300可以包括至少部分地密封多個導(dǎo)電元件的絕緣部分305。每個導(dǎo)電元件可以具有用于附接至PCB的接點尾線(例如，圖3A中示出的接點尾線310)以及用于與配合連接器中的相應(yīng)的導(dǎo)電元件的焊盤形配合接觸部配合的梁形配合接觸部(例如，圖3A中示出的梁315)。梁315可以具有與圖2A至圖2C中示出的晶片半部200X和200Y的梁不同的形狀。例如，梁315可以具有被定形以提供增強(qiáng)的電氣屬性的剪切塊320。
[0132]作為更具體的示例，剪切塊320可以位于梁315的中部，并且可以具有朝向絕緣部分305的邊界較窄且朝向梁315的遠(yuǎn)端較寬的細(xì)長的淚狀物形狀。該配置可以提高機(jī)械和/或電氣屬性沿著梁315的長度的均勻性。例如，通過控制剪切塊320的大小和形狀以及因此沿著梁315在多個位置處移除的導(dǎo)電材料的量，可以實現(xiàn)期望的阻抗值如85歐姆或100歐姆。[0133]在圖3A示出的示例中，在梁中的每個梁中合并剪切塊320使得梁的外邊緣的位置能夠獨立于梁中的材料的量被定位。例如，相鄰的梁317和319分別具有面對的邊緣321A和321B。梁317和319可以由距離D2分隔開。可以由連接器的期望間距或其他因素確定該分隔。當(dāng)梁317和梁319形成用于攜帶差分信號的導(dǎo)電元件的部分時，邊緣321A與邊緣321B之間的間隔D1可以影響用于這樣的差分信號的導(dǎo)電路徑的阻抗。相對于其他相鄰的梁如可以形成接地導(dǎo)體的部分的梁321和323，梁317和319的邊緣的類似的間隔可以類似地影響阻抗。、
[0134]因此，可以使用被設(shè)計成使用相對于相鄰的梁的適當(dāng)?shù)拈g隔將梁317和319的邊緣定位的邊緣到邊緣寬度形成梁如梁317和319。發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識和理解到，使用期望的邊緣定位形成梁以實現(xiàn)期望的電氣屬性可以具有不期望的機(jī)械屬性。例如，實現(xiàn)期望的邊緣到邊緣間隔D1同時保持中心線到中心線間隔仏可以產(chǎn)生比期望的較寬因此較剛硬的梁。通過在梁中合并剪切塊如剪切塊320，可以相對于沒有這樣的剪切塊形成的梁減小梁的硬度。剪切塊320可以被定形成提供等于圖2C示出的示例中的梁如梁230X和235X的硬度的梁如梁317和319的硬度。
[0135]此外，可以選擇剪切塊320的形狀以沿著梁的長度分配彈力。在圖3A示出的示例中，梨形剪切塊320朝向梁的遠(yuǎn)端產(chǎn)生較寬的剪切塊和較少的梁材料。這樣的配置提供彈力沿著梁的長度的分配，該分配近似于使用楔形梁實現(xiàn)的力的分配。因此，剪切塊320的大小和形狀的適當(dāng)?shù)倪x擇提供梁的期望的機(jī)械屬性同時實現(xiàn)期望的電氣屬性。
[0136]在圖3A示出的實施方式中，關(guān)于不同的功能被定形的梁可以具有不同定形的剪切塊。例如，在用作接地導(dǎo)體的配合接觸部的梁332中示出了剪切塊332。在該示例中，梁332具有比梁315較窄的遠(yuǎn)端。因此，梁332中的剪切塊300比梁315中的剪切塊320較窄。盡管不是本發(fā)明的要求，為具有不同的尺寸的梁選擇具有不同尺寸的剪切塊可以均衡晶片半部300中的所有梁的硬度。任何適當(dāng)?shù)某叽缈梢杂糜贒1和D2以及用于剪切塊如剪切塊320和330的長度、寬度和整體形狀。在一些實施方式中，尺寸D1可以在0.1mm與0.5mm之間以及尺寸D2可以在0.5mm與2mm之間。在一些實施方式中，尺寸D1可以為近似0.3mm,并且可以近似攜帶信號的導(dǎo)電元件的中部的邊緣到邊緣間隔(圖3A中不可見)。尺寸中的一些或全部可以依賴于連接器的其他特征。例如，剪切塊如剪切塊320和330的大小和形狀可以依賴于一部分梁如從晶片半部300的絕緣部分305延伸的梁317、319和332的整體長度。然而，作為示例，這些尺寸可以為近似:對于梁的長度2mm至5mm，對于梁的寬度0.5mm至1.5mm,對于剪切塊的長度Imm至2mm,以及對于剪切塊的寬度0.1mm至0.5mm。
[0137]圖3B是說明性的晶片半部300的背側(cè)的透視圖，當(dāng)晶片半部300附接至另一類似定形的晶片半部時，背側(cè)將形成晶片的內(nèi)表面。在該圖中，該內(nèi)表面和絕緣部分305是可見的，包括腔382、384和386，以及突出381、383和385。多個柱以及多個孔也是可見的。可以在絕緣部分305上形成柱，包括柱360，柱可以適于延伸穿過形成在另一晶片半部(未示出)上的相應(yīng)的孔以通過在柱360和相應(yīng)的孔之間的干擾安裝附接晶片半部300和一晶片半部。另一晶片半部中的相應(yīng)的孔可以與孔365類似地位于晶片半部300中。在示出的示例中，孔如孔365穿過包括被配置成作為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的平面部的晶片半部300的部分。當(dāng)被擠壓通過孔到金屬板中時，塑料柱如柱360的變形提供晶片半部之間的固定連接。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，可以使用用于將柱如柱360固定在孔如孔365中的任何適當(dāng)?shù)臋C(jī)制。
[0138]圖3C是說明性的晶片半部300的背側(cè)的平面圖?？梢栽谠搱D中看到梁315的形狀，包括寬度中的若干變化。例如，梁315可以在遠(yuǎn)端具有窄的接頭。接頭的寬度W1可以在0.1mm與0.3mm之間。在窄的接頭之上，梁315可以加寬至接觸區(qū)域中的寬度w2，寬度W2可以在0.5mm與Imm之間。進(jìn)一步向上，梁315可以在具有寬度W3的頸部稍微再次變窄，寬度W3可以在0.2mm至0.5mm之間。如下面更詳細(xì)地描述的，加寬的接觸區(qū)域可以提供額外的浮動?？梢蕴峁╊i部以抵消可以由加寬的接觸區(qū)域引起的阻抗的變化。
[0139]盡管梁315經(jīng)歷接頭與頸部之間的寬度上的多個變化，這些變化可以不對梁315的電氣屬性(例如，阻抗)具有顯著影響，因為這些變化在相對于與感興趣的信號頻率相關(guān)聯(lián)的波長λ可以較小的距離d中發(fā)生。例如，梁315可以是被配置為用于攜帶頻率范圍在IGHz與25GHz之間的信號的信號導(dǎo)體的導(dǎo)體元件的一部分，并且相關(guān)聯(lián)的波長范圍可以在12mm至300mm。然而，在一些實施方式中，高頻信號的操作頻率將在范圍3GHz與8GHz之間，并且相關(guān)聯(lián)的波長范圍可以在37.5mm至100mm。如果接頭與頸部之間的距離d不大于波長λ的二分之一，例如，不大于18_，那么寬度上的變化可以不對梁315的阻抗具有任何顯著的影響。因此,在一些實施方式中，距離d可以在0.2mm與2mm之間，或在0.2mm與Imm之間，或在0.2mm與0.5mm之間，以減少梁315的阻抗中的任何變化。作為具體的示例，距離d可以為約4.2mm或約4.3mm。
[0140]圖3D是通過晶片300的一部分的橫截面圖。在圖3D示出的圖中，晶片300內(nèi)的導(dǎo)電元件的中部是可見的。圖3D中示出的晶片300的部分包含兩對信號導(dǎo)體的中部，示為形成第一對的中部392A和394A以及形成第二對的中部392B和394B。
[0141]接地導(dǎo)體的中部在圖3D中也是可見的。在此，示出了中部390A、390B和390C。如可以看到的，接地導(dǎo)體的中部比信號導(dǎo)體的中部較寬。如所示，接地導(dǎo)體的中部通常橫跨一列內(nèi)的相鄰對的信號導(dǎo)體之間的距離。作為具體的示例，圖3D示出了通常橫跨為相鄰對的信號導(dǎo)體的中部392B與中部394A之間的距離的中部390B。
`[0142]導(dǎo)體中部(例如，中部390A至390C、392A和392B以及394A和394B)的寬度可以變化以實現(xiàn)相鄰的中部之間的期望間隔。例如，在一些實施方式中，信號導(dǎo)體的中部之間的期望的距離(例如，圖3D中示出的D3)關(guān)于85 Ω連接器可以為約0.25mm以及關(guān)于100 Ω連接器為約0.35mm。類似地，在一些實施方式中，信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的中部之間的期望的距離(例如，圖3D中示出的D4)關(guān)于85 Ω連接器可以為約0.37mm以及關(guān)于100 Ω連接器為約0.45_?？梢赃M(jìn)行相鄰的中部之間的間隔中的這樣的變化而不變化外部結(jié)構(gòu)元件如接點尾線396A至3961之間的間隔。例如,在一些實施方式中，接地導(dǎo)體之間的接點尾線之間的距離(例如，圖3D中示出的D5)可以為約2.3mm，而以具有接地-信號-信號-接地模式的四個導(dǎo)體為一組的相鄰的導(dǎo)體的接點尾線之間的距離(例如，圖3D中示出的D6)可以為約
1.15_。而不管相同的導(dǎo)體的相鄰的中部之間的間隔。這可以便利于附接至PCB而不要求對PCB上的配合接口的變化。
[0143]在示出的示例中，中部390C為中部390B的寬度的近似二分之一。中部390C在晶片300的導(dǎo)電元件的列的遠(yuǎn)端。在晶片300僅包括兩對信號導(dǎo)體的實施方式中，中部390A可以形成該列的相對端。在額外的導(dǎo)電元件對包括在晶片300中的實施方式中，中部390A可以類似中部390B被定形，并且具有配置的另外的對如中部392A和394A可以被定位成鄰近于中部390A。因此，盡管圖3D僅示出了可以在晶片內(nèi)形成的一列導(dǎo)電元件的一部分，晶片可以被延伸以通過以圖3D中示出的模式還包括導(dǎo)電元件來包括任何適當(dāng)數(shù)量的列。
[0144]圖3D示出了在晶片的一些實施方式中可以被利用的其他構(gòu)造技術(shù)。如可以看到的，孔365穿過接地導(dǎo)體的中部如中部390A和390B形成。此外，接點尾線如接點尾線396A、396B、…、3961被示為從導(dǎo)電元件的中部延伸。焊球的附接位置以陰影示出在接點尾線396A…3961上。此外，晶片300的突出部395被示為接合殼體115中的結(jié)構(gòu)元件(例如，側(cè)翼)。這樣的結(jié)構(gòu)元件可以建立晶片的一部分，這又可以建立接點尾線和焊球相對于殼體115的位置?？梢躁P(guān)于每個晶片包括這樣的結(jié)構(gòu)元件，導(dǎo)致附接至所有晶片的焊球被定位在公共位置中。
[0145]圖4A是根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的說明性連接器400的透視圖。類似圖1A中示出的連接器100A，連接器400可以適合用于具有兩片式連接器的互連系統(tǒng)中。
[0146]在圖4A中，從適于與兩片式連接器中的另一連接器配合的配合面的方向示出了連接器400。在該示例中，連接器400具有由兩個分離的塊組成的外殼，具有形成在用于接納多個晶片的兩個相對側(cè)壁的內(nèi)側(cè)上的并行的溝槽的類似矩形管的外殼405，以及在連接器400的配合面處部分密封殼體的槽蓋(未示出)。在圖4C中示出了槽蓋420，并且在下面更詳細(xì)地對其進(jìn)行描述。可替代地，圖4A可以描繪在連接器400的配合面上不使用蓋的實施方式。
[0147]在圖4A中示出的示例中，多個晶片(包括由晶片半部410X和410Y形成的晶片)在殼體405中并行對準(zhǔn)。殼體405具有在其內(nèi)壁上形成溝槽如溝槽415的平行的相對側(cè)。晶片可以被插入至溝槽并且例如使用剛硬的附接機(jī)制被固定，使得晶片本身成為殼體的支承件。這樣的附接可以包括粘合劑、焊接和/或任何其他適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制。一些附接機(jī)制如粘合劑可以完全阻止附接的晶片的垂直移動(例如，沿著溝槽上下)。其他附接機(jī)制可以允許沿著溝槽的限制量的垂直移動，但可以阻止附接的晶片完全滑動到溝槽的外面。在下面結(jié)合圖5A和圖5B對后者類型的附 接機(jī)制的示例進(jìn)行描述。
[0148]圖4B示出了沿著平行于連接器400的配合面且垂直于形成在殼體405的側(cè)壁上的溝槽的平面獲得的連接器400的一部分的橫截面圖。在該圖中示出了三個晶片的部分橫截面，包括由晶片半部410X和410Y形成的晶片。每個晶片在其端處具有適用于被插入殼體405的溝槽中的燕尾突出。每個溝槽還具有與晶片端的形狀一致的燕尾形。該配置可以基本上阻止被插入溝槽中的晶片的橫向和旋轉(zhuǎn)移動，因此，提供插入的晶片與殼體405之間的相對剛硬的附接。
[0149]在該示例中，晶片半部410X和410Y被定形為提供晶片半部的突出與溝槽415的底部之間的間隙430。這樣的間隙可以提供適當(dāng)量的凈空以便利于在組裝工藝期間突出到溝槽415中的插入。晶片半部410X和410Y還可以被定形成提供晶片半部的突出之間的另一間隙435，該間隙435可以有助于確保晶片半部的突出將安裝至溝槽415中而不管晶片半部和/或殼體405中的制造變化。此外，晶片半部的突出與溝槽的內(nèi)壁(例如，由圖4B中的虛線橢圓表示)之間的安裝可以相對隱藏，這可以用作定位結(jié)構(gòu)元件以便利于插入至殼體405中的晶片半部的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)。
[0150]盡管燕尾狀晶片突出和溝槽可以提供如上面所討論的一些機(jī)械優(yōu)勢，應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開內(nèi)容不要求燕尾狀晶片突出和溝槽的使用。還可以使用其他適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制如傳統(tǒng)的直變晶片突出和溝槽。
[0151]圖4C是通過圖4A中示出的連接器400的橫截面。然而，圖4C的實施方式包括絕緣蓋420，絕緣蓋420接合殼體405并且部分地密封連接器400的配合面。蓋420包括插槽如插槽425，通過插槽425相應(yīng)的連接器的晶片可以被插入以與連接器400的晶片配合。
[0152]在圖4C中示出的示例中，相同晶片的每個晶片半部的梁形配合接觸部可以沿著在蓋420中形成的相同的插槽的相對的側(cè)被定位，使得從每個晶片半部的梁形配合接觸部延伸的接頭接合沿著插槽的相應(yīng)的邊緣的凹部。例如，從晶片半部410X延伸的接頭接合沿著插槽425的一側(cè)的凹部，而從晶片半部410Y的梁延伸的接頭接合沿著插槽425的相對側(cè)的凹部。該配置使得梁能夠被定形，使得梁中的彈力將插槽的相對側(cè)上的梁偏置在一起，而阻止梁的遠(yuǎn)端延伸至插槽425。因此，這樣的配置減小在相應(yīng)的連接器的晶片插入插槽425時可能損害(例如，殘斷)梁的可能性。在一些實施方式中，可以形成梁以便不被偏置到插槽425中。然而，這樣的彈簧偏置可以改進(jìn)梁與插入插槽425中的晶片的相應(yīng)的焊盤形配合接觸部之間的機(jī)械和/或電氣連接。
