專利名稱：一種新型疊片二極管制造工藝及其芯片篩盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型疊片二極管制造工藝，特別涉及一種實現(xiàn)新型疊片二極管制造工藝的芯片篩盤。
背景技術(shù)：
目前市場上的疊片二極管系列產(chǎn)品均采用傳統(tǒng)的涂色疊片工藝進行生產(chǎn)(涂色的目的是區(qū)分二極管的PN極性)。這種工藝的缺點是裝填芯片效率低，人工成本高。具體工藝流程如下硅片P面涂色一劃片一引線裝填一篩裝芯片(人工識別極性)一焊接一酸洗一梳條一上膠一膠固化一模壓一后固化一電鍍一測試、印字一包裝一出貨。以上工藝生產(chǎn)的產(chǎn)品，由于人工在識別極性時，會對極性反的芯片進行調(diào)整，調(diào)整過程使用的鑷子會對芯片臺面部份會造成損傷，這一點是制約此產(chǎn)品的電性良率提升(目前行業(yè)電性良率85%)。·

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種裝芯片時自動識別極性且準確度高的新型疊片二極管制造工藝，還提供一種實現(xiàn)新型疊片二極管制造工藝的芯片篩盤。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為一種新型疊片二極管制造工藝，其創(chuàng)新點在于所述步驟為在硅片的P面或N面開寬槽；以寬槽槽底中心為邊界進行劃片，形成具有小面和大面的芯片；引線裝填、篩裝芯片后利用焊料將芯片、引線焊接固定，在篩裝芯片時利用開寬槽形成的小面和芯片篩盤的吸盤型孔配合，完成PN極性識別；再依次經(jīng)過常規(guī)的酸洗、梳條、上膠、膠固化、模壓、后固化、電鍍工序，最后經(jīng)檢測合格出貨。進一步的，所述槽寬度為7(T250um，槽深度6(Tl00um。一種實現(xiàn)新型疊片二極管制造工藝的芯片篩盤，所述芯片篩盤采用真空吸住芯片，其上表面開有吸盤型孔，吸盤型孔的深度H小于芯片的厚度；吸盤型孔的形狀與芯片相配，吸盤型孔的尺寸B略大于芯片大面，芯片大面占到整個型孔底面積的90%以上；吸盤型孔背面設(shè)置真空通道，真空通道在與吸盤型孔連接處尺寸A小于吸盤型孔的尺寸B。本發(fā)明的優(yōu)點在于在硅片的P面或N面開寬槽，以寬槽槽底中心為邊界進行劃片；在篩裝芯片時利用開寬槽形成的小面和芯片篩盤的吸盤型孔配合，完成PN極性的自動識別、調(diào)整，無需人工識別，提高效率和準確性，避免手工使用鑷子調(diào)整造成芯片的損傷。篩裝芯片由原來的10分鐘每盤提高到30s/篩盤，極大的提高了工作效率，而電性良率達到95%。


圖I為本發(fā)明中硅片開槽示意圖。圖2為本發(fā)明中劃片工序示意圖。圖3為本發(fā)明中芯片篩盤局部示意圖。圖4為本發(fā)明中焊接后示意圖。
圖5為本發(fā)明中上膠以及膠固化后狀態(tài)圖。圖6為本發(fā)明中模壓、后固化狀態(tài)圖。圖7為本發(fā)明中成品狀態(tài)圖。
具體實施例方式如圖I所示，硅片P面(或者N面)開寬槽，槽寬度7(T250um，槽深度6(Tl00um (具體參見圖I中尺寸)，根據(jù)具體產(chǎn)品要求在以上范圍調(diào)整槽寬度和槽深度尺寸。如圖2所示，劃片，以寬槽槽底中心為邊界進行劃片，劃片道寬度約50um，進而形成具有小面和大面的芯片。 上述在硅片的P面(或者N面)進行開槽、劃片工序中，通過調(diào)整芯片尺寸，對小面尺寸進行適當補償，從而滿足產(chǎn)品電性參數(shù)要求。該具體方法與行業(yè)內(nèi)公知的GPP芯片的大小面補償原理相同，這里不再贅述。如圖3所示，引線裝填一篩裝芯片I ;在篩裝芯片I時，利用開寬槽形成的小面和芯片篩盤型孔配合，完成高效的PN極性識別和調(diào)整。實現(xiàn)本發(fā)明中新型疊片二極管制造工藝的芯片篩盤，結(jié)構(gòu)為
