感生熱梯度的制作方法
【專(zhuān)利摘要】確定第一管芯上的第一熱傳感器與第二熱傳感器之間的溫度差；將溫度差從第一管芯傳送到第二管芯上的電路。確定來(lái)自第二管芯上的熱傳感器的溫度。在第二管芯上利用溫度差和來(lái)自熱傳感器的溫度來(lái)更改第二管芯上的一個(gè)或多個(gè)電路的操作特性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】感生熱梯度
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的實(shí)施例更具體地涉及用于容許半導(dǎo)體器件中的感生熱梯度的技術(shù)。
[0002]直量
[0003]半導(dǎo)體器件在操作時(shí)產(chǎn)生熱能量。由于熱能量可能不是均勻的，因此可能存在熱梯度。隨著系統(tǒng)變得越小且半導(dǎo)體器件被更緊密地包裝，這可能導(dǎo)致器件之間的機(jī)械耦合。這種緊機(jī)械耦合可能導(dǎo)致半導(dǎo)體器件彼此之間的非期望感生熱梯度。
[0004]這些非期望熱梯度可能導(dǎo)致操作誤差。例如，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中，非期望熱梯度可能導(dǎo)致不適當(dāng)?shù)乃⑿骂l率以及甚至數(shù)據(jù)丟失。
[0005]附圖簡(jiǎn)沭
[0006]本發(fā)明的各實(shí)施例在各附圖中是以示例方式而非限定方式示出的，在附圖中相似的附圖標(biāo)記指代相似的要素。
[0007]圖1是具有與處理器/邏輯管芯層疊的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的封裝的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
[0008]圖2是具有單個(gè)傳感器的第一管芯和具有多個(gè)傳感器的第二管芯的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
[0009]圖3是用于使用溫度差信息來(lái)操作存儲(chǔ)器陣列的技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0010]圖4是電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011 ] 在以下描述中，陳述了多個(gè)具體細(xì)節(jié)。然而，本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下也可實(shí)踐。在其他實(shí)例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)未被詳細(xì)示出，以免混淆對(duì)本描述的理解。
[0012]當(dāng)處理器(或芯片上系統(tǒng)，SoC)和DRAM管芯被層疊時(shí)，可能在DRAM與邏輯芯片之間有小的熱梯度。邏輯芯片典型地包含若干熱傳感器，這些熱傳感器被用來(lái)監(jiān)視邏輯芯片的各個(gè)部分上的溫度并且通常被放置在預(yù)期有局部化熱點(diǎn)之處。邏輯芯片可跨與該邏輯芯片中的更多和更少活躍區(qū)相對(duì)應(yīng)的管芯展現(xiàn)高熱梯度。
[0013]DRAM芯片可展現(xiàn)基于溫度的可變保留時(shí)間。低功率DRAM芯片可在稱(chēng)為“溫度補(bǔ)償自刷新”的特征中使用此屬性。這可降低自刷新期間的刷新頻率，由此降低較低溫度下的待機(jī)功耗。典型地，DRAM芯片具有單個(gè)熱傳感器，因?yàn)镈RAM芯片通常具有相對(duì)均勻的功率分布。然而，當(dāng)與具有非均勻功率分布的邏輯芯片緊密耦合時(shí)，DRAM熱傳感器可能并不位于DRAM芯片的最熱點(diǎn)的附近。這可能導(dǎo)致DRAM以不恰當(dāng)?shù)牡退俾蔬M(jìn)行刷新，這會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
[0014]本文中描述的技術(shù)通過(guò)一種或多種策略來(lái)解決此問(wèn)題。在一個(gè)實(shí)施例中，可針對(duì)層疊上的所有器件標(biāo)準(zhǔn)化熱傳感器的位置。位置可被指定為例如與不能用于DRAM中的存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域中的標(biāo)準(zhǔn)化垂直互聯(lián)陣列的特定偏移量。在一個(gè)實(shí)施例中，SoC(或其他計(jì)算元件)可計(jì)算最熱點(diǎn)與標(biāo)準(zhǔn)位置之間的溫度差。在一個(gè)實(shí)施例中，模式寄存器可被SoC (或其他計(jì)算元件)用來(lái)與DRAM就標(biāo)準(zhǔn)位置與熱點(diǎn)之間的溫度差進(jìn)行通信。DRAM可在隨后利用此差異來(lái)相應(yīng)地設(shè)置刷新速率。