[0153]圖4C還顯示說明性的制造方法。示出的晶片可以使用晶片半部的接頭與沿著相應(yīng)的插槽的邊緣的相應(yīng)的凹部接合的足夠的力被插入至殼體中。每個晶片可以被插入安裝的晶片的接點尾線在相同的平面上基本上對準(zhǔn)的點。那么可以使用任何適當(dāng)?shù)臄Q緊技術(shù)將每個晶片固定在該位置中。以這種方式，安裝的晶片的接點尾線將整體地形成為平面且平行于連接器400的附接面(例如，在制造公差的限度內(nèi))的陣列。這樣的構(gòu)造技術(shù)可以改進(jìn)接點尾線陣列的平面度，這又可以改進(jìn)當(dāng)連接器400被焊接在PCB上時形成的電氣連接的可靠性。
[0154]盡管上面描述了圖4C中示出的實施方式的各種優(yōu)勢，應(yīng)當(dāng)理解的是，本文中所公開的各種發(fā)明性的概念不限于任何特定方式的實現(xiàn)。例如，連接器400可以被制成具有或不具有插槽蓋420，或具有不同形狀的另一蓋。
`[0155]發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識和理解到，在一些應(yīng)用中，可以期望從殼體省略所選晶片。例如，在一些實施方式中，連接器中的一個或更多個晶片可以用于攜帶電力。攜帶電力的晶片可以比具有上面所描述的信號導(dǎo)體的晶片具有較少的但較寬的導(dǎo)電元件。另外，攜帶電力的晶片可以不具有被保持在晶片半部之間的損耗插入，并且每個晶片半部可以攜帶每端約IA至2A的電流。例如，在圖3A的示例中，晶片半部300包括13個端子，因此可以適合用于攜帶約13A的電流。當(dāng)晶片用于以足夠高的電壓(例如，高于38V或更具體地48V)攜帶電力時，可以期望提供晶片之間的額外的間隔用于電氣凈空。例如，可以期望不具有直接鄰近于攜帶電流的晶片安裝的任何其他晶片。
[0156]發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)一步認(rèn)識和理解到，支承件如“虛擬”晶片可以被安裝到殼體中，在殼體中省略具有導(dǎo)電元件的“真實”晶片(例如，以提供關(guān)于攜帶電力的晶片的電氣凈空)。這樣的虛擬晶片可以由絕緣材料(例如，模制的塑料)制成并且可以具有與真實晶片相似的形狀、尺寸和/或附接結(jié)構(gòu)元件(例如，在每個端處的燕尾件用于插入在殼體中形成的溝槽中)。如下面結(jié)合圖4D說明，這樣的虛擬晶片的存在可以改進(jìn)省略一個或更多個真實晶片的殼體的結(jié)構(gòu)完整性。
[0157]圖4D是如圖4C所示的區(qū)域4D中的擴(kuò)大的橫截面的示意圖。該圖示出了共同形成晶片的晶片半部412X和412Y，以及共同形成鄰近于晶片半部412Y安裝的另一晶片的晶片半部414和414Y。該圖還示出了在蓋420中形成的凹部452Y、454X、454Y和456Χ，在凹部454Χ與454Υ之間形成插槽429。
[0158]在圖4D示出的示例中，從晶片半部412Υ和414Χ的梁延伸的接頭分別被插入凹部452Υ和454Χ。如上面結(jié)合圖4C所討論的，每個梁可以被定形，以將彈力施加到梁被插入的凹部的壁上。從而，晶片半部412Υ和414Χ的梁可以將彈力施加到蓋420的部分460上，在蓋420中形成凹部452Υ和454Χ，晶片半部412Υ的梁吸入一個方向中，以及晶片半部414Χ的梁吸入相反的方向中。因此，由晶片半部412Υ和414Χ的梁生成的彈力可以相互抵消。
[0159]類似地，在圖4D中示出的示例中，從晶片半部414Υ的梁延伸的接頭被插入至凹部454Υ中。然而，因為沒有晶片鄰近于晶片半部414Υ被安裝，所以沒有接頭被插入凹部456Χ中，使得晶片半部414Υ的梁可以將彈力施加到蓋420的部分462上，在蓋420中形成凹部454Υ和456Χ，在其他方向中不具有任何抵制力。這樣的不平衡可以導(dǎo)致部分462彎曲，這可干擾被插入至插槽429中的相應(yīng)的連接器的晶片。
[0160]因此，在一些實施方式中，支承件如虛擬晶片可以在沒有插入具有導(dǎo)電元件的真實晶片的位置處被插入至殼體405中。在圖4Ε中示出了一個這樣的實施方式，圖4Ε示出了與圖4D相同的圖，除了鄰近于晶片半部414Υ安裝的虛擬晶片470之外。在該示例中，虛擬晶片470具有適于被插入蓋420的部分462的凹部456Χ中的一個或更多個接頭420。一旦被插入凹部456Χ中，接頭470可以提供力，該力抵消由晶片半部414Υ的梁生成的彈力，因此阻止部分462彎曲至插槽429。虛擬晶片可以另外地包括適于被插入在蓋420 (未示出)的另一部分中形成的凹部中的接頭470，以阻止其他部分彎曲。
[0161]在該示例中，每個虛擬晶片可以由絕緣材料如用于形成連接器的殼體的材料模制。虛擬晶片可以具有匹配信號或電力晶片的寬度以及外包絡(luò)，但不需要包括任何導(dǎo)電元件。應(yīng)當(dāng)理解的是，任何適當(dāng)數(shù)量的支承件可以用于連接器，因為本公開內(nèi)容的方面不限于該方面。例如，可以在沒有插入真實晶片的每個位置處使用支承件?？商娲?，可以在沒有插入真實晶片的位置中的僅一些 位置或全部位置處使用支承件。更進(jìn)一步地，盡管支承件可以是有益的，本應(yīng)用的方面不限于決不使用任何支承件。
[0162]圖5Α是根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的說明性的連接器500的透視圖。類似于圖1B中示出的連接器100Β，連接器500可以適合用作電互連系統(tǒng)中的兩片式連接器的一部分。
[0163]圖5Α從適于安裝到PCB上的附接面的方向示出了連接器500。盡管在圖5Α示出的實施方式中，焊球未被附接至接點尾線。在該示例中，連接器500包括安裝在連接器殼體505中的多個晶片。連接器殼體505具有形成在用于接納多個晶片的兩個相對的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)上的平行的溝槽，盡管在圖5Α中溝槽由安裝的晶片從圖中被遮擋。多個帽部如帽部515、520,525和530在殼體505的側(cè)壁上的溝槽上形成，以至少部分地靠近或密封溝槽的開口。在該配置中，帽部可以阻止安裝的晶片滑動到溝槽之外。
[0164]圖5Β示出了沿著線LI至L2垂直獲得的連接器500的部分橫截面。在該圖中，可以看到形成在殼體505的側(cè)壁上的三個溝槽535、540和545。每個溝槽具有插入在其中的晶片的突出部。例如，示出了由晶片半部5IOX和5IOY形成的晶片以使突出部550Χ和550Υ插入溝槽535中。例如，突出部550Χ和550Υ可以類似于圖2Α中示出的突出部250Χ和250Υ被定形，但晶片可以包括任何適當(dāng)?shù)男螤畹耐怀霾?。在圖5Β示出的示例中，溝槽535、540和545可以由形成在殼體505的側(cè)壁上的突出肋分隔開。每個分隔開的肋可以在底部附近較寬以及在中部較窄，形成肩部(例如，圖5B中示出的肩560)，晶片半部的插入的突出部可以靜止在肩部上。每個分隔開的肋還可以使帽部(例如，帽部515、520、525和530)形成在頂部。因為帽部515、520、525和530比分隔開的肋較寬，所有它們延伸到溝槽535、540和545的開口中，因此阻止插入的晶片沿著溝槽535、540和545向上滑動。這樣的肩部和帽部可以用作定位結(jié)構(gòu)元件以便利于插入殼體505中的晶片的適當(dāng)?shù)拇怪睂?zhǔn)。
[0165]在一些實施方式中，可以通過使分隔開的肋的部分變形來形成帽部515、520、525和530。例如，如圖5B中的陰影中所示，可以最初形成分隔開的肋以朝向殼體505的邊緣進(jìn)一步向上延伸。這些向上延伸515’、520’、525’和530’可以在溝槽535、540和545的開口附近提供額外的材料。一旦晶片被插入溝槽535、540和545中，向上延伸515’、520’、525’和530’的額外的材料可以被變形成帽部515、520、525和530，以至少部分地密封開口，由此固定晶片。可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞饺缡褂眉訜峁ぞ邔⒂糜谛纬蓺んw505的熱塑性材料軟化來實現(xiàn)向上延伸515’、520’、525’和530’的變形。
[0166]在圖5B示出的示例中，帽部515、520、525和530牢固地固定晶片，不具有用于垂直移動的空間。實際上，由于制造差異，可以在一個或更多個溝槽中保持一些少量的垂直空間。在替選的實施方式中，可以以如下方式形成帽部515、520、525和530:在每個溝槽中留下一些期望量的垂直空間以允許安裝的晶片以受限的方式上下滑動。當(dāng)晶片被定位用于安裝在PCB的表面上時，這可以允許晶片的自對準(zhǔn)。例如，每個晶片可以獨立于其他晶片垂直移動，使得安裝的晶片的接點尾線整體地形成陣列，該陣列與PCB的表面的輪廓(可以基本上是平面)一致，由此改進(jìn)當(dāng)連接器500焊接在PCB的表面上時形成的電氣連接的可靠性。
[0167]圖6A是根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的可以用于兩片式電連接器中的連接器中的說明性晶片600的透視圖。例如，晶片600可以用于圖1B示出的連接器100B中以及圖5B示出的連接器500中?？梢允褂蒙厦娼Y(jié)合圖2A的晶片200所描述的技術(shù)構(gòu)造晶片600。然而，在這種情況下，導(dǎo)電元件的配合接觸部被定形為焊盤而非梁。因此，在圖6A示出的實施方式中，晶片半部600X的絕緣部`分610X可以比圖2A示出的晶片半部200X的絕緣部分210X更膨脹，因此焊盤至少部分地嵌入在絕緣部分610X中。該配置了可以對焊盤提供結(jié)構(gòu)支承，因此焊盤基本上不易彎曲。
[0168]在圖6A示出的示例中，晶片半部600X的焊盤被設(shè)計成補(bǔ)償圖2A示出的晶片半部200X的梁。例如，晶片半部610X的焊盤被布置成三組，分別對應(yīng)于晶片半部200X的梁的三組。作為更具體的示例，焊盤625X、630X、6235X和640X被布置成一組，并且被配置成當(dāng)兩個相應(yīng)的連接器相互配合時分別與圖2A中示出的梁225X、230X、235X和240X對準(zhǔn)。
[0169]導(dǎo)電焊盤可以用作導(dǎo)電元件的配合接觸部，導(dǎo)電元件通過絕緣部分610X并且以接點尾線終止。在圖6A示出的示例中，與焊盤630X和635X相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電元件可以被配置用作信號導(dǎo)體，然而與焊盤625X和640X相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電元件可以被配置用作接地導(dǎo)體。在絕緣部分610X內(nèi)，導(dǎo)電元件可以被定形類似于圖3D示出的晶片300中的形狀。如上所述，指定為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件比指定成攜帶高速信號的導(dǎo)電元件寬。
[0170]信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的相對寬度可以被帶入至配合接觸部。因此，焊盤625X和640X比焊盤630X和635X較寬，這可以改進(jìn)兩片式連接器的電氣和/或機(jī)械屬性。較寬的接地導(dǎo)體可以通過在相鄰的晶片中屏蔽信號導(dǎo)體來提供改進(jìn)的電氣屬性。盡管晶片600Y可以具有與晶片600X相同的構(gòu)造，但當(dāng)附接晶片時晶片600Y相對于晶片600X倒轉(zhuǎn)。因此，晶片600Y中的類似焊盤形焊盤640X可以與每對信號導(dǎo)體如信號導(dǎo)體630X和635X或645X和650X對準(zhǔn)。
[0171]晶片600X的配合接觸部分的形狀結(jié)合與晶片600X配合的互補(bǔ)晶片的配合接觸部分的形狀還可以提供浮動。如下面結(jié)合圖7A和圖7B更詳細(xì)地說明的，通過提供相應(yīng)的配合接觸部分之間的“浮動”使得配合接觸部分能夠進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾娺B接，而不管配合接觸部分的中心線中的小量的橫向未對準(zhǔn)。
[0172]在圖6A示出的示例中，焊盤640X可以基本上比其他焊盤較寬并且可以橫跨被配置為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的相鄰對之間(即，在對630X與635之間以及對645X與650X之間)的間隔。從而，焊盤640X可以用作由相鄰的導(dǎo)體組共享的公共的接地導(dǎo)體。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開內(nèi)容不要求使用共享的接地導(dǎo)體。在替選的實施方式中，共享的接地導(dǎo)體可以用于每個導(dǎo)體組。例如，將接地導(dǎo)體分離可以使得接地導(dǎo)體能夠以不同的電壓電平連接至導(dǎo)電元件。作為具體的示例，在一些實施方式中，分離的接地導(dǎo)體可以連接至不同的DC電源或DC電源和低頻信號源。在一些系統(tǒng)中DC電源或低頻信號源可以用作AC接地。然而，接地導(dǎo)體連接在系統(tǒng)中的具體的電平對本發(fā)明不重要。如本文中所描述的構(gòu)造的連接器可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞接糜陔娮咏M件中。
[0173]圖6B是圖6A中示出的說明性晶片600的分解圖。在該圖中，可以看到晶片600包括兩個晶片半部600X和晶片半部600Y以及布置在晶片半部600X與晶片半部600Y之間的延長的損耗件670?？梢允褂蒙厦娼Y(jié)合圖2A中示出的晶片200所描述的技術(shù)制造晶片600，包括但不限于使用相同的晶片半部以及被保持在晶片半部之間的損耗件670。
[0174]圖7A和圖7B示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的、具有完全相互配合的兩個部件連接器的說明性的兩片式連接器的配合接口的部分橫截面(以不同的大小)。這些橫截面沿著平行于部件連接的配合面和垂直于部件連接器中的導(dǎo)電元件的長度的平面來獲得。
[0175]圖7A示出了至少三個晶片705、710和715的橫截面。晶片705可以具有與圖6A中示出的晶片600相同的類型，并且可以包括焊盤形配合接觸部分。晶片710和晶片715可以具有與圖2A中示出的晶片200相同的類型，并且可以包括梁形配合接觸部分。在圖7A示出的實施方式中，晶片705的一個晶片半部的焊盤與晶片710的一個晶片半部的梁對準(zhǔn)，而晶片705的另一晶片半部的焊盤與晶片715的一個晶片半部的梁對準(zhǔn)。