芯片篩盤7采用真空吸住芯片，其上表面開有吸盤型孔8，吸盤型孔8的深度H小于芯片的厚度，本實施例中，吸盤型孔深度8為O. 1-0. 32mm,且吸盤型孔8的形狀與芯片相配，吸盤型孔8的尺寸B略大于芯片大面，使得芯片大面占到整個型孔底面積的90%以上，吸盤型孔8背面的真空通道9在與吸盤型孔8連接處尺寸A小于吸盤型孔8的尺寸B。在篩選過程中，當芯片小面朝下時，由于小面尺寸小且吸盤型孔8深度低，吸盤型孔8后方的真空通道9無法吸緊芯片I。當芯片I大面朝下時，芯片I大面占到整個型孔底面積的90%以上，此時真空就能夠完全吸住芯片I。從而順利實現(xiàn)PN極性識別。如圖4所示，在芯片I的兩面通過焊料2焊接引線3，引線3均為平頭引線。在焊接后的二極管半成品進行酸洗，酸洗時間12(Tl80s，通過化學(xué)腐蝕的方法去除劃片對芯片臺面造成的損傷，腐蝕量O. 15^0. 30Mm,達到光亮且潔凈的芯片臺面，以便以改善機械損傷，祛除表面吸附的雜質(zhì)，降低表面電場，使P-N結(jié)的擊穿首先從體內(nèi)發(fā)生，以獲得于理論值接近的反向擊穿電壓和極小的表面漏電流。如圖5所示，經(jīng)過梳條后在重疊的芯片I上白膠4，并進行烘烤，使白膠充分固化，保護芯片臺面。如圖6所示，膠固化結(jié)束的產(chǎn)品進行模壓，通過注塑形成二極管的塑封管體，產(chǎn)品經(jīng)過后固化烘烤使環(huán)氧樹脂5達到穩(wěn)定狀態(tài)。如圖7所示，產(chǎn)品經(jīng)過電鍍，在引線表面電鍍6純錫，便于產(chǎn)品在電路板上焊接使用。產(chǎn)品進行測試和印字，篩選出不良品。良品進行包裝出貨。
權(quán)利要求
1.一種新型疊片二極管制造工藝，其特征在于所述步驟為在硅片的P面或N面開寬槽；以寬槽槽底中心為邊界進行劃片，形成具有小面和大面的芯片；引線裝填、篩裝芯片后利用焊料將芯片、引線焊接固定，在篩裝芯片時利用開寬槽形成的小面和芯片篩盤的吸盤型孔配合，完成PN極性識別；再依次經(jīng)過常規(guī)的酸洗、梳條、上膠、膠固化、模壓、后固化、電鍍工序，最后經(jīng)檢測合格出貨。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型疊片二極管制造工藝，其特征在于所述槽寬度為70 250um，槽深度 60 100um。
3.一種實現(xiàn)新型疊片二極管制造工藝的芯片篩盤，其特征在于所述芯片篩盤采用真空吸住芯片，其上表面開有吸盤型孔，吸盤型孔的深度H小于芯片的厚度；吸盤型孔的形狀與芯片相配，吸盤型孔的尺寸B略大于芯片大面，芯片大面占到整個型孔底面積的90%以上；吸盤型孔背面設(shè)置真空通道，真空通道在與吸盤型孔連接處尺寸A小于吸盤型孔的尺寸B。
全文摘要
一種新型疊片二極管制造工藝及其芯片篩盤，本發(fā)明涉及一種新型疊片二極管制造工藝，其特征在于所述步驟為在硅片的P面或N面開寬槽，槽寬度為70~250um，槽深度60~100um；以寬槽槽底中心為邊界進行劃片；引線裝填、篩裝芯片后利用焊料將芯片、引線焊接固定，在篩裝芯片時利用開寬槽形成的小面和芯片篩盤型孔配合，完成PN極性識別；再依次經(jīng)過酸洗、梳條、上膠、膠固化、模壓、后固化、電鍍、測試、印字、包裝、出貨。在硅片的P面或N面開寬槽，以寬槽槽底中心為邊界進行劃片；在篩裝芯片時利用開寬槽形成的小面和芯片篩盤型孔配合，完成PN極性的自動識別、調(diào)整，無需人工識別，提高效率和準確性，避免手工使用鑷子調(diào)整造成芯片的損傷。
文檔編號H01L21/329GK102881587SQ201210393280
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
發(fā)明者趙宇 申請人:如皋市大昌電子有限公司