專利名稱：圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是ー種將ー維或ニ維光學(xué)信息(optical information)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的裝置。圖像傳感器可以被進(jìn)一歩地分為兩種不同的類型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器和電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器。其中CMOS圖像傳感器具有比CCD圖像傳感器更廣泛的應(yīng)用。CMOS圖像傳感器包括用于感測(cè)輻射光的光電ニ極管以及用于將所感測(cè)的光處理為電信號(hào)數(shù)據(jù)的CMOS邏輯電路。芯片級(jí)封裝(Chip Scale Package, CSP)是ー種廣泛應(yīng)用的圖像傳感器的封裝技
術(shù)。隨著芯片的尺寸越來(lái)越小，功能越來(lái)越強(qiáng)，焊墊數(shù)目增多，間距變窄，相應(yīng)地，對(duì)芯片封裝也提出了較高的要求，晶圓級(jí)封裝逐漸應(yīng)用到圖像傳感器的封裝中。然而，現(xiàn)有技術(shù)采用晶圓級(jí)封裝圖像傳感器時(shí)，形成的圖像傳感單元的性能不夠穩(wěn)定。更多有關(guān)晶圓級(jí)封裝的資料請(qǐng)公開號(hào)為CN101740422A的中國(guó)專利文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，包括提供形成有多個(gè)圖像傳感器的晶圓，所述圖像傳感器ー側(cè)的表面具有引腳，所述圖像傳感器另ー側(cè)表面具有第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述圖像傳感器的表面和側(cè)壁；在每ー圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，所述通孔暴露出圖像傳感器引腳；在所述第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層，所述金屬線層與焊盤和圖像傳感器引腳電連接；去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；形成包裹所述金屬線層側(cè)壁的第二絕緣層；在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裏。可選地，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為濕法刻蝕エ藝?？蛇x地，所述濕法刻蝕エ藝采用的刻蝕溶液為由磷酸、硝酸和こ酸組合而成的三酸蝕刻液，所述三酸蝕刻液的比重為I. 5-1. 6，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度?？蛇x地，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為激光刻蝕エ藝。
可選地，所述激光刻蝕時(shí)的激光功率為2瓦-10瓦?？蛇x地，在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)。可選地，所述第二絕緣層的材料為環(huán)氧樹脂?？蛇x地，所述第二絕緣層的厚度為10微米-20微米。可選地，還包括刻蝕與所述焊盤相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層，直至暴露出焊盤；在所述焊盤表面形成焊點(diǎn)。可選地，還包括提供基板，所述晶圓位于基板表面，且圖像傳感器的感光單元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圓之間的通孔基板，所述通孔基板暴露出圖像傳感器的感光單元。
可選地，所述通孔基板的材料為陶瓷、玻璃、BT樹脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)形成金屬線層后，首先去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，然后形成覆蓋剩余金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層，最后再切割晶圓，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元，切割后，所述圖像傳感單元中金屬線層仍然被第二絕緣層包裹。不會(huì)暴露出金屬線層側(cè)壁，金屬線層不易被氧化。封裝形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法的流程示意圖；圖3-圖10是本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)采用晶圓級(jí)封裝圖像傳感器時(shí)，形成的圖像傳感單元的性能不夠穩(wěn)定。經(jīng)過研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)采用晶圓級(jí)封裝圖像傳感器的過程，包括提供形成有多個(gè)圖像傳感器13的晶圓，所述圖像傳感器13—側(cè)的表面13a具有引腳
11;形成位于所述圖像傳感器13另一側(cè)表面13b和側(cè)壁13c的第一絕緣層15，所述第一絕緣層15覆蓋所述圖像傳感器13的表面13b和側(cè)壁13c ;在每一圖像傳感器13的引腳11對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層15內(nèi)形成通孔(未標(biāo)示)，所述通孔暴露出圖像傳感器13的引腳11 ；在所述第一絕緣層15表面形成焊盤17，并在第一絕緣層15表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層19，所述金屬線層19與焊盤17和圖像傳感器13的引腳11電連接；形成覆蓋所述金屬線層19的第二絕緣層21 ;刻蝕所述第二絕緣層21暴露出焊盤17，并在所述焊盤17表面形成焊點(diǎn)23 ;待形成焊點(diǎn)23后，切割所述晶圓、第一絕緣層15、第二絕緣層21和金屬線層19，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元(未標(biāo)示)。由于所述晶圓、第一絕緣層15、第二絕緣層21和金屬線層19在同一工藝步驟中切害I]，雖然可以節(jié)省工藝步驟，但是形成的獨(dú)立的圖像傳感單元側(cè)壁暴露出金屬線層19，所述金屬線層19的側(cè)壁暴露在空氣中容易被氧化，造成所述圖像傳感單元的性能不穩(wěn)定。