[0176]圖7B示出了如圖7A中所示的區(qū)域7B處的放大的橫截面。在該圖中，分別與晶片705的焊盤P-Gl、P-SU P-S2和P-G2對準(zhǔn)的晶片710的梁B-Gl、B-SU B-S2和B-G2是可見的。分別與晶片715的梁B-S3和B-S4對準(zhǔn)的晶片705的焊盤P-S3和P-S4也是可見的。晶片705的焊盤P-G3橫跨焊盤P-S3與P-S4之間的間隔的基本上一部分并且與晶片715的梁B-G3和B-G4兩者對準(zhǔn)。作為標(biāo)簽建議，梁B_S1、B_S2、B-S3和B-S4以及焊盤P-S1、P-S2、P-S3和P-S4可以與指定為信號導(dǎo)體的導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)，而梁B_G1、B_G2、B_G3和B-G4以及焊盤P-G1、P-G2和P-G3可以與指定為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)。
[0177]在圖7B示出的示例中，焊盤P-G3相對寬(例如，比焊盤P_S3和P_S4較寬)，使得相應(yīng)的梁B-G3和B-G4可以相對于焊盤P-G3稍微邊到邊滑動同時保持足夠的電連接。類似地，梁B-S3相對寬(例如，比梁B-S3和B-S4較寬)，使得相應(yīng)的焊盤P_G3可以相對于梁B-S3稍微邊到邊滑動同時保持足夠的電連接。然而，注意接地導(dǎo)體和信號導(dǎo)體已經(jīng)翻轉(zhuǎn)相對尺寸:接地導(dǎo)體具有較寬的焊盤和較窄的梁，而信號導(dǎo)體具有較寬的梁和較窄的焊盤。
[0178]在圖7B中，梁和焊盤被示為他們的中心線對準(zhǔn)。當(dāng)梁和焊盤的中心線對準(zhǔn)時，每個梁與相應(yīng)的配合焊盤之間良好電連接。然而，精確對準(zhǔn)要求連接器的所有部件的嚴(yán)格的制造公差。因為依賴于嚴(yán)格制造公差可以增加制造成本以及增加如果沒有實現(xiàn)這些公差報廢結(jié)構(gòu)元件的風(fēng)險，可以將連接器設(shè)計成浮動以允許合適的配合，即使梁和焊盤的中心線沒有對準(zhǔn)。常規(guī)地，通過使焊盤比設(shè)計成與焊盤配合的梁的接觸點較寬已經(jīng)實現(xiàn)了浮動。
[0179]為了提供更大的信號密度，不是所有的焊盤都比梁較寬。然而，根據(jù)一些實施方式，通過變化焊盤的相對尺寸和與焊盤配合的梁的接觸區(qū)域仍然提供浮動。盡管接地焊盤比與焊盤配合的梁的接觸區(qū)域較寬，在圖7B中示出的實施方式中，信號焊盤比信號導(dǎo)體的梁的接觸區(qū)域較窄。在示出的實施方式中通過使信號導(dǎo)體的梁的接觸區(qū)域比接地導(dǎo)體的梁的接觸區(qū)域較寬來提供浮動。
[0180]圖7B示出了處于設(shè)計的或標(biāo)稱位置的晶片。在標(biāo)稱位置中，所有的梁和焊盤對準(zhǔn)。仍進(jìn)行合適的電接觸的相應(yīng)的配合接觸部分可以容忍的從該標(biāo)稱位置的橫向位移的量表示電連接器的浮動。例如，梁B-Gl具有相對于其相應(yīng)的焊盤P-Gl的標(biāo)稱位置，使得梁B-Gl的中心線CLl與焊盤P-Gl的邊緣的距離為F1。該距離表示梁B-Gl沿著由圖7B中示出的箭頭D表示的方向的浮動。也就是說，梁B-Gl可以在方向D上從標(biāo)稱位置移動量Fl，并且仍然與焊盤P-Gl進(jìn)行良好電接觸。對于接地導(dǎo)體的其他配合接觸，接地焊盤類似地較寬，并且超出標(biāo)稱配合點延伸以提供可比較程度的浮動。
[0181]對于信號導(dǎo)體，焊盤不是基本上比梁的接觸區(qū)域較寬。如可以看到的，例如，焊盤P-S2不是比梁B-S2的接觸區(qū)域較寬。相反，在示出的實施方式中，焊盤比信號導(dǎo)體的梁的接觸區(qū)域較窄。如圖3C和圖7B中所示，梁的接觸區(qū)域的寬度W2比焊盤較寬。因此，梁可以相對于它們的標(biāo)稱位置未對準(zhǔn)并且仍進(jìn)行合適的電接觸。
`[0182]例如，梁B-S2被示出處于在焊盤P-S2的中心線CL2上對準(zhǔn)的標(biāo)稱位置中。由于梁B-S2的接觸區(qū)域的額外的寬度，可以沿著方向D浮動量F2并且仍與焊盤進(jìn)行可接受的電連接。
[0183]對于連接器的整體，可以由Fl和F2中的較小者設(shè)置沿著方向D的浮動?？梢杂蓤D7B中示出的距離F3和F4類似地設(shè)置沿著相反的方向D’的浮動。因此，在一些實施方式中，導(dǎo)電元件可以被定形，使得F1、F2、F3和F4配合(例如，近似相等)。這樣的設(shè)計可以提供適當(dāng)程度的浮動同時允許導(dǎo)電元件的增加的密度。例如，焊盤P-Sl和P-S2可以比如果這些焊盤被加寬以提供等于Fl的浮動量較相互靠近和較靠近相鄰的接地焊盤P-Gl和P-G2而被間隔開。
[0184]除了提供浮動之外，與信號導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的梁(例如，梁B-S1、B-S2、B_S3和B-S4)可以制成較寬以控制被配置成攜帶差分信號的梁對(例如，梁B-Sl和B-S2)之間的間隔。例如,如上面結(jié)合圖3A所討論的，梁B-Sl和B-S2的內(nèi)邊緣之間的距離可以影響由梁B-Sl和B-S2形成的差分信號導(dǎo)電路徑的阻抗，這又可以影響信號質(zhì)量。
[0185]圖8A是根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的可以用于兩片式電連接器的連接器中的說明性晶片800的分解圖。晶片800可以具有與圖6A中示出的晶片600相同的類型，并且可以用于圖1B中示出的連接器100B中以及圖5A中示出的連接器500中。[0186]在圖8A示出的示例中，可以看到晶片800包括兩個晶片半部800X和800Y以及布置在晶片半部800X與晶片半部800Y之間的損耗件870。損耗件870在平行于至少部分地嵌入晶片半部800X和800Y中的導(dǎo)電元件的列的方向上被延長。在圖8A示出的實施方式中，損耗件870基本上從晶片800的一端延伸到另一端，盡管不這么要求。在替選的實施方式中，損耗件僅沿著晶片800的一部分例如鄰近于導(dǎo)電元件的一個或更多個組但不是全部組延伸。
[0187]可以使用上面結(jié)合圖2A中示出的晶片200所描述的技術(shù)制造晶片800，包括但不限于使用相同的晶片半部以及被保持在晶片半部之間的損耗件870。
[0188]晶片800可以在高度上不同于晶片600。例如，晶片800可以比圖6A中示出的晶片600較高，使得僅沿著晶片800的高度的一部分布置損耗件870。(可替代地，晶片800和600可以具有相同的高度，但布置在晶片800中的損耗件870比布置在晶片600中的損耗件670較窄)。
[0189]圖8B示出了具有布置在其上的損耗件的晶片半部800Y的透視圖。損耗件870具有在平行于導(dǎo)電元件延伸的方向的方向上測量的寬度。在該示例中，寬度使得損耗件僅部分地沿著導(dǎo)電元件的中部的長度延伸，導(dǎo)電元件在晶片半部800Y的絕緣部分810內(nèi)。由損耗件870橫跨的中部的長度的百分比可以依賴于晶片800的高度和/或晶片800意在用于的兩片式電連接器的整體高度。這樣的百分比對實踐本文中公開的各種發(fā)明性的概念不是重要的。在一些實施方式中，損耗件870可以具有幾毫米數(shù)量級的寬度如在Imm與2mm之間、2mm與5mm之間或5mm與IOmm之間。然而，寬度還可以小于這些尺寸中的任一尺寸?？商娲?，寬度可以大于這些尺寸如20mm至25mm或25mm至30mm的數(shù)量級。
[0190]在各個實施方式中，損耗件870可以被定位在沿著晶片半部800Y的導(dǎo)電元件的中部的長度的任何適當(dāng)?shù)奈恢谩＠?，損耗件870可以是導(dǎo)電元件的相鄰的接點尾線，或可替代地，導(dǎo)電元件的相鄰的配合接觸部分。在一些其他實施方式中，損耗件可以被定位在沿著導(dǎo)電元件的長度的近似中間。在 又一些另外的實施方式中，可以存在多于一個損耗件，例如，損耗件可以平行布置在沿著晶片半部800Y的導(dǎo)電元件的中部的長度的不同的位置處。
[0191]在圖8B示出的示例中，晶片半部800Y的絕緣部分810可以具有凸起部分820、825,830和835。這些凸起部分可以被定形和布置以形成在垂直于導(dǎo)電元件延伸的方向的方向上延伸的通道。通道可以具有適合用于接納損耗件870的尺寸(例如，寬度)。例如，在圖8示出的示例中，凸起部分825與830之間的距離可以與損耗件870的寬度相似，使得損耗件緊貼地安裝到通道中。在替選的實施方式中，凸起部分825與830之間的距離可以大于損耗件870的寬度，使得損耗件可以在通道中上下滑動(B卩，沿著導(dǎo)電元件延伸的方向)。除了在晶片半部的內(nèi)表面上形成通道之外，或替代在晶片半部的內(nèi)表面上形成通道，還可以使用其他的機(jī)制以將損耗件870附接至晶片半部。
[0192]圖9A示出了連接器附接至印刷電路板的封裝。封裝910表示導(dǎo)電焊盤，導(dǎo)電焊盤可以在印刷電路板的表面上以將焊盤與附接至如上述所組裝的連接器的接點尾線的焊球?qū)?zhǔn)的模式來形成。封裝910可以與由具有梁的晶片組裝的連接器如圖2A中示出的連接器或由具有焊盤的晶片組裝的連接器如圖6A中示出的連接器一起使用。
[0193]在示出的實施方式中，封裝910包括多列焊盤如列920A。在該實施方式中，列中的每列包括相同布置的焊盤。列中的每列如列920A中的焊盤被定位成與來自被組裝到連接器中的晶片的接點尾線對準(zhǔn)。
[0194]在列中的每列內(nèi)，焊盤具有不同的形狀和方向。這些形狀和方向可以提供高密度、機(jī)械上魯棒的封裝，封裝提供良好的信號完整性并且便利于信號到封裝中的焊盤的路由，使得可以降低制造電子組件的整體成本。
[0195]封裝910中的焊盤中的每個具有至少一個通孔。通孔用于在焊盤和電子組件內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間進(jìn)行電連接，焊盤形成在電子組件的表面上。例如，可以使用已知的印刷電路板制造技術(shù)在印刷電路板的表面上形成封裝910。在印刷電路板內(nèi)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成信號跡線和接地平面。通過封裝910的焊盤的通孔可以將每個焊盤連接至印刷電路板內(nèi)的這樣的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。、
[0196]在圖9A示出的實施方式中，封裝910的特征在于:每列內(nèi)的焊盤的通孔可以沿著該列對準(zhǔn)。例如，在列920B中，形成該列的焊盤的通孔通常沿著線930對準(zhǔn)。在示出的實施方式中，其他列的通孔類似地對準(zhǔn)。因襲，列之間的區(qū)域通常不具有通孔并且可以用作路由通道。在圖9A中，在列920C和920D之間示出了路由通道940。在各個實施方式中，路由通道940的寬度可以在0.5mm與3_之間、或在0.8mm與2_之間在1_與1.5mm之間。
[0197]因為路由通道940通常不具有通孔，在其上形成封裝910的印刷電路板或其他基底內(nèi)，導(dǎo)電跡線可以被路由在路由通道940中。相反，如果通孔通過路由通道940，那么這些通孔將阻斷該區(qū)域內(nèi)的跡線的路由或通過要求跡線以提供任何通孔周圍的足夠的凈空的方式被路由來減小跡線可以被路由在該區(qū)域中的密度。
[0198]因此，在示出的實施方式中，路由通道940提供機(jī)制，通過該機(jī)制信號跡線可以容易地被路由到在封裝910之下的印刷電路板的區(qū)域中。以這種方式，跡線可以被路由到附接至焊盤的通孔，甚至在封裝910的每個中心。路由跡線以進(jìn)行連接至封裝的內(nèi)部焊盤有時可以不期望地增加合并高密度部件的電子組件的成本。例如,增加的成本由在其上形成封裝的印刷電路板或其他基底的層數(shù)量的增加導(dǎo)致。提供路由通道940可以減少這樣的額外的層的需要，從而減低成本。
[0199]依賴于焊盤的計劃角色，列中的每列中的焊盤可以具有不同的形狀。例如，在圖9A中，焊盤950A被指定為接地焊盤。在示出的實施方式中，接地焊盤被定形用于連接至接點尾線，接地焊盤可以與連接器或其他部件內(nèi)的兩個不同的導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)。在接點尾線通過焊球的使用附接至印刷電路板的實施方式中，焊盤950可以包括兩個焊料附接區(qū)域如焊料附接區(qū)域960A和960B。在封裝910中，焊料附接區(qū)域960A和960B通常為圓形，便利與焊球附接。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，在其他實施方式中，焊料附接區(qū)域可以具有其他的形狀。
[0200]圖9A示出了列中的每列還包括用于附接至信號導(dǎo)體的焊盤。例如，焊盤952A可以用作來自連接器或其他部件內(nèi)的信號導(dǎo)體的接點尾線附接的點。信號接觸焊盤中的每個可以類似地包括焊料附接區(qū)域如焊料附接區(qū)域960C，在該示例中，焊料附接區(qū)域960C通常被定形成與用于接地焊盤的焊料附接區(qū)域960A和960B相同。然而，信號焊盤952A包括單個焊料附接區(qū)域。
[0201]焊盤中的每個可以包括一個或更多個通孔。在示出的實施方式中,接地焊盤中的每個在接地焊盤的通孔區(qū)域中包括兩個通孔如通孔970A和970B。在示出的實施方式中，信號焊盤在信號焊盤的通孔區(qū)域中包括一個通孔如通孔970C。
[0202]列中的每列具有重復(fù)模式的接地焊盤和信號焊盤。例如，在列920E中，一對信號焊盤952A和952B被定位成鄰近于接地焊盤950A。在該列中還包括另外的接地焊盤950B，使得信號焊盤952A和952B在接地焊盤950A和950B之間。另外的一對信號焊盤954A和954B鄰近于接地焊盤950B。然后，兩個接地焊盤和兩對信號焊盤的該模式沿著該列的長度被重復(fù)。如在圖9A中可以看到的，盡管接地焊盤中的每個和信號焊盤中的每個通常具有相同的形狀，焊盤以不同的方向被熔化，這提供具有良好的信號完整性的高密度封裝。
[0203]如圖9A所示，不同方向的焊盤用于在該列的不同的側(cè)上提供焊料附接區(qū)域。例如，沿著列920B可以看到，例如，該列中的焊盤的焊料附接區(qū)域的第一部分被定位在該列的第一側(cè)932i上。焊料附接區(qū)域的第二部分在該列的第二側(cè)9322上。焊盤的定位使得來自兩個晶片半部的接點尾線能夠被附接中相同列中的焊盤。在一些實施方式中，這些晶片半部可以是公共晶片的晶片半部。在其他實施方式中，附接至相同列中的焊盤的晶片半部可以是來自連接器中的相鄰的晶片中的晶片半部。
