專利名稱：一種行星盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種行星盤。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，蒸發(fā)臺所利用的行星盤，如圖I所示，行星盤包括圍繞行星盤軸心排列的多個蒸發(fā)盤101 (通常是7個)、每個蒸發(fā)盤101的直徑大于硅片的直徑，在每個蒸發(fā)盤101的外側(cè)通常設(shè)置有I個彈簧壓爪(圖I中未示出)，每個彈簧壓爪用于壓住放置于硅片上的蓋板(圖I中未示出)。如圖2所示，在每個蒸發(fā)盤201的底部邊緣處設(shè)置有支撐圈202，支撐圈202的直徑與硅片的直徑相同。在芯片加工工藝過程中，首先將硅片放置于支撐圈202上，這樣可以起到很好的支撐作用，然后將蓋板放置于硅片上，最后用彈簧壓爪壓住蓋板，蓋板對硅片起 到固定的作用，這樣一來，由于蓋板固定住了硅片，使得行星盤在蒸發(fā)臺上轉(zhuǎn)動時，硅片不易隨著行星盤的轉(zhuǎn)動而發(fā)生位移。目前，在利用上述結(jié)構(gòu)的行星盤加工芯片時，由于蒸發(fā)盤底部的支撐圈202的存在，使得硅片與蒸發(fā)盤底部的支撐圈201貼合的部位的芯粒無法被蒸發(fā)到金屬，從而導(dǎo)致加工后的芯片生成的分立器件的合格率降低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種行星盤，用以解決現(xiàn)有行星盤加工芯片時芯片生成的分立器件合格率低的問題?；谏鲜鰡栴}，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種行星盤，包括圍繞行星盤軸心排列的多個蒸發(fā)盤、設(shè)置在每個蒸發(fā)盤外側(cè)的多個彈簧壓爪以及放置于硅片上的多個蓋板，在每個蒸發(fā)盤的底部邊緣處設(shè)置有多個用于支撐硅片的支撐爪。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的行星盤，在芯片加工工藝過程中，通過每個蒸發(fā)盤底部邊緣處的多個支撐爪支撐硅片，這樣硅片與支撐爪貼合部位的面積比現(xiàn)有的支撐圈貼合部位的面積小，使得硅片在現(xiàn)有無法被蒸發(fā)到金屬部位蒸發(fā)到了金屬，從而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率。

圖I為現(xiàn)有行星盤的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有行星盤中蒸發(fā)盤的剖面示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的行星盤中蒸發(fā)盤的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合說明書附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種行星盤的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明。[0012]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種行星盤，如圖3所示，具體包括多個蒸發(fā)盤301、多個彈簧壓爪(圖3中未示出)以及多個蓋板(圖3中未示出)，這些蒸發(fā)盤301均圍繞行星盤的軸心排列，并且在每個蒸發(fā)盤301的底部邊緣處設(shè)置有多個支撐爪302，這些支撐爪302用來支撐硅片。較佳地，在加工芯片工藝過程中，為了起到更好支撐硅片的作用，通常設(shè)置4個支撐爪302，也可以為4個以上，在此不對支撐爪302的數(shù)量做任何限定。另外，支撐爪302的形狀可以為三角形、正方形、長方形或者梯形，當(dāng)然，本實(shí)用新型實(shí)施例不限定支撐爪的具體形狀。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，蒸發(fā)盤301可以為7個，蒸發(fā)盤301的形狀可以為圓形。當(dāng)然，本實(shí)用新型實(shí)施例不限定蒸發(fā)盤的具體形狀。較佳地，上述每個彈簧壓爪可以設(shè)置于每個蒸發(fā)盤301的外側(cè)，通常會在每個蒸發(fā)盤的外側(cè)設(shè)置I個或I個以上的彈簧壓爪，以起到更好的固定作用。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，在每個蒸發(fā)盤外側(cè)設(shè)置彈簧壓爪的方式可以是螺栓式，當(dāng)然，并不對設(shè)置彈簧壓爪的·具體方式進(jìn)行限定。較佳地，上述蓋板是放置于硅片上的，為了避免蓋板直接接觸硅片，影響加工芯片的質(zhì)量，通常蓋板為碗狀。另外，蓋板可以為金屬板，具體可以為鋁板、鐵板或不銹鋼板等，本實(shí)用新型不對蓋板的具體類型做任何限定。利用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的行星盤進(jìn)行芯片加工時，首先，將硅片放置于蒸發(fā)盤301底部邊緣處的支撐爪302上，硅片與支撐爪貼合部位的面積比現(xiàn)有的支撐圈貼合部位的面積小的多，這樣可以使得然后用蓋板蓋住硅片，最后用彈簧壓爪壓住蓋板，保證行星盤的蓋板的一面朝上，將行星盤放到蒸發(fā)臺的行星盤架中，待使用彈力卡銷固定好行星盤后，開始后續(xù)工作。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的行星盤，在芯片加工工藝過程中，通過每個蒸發(fā)盤底部邊緣處的多個支撐爪支撐硅片，通過每個蒸發(fā)盤底部邊緣處的多個支撐爪支撐硅片，這樣硅片與支撐爪貼合部位的面積比現(xiàn)有的支撐圈貼合部位的面積小，以使得硅片在現(xiàn)有無法被蒸發(fā)到金屬部位蒸發(fā)到了金屬，從而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率，例如，以2N60產(chǎn)品為例，一般加工后的芯片上有2400個芯粒(按照要求切割為分立器件)，采用上述結(jié)構(gòu)的行星盤加工芯片后，芯粒為2638個，提高了芯片生成的分立器件的合格率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種行星盤，包括圍繞行星盤軸心排列的多個蒸發(fā)盤、設(shè)置在每個蒸發(fā)盤外側(cè)的多個彈簧壓爪以及放置于硅片上的多個蓋板，其特征在于，在每個蒸發(fā)盤的底部邊緣處設(shè)置有多個用于支撐硅片的支撐爪。
2.如權(quán)利要求I所述的行星盤，其特征在于，所述支撐爪的形狀為三角形、正方形、長方形或者梯形。
3.如權(quán)利要求I所述的行星盤，其特征在于，所述支撐爪至少為4個。
4.如權(quán)利要求I所述的行星盤，其特征在于，所述蒸發(fā)盤的形狀為圓形。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的行星盤，其特征在于，所述蓋板為鐵板、鋁板或不銹鋼板。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種行星盤，包括圍繞行星盤軸心排列的多個蒸發(fā)盤、設(shè)置在每個蒸發(fā)盤外側(cè)的多個彈簧壓爪以及放置于硅片上的多個蓋板，在每個蒸發(fā)盤的底部邊緣處設(shè)置有多個用于支撐硅片的支撐爪。本實(shí)用新型通過上述行星盤的結(jié)構(gòu)可以解決現(xiàn)有行星盤加工芯片時芯片生成的分立器件合格率低的問題。
文檔編號H01L21/687GK202695417SQ20122039742
公開日2013年1月23日 申請日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者崔金洪, 李天賀 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司