[0015]在替代實(shí)施例中，技術(shù)可適于在沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)熱傳感器位置的情況下起作用。在這些實(shí)施例中，SoC(或其他計(jì)算元件)可計(jì)算跨其管芯的最大溫度梯度并使用此信息來(lái)編程DRAM偏移量溫度。這可允許DRAM比絕對(duì)需要更頻繁地刷新其內(nèi)容，這可導(dǎo)致增大的功耗，但是可防止數(shù)據(jù)丟失。
[0016]圖1是具有與處理器/邏輯管芯層疊的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的封裝的一個(gè)實(shí)施例的框圖。在圖1的示例中，例示了包含存儲(chǔ)器陣列(例如，DRAM)的若干管芯；然而，可支持任何數(shù)目的存儲(chǔ)器管芯。
[0017]集成電路封裝120可以是本領(lǐng)域公知的任何類(lèi)型的封裝，該封裝具有本領(lǐng)域公知的任何類(lèi)型的接口(例如，球柵陣列等)。在封裝120內(nèi)，邏輯管芯140可被電耦合至接口。一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器模塊150可被電耦合至邏輯管芯140。邏輯管芯140可以是例如處理器管芯、芯片上系統(tǒng)(SoC)管芯或可具有不均勻熱圖案的任何其他管芯。
[0018]一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器模塊150也可物理連接至邏輯管芯140，其可具有一個(gè)或多個(gè)管芯的熱結(jié)果。由于邏輯管芯140可具有不均勻熱梯度，所以邏輯管芯140與存儲(chǔ)器模塊150中的一個(gè)或多個(gè)之間的物理連接，存儲(chǔ)器模塊150中的一個(gè)或多個(gè)的熱梯度可能并非如所預(yù)期的。典型地，存儲(chǔ)器模塊(例如，DRAM)跨管芯具有相對(duì)一致的溫度，因?yàn)榇鎯?chǔ)器模塊上的電路利用是相對(duì)分布式的。
[0019]因此，熱傳感器在存儲(chǔ)器模塊管芯上的放置可能是相對(duì)不重要的。即，當(dāng)存儲(chǔ)器模塊在沒(méi)有任何外部熱影響的情況下操作時(shí)，單個(gè)熱傳感器可能是足夠的，并且熱傳感器的位置可能相對(duì)靈活。
[0020]與存儲(chǔ)器模塊相比，邏輯管芯具有被一致且頻繁使用的電路，這導(dǎo)致這些區(qū)域中較高的操作溫度。因此，邏輯管芯通常具有位于較高預(yù)期溫度的位置處的熱傳感器，從而可監(jiān)視這些熱點(diǎn)。當(dāng)邏輯管芯與另一管芯(例如，存儲(chǔ)器管芯150)形成接觸時(shí)，邏輯管芯上的熱點(diǎn)可能造成存儲(chǔ)器管芯上相應(yīng)的熱點(diǎn)。因而，來(lái)自存儲(chǔ)器管芯熱傳感器的熱信息可能是不準(zhǔn)確的。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管芯150具有在已知位置處的熱傳感器。即，每個(gè)傳感器管芯可具有相同的熱傳感器位置。邏輯管芯140可在緊鄰或基本上毗鄰存儲(chǔ)器管芯150的熱傳感器的位置處具有相對(duì)應(yīng)的熱傳感器。邏輯管芯140也可在例如對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)熱點(diǎn)的其他位置處具有熱傳感器。
[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，邏輯管芯可確定熱點(diǎn)處的熱傳感器與同存儲(chǔ)器模塊中的熱傳感器相對(duì)應(yīng)的熱傳感器之間的溫度差。邏輯管芯上的熱傳感器之間的溫度差可被存儲(chǔ)器模塊用來(lái)確定對(duì)由存儲(chǔ)器模塊上的熱傳感器所指示的溫度的調(diào)節(jié)?？苫诮?jīng)調(diào)節(jié)的溫度而非所測(cè)量的溫度來(lái)更改存儲(chǔ)器模塊的行為。
[0023]圖2是具有單個(gè)傳感器的第一管芯和具有多個(gè)傳感器的第二管芯的一個(gè)實(shí)施例的框圖。圖2的示例例示了兩個(gè)管芯，這兩個(gè)管芯可被層疊以使得來(lái)自一個(gè)管芯的熱可傳遞至另一個(gè)管芯。圖2的示例例示了僅兩個(gè)管芯，但是所例示的概念可適用于任何數(shù)量的
層疊管芯。[0024]管芯220可包括任何類(lèi)型的電路，例如，DRAM陣列，或者其他存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)235。管芯220包括與管理邏輯230耦合的熱傳感器240。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)管芯220包括DRAM時(shí)，管理邏輯230可用于從熱傳感器240讀取溫度信息并且可使用該溫度信息來(lái)更改存儲(chǔ)器陣列235的行為或操作。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列235的刷新速率可通過(guò)管理邏輯230基于來(lái)自熱傳感器240的信息來(lái)調(diào)節(jié)。