[0204]沿著列的導(dǎo)電焊盤的方向還可以便利于沿著列的焊盤的高密度。焊盤中的每個相對于該列的中心線被對準(zhǔn)，并且該列的重復(fù)段中的不同的焊盤可以具有不同的角度。
[0205]圖9B示出了根據(jù)一些實施方式的焊盤的列920的一部分。在該實施方式中，列920中的第一接地焊盤958i包括焊料附接區(qū)域960A1和960B1。焊料附接區(qū)域960A1和960B1在沿著軸98(^的焊盤的相對端上。焊盤958i相對于列920成角度，使得軸98(^與該列的法線成加上alpha的角度。第二焊盤9582具有軸9802，其中焊料附接區(qū)域960C1在焊盤的一側(cè)上以及通孔區(qū)域962i在沿著軸9802的方向上在焊盤的另一側(cè)上。軸9802相對于列920的法線以角度加上beta成角度。
[0206]焊盤9583還相對于列920成角度。在該示例中，焊盤9583具有焊料附接區(qū)域960C2和沿著軸9803在焊盤的相對端上的通孔區(qū)域9622。軸9803相對于列920的法線以角度加上beta成角度。在該示例中，焊盤9582和9583以相同的量但以不同的方向成角度。
[0207]列中的第四焊盤9584包`括軸9804。焊料附接區(qū)域960A2和960B2沿著軸9804在焊盤的相對端上。軸9804相對于列920的中心線以角度減去alpha成角度。在該示例中，焊盤9584以與焊盤958i相同的量成角度。然而，焊盤9584以與焊盤9584相反的方向成角度。在該示例中，選擇焊盤958^..9584的角度以均勻地間隔焊料附接區(qū)域960B1、960C1、960C2和960Β2。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，可以在形成連接器封裝中使用任何適當(dāng)?shù)某叽纭?br> [0208]被重復(fù)以形成列920的串聯(lián)中的第五焊盤即焊盤9585也相對于該列成角度。在該情況下，焊盤9585在列920的與焊料附接區(qū)域960B1、960C1、960C2和960B2相反的側(cè)上具有焊料附接區(qū)域960C3。然而，類似地，焊盤9585具有軸9805，其中焊料附接區(qū)域960C3和通孔區(qū)域9623沿著軸9805在焊盤的相對端上。焊盤9585可以相對于列920成角度，使得軸9805相對于列920的法線成為加上beta的角度。在該示例中，軸9805的角度可以與軸9802的角度相同。然而，軸9805的角度相對于列920的相對側(cè)上的法線來測量。
[0209]類似地，焊盤9586可以具有由焊料附接區(qū)域960C4和通孔區(qū)域9624限定的軸9806。軸9806相對于列920的法線以減去beta的角度成角度?？梢赃x擇焊盤9585和9586的角度以提供沿著列920的兩側(cè)的焊料附接區(qū)域之間的均勻間隔。然后，兩個接地焊盤和兩對信號焊盤的模式可以沿著列920的長度被重復(fù)，提供沿著該列的兩側(cè)的焊料附接區(qū)域之間的均勻的間隔。
[0210]如上面所描述的，接觸焊盤的角度允許沿著列920的接觸焊盤的高密度。如圖9B中可以看到的，接地焊盤的角度產(chǎn)生接地焊盤之間的區(qū)域，接地焊盤在該列的相對側(cè)上具有不同的尺寸。定位信號焊盤使得它們的焊料附接區(qū)域被定位在較大的空間。例如，在接地焊盤9587與接地焊盤9581(|之間，在列920的一側(cè)上具有較大的區(qū)域990B以及在焊盤9587與9581(|之間具有較小的區(qū)域990A。在該示例中，信號焊盤9588和9589被定位在焊盤9587與9581(|之間。信號焊盤9588和9589在較大的區(qū)域990B中被定向到它們的焊料附接區(qū)域。該定向使得信號焊盤9588和9589的焊料附接區(qū)域的中心到中心間隔能夠大于信號焊盤9588和9589的通孔的中心到中心間隔，同時仍被定位在相鄰的接地焊盤9587和9581(|的焊料附接區(qū)域之間。以這種方式，實現(xiàn)了具有良好信號完整性屬性的高密度封裝。
[0211]圖9C示出了根據(jù)一些另外的實施方式的兩列9020X和9020Y焊盤的部分。在該示例中，列9020X包括兩個接地焊盤9032X和9038X以及布置在兩個接地焊盤9032X與9038X之間的兩個信號焊盤9034X和9036X。接地焊盤9032X包括兩個焊料附接區(qū)域9042X和9043X，并且通孔9052X布置在位于焊料附接區(qū)域9042X與9043X之間的通孔區(qū)域中。類似地，接地焊盤9038X包括兩個焊料附接區(qū)域9048X和9049X，并且通孔9058X布置在位于焊料附接區(qū)域9048X與9049X之間的通孔區(qū)域中。信號焊盤9034X包括焊料附接區(qū)域9044X，并且通孔9054X布置在位于鄰近焊料附接區(qū)域9044X的通孔區(qū)域中。類似地，信號焊盤9036X包括焊料附接區(qū)域9046X，并且通孔9056X布置在位于鄰近焊料附接區(qū)域9046X的通孔區(qū)域 中。
[0212]在圖9C中示出的示例中，列9020Y包括以與列9020X的接地焊盤9032X和9038X以及信號焊盤9034X和9036X類似的方式布置的、兩個接地焊盤9032Y和9038Y以及兩個信號焊盤9034Y和9036Y。具體地，接地焊盤9032Y包括兩個焊料附接區(qū)域9042Y和9043Y以及布置在焊料附接區(qū)域9042Y與9043Y之間的通孔9052Y。類似地，接地焊盤9038Y包括兩個焊料附接區(qū)域9048Y和9049Y以及布置在焊料附接區(qū)域9048Y與9049Y之間的通孔9058Y。信號焊盤9034Y包括焊料附接區(qū)域9044Y以及具有布置在其中的通孔9054Y的相鄰的通孔區(qū)域。類似地，信號焊盤9036Y包括焊料附接區(qū)域9046Y以及具有布置在其中的通孔9056Y的相鄰的通孔區(qū)域。
[0213]不同于圖9A和圖9B中示出的實施方式，圖9C中示出的說明性接地焊盤中的每個(例如，接地焊盤9032X)包括單個通孔(例如，通孔9052X)。該布置可以允許較小的接地焊盤以及又允許封裝中的焊盤的較高密度。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)本公開內(nèi)容的方面不限于任何特定數(shù)量的通孔的使用時，可以在焊盤中提供任何適當(dāng)數(shù)量(例如，一個、兩個、三個等)的通孔，并且相同的封裝中的不同的焊盤可以具有不同數(shù)量的通孔。
[0214]另外，沿著圖9C中示出的列的說明性通孔(例如，通孔9052X、9054X、9056X和9058X)不需要沿著相同的線對準(zhǔn)。例如，信號通孔9054X和9056X可以與經(jīng)由接地通孔9052X和9058X的線960X稍微偏置。類似地，信號通孔9054X和9056X可以與經(jīng)由接地通孔9052X和9058X的線960Y稍微偏置。以這種方式，兩列通孔之間的路由通道970可以不是完全直的。反而，如圖9C中虛線所示，路由通道970可以具有蛇形形狀，以提供相對于信號通孔或接地通孔的均勻的間隔。
[0215]圖1OA至圖1OF示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的晶片半部1000X的又另一示例。類似于圖2A至圖2C中示出的說明性晶片半部200X和200Y以及圖3A至圖3D中示出的說明性晶片半部300，晶片半部1000X可以與另一類似的晶片半部聯(lián)接以形成適合用于連接器如圖1A中示出的連接器IOOA的晶片。然而，不同于適于接納損耗件(例如，圖2C中示出的說明性損耗件270)的晶片半部200X和200Y以及晶片半部300，晶片半部1000X可以包括包覆模制的損耗材料的一部分如包覆模制的導(dǎo)電塑料的一部分。包覆模制到晶片半部1000X上的損耗材料的部分可以提供與由損耗件270提供的益處相似的益處如可以抑制在接地導(dǎo)體中形成的振蕩，以及這樣的包覆模制可以用于替代損耗插入或除了損耗插入之外使用這樣的包覆模制。
[0216]圖1OA是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的說明性晶片半部1000X的前側(cè)的透視圖。在該示例中，晶片半部1000X包括至少部分地密封通常相互平行地布置的多個導(dǎo)電元件(例如，導(dǎo)電元件1020XU021X和1023X)的絕緣部分1010X。每個導(dǎo)電元件可以具有未由絕緣部分1010X覆蓋的暴露部分。這樣的暴露部分可以包括用于附接至PCB的接點尾線(例如，接點尾線1030X至1033X)以及用于與相應(yīng)的連接器(例如，如圖1lA中示出和下面更詳細(xì)地討論的連接器)中的導(dǎo)電元件的焊盤形配合接觸部分配合的梁形配合接觸部分(例如，梁1040X至1043X)。
[0217]在圖1OA示出的示例中，說明性晶片半部1000X的一些導(dǎo)電元件可以適于用作接地導(dǎo)體，而晶片半部1000X中的一些其他的導(dǎo)電元件可以適于用作信號導(dǎo)體。例如，導(dǎo)電元件1020X和1022X可以適于用作接地導(dǎo)體，而導(dǎo)電元件1021X和1123X可以適于用作信號導(dǎo)體。另外，相鄰的接地導(dǎo)體如1020X和1022X可以由平面中部1070X聯(lián)接，平面中部1070X可以是導(dǎo)電的并且可以橫跨接地導(dǎo)體1020X與1022X之間的距離。在使用接地導(dǎo)體的實施方式中，接地導(dǎo)體的部分可以暴露以在包覆模制之后與損耗材料進(jìn)行接觸。
[0218]在圖1OA示出的示例中，通道1050X在絕緣部分1010X中形成并且被配置成在包覆模制工藝期間填充有熔化的損耗材料。在圖1OB中示出了這樣的包覆模制工藝的說明性結(jié)果，圖1OB是具有布置在通道1050X中的損耗材料1052X的圖1OA中示出的晶片半部1000X的前側(cè)的透視圖。
[0219]在圖1OA示出的示例中，通道1050X沿著垂直于由絕緣部分1010X密封的多個導(dǎo)電元件垂直的方向延伸。另外，通道1050X可以近似跨晶片半部1000X的整個長度延伸，使得通道1050X可以橫跨所有的導(dǎo)電元件。以這種方式，當(dāng)通道1050X填充有損耗材料1052X時，損耗材料1052X可以近似靠近晶片半部1000X中的導(dǎo)電元件中的每個。然而，在替選的實施方式中，通道可以僅部分地跨晶片半部延伸并且可以橫跨晶片半部中的導(dǎo)電元件中的一些而不是全部。另外，在一些實施方式中，可以在絕緣部分1010X中形成多個通道。這樣的通道可以相互平行，每個通道橫跨導(dǎo)電元件中的一些或全部。以這種方式，損耗材料可以沿著導(dǎo)電元件的長度在多個位置處近似靠近于每個導(dǎo)電元件。
[0220]在一些另外的實施方式中，包覆模制的損耗材料可以與多個接地導(dǎo)體處于電接觸或與信號導(dǎo)體相比近似更靠近于接地導(dǎo)體。例如，在圖1OA示出的示例中，通道1050X可以以如下方式被配置:接地導(dǎo)體的部分如橫跨接地導(dǎo)體1020X和1022X的平面中部1070X可以在通道1050X的底部處暴露，使得接地導(dǎo)體1020X和1022X可以與布置在通道1050X中的損耗材料1052X處于電接觸。相反，信號導(dǎo)體可以與損耗材料1052X絕緣。例如，信號導(dǎo)體102IX和1023X通過圖1OA的示例中的絕緣部分1060X與損耗材料1052X絕緣。
[0221]圖1OC是在損耗材料的包覆模制之前圖1OA中示出的說明性晶片半部1000X的背側(cè)的透視圖。在該示例中，在晶片半部1000X的背側(cè)上的絕緣部分1010X中形成通道1055X。類似于在前側(cè)上形成的通道1050X，通道1055X可以被配置成在包覆模制工藝期間填充有損耗材料。在圖1OD中示出了這樣的包覆模制工藝的說明性結(jié)果，圖1OD是具有布置在通道1055X中的損耗材料1057X的圖1OA中示出的說明性晶片半部1000X的背側(cè)的透視圖。
[0222]還類似于在前側(cè)上形成的通道1050X，圖1OC的示例中的通道1055X近似跨晶片半部1000X的整個長度延伸，使得通道1055X橫跨由絕緣部分1010X密封的所有的導(dǎo)電元件。另外，在圖1OC的示例中，接地導(dǎo)體的部分如橫跨接地導(dǎo)體1020X和1022X的平面中部1070X在通道1055X的底部處暴露，使得接地導(dǎo)體1020X和1022X可以與布置在通道1055X中的損耗材料1057X處于電接觸。相反，信號導(dǎo)體1021X和1023X通過絕緣部分1065X與損耗材料1057X絕緣。
[0223]發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識和理解到，在模式工藝期間，在晶片半部1000X的前側(cè)上模制損耗材料1052X以及在晶片半部1000X的背側(cè)模制損耗材料1057X是有利的。這可以簡化制造工藝并且降低成本。因此，可以提供一個或更多個特征以使得熔化的損耗材料能夠從晶片半部1000X的一側(cè)流向相對的側(cè)。如圖1OA和圖1OC所示，這樣的特征的示例為橫跨接地導(dǎo)體1020X和1022X的平面中部11070X中的開口 1072X。這樣的開口可以使得熔化的損耗材料能夠從晶片半部1000X的前側(cè)上的通道1050X流入晶片半部11000X的背側(cè)上的通道1055X，或反之亦然。
[0224]圖1OE是在損耗材料的包覆模制之前圖1OA中示出的說明性晶片半部1000X的橫截面圖。圖1OF是在損耗材料1052X已經(jīng)沉積到通道1050X中以及損耗材料1057X已經(jīng)沉積到通道1055X中之后圖1OA中示出的說明性晶片半部1000X的橫截面圖。
[0225]圖1lG是適合用于圖1A中示出的說明性連接器100A的說明性晶片1000的透視圖。在該不例中，晶片1000由圖1OA中不出的說明性晶片半部1000X和類似的晶片半部1000Y制成。圖1OH是圖1OG中示出的說明性晶片1000的橫截面圖，其中損耗材料1052X沉積在晶片半部1000X的前側(cè)上和損耗材料1057X沉積在晶片半部1000X的后側(cè)上、以及損耗材料1052Y沉積在晶片半部1000Y的前側(cè)上和損耗材料1057Y沉積在晶片半部1000Y的后側(cè)上?？梢酝ㄟ^本文所討論的`附接機(jī)制中的任一個或任何其他適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制將晶片半部1000X和1000Y固定在一起。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，替選的實施方式中的晶片1000可以形成為整片或形成為多于兩片的組合。
