專利名稱：發(fā)光元件安裝用封裝體、發(fā)光元件封裝體及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可安裝發(fā)光元件的發(fā)光元件安裝用封裝體、在該發(fā)光元件安裝用封裝體上安裝了發(fā)光元件的發(fā)光元件封裝體、及它們的制造方法。
背景技術(shù)：
近年，作為光源，電力消耗低、壽命長(zhǎng)的發(fā)光二極管(以下稱LED)引起了各界的關(guān)注，例如，已經(jīng)提出了一種安裝有多個(gè)LED的LED模塊。在這樣的LED模塊中，最表層上形成有反射膜(絕緣層)，用于對(duì)所安裝的LED的出射光進(jìn)行反射；還形成有用于安裝LED的發(fā)光元件安裝區(qū)域(Land)，并使其從反射膜露出。另外，為了提高與所安裝的LED的連接可靠性，在發(fā)光元件安裝區(qū)域上還形成有鍍膜。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)I](日本)特開2003- 092011號(hào)公報(bào)
[專利文獻(xiàn)2](日本)特開2006— 319074號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明要解決的課題]
但是，鍍膜是在從反射膜露出的發(fā)光元件安裝區(qū)域上通過非電解電鍍法形成的，所以，在進(jìn)行非電解電鍍時(shí)，反射膜也被浸潰在非電解電鍍槽的鍍液中。所以，存在著鍍液滲入反射膜導(dǎo)致反射膜的特性惡化的問題，更具體地，存在著反射膜的反射率降低的問題。
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其課題在于，提供一種可降低反射膜特性惡化的發(fā)光部件安裝用封裝體、在該發(fā)光部件安裝用封裝體上安裝了多個(gè)(2個(gè)以上)發(fā)光部件的發(fā)光部件封裝體、及它們的制造方法。
[用于解決課題的手段]
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供一種制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法。該方法包含在絕緣層上層壓金屬層的步驟；在所述金屬層上形成發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟，其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域包含一對(duì)電解鍍膜，所述一對(duì)電解鍍膜由將所述金屬層使用為供電層的電解電鍍所形成；及通過去除所述金屬層的預(yù)定部分形成發(fā)光元件安裝部的步驟，其中，在所述發(fā)光元件安裝部中，多個(gè)配線按照預(yù)定間隔被配置。其中，在形成所述發(fā)光元件安裝部的步驟中，去除所述金屬層，以使所述一對(duì)電解鍍膜中的一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的一個(gè)，所述一對(duì)電解鍍膜中的另一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的另一個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，提供一種制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法。該方法包含在絕緣層上層壓金屬層的步驟；通過去除所述金屬層的預(yù)定部分形成發(fā)光元件安裝部的步驟，其中，在所述發(fā)光元件安裝部中，多個(gè)配線按照預(yù)定間隔被配置；形成用于電連接所述多個(gè)配線的匯流線的步驟；在所述多個(gè)配線上形成發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟，其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域包含一對(duì)電解鍍膜，所述一對(duì)電解鍍膜由使用所述匯流線的電解電鍍所形成；及在形成所述發(fā)光元件安裝區(qū)域后去除所述匯流線的步驟。其中，在形成所述發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟中，所述一對(duì)電解鍍膜被形成為其中的一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的一個(gè)，另一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的另一個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式，提供一種發(fā)光元件安裝用封裝體，其包含絕緣層；發(fā)光元件安裝部，其中，多個(gè)配線按照預(yù)定的間隔被形成在所述絕緣層上；及包含一對(duì)電解鍍膜的發(fā)光元件安裝區(qū)域，其中，所述一對(duì)電解鍍膜被形成在所述多個(gè)配線的毗鄰配線的預(yù)定領(lǐng)域。其中，所述一對(duì)電解鍍膜中的一個(gè)屬于所述毗鄰配線中的一個(gè)，所述一對(duì)電解鍍膜中的另一個(gè)屬于所述毗鄰配線中的另一個(gè)。
[發(fā)明的效果]
根據(jù)所公開的技術(shù)，可以提供一種能降低反射膜特性惡化的發(fā)光部件安裝用封裝體、在該發(fā)光部件安裝用封裝體上安裝了多個(gè)發(fā)光部件的發(fā)光部件封裝體、及它們的制造方法。


[圖1]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其I)。
[圖2]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其2)。
[圖3]沿圖1的A— A線的截面圖。
[圖4]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖。
[圖5]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 I)。
[圖6]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 2)。
[圖7]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 3)。
[圖8]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 4)。
[圖9]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 5)。
[圖10]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 6)。
[圖11]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 7)。
[圖12]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 8)。
[圖13]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 9)。
[圖14]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 10)。
[圖15]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 11)。
[圖16]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其I)。
