斷面測試結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種斷面測試結構，該斷面測試結構包括：測試區(qū)域；若干大馬士革結構，全部或部分位于所述測試區(qū)域中，所述大馬士革結構包括一溝槽和兩個連接孔，兩個所述連接孔沿第一方向分別位于所述溝槽的兩端，在所述測試區(qū)域中，沿第一方向的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交。本發(fā)明的斷面測試結構能夠保證斷面的成功率。
【專利說明】斷面測試結構
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造業(yè)中的測試領域，特別是涉及一種斷面測試結構。
【背景技術】
[0002]在半導體器件的后段(back-end-of-line, BE0L)工藝中，可根據不同需要在半導體襯底上生長多層金屬互連層，每層金屬互連層包括金屬互連線和絕緣層，這就需要對上述絕緣層制造溝槽(trench)和連接孔(via),然后在上述溝槽和連接孔內沉積金屬，沉積的金屬即為金屬互連線，一般選用銅作為金屬互連線材料。由于銅比較難以刻蝕，為了在每層金屬互連層形成銅互連金屬線，采用的方法為大馬士革方法以避免銅的刻蝕，形成了大馬士革結構，如圖1所示。圖1為半導體器件的大馬士革結構的掃描電子圖片，大馬士革結構包括:溝槽和連接孔。從圖中可以看出，圖1所示的大馬士革結構中具有兩個連接孔以及連接兩個連接孔的溝槽，在這個大馬士革結構上沉積銅，就形成了金屬互連層。
[0003]在現有技術中，大馬士革結構的斷面測試結構如圖2所示，圖2為現有技術中大馬士革結構的斷面測試結構的俯視圖。在圖2中，大馬士革結構10包含溝槽11和兩個連接孔12，大馬士革結構10在平面內的X方向和Y方向依次排列。當需要進行斷面分析時，將該斷面測試結構沿A-A’線剖開，放入掃面電子顯微鏡(SEM)下，便可觀測到如圖3所示的斷面圖。
[0004]圖2所示的大馬士革結構的斷面測試結構廣泛應用于90nm以上技術的半導體器件的制備中，斷面的成功率達80%以上。但當半導體器件的特征尺寸小于90nm時，大馬士革結構的尺寸也隨之變小，當制備SEM斷面時，由于尺寸太小，往往很難精確的控制斷面是從A-A’線剖開，有可能從B-B’線剖開，所以無法在SEM下觀測到大馬士革結構。當應用于45nm特征尺寸的半導體器件的制備中，斷面的成功率為40%,當應用于20nm特征尺寸的半導體器件的制備中，斷面的成功率僅為20%。
[0005]因此，如何提供一種斷面測試結構，能夠保證斷面的成功率，已成為本領域技術人員需要解決的問題。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的目的在于，提供一種斷面測試結構，能夠保證斷面的成功率。
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種斷面測試結構，包括:
[0008]測試區(qū)域；
[0009]若干大馬士革結構，全部或部分位于所述測試區(qū)域中，所述大馬士革結構包括一溝槽和兩個連接孔，兩個所述連接孔沿第一方向分別位于所述溝槽的兩端，在所述測試區(qū)域中，沿第一方向的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交。
[0010]進一步的，若干所述大馬士革結構排列形成至少一行陣列，位于同行的大馬士革結構在第一方向上依次排列且位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的大馬士革結構在第二方向上錯開一定距離，所述第二方向垂直于所述第一方向。[0011]進一步的，位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一所述大馬士革結構在所述第二方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第一距離。
[0012]進一步的,每行所述大馬士革結構均具有η個,其中，η≤d/h, h < d,所述η為正整數，所述d為所述連接孔的直徑，所述h為所述第一距離。
[0013]進一步的,所述h為2nm~15nm。
[0014]進一步的，所述h為10nm±3nm。
[0015]進一步的,所述d < 60nm。
[0016]進一步的，所述大馬士革結構包括至少兩行，相鄰行中同次序的所述大馬士革結構中對應連接孔之間具有一排列距離，其中，η≤(c+d)/h, c為所述排列距離。
[0017]進一步的，0.5Xd ≤ c ≤ 2Xd。
[0018]進一步的，c^ 120nm。
[0019]進一步的，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一行中同次序的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開一定距離。
[0020]進一步的，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第二距離。
[0021]進一步的，d/k，m為所述陣列排列的大馬士革結構的行數，k為所述第二距離。
[0022]進一步的,所述k為2nm~15nm。