經(jīng)過進(jìn)一歩研究，發(fā)明人提供了一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，在形成金屬線層后，首先去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；然后形成包裹所述金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層；最后，在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元。采用此種晶圓級(jí)封裝的制作方法，形成圖像傳感單元側(cè)壁不會(huì)有金屬線層暴露，形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。請(qǐng)參考圖2，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，包括步驟S101，提供基板和位于基板表面的晶圓，所述晶圓表面形成有多個(gè)圖像傳感器，所述圖像傳感器靠近基板ー側(cè)的表面具有感光単元和與所述感光単元電連接的引腳； 步驟S103，形成位于所述圖像傳感器背離基板ー側(cè)表面的第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述圖像傳感器背離基板ー側(cè)的表面和側(cè)壁；步驟S105，在每ー圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，所述通孔暴露出圖像傳感器引腳；步驟S107，在所述第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層，所述金屬線層與焊盤和圖像傳感器引腳電連接；步驟S109，去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；步驟S111，形成包裹所述金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層；步驟S113，在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳感單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裏。具體的，請(qǐng)參考圖3-圖10，圖3-圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖3,提供基板200和位于基板200表面的晶圓(未標(biāo)不),所述晶圓表面形成有多個(gè)圖像傳感器203，所述圖像傳感器203靠近基板ー側(cè)的表面203a具有感光単元205和與所述感光單元205電連接的引腳207。所述基板200用于為圖像傳感器203的晶圓級(jí)封裝的制作提供工作平臺(tái)。所述基板200通常由透光材料制成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述基板200的材料為玻璃。所述晶圓的材料為單晶硅。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述晶圓表面形成有多個(gè)圖像傳感器203。所述圖像傳感器203靠近基板200 —側(cè)的表面203a具有感光単元205，用于后續(xù)接收光信號(hào)，并將接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。所述圖像傳感器203靠近基板200ー側(cè)的表面203a還具有引腳207，所述引腳207與感光單元205電連接，用于傳遞感光單元205產(chǎn)生的電信號(hào)。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，基板200與晶圓之間還具有通孔基板201，所述通孔基板201具有開ロ(未標(biāo)示)，用于暴露出圖像傳感器203的感光単元205。所述通孔基板201的材料為陶瓷、玻璃、BT樹脂(即以雙馬來(lái)酰亞胺(BMI)和三嗪為主樹脂成分，并加入環(huán)氧樹脂、聚丙醚樹脂(PPE)或烯丙基化合物等作為改性組分，形成的熱固性樹脂)、耐燃材料(例如環(huán)氧玻璃布層壓板)或高聚物光刻材料。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述通孔基板201的材料為BT樹脂。需要說(shuō)明的是，為固定所述晶圓，所述通孔基板201表面和晶圓之間還具有粘結(jié)層211。所述粘結(jié)層211靠近晶圓一側(cè)的表面與引腳207表面齊平。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述粘結(jié)層211的材料為環(huán)氧樹脂材料。請(qǐng)參考圖4，形成位于所述圖像傳感器203背離基板200 —側(cè)表面203b的第一絕緣層213，所述第一絕緣層213覆蓋所述圖像傳感器203的背離基板200 —側(cè)表面203b和側(cè)壁203c。所述第一絕緣層213覆蓋所述圖像傳感器203背離基板200 —側(cè)的表面203b和側(cè)壁203c，用于后續(xù)隔離圖像傳感器和金屬線層。所述第一絕緣層213的形成工藝為沉積工藝，例如物理沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝。所述第一絕緣層213的材料為環(huán)氧樹脂或
氧化硅。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一絕緣層213采用化學(xué)氣相沉積工藝形成，所述第 一絕緣層213除覆蓋圖像傳感器203背離基板200 —側(cè)的表面203b和側(cè)壁203c外，還覆蓋相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的引腳207和粘結(jié)層211。所述第一絕緣層213的材料為
氧化硅。請(qǐng)參考圖5，在每一圖像傳感器203的引腳207對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層213內(nèi)形成通孔215，所述通孔215暴露出圖像傳感器203的引腳207。由于所述通孔215內(nèi)后續(xù)用于沉積與引腳207電連接的金屬線層，所述通孔215貫穿第一絕緣層213的厚度，且所述通孔215暴露出圖像傳感器203的引腳207。由于所述晶圓表面具有多個(gè)圖像傳感器203，所述通孔215的個(gè)數(shù)至少與圖像傳感器203的個(gè)數(shù)相同，即每一圖像傳感器203引腳207對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層213內(nèi)至少形成一個(gè)通孔215，以暴露出每一圖像傳感器203的引腳207。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為防止后續(xù)金屬線層與引腳207的接觸不良，導(dǎo)致封裝的圖像傳感單元的信號(hào)傳輸不暢，每一所述圖像傳感器203對(duì)應(yīng)于多個(gè)通孔215，例如2-6個(gè)，優(yōu)選2-3個(gè)，以提高后續(xù)封裝的圖像傳感單元的穩(wěn)定性。所述通孔215的形成工藝為刻蝕工藝，例如各向異性的干法刻蝕工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述通孔215的形成工藝為激光打孔。