[0226]圖1lA至圖1lF示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一些實施方式的晶片半部1100X的又另一示例。類似于圖6A和圖6B中示出的說明性晶片半部600X和600Y以及圖8A和圖8B中示出的說明性晶片半部800X和800Y，晶片半部1100X可以與另一類似的晶片半部聯(lián)接以形成適合用于連接器如圖1B中示出的連接器100B的晶片。然而，不同于適于接納損耗件(例如，圖8A中示出的說明性損耗件870)的晶片半部600X和600Y以及晶片半部800X和800Y，晶片半部1100X可以包括包覆模制的損耗材料的一部分如包覆模制的導(dǎo)電塑料的一部分，這可以提供與由損耗件提供的益處相似的益處如抑制可以在接地導(dǎo)體中形成的振蕩。在這一點上，晶片半部1100X可以與圖1OA中示出的說明性晶片半部1000X相似。
[0227]圖1lA是根據(jù)一些實施方式的在損耗材料的包覆模制之前的說明性晶片半部1100X的前側(cè)的透視圖。在該示例中，晶片半部1100X包括至少部分地密封通常相互平行地布置的多個導(dǎo)電元件(例如，導(dǎo)電元件1120XU121X和1123X)的絕緣部分1110X。每個導(dǎo)電元件可以具有未由絕緣部分1110X覆蓋的暴露部分。這樣的暴露部分可以包括用于附接至PCB的接點尾線(例如，接點尾線1130X至1133X)以及用于與相應(yīng)的連接器(例如，如圖1OA中示出和上面所討論的連接器)中的導(dǎo)電元件的梁形配合接觸部分配合的焊盤形配合接觸部分(例如，焊盤1040X、1141X和1143X)。
[0228]在圖1lA示出的示例中，說明性晶片半部1100X的一些導(dǎo)電元件可以適于用作接地導(dǎo)體，而晶片半部1100X中的一些其他的導(dǎo)電元件可以適于用作信號導(dǎo)體。例如，導(dǎo)電元件1120X可以適于用作接地導(dǎo)體，而導(dǎo)電元件1121X和1123X可以適于用作信號導(dǎo)體。
[0229]在圖1lA示出的示例中，通道1150X在絕緣部分1110X中形成并且被配置成在包覆模制工藝期間填充有熔化的損耗材料。在圖1lB中示出了這樣的包覆模制工藝的說明性結(jié)果，圖1lB是具有布置在通道1150X中的損耗材料1152X的圖1lA中示出的說明性晶片半部1100X的前側(cè)的透視圖。
[0230]類似于圖1OA中示出的通道1050X，通道1150X可以近似跨晶片半部1100X的整個長度延伸，這可以提供如上面所討論的相似的益處。還類似于圖1OA中示出的通道1050X，通道1150X可以以如下方式被配置:接地導(dǎo)體的部分如接地導(dǎo)體1120X的平面中部1170X可以在通道1150X的底部處暴露，使得接地導(dǎo)體1120X可以與布置在通道1150X中的損耗材料1152X處于電接觸。相反，信號導(dǎo)體可與損耗材料1152X絕緣。例如，信號導(dǎo)體1121X和1123X通過絕緣部分1160X與損耗材料1152X絕緣。
[0231]圖1lC是在損耗材料的包覆模制之前圖1lA中示出的說明性晶片半部1100X的背側(cè)的透視圖。在該示例中，在晶片半部1100X的背側(cè)上的絕緣部分11IOX中形成通道1155X。類似于在前側(cè)上形成的通道1150X，通道1155X可以被配置成在包覆模制工藝期間填充有損耗材料。在圖1lD中示出了這樣的包覆模制工藝的說明性結(jié)果，圖1lD是具有布置在通道1155X中的損耗材料1157X的圖1lA中示出的說明性晶片半部1100X的背側(cè)的透視圖。
[0232]還類似于在前側(cè)上 形成的通道1150X，圖1lC的示例中的通道1155X近似跨晶片半部1100X的整個長度延伸，使得通道1155X橫跨由絕緣部分1110X密封的所有的導(dǎo)電元件。另外，在圖1lC的示例中，接地導(dǎo)體的部分如接地導(dǎo)體1020X的平面中部1070X在通道1155X的底部處暴露，使得接地導(dǎo)體1120X可以與布置在通道1155X中的損耗材料1157X處于電接觸。相反，信號導(dǎo)體1121X和1123X通過絕緣部分1165X與損耗材料1157X絕緣。
[0233]至于圖1OA中示出的說明性晶片半部1000X，可以提供一個或更多個特征以使得熔化的損耗材料能夠從晶片半部1100X的一側(cè)流向相對的側(cè)。如圖1lA和圖1lC所示，這樣的特征的示例為接地導(dǎo)體1120X的平面中部1170X中的開口 1172X。這樣的開口可以使得熔化的損耗材料能夠從晶片半部1100X的前側(cè)上的通道1150X流入晶片半部1100X的背側(cè)上的通道1155X，或反之亦然。
[0234]圖1lE是在損耗材料的包覆模制之前圖1lA中示出的說明性晶片半部1100X的橫截面圖。圖1lF是在損耗材料1152X已經(jīng)沉積到通道1150X中以及損耗材料1157X已經(jīng)沉積到通道1155X中之后圖1lA中示出的說明性晶片半部1100X的橫截面圖。
[0235]圖1lG是適合用于圖1B中示出的說明性連接器100B的說明性晶片1100的透視圖。在該不例中，晶片1100由圖1IA中不出的說明性晶片半部1100X和類似的晶片半部1100Y制成。圖1lH是圖1lG中示出的說明性晶片1100的橫截面圖，其中損耗材料1152X沉積在晶片半部1100X的前側(cè)上和損耗材料1157X沉積在晶片半部1100X的后側(cè)上、以及損耗材料1152Y沉積在晶片半部1100Y的前側(cè)上和損耗材料1157Y沉積在晶片半部1100Y的后側(cè)上。可以通過本文所討論的附接機(jī)制中的任一個或任何其他適當(dāng)?shù)母浇訖C(jī)制將晶片半部IlOOX和1100Y固定在一起。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，替選的實施方式中的晶片1100可以形成為整片或形成為多于兩片的組合。
[0236]如圖1OH和圖1lH所示，在晶片半部的兩側(cè)上包覆模制損耗材料可以產(chǎn)生具有除了兩個晶片半部之間的損耗材料(例如，圖1OH中示出的損耗材料1057Y和1057X以及圖1lH中示出的損耗材料1157Y和1157X)之外布置在外側(cè)的損耗材料的晶片(例如，圖1OH中示出的損耗材料1052X和1052Y以及圖1lH中示出的損耗材料1152X和1152Y)。相反，在圖2C、圖6B和圖8A示出的實施方式中，損耗材料(以損耗插入的形式)僅布置在兩個晶片半部之間。
[0237]發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識和理解到，將損耗材料布置在晶片的外表面上可以提供額外的益處如控制對附近的電路部件的電磁干擾(EMI)。例如，發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識和理解到，將損耗材料布置在晶片的外部表面上可以在以4GHz與7GHz之間的頻率控制EMI中是有效的。
[0238]盡管上面已經(jīng)討論了將損耗材料包覆模制到晶片半部的兩側(cè)上的各種益處，應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開內(nèi)容的方面不限于該技術(shù)的使用。例如，在一些實施方式中，損耗材料可以被模制到晶片半部的僅一側(cè)上。因此，當(dāng)組裝兩個相同的晶片半部時，可以將損耗材料僅布置在合成晶片的內(nèi)側(cè)上，或僅布置在合成晶片的外側(cè)上?？商孢x地，可以以如下方式組裝兩個相同的晶片半部:將模制到一個晶片半部上的損耗材料布置在合成晶片的內(nèi)側(cè)，雖然模制到另一晶片半部上的損耗材料被布置在合成晶片的外側(cè)。因而，合成晶片可以具有布置在僅一側(cè)上的外側(cè)的損耗材料。
[0239]另外，可以在兩個晶片半部之間包括損耗插入，而不管損耗材料是否已經(jīng)模制到晶片半部上。更進(jìn)一步地，損耗材料可以被模制到一個連接器的晶片上而不是相應(yīng)的連接器的晶片上。例如，損耗材料可以模制到具有焊盤形配合接觸部的連接器上而不是具有梁形配合接觸部的連接器上，或反之亦然。更進(jìn)一步地，另外或替代地，將損耗材料包覆模制到晶片半部上，損耗材料可以使用以任何適當(dāng)?shù)姆绞奖桓浇又辆囊粋€或更多個損耗插入被布置在晶片的外側(cè)，本文中所`公開的各種發(fā)明性的概念在它們的應(yīng)用中不限于下面的描述中闡述的或圖中示出的部件的結(jié)構(gòu)和布置的細(xì)節(jié)。發(fā)明的概念能夠應(yīng)用于其他實施方式或以各種方式被實施或執(zhí)行。另外，本文中所使用的詞組和術(shù)語僅用于描述的目的而不應(yīng)當(dāng)被視為限制性的。本文中的“包括(including)”、“包括(comprising)”^具有(having)”、“包含(containing)”或“包括(involving)”及其變形的使用表示包括之后列出的項目及其等同以及額外的項目。
[0240]盡管已經(jīng)描述了本公開內(nèi)容的至少一個實施方式的若干方面，應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會容易地想起各種替選、修改和改進(jìn)。
[0241]作為示例，設(shè)計成攜帶差分信號的連接器用于說明發(fā)明性的概念。本文中所描述的技術(shù)中的一些或全部可以應(yīng)用于攜帶單端信號的信號導(dǎo)體。
[0242]此外，盡管參照夾層連接器示出和描述了很多發(fā)明性的方面，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于這一點，因為發(fā)明性的概念可以包括在電連接器的其他方面如背板連接器、電纜連接器、堆連接器、電力連接器、靈活電路連接器、右角電路連接器或芯片插座中。
[0243]而且，盡管描述了晶片嚴(yán)格地附接至他們相應(yīng)的殼體，在一些實施方式中，附接可以不嚴(yán)格或可以不在所有的方向上嚴(yán)格。例如，晶片被插入的殼體的壁中的通道可以被密封以保持晶片。然而，可以允許晶片沿著通道滑動，使得所有的晶片可以相對于連接器被附接的印刷電路板的表面對準(zhǔn)。、
[0244]作為另一示例，在一列中具有三個差分信號對的連接器用于說明發(fā)明性的概念。然而，可以使用具有任何期望數(shù)量的信號導(dǎo)體的連接器。
[0245]此外，示出了其中接點尾線被定形成接納焊球使得連接器可以使用已知的表面安裝組件技術(shù)被安裝到印刷電路板的實施方式?？梢允褂闷渌B接器附接機(jī)制，并且連接器的接點尾線可以被定形成便利于替選的附接機(jī)制的使用。例如，為了支持其中部件引線布置在沉積在印刷電路板的表面上的錫膏上的表面安裝技術(shù)，接點尾線可以被定形為焊盤。作為另外的替選，接點尾線可以被定形為柱，柱接合印刷電路板的表面上的孔。作為又另外的示例，可以使用安裝附接技術(shù)安裝連接器。為了支持這樣的附接，接點尾線可以被定形為針接觸的眼或另外包括柔性的部分，當(dāng)插入到印刷電路板的表面上的孔時，柔性的部分可以被壓縮。
[0246]而且，盡管在上面描述了由晶片子組件組裝的連接的實施方式，在其他實施方式中，連接器可以由晶片組裝而不首先形成子組件。作為另一變型的示例，可以在不使用分離的晶片的情況下通過將多個列的導(dǎo)電件插入到外殼中來組裝連接器。
[0247]在示出的實施方式中，一些導(dǎo)電元件被指定為形成導(dǎo)體的差分對，以及一些導(dǎo)電元件被指定為接地導(dǎo)體。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的，這些指定表示互連系統(tǒng)中的導(dǎo)電元件的計劃用途。例如，盡管導(dǎo)電元件的其他用途也是可以的，可以基于組成對的導(dǎo)電元件之間的優(yōu)選耦合來識別差分對。使得差分對適合用于攜帶差分信號的差分對的電氣特征如其阻抗可以提供識別差分對的替選的或額外的方法。例如，一對信號導(dǎo)體可以具有75歐姆至100歐姆之間的阻抗。作為具體的示例，信號對可以具有85歐姆+/-10%的阻抗。作為信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體之間的差異的另一示例，在具有差分對的連接器中，可以通過其相對于差分對的位置來識別接地導(dǎo)體。在其他實例中，可以通過其形狀或電氣特征來識別接地導(dǎo)體。例如，接地導(dǎo)體可以相對較寬以提供低電感，這可以期望用于提供穩(wěn)定的參考電位，但提供不期望用于攜帶高速信號的阻抗。
[0248]另外，盡管指定接地導(dǎo)體，并不需要接地導(dǎo)體中的全部或甚至任何接地導(dǎo)體連接至接地。在一些實施方式中，指定為接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件可以用于攜帶電力信號或低頻信號。例如，在電子系統(tǒng)中，接地導(dǎo)體可以用于攜帶以相對低頻切換的控制信號。在這樣的實施方式中，可以期望損耗件不與這些接地導(dǎo)體進(jìn)行直接電連接。例如，接地導(dǎo)體可以由鄰近于損耗件的晶片的絕緣部分覆蓋。
[0249]這樣的替選、修改和改進(jìn)意在是本公開內(nèi)容的一部分，并且意在在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。因此，前面的描述和附圖僅借助于示例。
【權(quán)利要求】