[0023]進一步的,所述k為10nm±3nm。
[0024]進一步的，若干所述大馬士革結構排列形成至少一行陣列，位于同行的大馬士革結構形成至少兩組，所述至少兩組大馬士革結構重復排列，每組所述大馬士革結構在第一方向上依次排列且位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的大馬士革結構在第二方向上錯開一定距離，所述第二方向垂直于所述第一方向。
[0025]進一步的，所述斷面測試結構用于制備掃面電子顯微鏡的測試結構。
[0026]與現有技術相比，本發(fā)明提供的斷面測試結構具有以下優(yōu)點:
[0027]1、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構具有測試區(qū)域，若干大馬士革結構全部或部分位于所述測試區(qū)域中，在所述測試區(qū)域中，沿第一方向的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交，與現有技術相比，當在所述測試區(qū)域沿所述第一方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提高斷面的成功率。
[0028]2、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構具有測試區(qū)域，若干所述大馬士革結構陣列排列形成至少一行陣列，位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一所述大馬士革結構在所述第二方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第一距離，所以不同的所述大馬士革結構的所述連接孔也均錯開所述第一距離，從而增加了所述連接孔在第二方向上的跨度，當在所述測試區(qū)域沿所述第一方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提聞斷面的成功率。
[0029]3、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構的所述大馬士革結構包括至少兩行，相鄰行中同次序的所述大馬士革結構中對應連接孔之間具有一排列距離C，其中，n ^ (c+d)/h，使得相鄰行的所述大馬士革結構之間的所述連接孔在所述第二方向上的位置有重疊，從而進一步地增加了所述連接孔在第二方向上的跨度，從而進一步地提高斷面的成功率。[0030]4、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構的不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第二距離，所以不同行中每一所述連接孔依次相對于其前一行中對應的所述連接孔也在所述第一方向上均錯開第二距離，從而增加了所述連接孔在第一方向上的跨度，當在所述測試區(qū)域沿所述第二方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提高斷面的成功率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為半導體器件的大馬士革結構的掃描電子圖片；
[0032]圖2為現有技術中大馬士革結構的斷面測試結構的俯視圖；
[0033]圖3為圖2沿剖開線A-A’的剖面圖；
[0034]圖4為本發(fā)明一實施例中的斷面測試結構的俯視圖；
[0035]圖5為本發(fā)明另一實施例中的斷面測試結構的俯視圖；
[0036]圖6為本發(fā)明又一實施例中的斷面測試結構的俯視圖；
[0037]圖7為本發(fā)明再一實施例中的斷面測試結構的俯視圖。
【具體實施方式】
[0038]下面將結合示意圖對本發(fā)明的斷面測試結構進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0039]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0040]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0041]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種斷面測試結構，斷面測試結構包括測試區(qū)域；若干大馬士革結構，全部或部分位于所述測試區(qū)域中，所述大馬士革結構包括一溝槽和兩個連接孔，兩個所述連接孔沿第一方向位于所述溝槽的兩端，在所述測試區(qū)域中，沿第一方向的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交，使得當在所述測試區(qū)域沿所述第一方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提高斷面的成功率。 [0042]以下列舉所述斷面測試結構的幾個實施例，以清楚說明本發(fā)明的內容，應當明確的是，本發(fā)明的內容并不限制于以下實施例，其他通過本領域普通技術人員的常規(guī)技術手段的改進亦在本發(fā)明的思想范圍之內。
[0043]【第一實施例】