[圖17]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其2)。
[圖18]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其3)。
[圖19]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其4)。
[圖20]用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其5)。
[圖21]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 I)。
[圖22]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 2)。
[圖23]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 3)。
[圖24]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 4)。
[圖25]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 5)。
[圖26]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 6)。
[圖27]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 7)。
[圖28]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 8)。
[圖29]用于對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 9)。
[圖30]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 I)。
[圖31]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 2)。
[圖32]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 3)。
[圖33]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 4)。
[圖34]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 5)。
[圖35]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 6)。
[圖36]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 7)。
[圖37]用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖(其 8)。
[圖38]用于對(duì)第4實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其I)。
[圖39]用于對(duì)第4實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其2)。
[圖40]用于對(duì)第5實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖(其I)。
[圖41]用于對(duì)第5實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖(其2)。
[圖42]用于對(duì)第5實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖(其3)。
[符號(hào)說明]
10U0A發(fā)光元件安裝用封裝體
20散熱板
30絕緣層
40，70發(fā)光元件安裝部
40A金屬層
41 45、71 87 配線
50、90電解鍍膜
51、91發(fā)光元件安裝區(qū)域
52、92第I電極部
53、93第2電極部
60反射膜
60x、300x、310x、320x、330x 開口部
100、100A、100B、100C 發(fā)光元件封裝體
110發(fā)光元件
110a、110b、145 凸點(diǎn)(bump)
111絕緣層
112，146 金屬細(xì)線
120封裝樹脂
141 次安裝基板(submount substrate)
142發(fā)光元件芯片
143反射板
144封裝樹脂
200 基材
210 框部
220連接部
300、310、320、330、340 光阻層(resist layer)
C 截線具體實(shí)施方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。這里需要說明的是，各圖中相同的構(gòu)成部分被標(biāo)注了相同的符號(hào)，并存在省略了重復(fù)說明的情況。
〈第I實(shí)施方式〉
[第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的結(jié)構(gòu)]
首先，對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其I)。圖2是用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其2)，是省略了圖1中的反射膜60的圖。圖3是沿圖1的A — A線的截面圖。這里需要說明的是，為了方便，在圖1及圖2中，使用點(diǎn)狀模樣對(duì)發(fā)光元件安裝部40及電解鍍膜50進(jìn)行了表示(其他圖中也存在相同情況)。
參照?qǐng)D1 圖3。發(fā)光元件安裝用封裝體10大致上具有金屬板20、絕緣層30、發(fā)光元件安裝部40、電解鍍膜50、及反射膜60。在不需要反射功能的情況下，也可以設(shè)置由環(huán)氧樹脂或丙烯樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜來取代反射膜60。
金屬板20具有作為散熱板的功能，用于將由安裝在發(fā)光元件安裝用封裝體10上的發(fā)光元件所產(chǎn)生的熱量散熱至發(fā)光元件安裝用封裝體10的外部，并是用于形成絕緣層30和發(fā)光元件安裝部40的基體的部分。作為金屬板20的材料，例如可使用銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)、及鋁合金等具有良好熱傳導(dǎo)率的材料。金屬板20的厚度例如可為100 2000 μ m 左右。
絕緣層30形成在金屬板20上，對(duì)金屬板20和發(fā)光元件安裝部40之間進(jìn)行絕緣。作為絕緣層30的材料,例如可使用聚酰亞胺(polyimide)系絕緣性樹脂、或添加了 50wt%以上的氧化鋁填充物的環(huán)氧樹脂等。絕緣層30的厚度例如可為15 200 μ m左右。
發(fā)光元件安裝部40具有相互之間電氣獨(dú)立(分離)的配線41 45。發(fā)光元件安裝部40形成在絕緣層30上。作為發(fā)光元件安裝部40的材料，例如可使用銅(Cu)等金屬。發(fā)光元件安裝部40的厚度例如可為20 100 μ m左右。
配線41 45在平面圖上例如被形成為長(zhǎng)尺狀或長(zhǎng)方形狀，并按照預(yù)定的間隔被配置，以使各配線的長(zhǎng)邊呈相互面對(duì)的形態(tài)。配線41 45的各長(zhǎng)邊和各短邊的長(zhǎng)度、及毗鄰配線的間隔的一個(gè)例子為:長(zhǎng)邊5 IOmm左右、短邊I 5mm左右、及間隔50 500 μ m左右。
在配線41 45的預(yù)定區(qū)域上形成有電解鍍膜50。形成電解鍍膜50的目的在于，提高與各部分上所連接的部件等的連接可靠性。配線41 45的形成電解鍍膜50的一側(cè)的面被實(shí)施了粗化處理。實(shí)施粗化處理的目的在于，通過錨固效應(yīng)(anchor effect),提高配線41 45和反射膜60之間的密著性。