1.一種用于電連接器的晶片，所述晶片包括: 第一部件，所述第一部件包括: 第一絕緣部分，所述第一絕緣部分包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有第一輪廓，所述第一輪廓包括第一多個凹部；以及 第一多個導(dǎo)電元件，所述第一多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述第一絕緣部分；以及第二部件，所述第二部件固定至所述第一部件，所述第二部件具有類似于所述第一部件的形狀并且包括: 第二絕緣部分，所述第二絕緣部分包括第三表面和第四表面，所述第三表面具有第二輪廓，所述第二輪廓包括多個區(qū)域；以及 第二多個導(dǎo)電元件，所述第二多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述第二絕緣部分； 其中，所述第二部件被定位成所述第三表面面對所述第一表面，所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域與所述多個凹部中的凹部對準(zhǔn)，以及所述第一表面和所述第三表面被定形成在所述多個凹部與所述多個區(qū)域中的相應(yīng)的區(qū)域之間提供通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，還包括: 布置在所述通道中的損耗件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片，其中，所述損耗件具有蛇形形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片，其中: 所述第一多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件在第一方向上延伸穿過所述第一絕緣部分； 所述第一多個導(dǎo)電元件包括較寬的導(dǎo)電元件和較窄的導(dǎo)電元件； 所述第二多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件在所述第一方向上延伸穿過所述第二絕緣部分； 所述第二多個導(dǎo)電元件包括較寬的導(dǎo)電元件和較窄的導(dǎo)電元件；以及所述損耗件在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，使得所述損耗件鄰近于所述第一多個導(dǎo)電元件中的所有所述較寬的導(dǎo)電元件和所述第二多個導(dǎo)電元件中的所有所述較寬的導(dǎo)電元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片，其中: 所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域包括凸起部分；以及 所述第二部件被定位成使得所述第三表面上的每個凸起部分以所述第一表面與所述第二表面之間的間隙延伸到所述第一表面上的凹部中，所述間隙包括所述通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片，其中: 所述第一絕緣部分和所述第二絕緣部分每個包括用于將所述損耗件定位在所述通道中的結(jié)構(gòu)元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片，其中: 所述結(jié)構(gòu)元件包括孔；以及 所述損耗件包括突出，所述突出被定位以及定尺寸以安裝在所述孔內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中: 所述第一多個導(dǎo)電元件包括較寬的導(dǎo)電元件和較窄的導(dǎo)電元件； 所述第一多個導(dǎo)電元件中的所述較寬的導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件暴露在相應(yīng)的凹部的底部中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片，其中: 所述第二多個導(dǎo)電元件包括較寬的導(dǎo)電元件和較窄的導(dǎo)電元件； 所述第二部件包括在所述第三表面中的多個凹部；以及 所述第二多個導(dǎo)電元件中的所述較寬的導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件暴露在所述第三表面中的相應(yīng)的凹部的底部中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片，還包括: 損耗件，所述損耗件布置在所述通道中并且被壓縮在所述第一部件與所述第二部件之間，所述損耗件擠壓暴露在所述第一表面的所述相應(yīng)的凹部的底部中的所述第一多個導(dǎo)電元件中的所述較寬的導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件，并且擠壓暴露在所述第二表面的所述相應(yīng)的凹部的底部中的所述第二多個導(dǎo)電元件中的所述較寬的導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件。
11.一種用于電連接器的晶片，所述晶片包括: 第一部件，所述第一部件包括: 第一絕緣部分，所述第一 絕緣部分包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有第一輪廓，所述第一輪廓包括多個凹部；以及 第一多個導(dǎo)電元件，所述第一多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述第一絕緣部分； 第二部件，所述第二部件固定至所述第一部件，所述第二部件包括: 第二絕緣部分，所述第二絕緣部分包括第三表面和第四表面，所述第三表面具有第二輪廓，所述第二輪廓包括多個區(qū)域；以及 第二多個導(dǎo)電元件，所述第二多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述第二絕緣部分； 其中，所述第二部件被定位成所述第三表面面對所述第一表面，所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域與所述多個凹部中的凹部對準(zhǔn)；以及 在所述第一表面與所述第三表面之間布置的延長的損耗件，所述延長的損耗件具有被定形成與所述第一輪廓一致的第一側(cè)面以及被定形成與所述第二輪廓一致的第二側(cè)面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片，其中: 所述第一部件與所述第二部件相同，使得所述第二輪廓包括多個凹部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片，其中: 所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域包括凸起部分；以及 所述第二部件被定位成使得所述第三表面上的每個凸起部分以所述第一表面與所述第二表面之間的間隙延伸到所述第一表面上的凹部中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片，其中: 所述延長的損耗件與所述第一表面與所述第三表面之間的所述間隙一致。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片，其中: 所述第一多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括在第一方向上延伸穿過第一外殼的延長的導(dǎo)電件； 所述第二多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括在所述第一方向上延伸穿過第二外殼的延長的導(dǎo)電件；以及 所述延長的損耗件在與所述第一方向垂直的方向上被延長。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片，其中:所述損耗件是柔性的；以及 所述損耗件被壓縮在所述第一部件與所述第二部件之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片，其中: 所述第一部件固定至所述第二部件，使得所述損耗件被保持在所述第一部件與所述第二部件之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片，其中: 所述多個凹部中的每個凹部具有底部； 所述第一多個導(dǎo)電元件中的導(dǎo)電元件暴露在所述多個凹部中的相應(yīng)的凹部的底部中；以及 所述損耗件的多個區(qū)域中的每個區(qū)域擠壓所述多個凹部中的相應(yīng)的凹部的底部中的暴露的導(dǎo)電元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片，其中: 所述第一多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括在第一方向上延伸穿過所述第一外殼的延長的導(dǎo)電件； 所述第二多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括在所述第一方向上延伸穿過所述第二外殼的延長的導(dǎo)電件；以及 所述延長的損耗件在與 所述第一方向垂直的方向上被延長。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片，其中: 所述第一多個導(dǎo)電元件包括較寬的導(dǎo)電元件和較窄的導(dǎo)電元件；以及 暴露在所述多個凹部的所述底部中的所述導(dǎo)電元件為所述較寬的導(dǎo)電元件。
21.一種包括多個晶片的電連接器，每個晶片包括: 第一部件，所述第一部件包括: 第一絕緣部分，所述第一絕緣部分包括第一表面；以及 第一多個導(dǎo)電元件，所述第一多個導(dǎo)電元件在第一方向上延伸穿過所述第一絕緣部分，所述第一多個導(dǎo)電元件中的至少第一子集暴露在所述第一表面中； 第二部件，所述第二部件固定至所述第一部件，所述第二部件包括: 第二絕緣部分，所述第二絕緣部分包括第二表面；以及 第二多個導(dǎo)電元件，所述第二多個導(dǎo)電元件在所述第一方向上延伸穿過所述第二絕緣部分，所述第二多個導(dǎo)電元件中的至少第二子集暴露在所述第二表面中； 其中: 所述第二部件被定位成所述第二表面鄰近于所述第一表面；以及所述第一表面和/或所述第二表面被定形成在所述第一部件與所述第二部件之間提供通道，所述通道在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸通過所述第一多個導(dǎo)電元件和所述第二多個導(dǎo)電元件中的多個導(dǎo)電元件；以及 損耗件，所述損耗件布置在所述通道中并且在與所述第一方向垂直的所述第二方向上延伸，所述損耗件被布置成鄰近于所述多個導(dǎo)電元件，所述損耗件包括多個區(qū)域，每個區(qū)域擠壓所述第一子集或所述第二子集中的相應(yīng)的導(dǎo)電元件。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電連接器，其中，對于每個晶片: 所述第一多個導(dǎo)電元件包括較寬的導(dǎo)電元件和較窄的導(dǎo)電元件，所述較寬的導(dǎo)電元件在所述第二方向上比所述較窄的導(dǎo)電元件寬；以及所述較寬的導(dǎo)電元件包括所述第一子集。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電連接器，其中，對于每個晶片，所述損耗件被可移動地保持在所述通道中。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電連接器，其中，所述連接器包括夾層連接器。
25.一種制造電連接器的方法，所述方法包括: 形成多個相同的部件，所述部件中的每個部件包括絕緣部分以及延伸穿過所述絕緣部分的多個導(dǎo)電元件；以及 形成多個子組件，形成每個子組件包括使用所述多個部件中的第一部件與所述多個部件中的第二部件之間的損耗件將所述第一部件固定至所述第二部件，所述損耗件被保持在通道中，所述通道形成在所述多個部件中的所述第一部件的表面與所述多個部件中的第二部件之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括: 將所述多個子組件附接至支承結(jié)構(gòu)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中: 每個損耗件是柔性的；以及 形成每個子組件包括在所述多個部件中的所述第一部件與所述多個部件中的所述第二部件之間壓縮 所述損耗件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中: 所述絕緣部分包括第一表面； 對于所述多個部件中的每個部件，所述多個導(dǎo)電元件的子集包括暴露在所述第一表面中的暴露部分；以及 對于所述多個子組件中的每個子組件，壓縮所述損耗件包括在所述損耗件與所述多個導(dǎo)電元件的子集中的所述導(dǎo)電元件的所述暴露部分之間產(chǎn)生力。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，對于每個子組件: 將所述多個部件中的所述第一部件固定至所述多個部件中的所述第二部件包括將所述多個部件中的所述第一部件的突出擠壓穿過所述多個部件中的所述第二部件中的開口。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中: 所述支承結(jié)構(gòu)包括多個溝槽；以及 將所述多個子組件附接至所述支承結(jié)構(gòu)包括對于每個子組件: 將來自所述多個部件中的所述第一部件的第一接頭和來自所述多個部件中的所述第二部件的第二接頭插入所述多個溝槽中的相應(yīng)的溝槽中；以及 使所述支承結(jié)構(gòu)的一部分變形以將所述第一接頭和所述第二接頭保持在所述溝槽中。
31.一種晶片，包括: 至少一個絕緣部分；以及 多個導(dǎo)電元件，所述多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述至少一個絕緣部分，其中: 所述至少一個絕緣部分包括至少一個突出部分，所述至少一個突出部分沿著所述至少一個絕緣部分的邊緣被延長，所述至少一個突出部分具有燕尾形橫截面。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的晶片，其中:所述至少一個絕緣部分包括第一絕緣部分和第二絕緣部分； 所述多個導(dǎo)電元件包括延伸穿過所述第一絕緣部分的第一多個導(dǎo)電元件以及延伸穿過所述第二絕緣部分的第二多個導(dǎo)電元件；以及 所述至少一個突出部分包括所述第一絕緣部分的第一突出部分以及所述第二絕緣部分的第二突出部分，所述第一突出部分和所述第二突出部分中的每個具有梯形橫截面，使得當(dāng)所述第一絕緣部分和所述第二絕緣部分保持在一起時，所述第一突出部分和所述第二突出部分整體地形成具有所述燕尾形橫截面的所述至少一個突出部分。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的晶片，包括第一晶片半部和第二晶片半部，所述第一晶片半部包括所述第一絕緣部分和所述第一多個導(dǎo)電元件，所述第二晶片半部包括所述第二絕緣部分和所述第二多個導(dǎo)電元件，以及其中，所述第一晶片半部和所述第二晶片半部被相同地制造。
34.一種包括多個晶片的電連接器，每個晶片包括: 至少一個絕緣部分；以及 多個導(dǎo)電元件，所述多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述至少一個絕緣部分，其中: 所述至少一個絕緣部分包括至少一個突出部分，所述至少一個突出部分沿著所述至少一個絕緣部分的邊緣被延長，所述至少一個突出部分具有燕尾形橫截面。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的電連接器，還包括至少一個外殼，所述至少一個外殼具有形成在所述至少一個外殼 的內(nèi)側(cè)壁上的至少一個溝槽，所述至少一個溝槽具有與所述多個晶片中的晶片的突出部分的燕尾形橫截面匹配的燕尾形橫截面。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的電連接器，其中，所述晶片的燕尾形突出部分被插入所述至少一個外殼的至少一個燕尾形溝槽中，使得所述晶片形成所述電連接器的結(jié)構(gòu)件。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電連接器，其中，所述晶片的燕尾形突出部分通過所述至少一個外殼的變形部分被保持在所述至少一個外殼的所述至少一個燕尾形溝槽中，所述至少一個外殼的所述變形部分至少部分地阻塞所述至少一個燕尾形溝槽的開口。