[0044]本第一實施例中，所述斷面測試結構的若干所述大馬士革結構陣列排列形成至少一行陣列，同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其前一所述大馬士革結構在所述第二方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第一距離。以下請參考圖4具體說明所述斷面測試結構，其中，圖4為本發(fā)明一實施例中的斷面測試結構的俯視圖。
[0045]如圖4所示，在本實施例中，所述斷面測試結構100包含I個測試區(qū)域110，和5個大馬士革結構，分別為第一大馬士革結構210、第二大馬士革結構220、第三大馬士革結構230、第四大馬士革結構240、第五大馬士革結構250，每一個大馬士革結構包含溝槽和兩個連接孔，兩個所述連接孔分別位于所述溝槽的兩端，以第一大馬士革結構210為例，第一大馬士革結構210包含溝槽211和兩個連接孔212，在所述大馬士革結構210的橫截面上，兩個所述連接212孔構成的方向為第一方向X,垂直于所述第一方向X的方向為第二方向Y。
[0046]在本實施例中，5個所述大馬士革結構的所有連接孔均位于在所述測試區(qū)域110中，該5個大馬士革結構陣列排列，形成一行陣列，每一所述大馬士革結構依次相對于其前一所述大馬士革結構在所述第二方向Y上錯開相同矢量方向、相同大小的第一距離h,其中在圖4中，相同矢量方向表示，所有的第一距離h均為第二方向Y向上的方向，或第二方向Y向下的方向。在本實施例中，第二大馬士革結構220相比于第一大馬士革結構210在所述第二方向Y向下的方向上錯開一第一距離h，第三大馬士革結構230相比于第二大馬士革結構220在所述第二方向Y向下的方向上錯開一第一距離h，以此類推，每一所述大馬士革結構比前一所述大馬士革結構在所述第二方向上均向下的方向上錯開一第一距離h。
[0047]其中，n≥d/h, h < d, d為所述連接孔的直徑。h < d保證了不同的大馬士革結構之間的所述連接孔在所述第二方向Y上的位置有重疊，即第一大馬士革結構210的連接孔212與第二大馬士革結構220的連接孔222在所述第二方向Y上的位置有重疊，第二大馬士革結構220的連接孔222與第三大馬士革結構230的連接孔232在所述第二方向Y上的位置有重疊，以此類推，直到第四大馬士革結構240的連接孔242與第五大馬士革結構250的連接孔252在所述第二方向Y上的位置有重疊，使得在所述測試區(qū)域110中，沿第一方向X的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交，即從圖4中所述測試區(qū)域110中任何位置沿第一方向X進行斷面，均可以由至少一個大馬士革結構的連接孔落入斷面內，從而使得所述連接孔在第二方向Y上的跨度，即使得在第二方向Y上可進行斷面的位置增多，從而進一步地提高斷面的成功率。
[0048]在本實施例中，所述連接孔的直徑d為50nm,第一距離h為IOnm,則如果采用現有技術的斷面測試結構，其在第二方向Y上的有效斷面跨度為50nm ;如果采用本第一實施例的斷面測試結構，其在第二方向Y上的有效斷面跨度為90nm，大大提高了斷面的成功率。
[0049]在本實施例中，η并不限于5個，也可以為6個、8個、10個或更多，η的值越大，其在第二方向Y上的有效斷面跨度越大，斷面的成功率越高。其中，第一距離h并不限于為IOnm,較佳的，h為2nm~15nm,可以具有較好的斷面的成功率,如h為10nm±3nm, h越小，斷面中能包含的連接孔就越多。較佳的，d≤60nm，采用本方法可以達到較好的效果，如d為20nm、40nm、50nm,但并不限于d ≤ 60nm,當d > 60nm時亦可采用本實施例的方法,只是d > 60nm時采用現有技術的斷面測試結構其在第二方向Y上的有效斷面跨度大于60nm，亦可以達到較高的斷面成功率。
[0050]第一大馬士革結構210、第二大馬士革結構220、第三大馬士革結構230、第四大馬士革結構240、第五大馬士革結構250可以通過所述電介質300絕緣間隔。在本實施例中，所述電介質300的材料并不作限制，一般為第k材料。在本實施例中，所述斷面測試結構100還可以包括其它結構,如墊片(pad)等,在此不--詳述。
[0051]本實施例的所述斷面測試結構用于制備掃面電子顯微鏡的測試結構等測試結構，如投射電子顯微鏡(TEM)的測試結構。
[0052]【第二實施例】
[0053]以下請參考圖5具體說明所述斷面測試結構，其中，圖5為本發(fā)明另一實施例中的斷面測試結構的俯視圖。第二實施例在第一實施例的基礎上，區(qū)別在于，所述大馬士革結構包括至少兩行，相鄰行中同次序的所述大馬士革結構中對應連接孔具有一排列距離C，其中，η > (c+d) /ho
[0054]如圖5所示，本實施例中所述陣列排列的大馬士革結構的行數m = 3，即3行大馬士革結構在所述第二方向Y陣列排列，如圖5所示，每一行400具有5個大馬士革結構。相鄰行中同次序的所述大馬士革結構中對應連接孔具有一排列距離c，所述排列距離c為相鄰行中對應的所述大馬士革結構的所述連接孔的間距，例如，如圖5所示，第二行第一個大馬士革結構的連接孔與第一行第一個大馬士革結構的連接孔具有一排列距離C。其中，η≥(c+d)/h。當η≥(c+d)/h時，保證了相鄰行之間的所述連接孔在所述第二方向Y上的位置有重疊，即從圖5中，所述測試區(qū)域110中任何位置沿第一方向X進行斷面，均可以由至少一個大馬士革結構的連接孔落入斷面內，從而使得所述連接孔在第二方向Y上的跨度進一步增加，即使得在第二方向Y上可進行斷面的位置增多，從而進一步地提高斷面的成功率。
