專利名稱：屏蔽扁平電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種屏蔽扁平電纜，其構(gòu)成為將多個(gè)扁平導(dǎo)體并列并貼合絕緣樹(shù)脂膜，在該絕緣樹(shù)脂膜的外側(cè)粘貼屏蔽膜。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了一種用于低電壓差動(dòng)傳輸(LVDS)的屏蔽扁平電纜。在該屏蔽扁平電纜中，貼合在扁平導(dǎo)體上的絕緣樹(shù)脂膜由粘接劑層和絕緣層構(gòu)成。公開(kāi)了下述內(nèi)容，即，絕緣層使用聚酯樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等，以及粘接劑層使用在聚酯類樹(shù)脂或聚烯烴類樹(shù)脂中添加阻燃劑而得到的材料。專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009 - 146694號(hào)公報(bào)電纜的長(zhǎng)度越長(zhǎng)且所傳輸?shù)男盘?hào)越為高比特率，就越無(wú)法忽視遠(yuǎn)端串?dāng)_。沒(méi)有對(duì)通道間串?dāng)_的連鎖效果導(dǎo)致的噪聲進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膶?shí)用方法，串?dāng)_的增加會(huì)變成嚴(yán)重的問(wèn)題。另一方面，伴隨包含平板顯示器等的設(shè)備的大型化，要求用于該設(shè)備的線纜更長(zhǎng)。而且，與高畫(huà)質(zhì)化相伴，傳輸容量變得更大，要求進(jìn)行更高速度的傳輸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于提供一種屏蔽扁平電纜，其是以LVDS方式使用的，在大于0.4m的距離處，在至4.5GHz為止的頻率范圍內(nèi)，使遠(yuǎn)端串?dāng)_小于或等于一 26dB，還提供一種屏蔽扁平電纜，其是以LVDS方式使用的，在大于0.4m的距離處，在至6GHz為止的頻率范圍內(nèi)，遠(yuǎn)端串?dāng)_小于或等于一 24dB。本發(fā)明的屏蔽扁平電纜構(gòu)成為，將大于或等于四根扁平導(dǎo)體以規(guī)定間隔排列在一個(gè)平面上，從扁平導(dǎo)體的排列面的上下貼合絕緣膜而使扁平導(dǎo)體絕緣，在所述絕緣膜的外側(cè)設(shè)置有屏蔽層。該屏蔽扁平電纜的特征在于，絕緣膜由粘接層和基材層構(gòu)成。所述基材層在使所述粘接層粘接在所述扁平導(dǎo)體上的溫度下，基材層的形狀維持不變。所述絕緣膜的介電常數(shù)小于所述基材層的介電常數(shù)。本發(fā)明的屏蔽扁平電纜也可以在所述絕緣膜和所述屏蔽層之間設(shè)置電介體層，將所述電介體粘接在所述基材層上的粘接劑層的介電常數(shù)大于所述基材層的介電常數(shù)。本發(fā)明的屏蔽扁平電纜的特征在于，在所述絕緣膜和所述屏蔽層之間設(shè)置電介體層，將除了末端處理部之外的部分的差模阻抗調(diào)整為落在75至IlOQ的范圍內(nèi)，在將所述絕緣膜的有效相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e 1，將所述絕緣膜的所述粘接層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為ea，將所述基材層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為Sb，將從所述扁平導(dǎo)體至屏蔽層為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為ee時(shí)，e a < eb 且 0.86< ee/el。發(fā)明的效果本發(fā)明的扁平電纜根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在大于0.4m的距離處，在至4.5GHz為止的頻率范圍內(nèi)，遠(yuǎn)端串?dāng)_小于或等于一 26dB。另外，本發(fā)明的扁平電纜在450mm的距離處，在至6GHz為止的頻率范圍內(nèi)，遠(yuǎn)端串?dāng)_小于或等于一 24dB。