作為電解鍍膜50，例如可使用Ni或Ni合金/ Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/ Pd或Pd合金/ Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/ Pd或Pd合金/ Ag或Ag合金/ Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/ Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/ Pd或Pd合金/ Ag或Ag合金膜等。這里需要說明的是，“AA / BB膜”表示AA膜和BB膜在對(duì)象部分上按此順序?qū)盈B形成(3層以上時(shí)也相同)。
電解鍍膜50中的Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜的膜厚優(yōu)選為0.1 μ m以上。電解鍍膜50中的Pd或Pd合金膜的膜厚優(yōu)選為0.005 μ m以上。電解鍍膜50中的Ni或Ni合金膜的膜厚優(yōu)選為0.5 μ m以上。
這里需要說明的是，因?yàn)锳g膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果將電解鍍膜50的最表層形成為Ag膜或Ag合金膜，則可以更好地提高發(fā)光元件的照射光的反射率。
在電解鍍膜50中，面對(duì)毗鄰配線而形成的部分構(gòu)成了發(fā)光元件安裝區(qū)域51。發(fā)光元件安裝區(qū)域51例如是平面形狀為半圓狀的電解鍍膜面對(duì)毗鄰配線而形成的部分。在I個(gè)發(fā)光元件安裝區(qū)域51上可安裝I個(gè)具有2個(gè)端子(也可以具有4個(gè)端子等)的發(fā)光元件。
更具體地，在配線41 45中，Btt鄰配線的一個(gè)面上形成有多個(gè)發(fā)光元件安裝區(qū)域51，分別由按照預(yù)定的間隔而形成的一對(duì)電解鍍膜構(gòu)成。用于構(gòu)成各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的一對(duì)電解鍍膜50的一個(gè)屬于毗鄰配線中的一個(gè),另一個(gè)屬于毗鄰配線中的另一個(gè)。即，在配線41 45中，Btt鄰配線之間可并列安裝多個(gè)發(fā)光元件。例如，在毗鄰配線41和42之間，沿配線的長(zhǎng)度方向可并列安裝多個(gè)(本實(shí)施方式中為4個(gè))發(fā)光元件。毗鄰配線42和43之間、Btt鄰配線43和44之間、及毗鄰配線44和45之間也相同。
另外，沿配線的排列方向(X方向)，毗鄰配線之間可串列安裝多個(gè)發(fā)光元件。例如，毗鄰配線41和42之間、Btt鄰配線42和43之間、Btt鄰配線43和44之間、及毗鄰配線44和45之間可串列安裝多個(gè)(本實(shí)施方式中為4個(gè))發(fā)光元件。
這里需要說明的是，例如，也可以形成平面形狀為矩形形狀的電解鍍膜，以使其面對(duì)毗鄰配線，作為發(fā)光元件安裝區(qū)域51。另外，在本實(shí)施方式中，盡管形成了 16處發(fā)光元件安裝區(qū)域51，并安裝了 16個(gè)發(fā)光元件，但是，發(fā)光元件安裝區(qū)域51的個(gè)數(shù)可任意確定。
配線41上通過電解鍍膜50形成了第I電極部52。第I電極部52與發(fā)光元件安裝區(qū)域51的形成在配線41上的部分電連接。另外，配線45上通過電解鍍膜50形成了第2電極部53。第2電極部53與發(fā)光元件安裝區(qū)域51的形成在配線45上的部分電連接。第I電極部52及第2電極部53為例如與配置在發(fā)光元件安裝用封裝體10的外部的電源或驅(qū)動(dòng)電路等相連的部分。
反射膜60為形成在絕緣層30上的絕緣膜，用以對(duì)發(fā)光元件安裝部40及電解鍍膜50進(jìn)行覆蓋。反射膜60具有開口部60x，各開口部60x內(nèi)露出了各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的一部分。這里需要說明的是，各開口部60x內(nèi)也可使各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的全部都露出。
作為反射膜60的材料，例如可使用環(huán)氧系或硅酮(silicone)系絕緣性樹脂等。為了提高發(fā)光元件的照射光的反射率，最好使反射膜60含有氧化鈦等填充物以使其為白色。也可以使用BaSO4等顏料代替氧化鈦，以使反射膜60為白色。反射膜60的厚度例如可為10 50 μ m左右。
這里需要說明的是，在本實(shí)施方式中，盡管在毗鄰配線之間所露出的絕緣層30上不形成反射膜60，但是，也可以形成反射膜60，以對(duì)毗鄰配線之間所露出的絕緣層30及其附近的發(fā)光元件安裝部40和電解鍍膜50進(jìn)行覆蓋。
圖4是用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖。參照?qǐng)D4。發(fā)光元件封裝體100是在發(fā)光元件安裝用封裝體10的各發(fā)光元件安裝區(qū)域51上縱橫地安裝了多個(gè)發(fā)光元件110，然后由封裝樹脂120進(jìn)行了封裝的封裝體。但是，封裝樹脂120被形成為使第I電極部52及第2電極部53各自的一部分或全部露出。
作為發(fā)光元件110，例如可使用一端側(cè)形成了正極端子、另一端側(cè)形成了負(fù)極端子的LED。但是，發(fā)光元件110并不限定于LED，例如也可以使用面發(fā)光型激光等。作為封裝樹脂120，例如可采用使硅酮(silicone)系絕緣性樹脂等內(nèi)包含了螢光體的樹脂。
下面以發(fā)光元件110為L(zhǎng)ED、發(fā)光元件封裝體100為L(zhǎng)ED模塊的情形為例進(jìn)行說明(有時(shí)也將發(fā)光元件110稱為L(zhǎng)ED110、將發(fā)光元件封裝體100稱為L(zhǎng)ED模塊100)。
發(fā)光元件安裝區(qū)域51上所安裝的LEDllO的尺寸的例子為:在平面圖上，縱0.3mm(Y方向)X橫0.3mm (X方向)、縱1.0mm (Y方向)X橫1.0mm (X方向)、或縱1.5mm (Y方向)X橫1.5mm (X方向)等。
各LEDllO上形成了作為一個(gè)電極端子的凸點(diǎn)110a、及作為另一個(gè)電極端子的凸點(diǎn)110b。各LEDllO的凸點(diǎn)IlOa或IlOb的任一個(gè)為正極端子，另一個(gè)為負(fù)極端子。凸點(diǎn)IlOa及IlOb例如被倒裝鍵合(倒裝接合)(flip-chip bonding)在Btt鄰配線上。各LEDllO被安裝在同一方向(例如，正極端子指向圖的左側(cè))上。
這里需要說明的是，凸點(diǎn)IlOa及IlOb優(yōu)選為分別設(shè)置多個(gè)。如果凸點(diǎn)IlOa及IlOb各為I個(gè)，則各配線上的連接位置也為各一處，這樣，實(shí)裝后的LEDllO可能會(huì)發(fā)生傾斜。通過分別設(shè)置多個(gè)凸點(diǎn)IlOa及110b，各配線上的連接位置為多處，這樣，就可以進(jìn)行穩(wěn)定的實(shí)裝。另外，經(jīng)由多個(gè)凸點(diǎn)，LED芯片所產(chǎn)生的熱量也會(huì)被散熱至發(fā)光元件安裝區(qū)域51。
毗鄰配線的間隔被設(shè)定為大致與所安裝的LEDllO的凸點(diǎn)IlOa和IlOb之間的間隔(例如，60 μ m)相同。據(jù)此，配線41和配線42之間、配線42和配線43之間、配線43和配線44之間、及配線44和配線45之間可以分別串列地(X方向)安裝LED110。