38.一種用于電連接器的晶片，所述晶片包括: 第一部件，所述第一部件包括: 第一絕緣部分，所述第一絕緣部分包括第一表面和第二表面；以及第一多個導(dǎo)電元件，所述第一多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述第一絕緣部分；以及第二部件，所述第二部件固定至所述第一部件，所述第二部件具有類似于所述第一部件的形狀并且包括: 第二絕緣部分，所述第二絕緣部分包括第三表面和第四表面；以及 第二多個導(dǎo)電元件，所述第二多個導(dǎo)電元件延伸穿過所述第二絕緣部分； 其中，所述第二部件被定位成所述第三表面面對所述第一表面，以及所述第二表面包括損耗部分，所述損耗部分在與所述第一多個導(dǎo)電兀件垂直的方向上延伸。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的晶片，其中，所述損耗部分為第二損耗部分，以及其中，所述第一表面包括第一損耗部分，所述第一損耗部分在與所述第一多個導(dǎo)電元件垂直的方向上延伸。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的晶片，其中，所述第一損耗部分和所述第二損耗部分被包覆模制到所述第一部件上，以及其中，所述第一部件包括至少一個結(jié)構(gòu)元件，所述至少一個結(jié)構(gòu)元件被配置成使得熔化的損耗材料能夠從所述第一表面流至所述第二表面或從所述第二表面流至所述第一表面。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的晶片，其中，所述第一多個導(dǎo)電元件包括第一導(dǎo)電元件，以及其中，被配置成使得熔化的損耗材料能夠從所述第一表面流至所述第二表面或從所述第二表面流至所述第一表面的所述至少一個結(jié)構(gòu)元件包括在所述第一導(dǎo)電元件中的開口。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的晶片，其中，所述損耗部分包括附接至所述第一部件的所述第二表面的延長的損耗件。
43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的晶片，其中，所述損耗部分為第一損耗部分，以及其中，所述第四表面包括第二損耗部分，所述第二損耗部分在與所述第二多個導(dǎo)電元件垂直的方向上延伸。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的晶片，還包括布置在所述第一表面和所述第三表面之間的延長的損耗件。
45.—種連接器,包括: 絕緣部分和多個導(dǎo)電元件，所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括從所述絕緣部分延伸的梁，所述梁布置成多個列，每列包括第一梁和第二梁，其中: 所述第一梁與被配置為接地導(dǎo)體的第一導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)； 所述第一梁包括在所述第一梁的遠(yuǎn)端附近的第一接觸區(qū)域，所述第一接觸區(qū)域具有第一寬度； 所述第二梁與被配置為信號導(dǎo)體的第二導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)；以及 所述第二梁包括在所述第二梁的遠(yuǎn)端附近的第二接觸區(qū)域，所述第二接觸區(qū)域具有比所述第一寬度大的第二寬度。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的連接器，其中: 所述第二梁還包括: 在所述遠(yuǎn)端處的接頭部分，所述接頭部分鄰近于所述第二接觸區(qū)域，所述接頭部分具有比所述第二寬度小的接頭寬度；以及 鄰近于所述第二接觸區(qū)域的頸部，所述頸部與所述接頭部分相對，所述頸部具有比所述第二寬度小的頸寬度。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的連接器，其中: 所述接頭部分與所述頸部之間的距離在0.2mm至Imm之間。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的連接器，其中: 所述第二寬度與所述頸寬度之間的比率在2:1至2.5:1之間。
49.根據(jù)權(quán)利要求45所述的連接器，其中，所述連接器為第一連接器，所述絕緣部分為第一絕緣部分，以及所述多個導(dǎo)電元件為第一多個導(dǎo)電元件，以及其中，所述第一連接器與適于與所述第一連接器配合的第二連接器組合，所述第二連接器包括: 第二絕緣部分和第二多個導(dǎo)電元件，所述第二多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括從所述第二絕緣部分延伸的焊盤，所述焊盤布置成多個列，每列包括第一焊盤和第二焊盤，其中: 所述第一焊盤與被配置為接地導(dǎo)體的第三導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)； 所述第一焊盤包括適于與所述第一梁的所述第一接觸區(qū)域電接觸的第三接觸區(qū)域，所述第三接觸區(qū)域具有第三寬度； 所述第二焊盤與被配置為信號導(dǎo)體的第四導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)；以及 所述第二焊盤包括適于與所述第二梁的所述第二接觸區(qū)域電接觸的第四接觸區(qū)域，所述第四接觸區(qū)域具有比所述第三寬度小的第四寬度。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的連接器，其中，對于每列，所述第一梁的第一中心線與所述第一焊盤的第一邊緣之間的、沿著所述列的第一方向的第一距離與所述第二焊盤的第二中心線與所述第二梁的第二邊緣之間的、沿著所述列的第二方向的第二距離匹配。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的電互連系統(tǒng)，其中: 所述第一連接器還包括第三梁，所述第三梁、所述第一梁和所述第二梁依次布置；以及 所述第一焊盤的所述第三接觸區(qū)域的所述第三寬度比所述第三梁與所述第一梁之間的距離寬，使得所述第三接觸區(qū)域能夠同時與所述第三梁和所述第一梁電連接。
52.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電互連系統(tǒng)，其中: 所述第一梁和所述第二梁相鄰； 所述連接器還包括第三梁和第四梁，所述第一梁、所述第二梁、所述第三梁和所述第四梁依次布置； 所述第三梁與被配置為信號導(dǎo)體的第三導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)； 所述第三梁包括在所述第三梁的遠(yuǎn)端附近的第三接觸區(qū)域，所述第三接觸區(qū)域具有所述第二寬度； 所述第四梁與被配置為接地導(dǎo)體的第四導(dǎo)電元件相關(guān)聯(lián)；以及 所述第四梁包括在所述第四梁的遠(yuǎn)端附近的第四接觸區(qū)域，所述第四接觸區(qū)域具有所述第一寬度。
53.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電互連系統(tǒng)，其中: 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件還包括附接端；以及 所述連接器還包括多個焊球，所述多個焊球中的每個焊球附接至所述多個導(dǎo)電元件中的相應(yīng)的導(dǎo)電元件的附接端。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的電互連系統(tǒng)，其中: 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件的所述附接端在尖端處變窄以形成變窄的區(qū)域，以及相應(yīng)的焊球附接至變窄的區(qū)域。
55.一種用于電連接器的晶片，所述晶片包括: 多個導(dǎo)電元件，所述導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括梁形接觸部分，所述多個導(dǎo)電元件的所述接觸部分布置成列，以及每個接觸部分包括在所述梁形接觸部分中的開口，所述開口具有封閉的周邊。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的晶片，其中: 所述多個導(dǎo)電元件包括多對導(dǎo)電元件，以及對于每對導(dǎo)電元件，第一接觸部分和第二接觸部分具有邊緣至邊緣間隔，所述邊緣至邊緣間隔在所述第一接觸部分和所述第二接觸部分中的每個接觸部分的區(qū)域上是均勻的；以及 所述第一接觸部分和所述第二接觸部分中的所述開口布置在所述區(qū)域中。
57.根據(jù)權(quán)利要求55所述的晶片，其中: 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件在所述梁形接觸部分的區(qū)域上具有均勻的寬度； 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件中的所述開口布置在所述區(qū)域中；以及 所述開口朝向所述梁形接觸部分的遠(yuǎn)端比所述梁形接觸部分的近端寬。
58.根據(jù)權(quán)利要求55所述的晶片，其中: 對于所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件，所述開口為淚狀物狀。
59.根據(jù)權(quán)利要求55所述的晶片，其中: 所述晶片還包括保持所述多個導(dǎo)電元件的絕緣部分；以及 對于所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件，所述梁形接觸部分從所述絕緣部分延伸。
60.根據(jù)權(quán)利要求55所述的晶片，其中: 每個接觸部分中的所述開口被定形成當(dāng)所述梁形接觸部分偏轉(zhuǎn)時沿著所述接觸部分的長度均勻地分配力。
61.—種電連接器,包括: 絕緣部分；以及 多個導(dǎo)電元件，所述導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件包括從所述絕緣部分延伸的梁，所述梁布置成多個列，每列包括相鄰的梁對，所述對中的所述梁均包括開口，每個開口在相應(yīng)的梁的遠(yuǎn)端附件較寬以及在所述相應(yīng)的梁的近端附近較窄，其中，所述相應(yīng)的梁的所述遠(yuǎn)端包括單個接觸區(qū)域。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的電連接器，其中，對于所述多列中的每列中的每個相鄰的梁對，所述相鄰的梁之間的邊緣至邊緣間隔在密封所述相鄰的梁中的所述開口的區(qū)域上是均勻的。
63.根據(jù)權(quán)利要求61所述的電連接器，其中: 對于所述多列中的每列中的每對，所述對中的所述開口和所述梁被配置成當(dāng)所述梁偏轉(zhuǎn)時提供均勻的阻抗以及沿著所述梁均勻地分配力。
64.根據(jù)權(quán)利要求61所述的電連接器，其中: 所述多個導(dǎo)電元件中的每列還包括鄰近于所述相鄰的梁對中的第三梁；所述相鄰的梁對的所述開口具有第一形狀；以及 所述第三梁具有與所述第一形狀不同的第二形狀的第三開口。
65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的電連接器，其中，所述第三開口沿著所述第三梁的至少一部分具有均勻的寬度。
66.根據(jù)權(quán)利要求61所述的電連接器，其中，所述梁每個具有單一的結(jié)構(gòu)。
67.一種電子組件，包括: 印刷電路板PCB ;以及 耦接至所述PCB的連接器，所述連接器包括絕緣殼體以及插入所述絕緣殼體中的第一晶片和第 晶片，其中: 所述第一晶片包括至少一個第一配合接觸部分和至少一個第一接點尾線，所述至少一個第一接點尾線電耦接至所述PCB中的至少一個第一導(dǎo)電元件； 所述第二晶片包括至少一個第二配合接觸部分和至少一個第二接點尾線，所述至少一個第二接點尾線電耦接至所述PCB中的至少一個第二導(dǎo)電元件； 所述第一晶片插入形成在所述絕緣殼體的內(nèi)側(cè)壁上的第一通道中；所述第二晶片插入形成在所述絕緣殼體的所述內(nèi)側(cè)壁上的第二通道中，所述第二通道平行于所述第一通道； 所述絕緣殼體包括第一蓋部分和第二蓋部分，所述第一蓋部分機(jī)械地接合所述第一晶片的所述至少一個第一配合接觸部分，所述第二蓋部分機(jī)械地接合所述第二晶片的所述至少一個第二配合接觸部分； 所述連接器還包括支承件，所述支承件被插入形成在所述絕緣殼體的內(nèi)側(cè)壁上的第三通道中，所述第三通道在所述第一通道與所述第二通道之間； 所述支承件包括至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件，所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件機(jī)械地接合所述第一蓋部分以抵消由所述第一晶片的所述至少一個第一配合接觸部分生成的力，所述第一支承結(jié)構(gòu)元件與所述PCB電隔離；以及 所述支承件還包括至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件，所述至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件機(jī)械地接合所述第二蓋部分以抵消由所述第二晶片的所述至少一個第二配合接觸部分生成的力。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的電子組件，其中，所述第一蓋部分和所述第二蓋部分與所述絕緣殼體為一體。
69.根據(jù)權(quán)利要求67所述的電子組件，其中，所述絕緣殼體包括蓋部件，以及其中，所述蓋部件包括所述第一蓋部分和所述第二蓋部分。
70.根據(jù)權(quán)利要求67所述的電子組件，其中，所述第一蓋部分包括第一凹部和第二凹部，以及其中，所述第一晶片的所述至少一個第一配合接觸部分插入所述第一凹部中以及所述支承件的所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件插入所述第二凹部中。