圖1是表示本發(fā)明的第一方式的扁平電纜的斜視圖。圖2是本發(fā)明的第一方式的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖3是其他方式的本發(fā)明的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖4是其他方式的本發(fā)明的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖5是本發(fā)明的第一方式的扁平電纜的要部的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖6是表示本發(fā)明的第二方式的扁平電纜的斜視圖。圖7是本發(fā)明的第二方式的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖8是其他方式的本發(fā)明的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖9是其他方式的本發(fā)明的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖10是本發(fā)明的第二方式的扁平電纜的要部的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施例及對(duì)比例的表。圖12是與實(shí)施例進(jìn)行對(duì)比的對(duì)比例的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖13是本發(fā)明的實(shí)施例的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖14是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的扁平電纜的與長(zhǎng)度方向正交的剖面圖。圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施例及對(duì)比例的表。圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施例及對(duì)比例的表。圖17是表示本發(fā)明的實(shí)施例及對(duì)比例的表。標(biāo)號(hào)的說(shuō)明1、10屏蔽扁平電纜2扁平導(dǎo)體3絕緣膜4屏蔽膜5粘接層(絕緣粘接層)6基材層7中間層8粘接層(中間粘接層)9中間層開(kāi)口20電力線
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的第一方式的屏蔽扁平電纜I如圖1所示，將多根扁平導(dǎo)體2排列在一個(gè)平面上，從排列面的上下貼合絕緣膜3，使各導(dǎo)體2絕緣。由于本發(fā)明的扁平電纜用于兩個(gè)通道以上的差動(dòng)傳輸，因此，信號(hào)線需要大于或等于四根。即，扁平導(dǎo)體需要大于或等于四根。在圖中，扁平導(dǎo)體2為四根，但只要是大于或等于四根即可，可以是任意根。作為扁平導(dǎo)體，除了信號(hào)線以外也可以被用于接地線。
本發(fā)明的屏蔽扁平電纜1，在絕緣膜3的外側(cè)卷繞或粘接屏蔽膜4而形成屏蔽層。作為屏蔽膜4，可以如圖2所示，以包圍絕緣膜3的周?chē)姆绞竭M(jìn)行卷繞。也可以如圖3所示，在貼合后的絕緣膜3上分別粘接屏蔽膜4。在此情況下，屏蔽膜4為2片，這些屏蔽膜4沒(méi)有成為一體。也可以如圖4所示，僅在一側(cè)絕緣膜3 (在圖4中為下側(cè)3b)上進(jìn)行粘貼。在此情況下，屏蔽扁平電纜I僅單面得到屏蔽。
屏蔽膜4可以使用現(xiàn)有技術(shù)中所使用的屏蔽膜，例如在銅箔或鋁箔的一面上形成粘接劑層，在另一面上粘貼樹(shù)脂I旲等。
以使得該扁平電纜的特性阻抗成為大于或等于75 Q而小于或等于IlOQ的任意規(guī)定值(例如100Q )的方式，對(duì)扁平導(dǎo)體2的厚度或?qū)挾?、扁平?dǎo)體2的間隔、絕緣膜3的介電常數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
本發(fā)明的絕緣膜3由粘接層5和基材層6構(gòu)成。在圖1至圖4中，粘接層5、基材層6均僅示出了一層，但它們也可以由多層形成。
粘接層5是熱塑性樹(shù)脂，由可以通過(guò)施加一百幾十度的熱而與扁平導(dǎo)體2或?qū)Ψ絺?cè)的絕緣膜3粘接的材料構(gòu)成。粘接層5例如可以使用聚酯類粘接劑。