另外，配線41 45各自的長(zhǎng)度方向(Y方向)的長(zhǎng)度被設(shè)定為是LEDllO的Y方向的長(zhǎng)度的數(shù)倍 數(shù)10倍左右。據(jù)此，配線41和配線42之間可以并列地(Y方向)安裝多個(gè)LED110。配線42和配線43之間、配線43和配線44之間、及配線44和配線45之間也相同。
[第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體及發(fā)光元件封裝體的制造方法]
下面對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體及發(fā)光元件封裝體的制造方法進(jìn)行說明。圖5 圖15是用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖。圖16 圖20是用于對(duì)第I實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖。這里需要說明的是，各步驟原則上參照截面圖進(jìn)行說明，但是有時(shí)根據(jù)必要，也參照平面圖(a)及截面圖(b)進(jìn)行說明。
首先，在圖5及圖6所示的步驟中準(zhǔn)備基材200。圖5為平面圖，C表示截線。通過對(duì)經(jīng)過了圖7以后的預(yù)定步驟的基材200等沿截線C進(jìn)行切斷，可以得到多個(gè)發(fā)光元件安裝用封裝體10 (圖5中為27個(gè))。即，圖5中由截線C所圍成的各區(qū)域分別為發(fā)光元件安裝用封裝體10。這里需要說明的是，圖6為與圖1的A — A線相對(duì)應(yīng)的截面圖，圖5中示出了由截線C所圍成的I個(gè)區(qū)域。
作為基材200，例如可使用所謂的被覆(clad)材，其通過在金屬板20上按順序?qū)訅航^緣層30及最終成為發(fā)光元件安裝部40的金屬層40A而形成，或者也可以通過對(duì)絕緣層30和金屬層40A進(jìn)行單步層壓(single step laminating)的方式而形成?；?00的平面形狀例如為矩形形狀，其大小例如可為縱650mm (Y方向)左右X橫510mm (X方向)左右。
在基材200中，作為金屬板20，例如可使用銅(Cu)、銅合金、鋁(Al )、或鋁合金等具有良好熱傳導(dǎo)率的材料。金屬板20的厚度例如可為100 2000 μ m左右。作為絕緣層30的材料，例如可使用聚酰亞胺(poIyimide )系絕緣性樹脂、或添加了 50wt %以上的氧化招填充物的環(huán)氧樹脂等。絕緣層30的厚度例如可為15 200 μ m左右。作為金屬層40A的材料，例如可使用銅箔等金屬箔。金屬層40A的厚度例如可為20 100 μ m左右。下面原則上通過使用以截線C所圍成的I個(gè)領(lǐng)域來對(duì)各步驟進(jìn)行說明。
接下來，在圖7所示的步驟中，對(duì)金屬層40A的一個(gè)面(與絕緣層30接觸的面的反面)進(jìn)行粗化處理。金屬層40A的一個(gè)面例如可通過實(shí)施基于M E C公司的CZ處理的化學(xué)研磨(微蝕(micro-etching))進(jìn)行粗化處理。也可以采用黑色氧化處理(black oxide)等其他手段代替CZ處理對(duì)金屬層40A的一個(gè)面進(jìn)行粗化處理。還可以采用例如噴砂(blast)等物理方式進(jìn)行粗化處理。
接下來，在圖8所示的步驟中，在被實(shí)施了粗化處理的金屬層40A的一個(gè)面上形成光阻層300，該光阻層300具有與電解鍍膜50相對(duì)應(yīng)的開口部300x。即，在圖5的由截線C所圍成的各領(lǐng)域中形成光阻層300，該光阻層300具有開口部300x，其中露出了形成圖2所示的電解鍍膜50的部分。
為了形成光阻層300，在金屬層40A的一個(gè)面上例如涂敷液狀或膏狀的光組(resist)，其由包含環(huán)氧系樹脂或丙烯系樹脂等的感光性樹脂組成物所構(gòu)成?；蛘?，在金屬層40A的一個(gè)面上例如層壓膜狀的光組(例如,干膜光阻(dry film resist)等),其由包含環(huán)氧系樹脂或丙烯系樹脂等的感光性樹脂組成物所構(gòu)成。
然后，通過對(duì)涂敷或?qū)訅毫说墓饨M進(jìn)行曝光及顯影，形成開口部300X。據(jù)此，在金屬層40A的一個(gè)面上形成具有開口部300x的光阻層300。這里需要說明的是，也可以將預(yù)先形成了開口部300x的膜狀光阻層壓在金屬層40A的一個(gè)面上。
接下來，在圖9所示的步驟中，采用將金屬層40A作為電鍍供電層的電解電鍍法，在金屬層40A的一個(gè)面的開口部300x內(nèi)形成電解鍍膜50，該電解鍍膜50包含發(fā)光元件安裝區(qū)域51、第I電極部52、及第2電極部53。通過該步驟，形成發(fā)光元件安裝區(qū)域51，其由按照預(yù)定的間隔而形成的一對(duì)電解鍍膜所構(gòu)成。電解鍍膜50的種類和厚度等與上述相同。這里需要說明的是，因?yàn)锳g膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果最表層的電解鍍膜50形成為Ag膜或Ag合金膜，則可以更好地提高發(fā)光元件的照射光的反射率。
接下來，在圖10所示的步驟中，除去圖9所示的光阻層300。這里需要說明的是，圖10 (a)為平面圖，圖10 (b)為圖10 (a)的沿A — A線的截面圖。
接下來，在圖11所示的步驟中，在金屬層40A的一個(gè)面上，形成與發(fā)光元件安裝部40的配線41 45相對(duì)應(yīng)的光阻層310。S卩，在圖5的由截線C所圍成各領(lǐng)域中形成光阻層310，用以對(duì)形成圖2所示的發(fā)光元件安裝部40的配線41 45的部分進(jìn)行覆蓋。光阻層310例如可采用與圖8所示步驟中的用于形成光阻層300的相同的方法來形成。
接下來，在圖12所示的步驟中，去除開口部310x內(nèi)所露出的金屬層40A，形成發(fā)光元件安裝部40，其中，多個(gè)配線(配線41 45)按預(yù)定的間隔被配置。由一對(duì)電解鍍膜所構(gòu)成的發(fā)光元件安裝區(qū)域51的一個(gè)屬于毗鄰配線中的一個(gè)，并且，去除金屬層40A以使另一個(gè)屬于毗鄰配線中的另一個(gè)。在金屬層40A為銅箔的情況下，例如可通過采用使用了三氯化鐵水溶液(aqueous ferric chloride)、氯化銅或氯化亞銅水溶液(aqueouscopper chloride)、或過硫酸銨水溶液(aqueous ammonium persulfate)等的濕蝕刻(wetetching)來進(jìn)行去除。
接下來，在圖13所示的步驟中，去除圖12所示的光阻層310。據(jù)此，在絕緣層30上形成了包含配線41 45的發(fā)光元件安裝部40、以及、包含了發(fā)光元件安裝區(qū)域51、第I電極部52、及第2電極部53的電解鍍膜50。這里需要說明的是，圖13 (a)為平面圖，圖13(b)為圖13 (a)的沿A — A線的截面圖。
接下來，在圖14所示的步驟中，在絕緣層30上形成具有開口部60x的反射膜60，以對(duì)發(fā)光元件安裝部40及電解鍍膜50進(jìn)行覆蓋。因?yàn)榘l(fā)光元件安裝部40的配線41 45的表面被進(jìn)行了粗化處理，所以，通過錨固效應(yīng)(anchor effect)，可提高與反射膜60的密著性。各開口部60x內(nèi)露出了各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的一部分。這里需要說明的是，在各開口部60x內(nèi)，也可以使各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的全部都露出。
