專利名稱：一種光伏探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種光伏探測器，尤其是一種量子阱紅外光伏探測器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的光伏探測器包括InSb紅外探測器、HgCdTe紅外探測器和量子阱紅外探測器，都是在低溫下工作，需要通過液氮杜瓦或循環(huán)制冷機(jī)制冷，嚴(yán)重限制了光伏探測器的應(yīng)用范圍。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種能夠在室溫條件下工作的光伏探測器。實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的光伏探測器，包括依次設(shè)置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個(gè)周期包括一個(gè)AlGaAs勢壘層和一個(gè)GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。本實(shí)用新型的光伏探測器的有益效果如下本實(shí)用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設(shè)備，光吸收系數(shù)高，提高了探測率。

圖I為本實(shí)用新型的光伏探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖I所示，本實(shí)用新型的光伏探測器，包括依次設(shè)置的GaAs襯底5、GaAs緩沖層
4、GaAs下電極層3、多量子阱層2和GaAs頂部電極層I ;所述量子阱層2包括22周期，每個(gè)周期包括一個(gè)AlGaAs勢壘層和一個(gè)GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。本實(shí)用新型的光伏探測器的優(yōu)點(diǎn)如下本實(shí)用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設(shè)備，光吸收系數(shù)高，提高了探測率。上面所述的實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計(jì)精神前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種光伏探測器，其特征在于包括依次設(shè)置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個(gè)周期包括一個(gè)AlGaAs勢壘層和一個(gè)GaAs勢阱層， 所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種能夠在室溫條件下工作的光伏探測器，包括依次設(shè)置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個(gè)周期包括一個(gè)AlGaAs勢壘層和一個(gè)GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。本實(shí)用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設(shè)備，光吸收系數(shù)高，提高了探測率。
文檔編號(hào)H01L31/0304GK202797042SQ20122033376
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月11日
發(fā)明者王四新, 劉先章, 宋亞美 申請(qǐng)人:北京瑞普北光電子有限公司