即使在為了粘接絕緣膜3而施加一百幾十度的熱時(shí)，基材層6也不會(huì)軟化或表現(xiàn)出粘接性，薄膜形狀維持不變?；膶?可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等聚酯。
粘接層5和基材層6由于功能不同而使用不同的樹(shù)脂。
在輸送電信號(hào)的差動(dòng)傳輸通路中，可以理解為從處于正電位的導(dǎo)體向處于負(fù)電位的導(dǎo)體發(fā)出電力線。+—是交替的，在圖5中示出某一瞬間的狀況。但僅示出了說(shuō)明所需的電力線。
扁平導(dǎo)體12以兩根作為一對(duì)。扁平導(dǎo)體12a在該瞬間具有正電位,扁平導(dǎo)體12b具有負(fù)電位。從具有正電位的扁平導(dǎo)體12a發(fā)出的電力線20a進(jìn)入相鄰的具有負(fù)電位的扁平導(dǎo)體12b和相鄰的接地線11中。來(lái)自相鄰的接地線13的電力線20c也進(jìn)入扁平導(dǎo)體12b中。朝向電纜外面的電力線20b穿過(guò)粘接層5，從扁平導(dǎo)體發(fā)出的電力線依次穿過(guò)粘接層5、基材層6，由于這兩個(gè)層的折射率不同，因此在它們的分界面發(fā)生折射。
本發(fā)明的屏蔽扁平電纜的粘接層5和基材層6的介電常數(shù)不同。在本發(fā)明中，通過(guò)使粘接層5 (絕緣膜3中的接近扁平導(dǎo)體2的層)的介電常數(shù)(e a)小于基材層6的介電常數(shù)(e b)，從而可以將從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線約束在該扁平導(dǎo)體2附近，即使在超過(guò)0.4m并進(jìn)行每一個(gè)通道的信號(hào)的占有頻率帶寬達(dá)到4.5GHz的高頻傳輸?shù)那闆r下，也可以減小遠(yuǎn)端串?dāng)_。
圖6示出本發(fā)明的第二方式的屏蔽扁平電纜10。與第一方式的屏蔽扁平電纜的不同之處在于，在上下任一側(cè)或兩側(cè)的絕緣膜3的外側(cè)，粘貼有用于調(diào)整介電常數(shù)的電介體層即中間層7。中間層7由用于與絕緣膜粘接的粘接層8和用于調(diào)整折射率的基材層9構(gòu)成?；膶?是由樹(shù)脂等形成的電介體層，優(yōu)選低介電常數(shù)的材料。
絕緣膜與第一方式的屏蔽扁平電纜I中的絕緣膜相同。
第二方式的屏蔽扁平電纜10，在中間層7的外側(cè)卷繞或粘貼屏蔽膜4而形成屏蔽層。作為屏蔽膜4，可以如圖7所示，以包圍中間層7的周?chē)姆绞竭M(jìn)行卷繞。也可以如圖8所示，在中間層7上分別粘貼屏蔽膜4。在此情況下，屏蔽膜4為2片，這些屏蔽膜4沒(méi)有成為一體。也可以如圖9所示，僅在扁平電纜的一面(在圖9中為下側(cè))上進(jìn)行粘貼。在此情況下，中間層7也僅位于該一面上，在中間層7的外側(cè)(在圖9中為下側(cè))粘貼屏蔽膜4。屏蔽扁平電纜10僅單面得到屏蔽。以使得該扁平電纜的特性阻抗成為大于或等于75 Q而小于或等于IlOQ的任意規(guī)定值的方式，對(duì)扁平導(dǎo)體2的厚度或?qū)挾?、扁平?dǎo)體2的間隔、絕緣膜3及中間層7的介電常數(shù)進(jìn)行調(diào)整。中間層7由粘接層8和基材層9構(gòu)成。在圖6至圖9中，粘接層8、基材層9均僅示出了一層，但它們也可以由多層形成。粘接層8是熱塑性樹(shù)脂，由可以通過(guò)施加一百幾十度的熱而與絕緣膜3和基材層9粘接的材料構(gòu)成。粘接層8例如可以使用聚酯類粘接劑。粘接層8也可以使用與粘接層5不同的材質(zhì)?；膶?是用于調(diào)整阻抗的低介電常數(shù)的電介體。基材層9可以使用聚烯烴類樹(shù)脂膜或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等聚酯膜。也可以使用發(fā)泡樹(shù)脂膜。第二方式的屏蔽扁平電纜10與第一方式的屏蔽扁平電纜I同樣地，可以理解為從差動(dòng)傳輸通路的處于正電位的導(dǎo)體向處于負(fù)電位的導(dǎo)體發(fā)出電力線。在圖10中示出某一瞬間的狀況。朝向電纜外面的電力線20b依次穿過(guò)絕緣膜3、中間層7，由于兩個(gè)層的折射率不同，因此在它們的分界面處發(fā)生折射。在絕緣膜3中，在粘接層5和基材層6的分界面處發(fā)生折射，在中間層7中，在粘接層8和基材層9的分界面處發(fā)生折射。