所述激光打孔時(shí)的功率為2瓦-10瓦。請(qǐng)參考圖6，在所述第一絕緣層213表面形成焊盤217，并在第一絕緣層215表面和通孔215側(cè)壁形成金屬線層219，所述金屬線層219與焊盤217和圖像傳感器203的引腳207電連接。所述焊盤217用于后續(xù)在其表面形成焊球，與電路板(未圖示)電連接。所述焊盤217的材料為導(dǎo)電材料，比如為銅、鋁、金等導(dǎo)電金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述焊盤217的材料為導(dǎo)電性能好的銅。所述金屬線層219電連接焊盤217和圖像傳感器203的引腳207，用于傳遞電信號(hào)。所述金屬線層219的材料為導(dǎo)電材料，比如為銅、鋁、金等導(dǎo)電金屬。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述焊盤217和金屬線層219在同一工藝步驟中刻蝕導(dǎo)電材料后形成。所述圖像傳感器203的感光單元205產(chǎn)生的電信號(hào)通過引腳207、金屬線層219、焊盤217、焊點(diǎn)等傳送至電路板。所述金屬線層219的材料為導(dǎo)電性能好的銅。需要說(shuō)明的是，由于所述焊盤217和金屬線層219的形成工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。請(qǐng)參考圖7，去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219 (圖6所示)，暴露出金屬線層219a側(cè)壁。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于所述具有多個(gè)圖像傳感器的晶圓后續(xù)會(huì)被切割，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元，如果所述金屬線層219在切割晶圓的同時(shí)切割，雖然可以節(jié)省エ藝步驟，但是形成的獨(dú)立的圖像傳感單元暴露出金屬線層219側(cè)壁，所述金屬線層219a側(cè)壁暴露在空氣中容易被氧化，造成所述圖像傳感單元的性能不穩(wěn)定。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果在形成金屬線層219后，首先去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219，暴露出金屬線層219a側(cè)壁；然后形成包裹所述金屬線層219a表面和側(cè)壁的第二絕緣層；最后，在第二絕緣層包裹所述金屬線層219a側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元。采用此種晶圓級(jí)封裝的制作方法，形成圖像傳感單元側(cè)壁不會(huì)有金屬線層219a暴露，形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。所述去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219的方法為濕法刻蝕エ藝，以利于后續(xù)形成的第二絕緣層包裹金屬線層219a的側(cè)壁。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述濕法刻蝕エ藝采用的刻蝕溶液為由磷酸、硝酸和こ酸組合而成的三酸蝕刻液，所述三酸蝕刻液的比重為I. 5-1. 6，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度。所述相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域 的金屬線層219去除的干凈，并且不會(huì)對(duì)金屬線層219底部的第一絕緣層213造成影響。需要說(shuō)明的是，當(dāng)采用上述三酸蝕刻液去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219時(shí)，通常去除200-300片晶圓的金屬線層219后，更換新的三酸蝕刻液。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用激光刻蝕的方法去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219的方法為激光刻蝕エ藝，例如，所述激光刻蝕時(shí)的激光功率為2瓦-10瓦。相對(duì)于傳統(tǒng)的刻蝕エ藝，采用激光刻蝕的方法去除金屬線層219的速度更快。并且由于第一絕緣層213為透明材質(zhì)，對(duì)激光的吸收較少，所述第一絕緣層213不易在去除金屬線層219時(shí)被破壞，后續(xù)封裝形成的圖像傳感單元的性能好。請(qǐng)參考圖8，形成包裹所述金屬線層219a表面和側(cè)壁的第二絕緣層221。所述第二絕緣層221在去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219 (圖6所示)后形成，用于包裹金屬線層219a的表面和側(cè)壁。所述第二絕緣層221的材料為環(huán)氧樹脂。為使所述第二絕緣層221能夠較好的防止所述金屬線層219a被氧化，所述第二絕緣層221的厚度不宣太薄，并且考慮到降低封裝后的圖像傳感單元的體積，所述第二絕緣層221的厚度也不宣太厚。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第二絕緣層221的厚度為10微米-20微米，較好的防止了金屬線層219a的氧化，封裝后的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定，且圖像傳感單元的體積小。請(qǐng)參考圖9，刻蝕與所述焊盤217相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層221，直至暴露出焊盤217 ;在所述焊盤217表面形成焊點(diǎn)223。實(shí)際封裝時(shí)，還需要在所述焊盤217表面形成焊點(diǎn)223，通過所述焊點(diǎn)223將封裝后的圖像傳感單元焊接在電路板上。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，還需要刻蝕與所述焊盤217相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層221，直至暴露出焊盤217。所述去除第二絕緣層221的エ藝為刻蝕エ藝，例如各向異性的干法刻蝕エ藝。由于刻蝕第二絕緣層221暴露出焊盤217的エ藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。所述焊點(diǎn)223的形成エ藝為回流焊エ藝，所述焊點(diǎn)223的材料為錫。由于采用回流焊エ藝形成焊點(diǎn)223的エ藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