[0055]在本實施例中，所述連接孔的直徑d為50nm，第一距離h為10nm，排列距離c為40nm，一共有3行所述大馬 士革結構，其在第二方向Y上的有效斷面跨度為:90nm+40nm+90nm+40nm+90nm = 350nm,大大提高了斷面的成功率。采用本第二實施例的所述斷面測試結構，其斷面的成功率將近100%。
[0056]較佳的，0.5Xd≤c≤2Xd，可以使相鄰行的大馬士革結構具有較好的距離，不至于太大，也不至于太小，有利于整個所述斷面測試結構進行布局，方便制作斷面。
[0057]較佳的，當c≤120nm時,則不需要η太大即可滿足η > (c+d)/h的條件，即每個所述基本單元中不需要有太多個所述大馬士革結構，從而使得每個所述基本單元不需要太長，以方便對整個所述斷面測試結構的長度進行靈活的控制。
[0058]【第三實施例】
[0059]以下請參考圖6具體說明所述斷面測試結構，其中，圖6為本發(fā)明又一實施例中的斷面測試結構的俯視圖。第三實施例在第二實施例的基礎上，區(qū)別在于，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第二距離，其中，m ^ d/k，m為所述陣列排列的大馬士革結構的行數，k為所述第二距離。
[0060]如圖6所示，本實施例中，該斷面測試結構的6行所述大馬士革結構在所述第二方向Y依次排列，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開第二距離k，所以每一所述連接孔依次相對于其前一行中對應的所述連接孔在所述第一方向上也均錯開第二距離k，其中，第二距離k = IOnm0
[0061]在本實施例中，m并不限于為6，當m > d/k時，保證了不同行的所述連接孔在所述第一方向X上的位置有重疊，從而增加了所述連接孔在第一方向X上的跨度，當沿所述第二方向Y做斷面時，更容易切中所述連接孔，從而提高斷面的成功率。當m越大時，所述連接孔在第一方向X上的跨度越大，斷面的成功率就越高。當m足夠多，所有的所述連接孔在第一方向X上均有覆蓋，從而在所述測試區(qū)域中，沿第二方向Y的任意位置做斷面，均有至少一大馬士革結構中的所述連接孔。
[0062]在本實施例中，第二距離k并不限于為10nm，較佳的，k為2nm~15nm，可以具有較好的斷面的成功率，如k為10nm±3nm, k越小,斷面中能包含的連接孔就越多。
[0063]本發(fā)明并不限于以上實施例，例如所述陣列排列的大馬士革結構在所述第一方向X上依次排列，如圖7所示，所述大馬士革結構先陣列排列為3行，然后兩個該3行陣列排列的大馬士革結構在所述第一方向X上再依次排列，從而增加在所述測試區(qū)域中，與沿第一方向X的切線相交的所述連接孔的數量。
[0064]在本發(fā)明中，若干大馬士革結構并不限于陣列排列，也可以雜亂無章地排列，只要使得沿第一方向X的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交，以保證沿第一方向X做斷面時均有所述連接孔落入斷面內，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。并且，當若干所述大馬士革結構陣列排列，同行的所述大馬士革結構在第一方向上依次排列且每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一所述大馬士革結構在第二方向上錯開的距離不一定相等，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開的距離也不一定相等，只要滿足做斷面時均有所述連接孔落入斷面內，亦在本發(fā)明的思想范圍之內。
[0065]綜上所述，本發(fā)明提供一種斷面測試結構，斷面測試結構包括由η個所述大馬士革結構在所述第一方向上依次排列形成的所述基本單元，所述基本單元中的后一所述大馬士革結構比前一所述大馬士革結構在所述第二方向上均錯開一第一距離，以提高斷面的成功率。與現有技術相比，本發(fā)明提供的含有偏壓溫度不穩(wěn)定性測試電路具有以下優(yōu)點:
[0066]1、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構具有測試區(qū)域，若干大馬士革結構全部或部分位于所述測試區(qū)域中，在所述測試區(qū)域中，沿第一方向的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交，與現有技術相比，當在所述測試區(qū)域沿所述第一方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提高斷面的成功率。