如果將絕緣膜和中間層合計(jì)后的絕緣膜的有效相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e，則￡是￡ I與e 2的加權(quán)平均。如 果將圖7等剖面中的絕緣膜的截面積設(shè)為SI，將中間層的截面積設(shè)為S2，將絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為el，將中間層7的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e2，則e =(e ISl+e2S2)/ (S1+S2)。從扁平導(dǎo)體2至屏蔽層4為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù)，在圖10的情況下為將絕緣膜3和中間層7合計(jì)后的相對(duì)介電常數(shù)。通過(guò)使絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)小于中間層7的相對(duì)介電常數(shù)，從而使得兩者合計(jì)而得到的相對(duì)介電常數(shù)(換言之，是從扁平導(dǎo)體2至屏蔽層4為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù))大于絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)。第二方式的屏蔽扁平電纜10，在絕緣膜3中粘接層5和基材層6的相對(duì)介電常數(shù)不同，絕緣膜3和中間層7的介電常數(shù)也不同。在本發(fā)明中，使粘接層5的介電常數(shù)(e a)小于基材層6的介電常數(shù)(e b)。而且，使從扁平導(dǎo)體至屏蔽層為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù)與絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)之比大于或等于一定值。具體來(lái)說(shuō)，使有效相對(duì)介電常數(shù)與絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)之比大于或等于0.86。由此，可以將從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線約束在該扁平導(dǎo)體2的附近，即使以450mm的距離進(jìn)行每一個(gè)通道的信號(hào)的占有頻率帶寬達(dá)到6GHz的高頻傳輸?shù)那闆r下，也可以減小遠(yuǎn)端串?dāng)_。中間層7的相對(duì)介電常數(shù)也可以大于絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)。但是，如果中間層的相對(duì)介電常數(shù)過(guò)大，則為了調(diào)整阻抗而中間層變厚。為了使屏蔽扁平電纜的厚度適于實(shí)用，中間層的相對(duì)介電常數(shù)的值存在上限?；谏鲜龇矫妫瑑?yōu)選使從扁平導(dǎo)體至屏蔽層為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù)與絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)之比小于或等于1.1。(實(shí)施例)
如圖9所示，制造了下述屏蔽扁平電纜，即，在絕緣膜3中的一個(gè)(下側(cè))上粘貼有用于阻抗調(diào)整的電介體層即中間層7，在中間層7的外側(cè)(與扁平導(dǎo)體相反側(cè))粘貼有屏蔽膜4。中間層7通過(guò)將中間粘接層8涂在基材層9的一面上而一體形成，中間粘接層8以與絕緣膜3接觸的方式粘貼。
在本實(shí)施例中，由于存在兩個(gè)粘接層，因此將絕緣膜3的粘接層5稱作絕緣粘接層5，將使中間層7粘接在絕緣膜3上的粘接層8稱作中間粘接層8，以進(jìn)行區(qū)分。對(duì)于基材層，也將絕緣膜的基材層6稱作絕緣基材層6，將中間層的基材層9稱作中間基材層9，以進(jìn)行區(qū)分。
絕緣粘接層5、基材層6、中間粘接層8、中間基材層9的材料與厚度如圖11所示。針對(duì)各例測(cè)定出的遠(yuǎn)端串?dāng)_最大值和差模阻抗也在圖11中示出。