作為反射膜60的材料，例如可使用環(huán)氧系或硅酮(silicone)系絕緣性樹脂等。為了提高發(fā)光元件的照射光的反射率，最好使反射膜60含有氧化鈦等充填物以使其為白色。也可以使用BaSO4等顏料來代替氧化鈦,使反射膜60為白色。反射膜60的厚度例如可為10 50 μ m左右。
為了形成反射膜60，例如在絕緣層30上涂敷液狀或膏狀的感光性環(huán)氧系或硅酮(silicone)系絕緣性樹脂等。或者，例如在絕緣層30上層壓膜狀的感光性環(huán)氧系或硅酮(si I icone )系絕緣性樹脂等。然后，通過對(duì)涂敷或?qū)訅毫说慕^緣性樹脂等進(jìn)行曝光或顯影，形成開口部60x。據(jù)此，形成具有開口部60x的反射膜60。這里需要說明的是，也可以在絕緣層30上層壓預(yù)先形成了開口部60x的膜狀環(huán)氧系或硅酮(silicone)系絕緣性樹脂等。另夕卜，也可以采用非感光性環(huán)氧系或娃酮(silicone)系絕緣性樹脂的網(wǎng)印(screen print),來形成具有開口部60x的反射膜60。
接下來，在圖15所示的步驟中，通過對(duì)圖14所示的結(jié)構(gòu)體沿圖14所示的截線C進(jìn)行切斷，制成多個(gè)發(fā)光元件安裝用封裝體10。圖14所示的結(jié)構(gòu)體例如可以采用切割刀(dicing blade)等進(jìn)行切斷,也可以采用例如基于模具沖壓的加工方式來進(jìn)行切斷。
就發(fā)光元件安裝用封裝體10而言，可以將圖1所示的結(jié)構(gòu)體(發(fā)光元件安裝用封裝體10的單體)作為I個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行發(fā)貨，也可以將圖14所示的結(jié)構(gòu)體(發(fā)光元件安裝用封裝體10的集合體)作為I個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行發(fā)貨。
在制造LED模塊100時(shí)，如圖16所示的步驟那樣，在發(fā)光元件安裝用封裝體10的各發(fā)光元件安裝區(qū)域51上分別安裝LED110。各LEDllO上形成有作為一個(gè)電極端子的凸點(diǎn)110a、及作為另一個(gè)電極端子的凸點(diǎn)110b。各LEDllO例如可與各發(fā)光元件安裝區(qū)域51倒裝(flip-chip)連接。
接下來，在圖17所示的步驟中，由封裝樹脂120對(duì)LEDllO進(jìn)行封裝。作為封裝樹脂120，例如可采用使環(huán)氧系或硅酮(silicone)系等的絕緣性樹脂內(nèi)包含了螢光體的樹月旨。封裝樹脂120例如可由傳遞模塑法(transfer molding)或鑄封法(potting)形成。據(jù)此，制成LED模塊100。這里需要說明的是，除了可以一起地對(duì)多個(gè)LEDllO進(jìn)行封裝之外，還可以分別地對(duì)各個(gè)LEDllO進(jìn)行封裝。
這里需要說明的是，在制造LED模塊100時(shí)，也可以按照下面的方式進(jìn)行。S卩，在圖14所示的步驟之后(沿截線C對(duì)圖14所示的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行切斷之前)，如圖18所示的步驟那樣，在圖14所示的結(jié)構(gòu)體的作為各發(fā)光元件安裝用封裝體10的部分上安裝多個(gè)LED110。然后，如圖19所示的步驟那樣，在作為各發(fā)光元件安裝用封裝體10的部分上，使用封裝樹脂120對(duì)LEDllO進(jìn)行封裝。之后，如圖20所示，通過對(duì)圖19所示的結(jié)構(gòu)體沿圖19所示的截線C進(jìn)行切斷，以制成多個(gè)LED模塊100。
這樣，在本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體中，于配線上采用電解電鍍法形成電解鍍膜后，再形成反射膜。即，并不具有如現(xiàn)有的發(fā)光元件安裝用封裝體那樣的、在形成了反射膜之后采用非電解電鍍法在從反射膜露出的配線上形成鍍膜的步驟。所以，并不象現(xiàn)有的發(fā)光元件安裝用封裝體那樣需要將反射膜浸潰至鍍液中，據(jù)此，可以抑制反射膜的特性的惡化，更具體地，可以抑制反射膜的反射率的降低。
另外，如果象現(xiàn)有的發(fā)光元件安裝用封裝體那樣將反射膜浸潰至鍍液中，則反射膜的組成成分可能會(huì)溶出至鍍液中，導(dǎo)致鍍液質(zhì)量惡化。在本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體中，因?yàn)榉瓷淠げ⒉唤⒅铃円褐校钥梢员苊忮円嘿|(zhì)量的惡化。
另外，因?yàn)榘l(fā)光元件安裝區(qū)域是由電解鍍膜構(gòu)成的，所以，與發(fā)光元件安裝區(qū)域由無電解鍍膜構(gòu)成的情形相比，可以形成具有穩(wěn)定質(zhì)量的鍍膜，還可以提高與發(fā)光元件安裝區(qū)域上所安裝的發(fā)光元件的連接可靠性。
〈第2實(shí)施方式〉
在第2實(shí)施方式中，示出了與第I實(shí)施方式不同的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造方法的一個(gè)例子。這里需要說明的是，在第2實(shí)施方式中，對(duì)與已經(jīng)說明了的實(shí)施方式相同的構(gòu)成部件的說明進(jìn)行了省略。
圖21 圖29是對(duì)第2實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖。首先，實(shí)行第I實(shí)施方式的圖5及圖6所示的步驟，之后，在圖21所示的步驟中，在表面沒有被實(shí)施粗化處理的金屬層40A的一個(gè)面上形成光阻層300，該光阻層300具有與電解鍍膜50相對(duì)應(yīng)的開口部300x。光阻層300的形成方法可與圖8所示的步驟相同。
接下來，在圖22所示的步驟中，與圖9所示步驟同樣地，采用將金屬層40A作為電鍍供電層的電解電鍍法，在金屬層40A的一個(gè)面的開口部300x內(nèi)形成電解鍍膜50。電解鍍膜50的種類和厚度等與上述相同。這里需要說明的是，因?yàn)锳g膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果最表層的電解鍍膜50形成為Ag膜或Ag合金膜，則可以更好地提高發(fā)光元件的照射光的反射率。
接下來，在圖23所示的步驟中，與圖10所示步驟同樣地，對(duì)圖22所示的光阻層300進(jìn)行去除。據(jù)此，在金屬層40A的一個(gè)面上形成包含發(fā)光元件安裝區(qū)域51、第I電極部52、及第2電極部53的電解鍍膜50。這里需要說明的是，圖23所對(duì)應(yīng)的平面圖與圖10(a)相同。
接下來，在圖24所示的步驟中，與圖11所示步驟同樣地，在金屬層40A的一個(gè)面上形成與發(fā)光元件安裝部40的配線41 45相對(duì)應(yīng)的光阻層310。然后，在圖25所示的步驟中，與圖12所示步驟同樣地，對(duì)開口部310x內(nèi)所露出的金屬層40A進(jìn)行去除，形成包含配線41 45的發(fā)光元件安裝部40。
接下來，在圖26所示的步驟中，與圖13所示步驟同樣地，對(duì)圖12所示的光阻層310進(jìn)行去除。據(jù)此，在絕緣層30上形成包含配線41 45的發(fā)光元件安裝部40、以及、包含發(fā)光元件安裝區(qū)域51、第I電極部52、及第2電極部53的電解鍍膜50。這里需要說明的是，圖26所對(duì)應(yīng)的平面圖與圖13 (a)相同。
