穿硅孔堆疊結(jié)構(gòu)以及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種由多個基底疊合而成的穿硅孔堆疊結(jié)構(gòu)，其中每個基底都包含多個漸縮式的穿硅孔，每個漸縮式穿硅孔較粗的一端會具有一凹部，較細的一端則從基底中凸出，基底會以其每個漸縮式穿硅孔的較細端裝入另一漸縮式穿硅孔式的較粗端對應(yīng)凹部中并與其接合的方式來逐一堆疊。
【專利說明】穿硅孔堆疊結(jié)構(gòu)以及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上關(guān)于一種半導(dǎo)體技術(shù)，特別是關(guān)于一種漸縮式的穿硅孔(throughsilicon via, TSV)堆疊結(jié)構(gòu)以及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]就公知的半導(dǎo)體芯片而言，集成電路會形成在具有電性終端(如一接墊結(jié)構(gòu))的半導(dǎo)體芯片或基底的有源面上。為了達成高密度的電互連結(jié)構(gòu)，業(yè)界開發(fā)出了立體式的芯片堆疊結(jié)構(gòu)(3-D chip)，其電性終端不僅會設(shè)在半導(dǎo)體芯片的有源面上，也會設(shè)在對應(yīng)的晶背上。在這樣的立體堆疊結(jié)構(gòu)中，穿娃孔(through silicon via, TSV)就是用來連接多個垂直堆疊的芯片或晶圓的結(jié)構(gòu)，以使其得以組裝成具有高功率、高密度、以及微縮尺寸的立體芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)/模塊或是晶圓接合結(jié)構(gòu)。穿硅孔結(jié)構(gòu)，顧名思義，就是一種穿過芯片內(nèi)部的導(dǎo)電性貫孔結(jié)構(gòu)，其會貫通芯片的底面與底面，其不需使用任何的介板(interposer)或打線(bonding wire)即可形成多層的垂直電性連結(jié)，也不會經(jīng)過芯片邊緣的側(cè)壁部位，故可以大幅縮短電路徑。穿硅孔結(jié)構(gòu)也能進一步地借由大幅減少封裝結(jié)構(gòu)的高度與尺寸的方式來增強電子裝置的積集度與效能，進而增加電子裝置的速度并減少其能耗。
[0003]為了連接彼此堆疊的芯片，芯片上的穿硅孔結(jié)構(gòu)需要加以對齊。然而，隨著半導(dǎo)體業(yè)界中電路尺寸微縮的趨勢，穿硅孔結(jié)構(gòu)的大小也變得越來越小。因此，要將芯片或基底上的每個穿硅孔與另一芯片或基底上對應(yīng)的穿硅孔準確地對準變得越為困難。
[0004]在美國專利
【發(fā)明者】林柏均 申請人:南亞科技股份有限公司