將接地線表示為G，信號(hào)線表示為S，將它們配置為GSSGSSG…。使相鄰的兩根信號(hào)線為一對(duì)而構(gòu)成一個(gè)通道。在各通道之間配置有接地線。對(duì)上述屏蔽扁平電纜中的相鄰?fù)ǖ乐g的遠(yuǎn)端串?dāng)_進(jìn)行測(cè)定。將4.5GHz下的遠(yuǎn)端串?dāng)_最大值小于或等于一 26dB的情況視作合格。
對(duì)于各層的介電常數(shù)，將該層層疊而形成大于或等于0.5mm的厚度，使用阻抗材料分析儀進(jìn)行測(cè)定。相對(duì)介電常數(shù)是與真空的介電常數(shù)之比。
如果將絕緣粘接層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為ea，將基材層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e b，將由絕緣粘接層和基材層構(gòu)成的絕緣膜的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e 1，將絕緣粘接層的體積設(shè)為Va，將基材層的體積設(shè)為Vb，則e 1= ( e aVa+ e bVb) / (Va+Vb)。
對(duì)由絕緣粘接層和基材層構(gòu)成的絕緣膜的相對(duì)介電常數(shù)(e I)、以及基材層的相對(duì)介電常數(shù)(Sb)進(jìn)行測(cè)定，根據(jù)上式求出絕緣粘接層的相對(duì)介電常數(shù)(ea)。在此，在絕緣膜的相對(duì)介電常數(shù)小于基材層的相對(duì)介電常數(shù)的情況下，絕緣粘接層的相對(duì)介電常數(shù)也小于基材層的相對(duì)介電 常數(shù)。
對(duì)比例I是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的屏蔽扁平電纜。在該例中，在距離150mm、450mm時(shí)，遠(yuǎn)端串?dāng)_最大值均不合格。在該例中，從接近扁平導(dǎo)體2的層開(kāi)始至較遠(yuǎn)的層，相對(duì)介電常數(shù)順次減小(成為絕緣粘接層5 >基材層6 >中間粘接層8 >中間基材層9的大小關(guān)系)。從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線20如圖12所示，在各層的分界面處發(fā)生折射而從扁平導(dǎo)體2沿水平方向遠(yuǎn)離。進(jìn)而，在從相對(duì)介電常數(shù)較大的層(接近扁平導(dǎo)體2的層)向相對(duì)介電常數(shù)較小的層(遠(yuǎn)離扁平導(dǎo)體2的層)發(fā)出電力線20時(shí)，部分電力線發(fā)生全反射。認(rèn)為該情況是遠(yuǎn)端串?dāng)_不佳的原因。
實(shí)施例1的各層的相對(duì)介電常數(shù)形成為絕緣粘接層5 <基材層6 <中間粘接層8>中間基材層9的大小關(guān)系。由于絕緣粘接層5的相對(duì)介電常數(shù)小于基材層6的相對(duì)介電常數(shù)，因此絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)也小于基材層6的相對(duì)介電常數(shù)。在該例中，450_的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格。在該例中，對(duì)于從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線20，如圖13所示，直至中間粘接層8為止，被約束在該扁平導(dǎo)體2的附近。在從相對(duì)介電常數(shù)較小的層(接近扁平導(dǎo)體2的層)至相對(duì)介電常數(shù)較大的層(遠(yuǎn)離扁平導(dǎo)體2的層)的分界面處電力線20的全反射得到抑制，約束效果進(jìn)一步增加。認(rèn)為該情況是遠(yuǎn)端串?dāng)_較小的原因。