[0025]管芯250可包括邏輯電路，例如，處理器核、圖形處理器、芯片上系統(tǒng)(SoC)或其他邏輯275。管芯250可具有多種類(lèi)型的電路，例如，處理器核、高速緩存存儲(chǔ)器、收發(fā)器等。由于管芯250可具有帶不規(guī)則熱梯度的電路，因此管芯250可具有多個(gè)熱傳感器(例如，260，265)，這些傳感器中的一個(gè)將與熱傳感器240對(duì)準(zhǔn)。
[0026]在一個(gè)實(shí)施例中，熱傳感器240可被放置在管芯220上為管芯250的設(shè)計(jì)者和/或制造商所知的預(yù)定位置。熱傳感器260被定位成使得當(dāng)管芯220被層疊在管芯250上時(shí)，熱傳感器240和260將被對(duì)準(zhǔn)或在空間上足夠靠近，這樣來(lái)自熱傳感器260的溫度信息可與來(lái)自熱傳感器240的溫度信息一起使用。
[0027]控制電路270與熱傳感器260和265耦合，以收集溫度信息。在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路270確定熱傳感器265與熱傳感器260之間的溫度差?？刂齐娐?70可將此差異(或指示差異范圍的信息)傳送到管理邏輯230。在一個(gè)實(shí)施例中，管理邏輯230中的寄存器中的位被設(shè)置成指示溫度差(例如，O指示0-10度差異、I指示10+度差異)。在另一實(shí)施例中，多個(gè)位被用來(lái)提供更多粒度的范圍，或者可傳送實(shí)際溫度差。
[0028]管理邏輯230使用來(lái)自控制電路270的溫度差信息以及來(lái)自熱傳感器240的溫度信息來(lái)管理存儲(chǔ)器陣列235的操作。在一個(gè)實(shí)施例中，管理邏輯230控制存儲(chǔ)器陣列235的刷新速率。管理邏輯230可組合溫度差信息與來(lái)自熱傳感器240的溫度信息，以確定用于存儲(chǔ)器陣列235的管理的操作溫度值。例如，如果溫度差指示較高溫度，則管理邏輯230可增大存儲(chǔ)器陣列235的刷新速率。
[0029]圖3是用于使用溫度差信息來(lái)操作存儲(chǔ)器陣列的技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。參照附圖3描述的操作可通過(guò)跨一個(gè)或多個(gè)管散布的控制和/或管理電路來(lái)執(zhí)行。
[0030]附圖3的操作可適用于在物理上彼此接觸以使得可發(fā)生熱傳遞的多個(gè)管芯的配置。在一個(gè)實(shí)施例中，下管芯上的至少一個(gè)熱傳感器與上管芯上的至少一個(gè)傳感器對(duì)準(zhǔn)。在一個(gè)實(shí)施例中，下管芯包含邏輯電路，例如，處理器核或芯片上系統(tǒng)。上管芯可包含存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，例如，DRAM。在替換性實(shí)施例中，邏輯電路在上管芯上，而存儲(chǔ)器模塊在下管芯上。
[0031]在邏輯管芯上收集來(lái)自?xún)蓚€(gè)或更多個(gè)熱傳感器的溫度信息(310)。邏輯管芯可具有任何數(shù)目個(gè)熱傳感器，并且邏輯管芯上的一個(gè)或多個(gè)電路可通過(guò)利用從多個(gè)熱傳感器收集的溫度信息來(lái)管理邏輯管芯的操作。
[0032]針對(duì)管芯上的至少一對(duì)熱傳感器確定溫度差信息(320)。在一個(gè)實(shí)施例中，將用于確定溫度差的熱傳感器中的至少一個(gè)與存儲(chǔ)器模塊管芯上的相對(duì)應(yīng)的熱傳感器對(duì)準(zhǔn)。
[0033]在邏輯管芯與存儲(chǔ)器管芯之間傳送溫度差信息(330)。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)指示溫度差范圍的一個(gè)或多個(gè)比特來(lái)傳達(dá)溫度差，或者可傳送指示實(shí)際溫度差的數(shù)。例如，在單比特實(shí)施例中，O可指示第一范圍中的溫度差(例如，0-5度、0-10度、0-12度)，而I可指示第二范圍中的溫度差(例如，> 5度、> 10度、> 12度)。
[0034]在兩比特實(shí)施例中，可支持四個(gè)范圍。例如，00可指示第一范圍(例如，0-5度、0-7度、0-10度)，01可指示第二范圍(例如，6-10度、8-15度、11-20度)，10可指示第三范圍(例如，11-15度、16-20度、21-25度)，而11可指示第四范圍(例如，> 15度、> 20度、〉25度)。可類(lèi)似地支持具有不同比特?cái)?shù)目的其他實(shí)施例。
[0035]針對(duì)存儲(chǔ)器模塊聚集溫度信息(340)。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器模塊僅具有一個(gè)熱傳感器，該熱傳感器與邏輯管芯的熱傳感器中的一個(gè)對(duì)準(zhǔn)。在替代實(shí)施例中，存儲(chǔ)器模塊可具有多個(gè)熱傳感器。存儲(chǔ)器模塊可具有管理(或其他控制)電路，其利用溫度信息來(lái)管理存儲(chǔ)器模塊的操作。在一個(gè)實(shí)施例中，至少部分地基于存儲(chǔ)器模塊的操作溫度來(lái)確定存儲(chǔ)器陣列的刷新速率。