接下來，在圖27所示的步驟中，在發(fā)光元件安裝部40的配線41 45的一個(gè)面(與絕緣層30接觸的面的反面)上，對(duì)沒有形成電解鍍膜50的部分進(jìn)行粗化處理。粗化處理的方法可與圖7相同。這里需要說明的是，在CZ處理中，因?yàn)榭梢杂羞x擇地對(duì)銅實(shí)施化學(xué)研磨(微蝕(microetching)),所以,在配線41 45的一個(gè)面上,沒有形成電解鍍膜50的部分可以被更好地進(jìn)行粗化處理。
接下來，在圖28所示的步驟中，與圖14所示步驟同樣地，在絕緣層30上形成具有開口部60x的反射膜60,以對(duì)發(fā)光兀件安裝部40及電解鍍膜50進(jìn)行覆蓋。在發(fā)光兀件安裝部40的配線41 45的一個(gè)面上，因?yàn)闆]有形成電解鍍膜50的部分的表面被實(shí)施了粗化處理，所以，通過錨固效應(yīng)(anchor effect),可提高與反射膜60的密著性。各開口部60x內(nèi)露出了各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的一部分。這里需要說明的是，各開口部60x內(nèi)也可以使各發(fā)光元件安裝區(qū)域51的全部都露出。
接下來，在圖29所示的步驟中，通過對(duì)圖28所示的結(jié)構(gòu)體沿圖28所示的截線C進(jìn)行切斷，制成多個(gè)發(fā)光元件安裝用封裝體10。圖28所示的結(jié)構(gòu)體例如可采用切割刀(dicing blade)等進(jìn)行切斷,也可以采用例如基于模具沖壓的加工方式來進(jìn)行切斷。
這樣，既可以在金屬層40A的狀態(tài)下實(shí)施粗化處理，也可以在金屬層40A上形成了配線41 45之后，對(duì)配線41 45的表面的一部分實(shí)施粗化處理。
〈第3實(shí)施方式〉
在第3實(shí)施方式中，示出了與第I實(shí)施方式不同的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造方法的另一個(gè)例子。這里需要說明的是，在第3實(shí)施方式中，對(duì)與已經(jīng)說明了的實(shí)施方式相同的構(gòu)成部件的說明進(jìn)行了省略。
圖30 圖37是用于對(duì)第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體的制造步驟進(jìn)行例示的圖。首先，實(shí)行第I實(shí)施方式的圖5及圖6所示的步驟，之后，在圖30所示的步驟中，在表面沒有被實(shí)施粗化處理的金屬層40A的一個(gè)面上形成光阻層320。光阻層320形成在與發(fā)光元件安裝部40的配線41 45相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上、及與后述的框部210及連接部220相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。光阻層320的形成方法可與圖8所示的步驟的光阻層300的形成方法相同。
這里需要說明的是，在圖30所示的步驟之前，與圖7所示步驟同樣地，在金屬層40A的一個(gè)面上也可以實(shí)施粗化處理。在這種情況下，不需要實(shí)行后述的圖32所示的步驟。
接下來，在圖31所示的步驟中，對(duì)開口部320x內(nèi)所露出的金屬層40A進(jìn)行去除，再對(duì)光阻層320進(jìn)行去除。在金屬層40A為銅箔的情況下，例如可通過采用使用了三氯化鐵水溶液(aqueous ferric chloride)、氯化銅或氯化亞銅水溶液(aqueouscopper chloride)、或過硫酸銨水溶液(aqueous ammonium persulfate)等的濕蝕刻(wetetching)來進(jìn)行去除。據(jù)此，發(fā)光元件安裝部40的配線41 45分別經(jīng)由連接部220與框部210連接的結(jié)構(gòu)被形成了。即，通過該步驟，形成了多個(gè)配線(配線41 45)按照預(yù)定間隔被配置的發(fā)光元件安裝部40、及作為對(duì)配線41 45進(jìn)行電解電鍍時(shí)的匯流線(busline)的框部210和連接部220。
接下來，在圖32所示的步驟中，對(duì)發(fā)光元件安裝部40的配線41 45的一個(gè)面(與絕緣層30接觸的面的反面)和側(cè)面進(jìn)行粗化處理。與第I和第2實(shí)施方式不同的是，在本實(shí)施方式中，對(duì)配線的側(cè)面也進(jìn)行粗化處理。粗化處理的方法可與圖7相同。然后，在圖33所示的步驟中，形成光阻層330，該光阻層330具有與電解鍍膜50相對(duì)應(yīng)的開口部330x。光阻層330的形成方法可與圖8所示步驟的光阻層300的形成方法相同。
接下來，在圖34所示的步驟中，采用使用框部210及連接部220 (bus line)的電解電鍍法，在發(fā)光元件安裝部40的配線41 45的一個(gè)面的開口部330x內(nèi)形成電解鍍膜50。之后，對(duì)光阻層330進(jìn)行去除。通過該步驟，形成由按照預(yù)定間隔而形成的一對(duì)電解鍍膜所構(gòu)成的發(fā)光元件安裝區(qū)域51。另外，還形成第I電極部52及第2電極部53。與第I和第2實(shí)施方式不同的是，在本實(shí)施方式中，電解膜50不僅形成在配線41至45的一個(gè)面(與絕緣層30接觸的面的反面)上，還形成在它們的側(cè)面上。電解鍍膜50的種類和厚度等與上述相同。這里需要說明的是，因?yàn)锳g膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果最表層和側(cè)面上所形成的電解鍍膜50為Ag膜或Ag合金膜，則可以更好地提高發(fā)光元件的照射光的反射率。
接下來，在圖35所示的步驟中，在發(fā)光元件安裝部40的配線41 45上及毗鄰配線之間的絕緣層30上形成光阻層340。光阻層340的形成方法可與圖8所示步驟的光阻層300的形成方法相同。然后，在圖36所示的步驟中，對(duì)框部210及連接部220 (bus line)進(jìn)行去除。在框部210及連接部220為銅的情況下，例如可通過采用使用了三氯化鐵水溶液(aqueous ferric chloride)、氯化銅或氯化亞銅水溶液(aqueous copper chloride)、或過硫酸銨水溶液(aqueous ammonium persulfate)等的濕蝕刻(wet etching)來進(jìn)行去除。
接下來，在圖37所示的步驟中，對(duì)光阻層340進(jìn)行去除。然后，在圖37所示的步驟之后，與圖14所示步驟同樣地，在絕緣層30上形成具有開口部60x的反射膜60，以對(duì)發(fā)光元件安裝部40及電解鍍膜50進(jìn)行覆蓋，并通過沿截線C進(jìn)行切斷，制成多個(gè)發(fā)光元件安裝用封裝體10。
這樣，既可以通過將金屬層40A作為電鍍供電層來對(duì)金屬層40A的表面實(shí)施電解電鍍，也可以在金屬層40A上形成了配線41 45及匯流線(bus line)(框部210及連接部220)之后，利用匯流線來對(duì)配線41 45的表面實(shí)施電解電鍍。
這里需要說明的是，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體因?yàn)榫哂性趯?shí)施電解電鍍后去除匯流線的步驟，所以，最終(作為發(fā)貨形態(tài))為不具有匯流線的結(jié)構(gòu)。所以，即使進(jìn)行個(gè)片化(單體化)時(shí)的切斷，匯流線的端面也不會(huì)從發(fā)光元件安裝用封裝體的側(cè)面露出。如果匯流線的端面從發(fā)光元件安裝用封裝體的側(cè)面露出，則在匯流線的端面與金屬板的側(cè)面之間的距離較近的情況下，毛邊等可能會(huì)導(dǎo)致匯流線的端面和金屬板的側(cè)面之間發(fā)生短路。在本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體中，可以避免發(fā)生這樣的問題。