對(duì)比例2的各層的相對(duì)介電常數(shù)形成為絕緣粘接層5 >基材層6 <中間粘接層8>中間基材層9的大小關(guān)系。絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)大于基材層6的相對(duì)介電常數(shù)。在該例中，150mm的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格,但450_的遠(yuǎn)端串?dāng)_不合格。將實(shí)施例1與對(duì)比例2進(jìn)行對(duì)比，可知絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)小于基材層6的相對(duì)介電常數(shù)是使450mm處的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格所必需的。如圖14所示，制造了下述屏蔽扁平電纜1，即，在兩個(gè)絕緣膜3上均粘貼用于阻抗調(diào)整的電介體層(中間層)7，在電介體層的外側(cè)(與扁平導(dǎo)體2相反側(cè))粘貼屏蔽膜4。除了在兩個(gè)絕緣膜3上粘貼中間粘接層8和中間基材層9之外，與上述實(shí)施例1、對(duì)比例1、對(duì)比例2相同。絕緣粘接層5、基材層6、中間粘接層8、中間基材層9的材料與厚度如圖15所示。針對(duì)各例測(cè)定出的遠(yuǎn)端串?dāng)_最大值和差模阻抗也在圖15中示出。實(shí)施例2的各層的相對(duì)介電常數(shù)形成為絕緣粘接層5 <基材層6 <中間粘接層8>中間基材層9的大小關(guān)系。與實(shí)施例1同樣地，如圖14所示，認(rèn)為通過(guò)將電力線20約束在同一通道內(nèi)，從而使450_的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格。實(shí)施例3的各層的相對(duì)介電常數(shù)形成為絕緣粘接層5 <基材層6 >中間粘接層8>中間基材層9的大小關(guān)系。在此情況下，450mm的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格?？芍ㄟ^(guò)使絕緣粘接層5的相對(duì)介電常數(shù)小于基材層6的相對(duì)介電常數(shù)，即，使絕緣膜3的介電常數(shù)小于基材層6的介電常數(shù)，從而450_的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格。在該例中，在絕緣膜3的外側(cè)具有中間基材層9，但在沒(méi)有中間基材層9的情況下，即，在絕緣膜3上直接粘貼屏蔽膜4的情況下，如果絕緣膜較厚則遠(yuǎn)端串?dāng)_優(yōu)異。由于實(shí)施例2的基材層6的緊外側(cè)的層即中間粘接層8的相對(duì)介電常數(shù)大于基材層6的相對(duì)介電常數(shù)，因此 ，遠(yuǎn)端串?dāng)_比實(shí)施例2更加優(yōu)異。對(duì)比例3的各層的相對(duì)介電常數(shù)形成為絕緣粘接層5 >基材層6 >中間粘接層8>中間基材層9的大小關(guān)系，認(rèn)為450_的遠(yuǎn)端串?dāng)_不合格的原因是電力線的約束效果較弱。實(shí)施例4至7及對(duì)比例4至6如圖8所示，使用下述屏蔽扁平電纜10，即，在兩個(gè)絕緣膜3上均粘貼用于阻抗調(diào)整的電介體層(中間層)7，在電介體層的外側(cè)(與扁平導(dǎo)體2相反側(cè))粘貼屏蔽膜4。中間層7通過(guò)將粘接層8涂在基材層9的一面上而一體形成，粘接層8粘貼在絕緣膜3上。在本實(shí)施例中，由于存在兩個(gè)粘接層，因此將絕緣膜3的粘接層5稱作絕緣粘接層5，將使中間層9粘接在絕緣膜3上的粘接層8稱作中間粘接層8，以進(jìn)行區(qū)分。對(duì)于基材層，也將絕緣膜的基材層6稱作絕緣基材層6，將中間層的基材層9稱作中間基材層9，以進(jìn)行區(qū)分。在任一個(gè)例子中，均將接地線表示為G，信號(hào)線表示為S，將它們配置為GSSGSSG…。使相鄰的兩根信號(hào)線為一對(duì)而構(gòu)成一個(gè)通道。在各通道之間存在接地線。各例的絕緣粘接層5的相對(duì)介電常數(shù)e a與絕緣基材層6的相對(duì)介電常數(shù)e b的大小關(guān)系如圖16所示。絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)e 1、絕緣膜3和中間層7合計(jì)而得到的相對(duì)介電常數(shù)e e及它們之比也在圖16中示出。這些屏蔽扁平電纜中的相鄰?fù)ǖ篱g的遠(yuǎn)端串?dāng)_(最大值)和差模阻抗也在圖17中示出。將6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_最大值小于或等于一 24dB (與主信號(hào)對(duì)比為6.25%的串話量)的情況視作合格，將小于或等于一 26dB (與主信號(hào)對(duì)比為5%的串話量)的情況視作優(yōu)良。