[0036]管理電路利用來(lái)自存儲(chǔ)器模塊熱傳感器的溫度信息以及溫度差信息來(lái)調(diào)節(jié)(若有必要的話(huà))存儲(chǔ)器模塊的操作參數(shù)(350)。在一個(gè)實(shí)施例中，可基于通過(guò)溫度差信息調(diào)節(jié)的所測(cè)得的溫度來(lái)確定存儲(chǔ)器模塊的刷新速率。也可調(diào)節(jié)其他操作參數(shù)。
[0037]在替代實(shí)施例中，可通過(guò)利用溫度差信息來(lái)作出其他調(diào)節(jié)。例如，如果兩個(gè)邏輯管芯被層疊，且相應(yīng)的熱傳感器不被對(duì)準(zhǔn)，則可在管芯之間共享溫度差信息，這將允許相應(yīng)的控制電路具有更準(zhǔn)確的信息，操作參數(shù)將基于該更準(zhǔn)確的信息。
[0038]圖4是電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。圖4中例不的電子系統(tǒng)旨在表不一系列電子系統(tǒng)(或者有線(xiàn)或者無(wú)線(xiàn))，包括例如臺(tái)式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、膝上型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、蜂窩電話(huà)、包括蜂窩啟用PDA之類(lèi)的個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、機(jī)頂盒。替換性電子系統(tǒng)可包括更多、更少和/或不同組件。
[0039]圖4中例示的組件中的一個(gè)或多個(gè)可在如上所描述的物理接觸的管芯上。例如，處理器410中的一個(gè)或多個(gè)以及作為存儲(chǔ)器420的部分的一個(gè)或多個(gè)DRAM模塊可如以上所描述地來(lái)布置。其他組件可被類(lèi)似地布置。
[0040]電子系統(tǒng)400包括用于傳達(dá)信息的總線(xiàn)405或其他通信設(shè)備，以及耦合至總線(xiàn)405的可處理信息的處理器410。雖然電子系統(tǒng)400被例示為具有單個(gè)處理器，但是電子系統(tǒng)400可包括多個(gè)處理器和/或協(xié)處理器。電子系統(tǒng)400還可包括耦合至總線(xiàn)405的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備420 (稱(chēng)為主存儲(chǔ)器)，且可存儲(chǔ)可由處理器410執(zhí)行的信息和指令。主存儲(chǔ)器420還可用于存儲(chǔ)處理器410執(zhí)行指令期間的臨時(shí)變量或其它中間信息。
[0041]電子系統(tǒng)400還可包括耦合至總線(xiàn)405的只讀存儲(chǔ)器(ROM)和/或其它靜態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備430，這些存儲(chǔ)器和/或存儲(chǔ)設(shè)備可存儲(chǔ)供處理器410使用的靜態(tài)信息和指令。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備440可被耦合至總線(xiàn)405來(lái)存儲(chǔ)信息和指令。諸如磁盤(pán)或光盤(pán)之類(lèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備440以及相應(yīng)驅(qū)動(dòng)可被耦合至電子系統(tǒng)400。
[0042]電子系統(tǒng)400也可經(jīng)由總線(xiàn)405耦合至顯示設(shè)備450，諸如陰極射線(xiàn)管(CRT)或液晶顯示屏(IXD)，用于向用戶(hù)顯示信息。包括字母數(shù)字和其他鍵的字母數(shù)字輸入設(shè)備460可被耦合至總線(xiàn)405以向處理器410傳達(dá)信息和命令選擇。另一類(lèi)型的用戶(hù)輸入設(shè)備是光標(biāo)控件470,諸如鼠標(biāo)、跟蹤球或光標(biāo)方向鍵,用于向處理器410傳達(dá)方向信息和命令選擇，以及用于控制顯示器450上的光標(biāo)移動(dòng)。