71.根據(jù)權(quán)利要 求67所述的電子組件，其中，所述支承件包括平面絕緣部分，以及其中，所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件和所述至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件從所述平面絕緣部分延伸。
72.根據(jù)權(quán)利要求71所述的電子組件，其中，所述至一個第一支承結(jié)構(gòu)元件和所述至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件包括柔性導(dǎo)電材料。
73.—種連接器，包括: 絕緣殼體；以及 插入所述絕緣殼體中的第一晶片和第二晶片，其中: 所述第一晶片包括由所述第一晶片的第一絕緣部分部分地密封的第一多個導(dǎo)電元件； 所述第二晶片包括由所述第二晶片的第二絕緣部分部分地密封的第二多個導(dǎo)電元件； 所述第一晶片插入形成在所述絕緣殼體的內(nèi)側(cè)壁上的第一通道中； 所述第二晶片插入形成在所述絕緣殼體的所述內(nèi)側(cè)壁上的第二通道中，所述第二通道平行于所述第一通道； 所述絕緣殼體包括第一蓋部分和第二蓋部分，所述第一蓋部分機(jī)械地接合所述第一晶片的所述第一多個導(dǎo)電元件的配合接觸部分，所述第二蓋部分機(jī)械地接合所述第二晶片的所述第二多個導(dǎo)電元件的配合接觸部分； 所述連接器還包括支承件，所述支承件被插入形成在所述絕緣殼體的所述內(nèi)側(cè)壁上的第三通道中，所述第三通道在所述第一通道與所述第二通道之間； 所述支承件包括至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件，所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件機(jī)械地接合所述第一蓋部分以抵消由所述第一晶片的所述第一多個導(dǎo)電元件的所述配合接觸部分生成的力；以及 所述支承件還包括至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件，所述至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件機(jī)械地接合所述第二蓋部分以抵消由所述第二晶片的所述第二多個導(dǎo)電元件的所述配合接觸部分生成的力。
74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的連接器，其中，所述第一蓋部分和所述第二蓋部分與所述絕緣殼體為一體。
75.根據(jù)權(quán)利要求73所述的連接器，其中，所述絕緣殼體包括蓋部件，以及其中，所述蓋部件包括所述第一蓋部分和所述第二蓋部分。
76.根據(jù)權(quán)利要求73所述的連接器，其中，所述第一蓋部分包括第一凹部和第二凹部，以及其中，所述第一晶片的所述第一多個導(dǎo)電元件的所述配合接觸部分插入所述第一凹部中以及所述支承件的所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件插入所述第二凹部中。
77.根據(jù)權(quán)利要求73所述的連接器，其中，所述支承件包括平面絕緣部分，以及其中，所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件和所述至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件從所述平面絕緣部分延伸。
78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的連接器，其中，所述至少一個第一支承結(jié)構(gòu)元件和所述至少一個第二支承結(jié)構(gòu)元件包括柔性導(dǎo)電材料。
79.根據(jù)權(quán)利要求73所述 的連接器，其中，所述支承件為單一構(gòu)件。
80.根據(jù)權(quán)利要求73所述的連接器，其中，所述第一晶片的所述第一多個導(dǎo)電元件適于攜帶電力。
81.根據(jù)權(quán)利要求80所述的連接器，其中，所述第一晶片的所述第一多個導(dǎo)電元件適于以高于38V的電壓攜帶電力。
82.根據(jù)權(quán)利要求80所述的連接器，其中，所述第一晶片的所述第一多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件適于攜帶約IA至2A的電流。
83.一種包括部件封裝的電子組件，所述封裝包括: 布置成多個列的多個焊盤，每列包括: 多個第一形狀的焊盤，每個所述第一形狀的焊盤沿著相應(yīng)的軸被延長，并且包括沿著所述相應(yīng)的軸布置在所述焊盤的相對端上的第一焊料附接區(qū)域和第二焊料附接區(qū)域，以及 多個第二形狀的焊盤，每個所述第二形狀的焊盤沿著相應(yīng)的軸被延長，并且包括沿著所述相應(yīng)的軸布置在所述焊盤的相對端上的焊料附接區(qū)域和通孔區(qū)域， 其中，在每列內(nèi)，所述焊盤以重復(fù)模式布置，依次包括: 所述第一形狀的第一焊盤，所述第一形狀的第一焊盤的所述相應(yīng)的軸相對于所述列以第一角度傾斜； 所述第二形狀的第一焊盤，所述第二形狀的第一焊盤具有在所述列的第一側(cè)的所述焊料附接區(qū)域，所述第二形狀的第一焊盤的所述相應(yīng)的軸相對于所述列以第二角度傾斜； 所述第二形狀的第二焊盤，所述第二形狀的第二焊盤具有在所述列的第一側(cè)的所述焊料附接區(qū)域，所述第二形狀的第二焊盤的所述相應(yīng)的軸相對于所述列以第三角度傾斜；所述第一形狀的第二焊盤，所述第一形狀的第二焊盤的所述相應(yīng)的軸相對于所述列以第四角度傾斜； 所述第二形狀的第三焊盤，所述第二形狀的第三焊盤具有在所述列的第二側(cè)的所述焊料附接區(qū)域，所述第二形狀的第三焊盤的所述相應(yīng)的軸相對于所述列以第五角度傾斜；以及 所述第二形狀的第四焊盤，所述第二形狀的第四焊盤具有在所述列的第二側(cè)的所述焊料附接區(qū)域，所述第二形狀的第四焊盤的所述相應(yīng)的軸相對于所述列以第六角度傾斜。
84.根據(jù)權(quán)利要求83所述的電子組件，其中: 所述第一角度和所述第四角度具有相同的大小和相反的方向。
85.根據(jù)權(quán)利要求84所述的電子組件，其中: 所述第二角度和所述第三角度具有相同的大小和相反的方向。
86.根據(jù)權(quán)利要求85所述的電子組件，其中: 所述第二角度和所述第六角度相同。
87.根據(jù)權(quán)利要求86所述的電子組件，其中: 所述第三角度和所述第五角度相同。
88.根據(jù)權(quán)利要求83所述的電子組件，其中: 所述多個第一形狀的焊盤中的每個焊盤包括至少一個通孔區(qū)域；以及 在每個列內(nèi)，所述第一形狀的焊盤的所述通孔區(qū)域和所述第二形狀的焊盤的所述通孔區(qū)域沿著所述列的中心線布置。
89.根據(jù)權(quán)利要求83所述的電子組件，其中，在每個列內(nèi): 所述第一形狀的第一焊盤的所述第一焊料附接區(qū)域和所述第一形狀的第二焊盤的所述第二焊料附接區(qū)域與所述第二形狀的第一焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第二形狀的第二焊盤的所述焊料附接區(qū)域沿著在所述列的所述第一側(cè)的第一線對準(zhǔn)。
90.根據(jù)權(quán)利要求89所述的電子組件，其中，在每個列內(nèi): 所述第一形狀的第一焊盤的所述第二焊料附接區(qū)域和所述第一形狀的第二焊盤的所述第一焊料附接區(qū)域與所述第二形狀的第三焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第二形狀的第四焊盤的所述焊料附接區(qū)域沿著在所述列的與所述第一側(cè)相對的所述第二側(cè)的第二線對準(zhǔn)。
91.一種包括部件封裝的電子組件，所述封裝包括: 布置成多個列的多個焊盤，每列包括: 多個第一形狀的焊盤，每個所述第一形狀的焊盤沿著相應(yīng)的軸被延長，并且包括沿著所述相應(yīng)的軸布置在所述焊盤的相對端上的第一焊料附接區(qū)域和第二焊料附接區(qū)域；以及 多個第二形狀的焊盤，每個所述第二形狀的焊盤沿著相應(yīng)的軸被延長，并且包括沿著所述相應(yīng)的軸在所述焊盤的相對端上布置的焊料附接區(qū)域和通孔區(qū)域； 其中，在每列內(nèi)，所述焊盤以重復(fù)模式布置，使得: 相鄰的所述第一形狀的焊盤以相對于所述列方向交替的角度對準(zhǔn)，使得在所述列的相對側(cè)上，在所述相鄰的第一形狀的焊盤的焊料附接區(qū)域之間存在較大的分離和較小的分離；以及 在所述相鄰的第一形狀的焊盤之間布置有所述第二形狀的焊盤對，所述第二形狀的焊盤對被定位成所述第二形狀的焊盤對的所述焊料附接區(qū)域以所述較大的分離被定位。
92.根據(jù)權(quán)利要求91所述的電子組件，其中: 所述第一形狀的焊盤中的每個焊盤包括在所述第一焊料附接區(qū)域與所述第二焊料附接區(qū)域之間的至少一個通孔區(qū)域；以及 在每個列內(nèi)，所述第一形狀的焊盤的所述焊料附接區(qū)域與所述第二形狀的焊盤的所述焊料附接區(qū)域沿著所述列對準(zhǔn)。
93.根據(jù)權(quán)利要求92所述的電子組件，其中: 所述封裝包括所述多個列中的相鄰列中的所述第一形狀的焊盤和所述第二形狀的焊盤的對準(zhǔn)的通孔之間的路由通道。
94.根據(jù)權(quán)利要求92所述的電子組件，其中: 所述組件包括印刷電路板，所述印刷電路板包括表面；以及 所述第一形狀的焊盤和所述第二形狀的焊盤形成在所述印刷電路板的所述表面上。
95.根據(jù)權(quán)利要求91所述的電子組件，其中: 每列包括所述第二形狀的焊盤的第一對和所述第二形狀的焊盤的第二對，所述第二形狀的焊盤的第一對具有布置在所述列的中心線的一側(cè)的焊料附接區(qū)域，以及所述第二形狀的焊盤的第二對具有布置在所述列的所述中心線的另一側(cè)的焊料附接區(qū)域。
96.一種包括部件封裝的電子組件，所述封裝包括: 至少布置成第一列和與所述第一列相鄰的第二列的多個焊盤，其中: 所述第一列包括第一形狀的第一焊盤和第一形狀的第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤中的每個焊盤沿著相應(yīng)的軸被延長，所述相應(yīng)的軸相對于所述第一列成角度； 所述第一列還包括第二形狀的第三焊盤和第二形狀的第四焊盤，所述第三焊盤和所述第四焊盤中的每個焊盤包括布置在所述第一列的面對所述第二列的第一側(cè)的焊料附接區(qū)域； 所述第二列包括所述第一形狀的第五焊盤和所述第一形狀的第六焊盤；以及所述第三焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第四焊盤的所述焊料附接區(qū)域通常被所述第一焊盤、所述第二焊盤、所述第五焊盤和所述第六焊盤包圍。
97.根據(jù)權(quán)利要求96所述的電子組件，其中: 所述第一焊盤包括第一焊料附接區(qū)域和第二焊料附接區(qū)域，所述第一焊料附接區(qū)域布置在所述第一列的面對所述第二列的所述第一側(cè)，以及所述第二焊料附接區(qū)域布置在所述第一列的遠(yuǎn)離所述第二列的第二側(cè)； 所述第二焊盤包括第三焊料附接區(qū)域和第四焊料附接區(qū)域，所述第三焊料附接區(qū)域布置在所述第一列的遠(yuǎn)離所述第二列的所述第二`側(cè)，以及所述第四焊料附接區(qū)域布置在所述第一列的面對所述第二列的所述第一側(cè)； 所述第五焊盤和所述第六焊盤中的每個焊盤包括布置在所述第二列的面對所述第一列的一側(cè)的焊料附接區(qū)域；以及 所述第三焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第四焊盤的所述焊料附接區(qū)域通常由所述第一焊料附接區(qū)域、所述第二焊料附接區(qū)域、所述第三焊料附接區(qū)域、所述第四焊料附接區(qū)域以及所述第五焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第六焊盤的所述焊料附接區(qū)域包圍。
98.根據(jù)權(quán)利要求97所述的電子組件，其中:所述封裝的由所述第一焊料附接區(qū)域、所述第二焊料附接區(qū)域、所述第三焊料附接區(qū)域、所述第四焊料附接區(qū)域以及所述第五焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第六焊盤的所述焊料附接區(qū)域形成的區(qū)域除了所述第三焊盤和所述第四焊盤之外不具有所述第二形狀的焊盤。
99.根據(jù)權(quán)利要求97所述的電子組件，其中: 所述第一焊料附接區(qū)域和所述第四焊料附接區(qū)域通常沿著在所述第一列的面對所述第二列的所述第一側(cè)的線與所述第三焊盤的所述焊料附接區(qū)域和所述第四焊盤的所述焊料附接區(qū)域?qū)?zhǔn)。
100.根據(jù)權(quán)利要求96所述的電子組件，其中，所述第一焊盤、所述第二焊盤、所述第三焊盤和所述第四焊盤分別還包括第一通孔區(qū)域、第二通孔區(qū)域、第三通孔區(qū)域和第四通孔區(qū)域，所述第一通孔區(qū)域、所述第二通孔區(qū)域、所述第三通孔區(qū)域和所述第四通孔區(qū)域通常沿著線對準(zhǔn)。
101.根據(jù)權(quán)利要求100所述的電子組件，其中，所述線為第一線，以及其中， 所述第五焊盤和所述第六焊盤分別還包括第五通孔區(qū)域和第六通孔區(qū)域，所述第五通孔區(qū)域和所述第六通孔區(qū)域沿著通常平行于所述第一線的第二線對準(zhǔn)。
102.根據(jù)權(quán)利要求101所述的電子組件，其中，所述第一線與所述第二線之間的所述封裝的通道區(qū)域不具有通孔。
103.根據(jù)權(quán)利要求101所述的電子組件，其中，所述通道區(qū)域的寬度至少為所述第一線與所述第二線之間的距離的二分之一。
104.根據(jù)權(quán)利要求103所述`的電子組件，其中，所述通道區(qū)域的所述寬度至少為所述第一線與所述第二線之間的距離的三分之二。
105.根據(jù)權(quán)利要求97所述的電子組件，其中，所述第二焊盤具有單個通孔。
106.根據(jù)權(quán)利要求97所述的電子組件，其中，所述第二焊盤具有兩個通孔。
【文檔編號】H01R13/648GK103477503SQ201280017349
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年2月2日 優(yōu)先權(quán)日:2011年2月2日
【發(fā)明者】大衛(wèi)·M·麥克納馬拉, 布賴恩·柯克 申請人:安費(fèi)諾有限公司