〈第4實(shí)施方式〉
在第4實(shí)施方式中，示出了與第I實(shí)施方式不同的圖案(pattern)形狀的配線的例子。這里需要說明的是，在第4實(shí)施方式中，對(duì)與已經(jīng)說明了的實(shí)施方式相同的構(gòu)成部件的說明進(jìn)行了省略。
圖38是用于對(duì)第4實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其I)。圖39是對(duì)第4實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體進(jìn)行例示的平面圖(其2)，是省略了圖38中的反射膜60的圖。
參照?qǐng)D38及圖39。在發(fā)光元件安裝用封裝體10A中，發(fā)光元件安裝部70具有互相電氣獨(dú)立(電氣分離)的配線71 87。這里需要說明的是，盡管沒有進(jìn)行圖示，但是發(fā)光元件安裝部70與發(fā)光元件安裝部40同樣地也形成在絕緣層30上。
配線71 87在平面圖上例如被形成為矩形形狀，并按照預(yù)定的間隔被配置，以使各配線的與Y方向平行的各邊呈互相面對(duì)的形態(tài)。但是，配線75、79、及83的Y方向的長(zhǎng)度大于其它配線的Y方向的長(zhǎng)度，例如，可被形成為是其它配線的Y方向的長(zhǎng)度的2倍左右。
配線71 74及配線75的一部分朝X —方向按照預(yù)定的間隔依次并列設(shè)置。另夕卜，配線75的剩余部分、配線76 78、及配線79的一部分朝X +方向按照預(yù)定的間隔依次并列設(shè)置。另外，配線79的剩余部分、配線80 82、及配線83的一部分朝X —方向按照預(yù)定的間隔依次并列設(shè)置。另外，配線83的剩余部分及配線84 87朝X+方向按照預(yù)定的間隔依次并列設(shè)置。即，配線71 87在平面圖上被配置為在配線75、79、及83的部分進(jìn)行了彎曲的矩形波狀。
在除了配線75、79、及83的配線71 87中，與X方向平行的邊長(zhǎng)例如可為I 5mm左右，與Y方向平行的邊長(zhǎng)例如可為I 5mm左右。另外，在配線75、79、及83中，與X方向平行的邊長(zhǎng)例如可為I 5mm左右，與Y方向平行的邊長(zhǎng)例如可為2 IOmm左右。在配線71 87中，毗鄰配線的間隔(X方向)例如可為50 100 μ m左右。
在配線71 87的預(yù)定領(lǐng)域上形成有電解鍍膜90。形成電解鍍膜90的目的在于，提高與連接至各部分的部件等的連接可靠性。電解鍍膜90的材料和厚度可與電解鍍膜50相同。
在電解鍍膜90中，與毗鄰配線相對(duì)而形成的部分構(gòu)成了發(fā)光元件安裝區(qū)域91。發(fā)光元件安裝區(qū)域91例如是平面形狀為半圓狀的電解鍍膜面對(duì)毗鄰配線而形成的部分，I個(gè)發(fā)光元件安裝區(qū)域91上可安裝I個(gè)具有2個(gè)端子(也可為4個(gè)端子等)的發(fā)光元件。
配線71上由電解鍍膜90形成了第I電極部92。第I電極部92與發(fā)光元件安裝區(qū)域91的配線71上所形成的部分電連接。另外，配線87上由電解鍍膜90形成了第2電極部93。第2電極部93與發(fā)光元件安裝區(qū)域91的配線87上所形成的部分電連接。第I電極部92及第2電極部93例如為與發(fā)光元件安裝用封裝體IOA的外部所配置的電源或驅(qū)動(dòng)回路等相連的部分。
這樣，發(fā)光元件安裝部70的配線71 87在平面圖上被配置為在配線75、79、及83的部分進(jìn)行了彎曲的矩形波狀，并且，Btt鄰配線上形成了發(fā)光元件安裝區(qū)域91。另外，在作為配置成矩形波狀配線的兩個(gè)端部的配線71及87上，分別形成了第I電極部92及第2電極部93。據(jù)此，發(fā)光元件被串列地安裝在配置于第I電極部92和第2電極部93之間的各發(fā)光元件安裝區(qū)域91上。
這里需要說明的是，發(fā)光元件安裝用封裝體IOA可通過與第I 第3實(shí)施方式相同的步驟來制造。
這樣，在發(fā)光元件安裝用封裝體中，發(fā)光元件安裝部既可以如第I實(shí)施方式那樣被形成為可串列或并列地安裝發(fā)光元件，也可以如本實(shí)施方式那樣被形成為僅可串列地安裝發(fā)光元件。
〈第5實(shí)施方式〉
在第5實(shí)施方式中，示出了與第I實(shí)施方式不同的發(fā)光元件封裝體的例子。這里需要說明的是，在第5實(shí)施方式中，對(duì)與已經(jīng)說明了的實(shí)施方式相同的構(gòu)成部件的說明進(jìn)行了省略。
圖40是用于對(duì)第5實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖(其I)。圖41是用于對(duì)第5實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行例示的截面圖(其2)。圖42是用于對(duì)第5實(shí)施方式的發(fā)光元件封裝體進(jìn)行的例示截面圖(其3)。
在圖4所示的發(fā)光元件封裝體100中，發(fā)光元件110被倒裝鍵合(flip-chipbonding)在毗鄰配線上。然而參照?qǐng)D40可知，在發(fā)光元件封裝體100A中，發(fā)光元件110經(jīng)由絕緣層111被固定在各配線上，并通過金屬細(xì)線112被引線鍵合(wire bonding)在B比鄰配線上。
另外，參照?qǐng)D41可知，在發(fā)光元件封裝體100B中，由陶瓷等構(gòu)成的次安裝基板141上所安裝的發(fā)光元件芯片142經(jīng)由凸點(diǎn)145被倒裝鍵合(flip-chip bonding)在Btt鄰配線上。這里需要說明的是，次安裝基板141上所安裝的發(fā)光元件芯片142的周圍配置有反射板143，發(fā)光元件芯片142由封裝樹脂144所封裝。
另外，參照?qǐng)D42可知，在發(fā)光元件封裝體100C中，次安裝基板141上所安裝的發(fā)光元件芯片142通過金屬細(xì)線146被引線鍵合(wire bonding)在毗鄰配線上。這里需要說明的是，與圖41同樣地，次安裝基板141上所安裝的發(fā)光元件芯片142的周圍也配置反射板143，發(fā)光元件芯片142也由封裝樹脂144所封裝。
這樣，可將發(fā)光元件(例如，LED)引線鍵合(wire bonding)至發(fā)光元件安裝用封裝體，用于作為發(fā)光元件封裝體。另外，還可將發(fā)光元件次安裝體(例如，LED次安裝體)倒裝鍵合(flip-chip bonding)至發(fā)光元件安裝用封裝體，用于作為發(fā)光元件封裝體。
以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離權(quán)利要求書所記載的范圍的情況下，可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種變形和置換。
例如，可在第2 第4實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用封裝體上安裝發(fā)光元件，以制成發(fā)光元件封裝體。
另外，在第2、第3實(shí)施方式中，也可以采用相當(dāng)于第I實(shí)施方式的圖18 圖20的步驟。
另外，發(fā)光元件安裝用封裝體也可為僅能安裝I個(gè)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
另外，所要安裝的發(fā)光元件也可為被實(shí)裝至預(yù)模(pre-mold)或陶瓷次安裝基板的元件。
權(quán)利要求