[0043]電子系統(tǒng)400還可包括用于提供對(duì)諸如局域網(wǎng)之類(lèi)的網(wǎng)絡(luò)的訪(fǎng)問(wèn)的網(wǎng)絡(luò)接口480。網(wǎng)絡(luò)接口 480可包括例如具有天線(xiàn)485的無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)接口，天線(xiàn)485可表示一個(gè)或多個(gè)天線(xiàn)。網(wǎng)絡(luò)接口 480還可包括例如用于經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)纜線(xiàn)487與遠(yuǎn)程設(shè)備通信的有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)接口，該網(wǎng)絡(luò)纜線(xiàn)可以是例如以太網(wǎng)纜線(xiàn)、同軸電纜、光纖電纜、串行纜線(xiàn)或并行纜線(xiàn)。
[0044]在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口 480可通過(guò)遵循IEEE802.1lb和/或IEEE802.1 Ig標(biāo)準(zhǔn)提供對(duì)局域網(wǎng)的訪(fǎng)問(wèn)，和/或無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)接口可通過(guò)遵循藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)提供對(duì)個(gè)域網(wǎng)的訪(fǎng)問(wèn)。也可支持其他無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)接口和/或協(xié)議。
[0045]IEEE802.1lb對(duì)應(yīng)于 1999年9月 16 日批準(zhǔn)的題為“Local and Metropolitan AreaNetworks,Partll:ffireless LAN Medium Access Control(MAC)and Physical Layer(PHY)Specifications:Higher-Speed Physical Layer Extension in the2.4GHz Band(局域網(wǎng)和城域網(wǎng)，第11部分:無(wú)線(xiàn)LAN媒體接入控制(MAC)和物理層(PHY)規(guī)范:2.4GHz頻帶中的高速物理層擴(kuò)展)”的IEEE Std.802.1 lb-1999以及相關(guān)文獻(xiàn)。ffiEE802.1lg對(duì)應(yīng)于2003年6月 27 日批準(zhǔn)的題為“Local and Metropolitan Area Networks,PartlI:ffireless LANMedium Access Control(MAC)and Physical Layer(PHY)Specifications:Higher-SpeedPhysical Layer Extension in the2.4GHz Band(局域網(wǎng)和城域網(wǎng)，第 11 部分:無(wú)線(xiàn) LAN媒體接入控制(MAC)和物理層(PHY)規(guī)范，修正:2.4GHz頻帶中的更高速率擴(kuò)展)”的IEEEStd.802.llg-2003以及相關(guān)文獻(xiàn)。在由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟公司(Bluetooth Special InterestGroup, Inc.)在 2001 年 2 月 22 日公布的 ““Specification of the Bluetooth System:Core, Versionl.1(藍(lán)牙系統(tǒng)規(guī)范:內(nèi)核，版本1.1) ”中描述了藍(lán)牙協(xié)議。也可支持藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)聯(lián)以及先前或后繼版本。
[0046]作為經(jīng)由無(wú)線(xiàn)LAN標(biāo)準(zhǔn)的通信的補(bǔ)充或替代，網(wǎng)絡(luò)接口 480可提供無(wú)線(xiàn)通信，該無(wú)線(xiàn)通信使用例如時(shí)分多址(TDMA)協(xié)議、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、碼分多址(CDMA)協(xié)議和/或任何其他類(lèi)型的無(wú)線(xiàn)通信協(xié)議。
[0047]在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”的引用意味著結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書(shū)各處中出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”并不一定全部指代同一實(shí)施例。