對(duì)于各層的介電常數(shù)，將該層層疊而形成大于或等于0.5mm的厚度，使用阻抗材料分析儀進(jìn)行測(cè)定。相對(duì)介電常數(shù)是與真空的介電常數(shù)之比。
如果將絕緣粘接層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為ea，將基材層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e b，將由絕緣粘接層和基材層構(gòu)成的絕緣膜的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為el，則在el< eb的情況下，e a < e b0
如實(shí)施例4至8所示，如果絕緣粘接層的相對(duì)介電常數(shù)e a <基材層的相對(duì)介電常數(shù)eb，從扁平導(dǎo)體2至屏蔽層4為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù)￡6與絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)el之比是ee/e I彡0.86，則在450mm的距離處，6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格。在這些實(shí)施例中，認(rèn)為從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線被約束在該扁平導(dǎo)體2附近是遠(yuǎn)端串?dāng)_較小的原因。
對(duì)比例4是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的屏蔽扁平電纜。在該例中，在距離450mm處，6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_不合格。在該例中，從接近扁平導(dǎo)體2的層至遠(yuǎn)離的層而相對(duì)介電常數(shù)順次減小(為ea> eb> e 2的大小關(guān)系)。從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線在各層的分界面處折射而從扁平導(dǎo)體2沿水平方向遠(yuǎn)離。進(jìn)而，從相對(duì)介電常數(shù)較大的層(接近扁平導(dǎo)體2的層)向相對(duì)介電常數(shù)較小的層(遠(yuǎn)離扁平導(dǎo)體2的層)發(fā)出電力線時(shí)，部分電力線發(fā)生全反射。認(rèn)為該情況是遠(yuǎn)端串?dāng)_不佳的原因。
對(duì)比例5是使中間層7的相對(duì)介電常數(shù)與對(duì)比例4相比更大的例子。由此，e e/e I超過(guò)了 0.9,但距離450mm處，6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_仍不合格。
對(duì)比例8為下述例子，即，使e a < e b，但e e/ e I小于0.86，450mm、6GHz的遠(yuǎn)端串?dāng)_不合格。
實(shí)施例5、實(shí)施例7是以中間層的相對(duì)介電常數(shù)與實(shí)施例4相比更高的方式選擇中間層材料的例子。是使e e/ e I大于或等于0.93而小于或等于I的例子。在這些例子中，距離450mm、6GHz的遠(yuǎn)端串?dāng)_優(yōu)良(與主信號(hào)對(duì)比為5%的串話量)。
實(shí)施例8至9及對(duì)比例7至8如圖9所示,是中間層7僅位于絕緣膜3的一面上，僅對(duì)一面進(jìn)行屏蔽的例子。信號(hào)線S和接地線G的配置與實(shí)施例4至7及對(duì)比例4至6相同。
各例的絕緣粘接層5的相對(duì)介電常數(shù)e a和絕緣基材層6的相對(duì)介電常數(shù)e b的大小關(guān)系如圖17所示。絕緣膜3的相對(duì)介電常數(shù)e 1、絕緣膜3和中間層7合計(jì)而得到的相對(duì)介電常數(shù)e e及它們之比也在圖17中示出。