1.一種制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，包含: 在絕緣層上層壓金屬層的步驟； 在所述金屬層上形成發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟，其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域包含一對(duì)電解鍍膜，所述一對(duì)電解鍍膜由將所述金屬層使用為供電層的電解電鍍所形成；及 通過去除所述金屬層的預(yù)定部分形成發(fā)光元件安裝部的步驟，其中，在所述發(fā)光元件安裝部中，多個(gè)配線按照預(yù)定間隔被配置， 其中，在形成所述發(fā)光元件安裝部的步驟中，去除所述金屬層，以使所述一對(duì)電解鍍膜中的一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的一個(gè)，所述一對(duì)電解鍍膜中的另一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的另一個(gè)。
2.一種制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，包含: 在絕緣層上層壓金屬層的步驟； 通過去除所述金屬層的預(yù)定部分形成發(fā)光元件安裝部的步驟，其中，在所述發(fā)光元件安裝部中，多個(gè)配線按照預(yù)定間隔被配置； 形成用于電連接所述多個(gè)配線的匯流線的步驟； 在所述多個(gè)配線上形成發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟，其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域包含一對(duì)電解鍍膜，所述一對(duì)電解鍍膜由使用所述匯流線的電解電鍍所形成；及在形成所述發(fā)光元件安裝區(qū)域后去除所述匯流線的步驟， 其中，在形成所述發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟中，所述一對(duì)電解鍍膜被形成為其中的一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的一個(gè)，另一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的另一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，其中: 在形成所述匯流線的步驟中，所述匯流線被形成為包含框部和連接部，所述框部配置在所述多個(gè)配線的外側(cè)并包圍所述多個(gè)配線，所述連接部將所述多個(gè)配線連接至所述框部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任I項(xiàng)所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，其中: 所述一對(duì)電解鍍膜的最表層為銀膜或銀合金膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，其中: 所述多個(gè)配線被形成為長(zhǎng)尺狀或長(zhǎng)方形形狀，及 所述發(fā)光元件安裝部被形成為使所述多個(gè)配線的毗鄰配線的長(zhǎng)邊互相面對(duì)。
6.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，還包含: 對(duì)所述金屬層的表面進(jìn)行粗化處理的步驟；及 在所述多個(gè)配線上形成反射膜的步驟， 其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域從所述反射膜露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，還包含: 對(duì)所述多個(gè)配線的表面進(jìn)行粗化處理的步驟； 在所述多個(gè)配線上形成反射膜的步驟， 其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域從所述反射膜露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，其中: 所述一對(duì)電解鍍膜的周邊部被所述反射膜覆蓋。
9.一種制造發(fā)光元件封裝體的方法，包含:采用根據(jù)權(quán)利要求1至8的任I項(xiàng)所述的制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，將發(fā)光元件安裝在所述發(fā)光元件安裝區(qū)域上的步驟。
10.一種發(fā)光元件安裝用封裝體，包含: 絕緣層； 發(fā)光元件安裝部，其中，多個(gè)配線按照預(yù)定的間隔被形成在所述絕緣層上；及包含一對(duì)電解鍍膜的發(fā)光元件安裝區(qū)域，其中，所述一對(duì)電解鍍膜被形成在所述多個(gè)配線的毗鄰配線的預(yù)定領(lǐng)域， 其中，所述一對(duì)電解鍍膜中的一個(gè)屬于所述毗鄰配線中的一個(gè)，所述一對(duì)電解鍍膜中的另一個(gè)屬于所述毗鄰配線中的另一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光元件安裝用封裝體，其中: 所述一對(duì)電解鍍膜的最表層為銀膜或銀合金膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光元件安裝用封裝體，其中: 所述多個(gè)配線被形成為長(zhǎng)尺狀或長(zhǎng)方形形狀，及 所述多個(gè)配線的毗鄰配線的長(zhǎng)邊按照預(yù)定的間隔被配置為互相面對(duì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光元件安裝用封裝體，還包括: 形成在所述多個(gè)配線上的反射膜， 其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域從所述反射膜露出。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件安裝用封裝體，其中: 所述一對(duì)電解鍍膜的周邊部被所述反射膜覆蓋。
15.—種發(fā)光兀件封裝體,包括: 根據(jù)權(quán)利要求10至14的任I項(xiàng)所述的發(fā)光元件安裝用封裝體；及 安裝在所述發(fā)光元件安裝用封裝體的所述發(fā)光元件安裝區(qū)域上的發(fā)光元件。
全文摘要
一種制造發(fā)光元件安裝用封裝體的方法，包含在絕緣層上層壓金屬層的步驟；在所述金屬層上形成發(fā)光元件安裝區(qū)域的步驟，其中，所述發(fā)光元件安裝區(qū)域包含一對(duì)電解鍍膜，所述一對(duì)電解鍍膜由將所述金屬層使用為供電層的電解電鍍所形成；及通過去除所述金屬層的預(yù)定部分形成發(fā)光元件安裝部的步驟，其中，在所述發(fā)光元件安裝部中，多個(gè)配線按照預(yù)定間隔被配置。其中，在形成所述發(fā)光元件安裝部的步驟中，去除所述金屬層，以使所述一對(duì)電解鍍膜中的一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的一個(gè)，所述一對(duì)電解鍍膜中的另一個(gè)屬于所述多個(gè)配線中的另一個(gè)。
文檔編號(hào)H01L25/075GK103165803SQ201210543728
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者小林和貴, 荒井直, 木村康之 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社