[0048]盡管已經(jīng)依據(jù)若干實(shí)施例描述了本發(fā)明，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到本發(fā)明不限于所述實(shí)施例，而是可利用所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的修改和改變來(lái)實(shí)施。如此，描述被視為說(shuō)明性的，而不是限制性的。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，包括: 具有熱傳感器的第一管芯； 具有第一熱傳感器和第二熱傳感器的第二管芯，所述第二管芯在物理上緊鄰所述第一管芯，而所述第一管芯的所述熱傳感器與所述第二管芯的所述第一熱傳感器對(duì)準(zhǔn)； 與所述第二管芯上的所述第一熱傳感器以及所述第二管芯上的所述第二熱傳感器耦合的控制邏輯，所述控制邏輯用于確定所述第二管芯上的所述第一熱傳感器與所述第二管芯上的所述第二熱傳感器之間的溫度差； 與所述控制邏輯和所述第一管芯上的所述熱傳感器耦合的管理邏輯，所述管理邏輯用于接收所述溫度差以及來(lái)自所述第一管芯上的所述熱傳感器的溫度測(cè)量，以及用于基于從所述第二管芯傳達(dá)的所述溫度差和來(lái)自所述第一管芯上的所述熱傳感器的所述溫度測(cè)量來(lái)管理所述第一管芯的操作特性。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一管芯包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)陣列。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述管理邏輯基于所述第二管芯上的所述溫度梯度以及來(lái)自所述第一管芯上的所述熱傳感器的所述溫度測(cè)量來(lái)更改所述DRAM陣列的刷新速率。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第二管芯包括處理器核。
5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第二管芯包括芯片上系統(tǒng)(SoC)。
6.一種系統(tǒng), 包括: 與天線(xiàn)耦合的無(wú)線(xiàn)收發(fā)器電路； 具有熱傳感器的第一管芯； 具有第一熱傳感器和第二熱傳感器的第二管芯，所述第二管芯在物理上毗鄰所述第一管芯，而所述第一管芯的所述熱傳感器與所述第二管芯的所述第一熱傳感器對(duì)準(zhǔn)，所述第二管芯還與所述無(wú)線(xiàn)收發(fā)器電路耦合； 與所述第二管芯上的所述第一熱傳感器以及所述第二管芯上的所述第二熱傳感器耦合的控制邏輯，所述控制邏輯用于確定所述第二管芯上的所述第一熱傳感器與所述第二管芯上的所述第二熱傳感器之間的溫度差； 與所述控制邏輯和所述第一管芯上的所述熱傳感器耦合的管理邏輯，所述管理邏輯用于接收來(lái)自所述第二管芯的所述溫度差以及來(lái)自所述第一管芯上的所述熱傳感器的溫度測(cè)量，以及用于基于所述第二管芯上的所述溫度差和來(lái)自所述第一管芯上的所述熱傳感器的所述溫度測(cè)量來(lái)管理所述第一管芯的操作特性。
7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一管芯包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)陣列。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述管理邏輯基于所述溫度差以及來(lái)自所述第一管芯上的所述熱傳感器的所述溫度測(cè)量來(lái)更改所述DRAM陣列的刷新速率。
9.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第二管芯包括處理器核。
10.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第二管芯包括芯片上系統(tǒng)(SoC)。
11.一種方法，包括: 確定第一管芯上的第一熱傳感器與第二熱傳感器之間的溫度差；將所述溫度差從所述第一管芯傳送到第二管芯上的電路； 確定來(lái)自所述第二管芯上的熱傳感器的溫度； 利用所述溫度差和來(lái)自所述第二管芯上的所述熱傳感器的所述溫度來(lái)更改所述第二管芯上的一個(gè)或多個(gè)電路的操作特性。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二管芯包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)陣列。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述電路基于來(lái)自所述第二管芯上的所述熱傳感器的所述溫度測(cè)量來(lái)更改所述DRAM陣列的刷新速率。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一管芯包括處理器核。
15.如權(quán)利要求12所 述的方法，其特征在于，所述第二管芯包括芯片上系統(tǒng)(SoC)。
【文檔編號(hào)】H01L27/108GK103460382SQ201280016742
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月31日
【發(fā)明者】K·D·休梅克 申請(qǐng)人:英特爾公司