對(duì)這些屏蔽扁平電纜中的相鄰?fù)ǖ篱g的遠(yuǎn)端串?dāng)_進(jìn)行測(cè)定。針對(duì)各例測(cè)定出的遠(yuǎn)端串?dāng)_(最大值)和差模阻抗也在圖17中示出。將6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_最大值小于或等于一24dB (與主信號(hào)對(duì)比為6.25%的串話量)的情況視作合格，將小于或等于一 26dB (與主信號(hào)對(duì)比為5%的串話量)的情況視作優(yōu)良。
在實(shí)施例8、實(shí)施例9中，由于ea< eb，且e e/e I彡0.86，因此在450mm的距離處，6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_合格。在這些實(shí)施例中，由于ee/e I彡0.93，因此在450mm的距離處的遠(yuǎn)端串?dāng)_優(yōu)良。認(rèn)為在這些實(shí)施例中，從扁平導(dǎo)體2發(fā)出的電力線被約束在該扁平導(dǎo)體2的附近是遠(yuǎn)端串?dāng)_較小的原因。
對(duì)比例7是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的屏蔽扁平電纜。在該例中，e a > e b, e e/ e I小于0.86。而且，在450mm的距離處，6GHz時(shí)的遠(yuǎn)端串?dāng)_不合格。
權(quán)利要求
1.一種屏蔽扁平電纜，其構(gòu)成為將大于或等于四根扁平導(dǎo)體以規(guī)定間隔排列在一個(gè)平面上，從扁平導(dǎo)體的排列面的上下貼合絕緣膜而使扁平導(dǎo)體絕緣，在所述絕緣膜的外側(cè)設(shè)置有屏蔽層， 該屏蔽扁平電纜的特征在于， 所述絕緣膜由粘接層和基材層構(gòu)成， 所述基材層在使所述粘接層粘接在所述扁平導(dǎo)體上的溫度下維持形狀不變， 所述絕緣膜的介電常數(shù)小于所述基材層的介電常數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽扁平電纜，其特征在于， 在所述絕緣膜和所述屏蔽層之間設(shè)置電介體層，粘接所述電介體的粘接劑層的介電常數(shù)大于所述基材層的介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽扁平電纜，其特征在于， 在所述絕緣膜和所述屏蔽層之間設(shè)置電介體層， 將除了末端處理部之外的部分的差模阻抗調(diào)整為落在75至IlOQ的范圍內(nèi)， 在將所述絕緣膜的有效相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為e I，將所述絕緣膜的所述粘接層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為ea，將所述基材層的相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為eb，將從所述扁平導(dǎo)體至屏蔽層為止的非金屬層的有效相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為ee時(shí)，e a < eb 且 0.86S ee/el。
全文摘要
本發(fā)明提供一種屏蔽扁平電纜，其是以LVDS方式使用的，該屏蔽扁平電纜在大于4m的距離處，在4.5GHz為止的頻率范圍內(nèi)，遠(yuǎn)端串?dāng)_小于或等于－26dB。本發(fā)明的屏蔽扁平電纜構(gòu)成為，將大于或等于四根扁平導(dǎo)體排列在一個(gè)平面上，從該排列面的上下貼合絕緣膜而使扁平導(dǎo)體絕緣，在所述絕緣膜的外側(cè)設(shè)置屏蔽層。該屏蔽扁平電纜的特征在于，絕緣膜由粘接層和基材層構(gòu)成。所述粘接層能夠通過(guò)加熱而粘接在所述扁平導(dǎo)體上，所述基材層在使所述粘接層粘接在所述扁平導(dǎo)體上的溫度下，基材層的形狀維持不變。所述絕緣膜的介電常數(shù)小于所述基材層的介電常數(shù)。
文檔編號(hào)H01B7/17GK103198889SQ20121055657
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月5日
發(fā)明者福田啟一郎, 勝又茂彰 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社