請(qǐng)參考圖10，在第二絕緣層221包裹所述金屬線層219a側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元230，所述圖像傳感單元230中金屬線層219a側(cè)壁由第二絕緣層221包裹。當(dāng)形成焊點(diǎn)之后，圖像傳感單元230已經(jīng)形成，包括圖像傳感器203，所述圖像傳感器203 —側(cè)表面203a具有感光單元205，以及與所述感光單元205電連接的引腳207 ;位于所述圖像傳感器203另一側(cè)表面203b和側(cè)壁203c的第一絕緣層213 ;位于所述第一絕緣層表面的焊盤217 ;與所述焊盤217和引腳207電連接的金屬線層219a ;位于所述焊盤217表面的焊點(diǎn)223。但是此時(shí)圖像傳感單元230還形成在晶圓表面，需要采用切割工藝將所述晶圓切割，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元230。由于第二絕緣層221已事先包裹金屬線層219a表面和側(cè)壁，后續(xù)切割晶圓時(shí)切割刀具作用于相鄰圖像傳感單元230之間的區(qū)域，并不會(huì)暴露出金屬線層219a的側(cè)壁，所述
金屬線層219a不會(huì)被氧化而影響圖像傳感單元230的性能，采用此種方法封裝后得到的圖像傳感單元230的性能穩(wěn)定。需要說(shuō)明的是，為防止切割過程時(shí)晶圓斷裂，影響圖像傳感單元的成品率。切割晶圓時(shí)，還包括切割通孔基板201和基板200。切割所述晶圓采用的方法為刀片機(jī)械切割。由于切割所述晶圓、通孔基板201和基板200的工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。上述步驟完成之后，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法完成。形成金屬線層后，首先去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，然后形成覆蓋剩余金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層，最后再切割晶圓，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元，切割后，所述圖像傳感單元中金屬線層仍然被第二絕緣層包裹。不會(huì)暴露出金屬線層側(cè)壁，金屬線層不易被氧化。封裝形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，包括 提供形成有多個(gè)圖像傳感器的晶圓，所述圖像傳感器一側(cè)的表面具有引腳，所述圖像傳感器另一側(cè)表面具有第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述圖像傳感器的表面和側(cè)壁； 在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，所述通孔暴露出圖像傳感器引腳； 在所述第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層，所述金屬線層與焊盤和圖像傳感器引腳電連接； 去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁； 形成包裹所述金屬線層側(cè)壁的第二絕緣層； 在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裹。
2.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為濕法刻蝕工藝。
3.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為由磷酸、硝酸和乙酸組合而成的三酸蝕刻液，所述三酸蝕刻液的比重為I. 5-1. 6，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度。
4.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為激光刻蝕工藝。
5.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述激光刻蝕時(shí)的激光功率為2瓦-10瓦。
6.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)。
7.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為環(huán)氧樹脂。
8.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度為10微米-20微米。
9.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，還包括刻蝕與所述焊盤相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層，直至暴露出焊盤；在所述焊盤表面形成焊點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，還包括提供基板，所述晶圓位于基板表面，且圖像傳感器的感光單元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圓之間的通孔基板，所述通孔基板暴露出圖像傳感器的感光單元。
11.如權(quán)利要求10所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述通孔基板的材料為陶瓷、玻璃、BT樹脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。
全文摘要
圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，包括提供形成有多個(gè)圖像傳感器的晶圓，圖像傳感器一側(cè)的表面具有引腳，圖像傳感器另一側(cè)表面具有第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋圖像傳感器的表面和側(cè)壁；在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，通孔暴露出圖像傳感器引腳；在第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁，形成與焊盤和圖像傳感器的引腳電連接的金屬線層；去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；形成包裹金屬線層側(cè)壁的第二絕緣層；在第二絕緣層包裹金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裹。封裝后形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102810549SQ20121031388
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月29日
發(fā)明者鄧輝, 夏歡 申請(qǐng)人:格科微電子(上海)有限公司