[0067]2、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構具有測試區(qū)域，若干所述大馬士革結構陣列排列形成至少一行陣列，位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一所述大馬士革結構在所述第二方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第一距離，所以不同的所述大馬士革結構的所述連接孔也均錯開所述第一距離，從而增加了所述連接孔在第二方向上的跨度，當在所述測試區(qū)域沿所述第一方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提聞斷面的成功率。
[0068]3、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構的所述大馬士革結構包括至少兩行，相鄰行中同次序的所述大馬士革結構中對應連接孔之間具有一排列距離C，其中，n ^ (c+d)/h，使得相鄰行的所述大馬士革結構之間的所述連接孔在所述第二方向上的位置有重疊，從而進一步地增加了所述連接孔在第二方向上的跨度，從而進一步地提高斷面的成功率。
[0069]4、本發(fā)明提供的斷面測試結構，該斷面測試結構的不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第二距離，所以不同行中每一所述連接孔依次相對于其前一行中對應的所述連接孔也在所述第一方向上均錯開第二距離，從而增加了所述連接孔在第一方向上的跨度，當在所述測試區(qū)域沿所述第二方向做斷面時，均能切中所述連接孔，從而提高斷面的成功率。
[0070]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種斷面測試結構，包括: 測試區(qū)域； 若干大馬士革結構，全部或部分位于所述測試區(qū)域中，所述大馬士革結構包括一溝槽和兩個連接孔，兩個所述連接孔沿第一方向分別位于所述溝槽的兩端，在所述測試區(qū)域中，沿第一方向的所有切線均與至少一大馬士革結構中的所述連接孔相交。
2.如權利要求1所述的斷面測試結構，其特征在于，若干所述大馬士革結構排列形成至少一行陣列，位于同行的大馬士革結構在第一方向上依次排列且位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的大馬士革結構在第二方向上錯開一定距離，所述第二方向垂直于所述第一方向。
3.如權利要求2所述的斷面測試結構，其特征在于，位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一所述大馬士革結構在所述第二方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第一距離。
4.如權利要求3所述的斷面測試結構，其特征在于，每行所述大馬士革結構均具有η個，其中，η≥d/h，h < d，所述η為正整數，所述d為所述連接孔的直徑，所述h為所述第一距離。
5.如權利要求4所述的斷面測試結構,其特征在于,所述h為2nm~15nm。
6.如權利要求5所述的斷面測試結構,其特征在于,所述h為10nm±3nm。
7.如權利要求4所述的斷面測試結構，其特征在于，所述d( 60nm。
8.如權利要求2-7 中任意一項所述的斷面測試結構，其特征在于，所述大馬士革結構包括至少兩行，相鄰行中同次序的所述大馬士革結構中對應連接孔之間具有一排列距離，其中，η≥(c+d)/h, c為所述排列距離。
9.如權利要求8所述的斷面測試結構，其特征在于，0.5Xd ≤ c≤ 2Xd0
10.如權利要求8所述的斷面測試結構,其特征在于，c( 120nm。
11.如權利要求8所述的斷面測試結構，其特征在于，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一行中同次序的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開一定距離。
12.如權利要求11所述的斷面測試結構，其特征在于，不同行中每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的前一行中對應的所述大馬士革結構在所述第一方向上錯開相同矢量方向、相同大小的第二距離。
13.如權利要求12所述的斷面測試結構，其特征在于，d/k，m為所述陣列排列的大馬士革結構的行數，k為所述第二距離。
14.如權利要求13所述的斷面測試結構,其特征在于,所述k為2nm~15nm。
15.如權利要求14所述的斷面測試結構,其特征在于,所述k為10nm±3nm。
16.如權利要求1所述的斷面測試結構，其特征在于，若干所述大馬士革結構排列形成至少一行陣列，位于同行的大馬士革結構形成至少兩組，所述至少兩組大馬士革結構重復排列，每組所述大馬士革結構在第一方向上依次排列且位于同行的每一所述大馬士革結構依次相對于其相鄰的大馬士革結構在第二方向上錯開一定距離，所述第二方向垂直于所述第一方向。
17.如權利要求1所述的斷面測試結構，其特征在于，所述斷面測試結構用于制備掃面電子顯微鏡的測試結構。`
【文檔編號】H01L23/544GK103872015SQ201210526016
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月7日 優(yōu)先權日:2012年12月7日
【發(fā)明者】虞勤琴 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司